Патенты с меткой «монокристаллический»

Номер патента: 525465

Опубликовано: 25.08.1976

Авторы: Гене, Дудник

МПК: B01J 17/00

Метки: материал, монокристаллический, ферроэластичный

...маТИКОЛ), ТаК КаК ВЦЕШепряжецием его можноОриРнтациоццого сОст го и са ества, обладающего в мн пр скими свой ре. Это достигкристаллы Рв,спонтанной кр О ири к Олцац ОЙ телГы Обладают большимеОллениел и разбитьс этим под действием а 1 адия ЧО пр .редиентов, ве омены, в связ го тела и может быт равлеия лучом Онти нератора (ОК) с ио мента, в качестве ко материалы, обладающ свойствами,Известны ферроэл ческий материал, сод и пятиокись фосфора сравнительно низкие фициенты, что ограни ройств управления,Известно вешестРв. Ре О Е 2)содеи Р О, - 1 7 5 вес,форроэластичным мотериалом (ферроэлам механическимперевести из одногония в дру ое, Одцалратуре эти крстал 1начальным двулучеп ется путем введения в м08, вырацепных методо стаппизашц 1, и...

Номер патента: 594628

Опубликовано: 25.02.1978

Авторы: Багдасаров, Гречушников, Карпов

МПК: B01J 17/00

Метки: алюминиевого, граната, иттрий, матриела, монокристаллический, основе, ювелирный

...пределах от 1 1 К до 1 вес.Ъ в зависимости от содержания окиси титана в расплаве от 110 т до 3 вес,В.На чертеже даны спектры пропускаыий образцов иттрий-алюминиевого граната толщиной 5 мм при различной кон- центрацииЪО;з расплаве: кривая 1 0,01 вес.Ъ ТтО., кривая 2 - 05 вес.% ЪОз и кривая 3 - 3,0 вес.Ф РтО,П р и м е р, Выращивание кристалла ведут методомвертикальной направленной кристаллизации в печи с температурным градиентом 6 град/см, в атмосфере инертного газа при скорости выращивания 1,0 мм/ч.Полученные кристаллы имеют окраску, зависящую от содержания Тт 0 в расплаве, результаты приведы в таблице.азца толщи- и естествен ещ 0001 2,9 невый оттенок 7,064 42, Э 26 або-коричневый ичневы Зб евый устоняется от Кроме тог висимости...

Номер патента: 1075727

Опубликовано: 30.12.1985

Авторы: Валтис, Гагауз, Киселева, Нагорный, Письменный, Померанцев, Тале

МПК: C09K 11/30

Метки: люминесцентный, материал, монокристаллический, сцинтилляционный

...г порошка оксида скацдия(1 мас.%). Полученную смесь загружа- Оют в молибденовую трубку с внутренним диаметром 15 мм и помещают впечь для выращивания кристаллов методом направленной кристаллизации.В рабочеп камере создают вакуум 15-5510 торр и включают ток в цепинагревателя, Шпхту расплавляют ирасплав выдерживают при 1950-2000 Св течение 30 мин для гомогенизации.После этого включают систему опускация контейнера. После окончания процесса кристаллизации ток в нагревателе постепенно уменьшают с цельюмедленного охлаждения кристалла, Всистему напускают воздух и изплекают контейнер с кристаллом,Далее исследуют люминесцентныеи сцицтилляционные характеристикиполученного монокристалла иттрийалюминиевого граната, активпровацного скацдпем.Для...

Номер патента: 1216835

Опубликовано: 07.03.1986

Авторы: Банков, Грузиненко, Кочетков, Самойлов, Стасевич, Ярославский

МПК: H04R 17/00

Метки: варианты, его, монокристаллический, преобразователя, резонансного, элемент

...О 366 О 5Приведенные значения получены экспериментально методом механического зондирования поверхности элемента в пределах от 1, / 1 = 0 до 1 /1= 0,5.Рассмотрим один из возможных способов соединения монокристаллиИзобретение относится к приборостроению и может использоваться в электромеханических преобразователях в приборах, предназначенных для измерения физических величин, и в приборах селекции и стабилизации частоты.Цель изобретения - повышение стабильности генерируемых колебаний на частотах средневолнового диапазона (330-1000 кГц) с нулевым ТКЧ.На фиг, 1 показана ориентация пластины монокристаллического элемента резонансного преобразователя относительно кристаллофизических осей Х, У и Е монокристалла танталата лития; на фиг. 2 -...

Номер патента: 1693134

Опубликовано: 23.11.1991

Авторы: Гейфман, Круликовский

МПК: C30B 15/00, C30B 29/30

Метки: калия, лития, материал, монокристаллический, основе, танталата

...когда подвижность ионов лития (и обусловленная их движением диэлектрическая проницаемость) существенно завис т от температуры,Расширен ге температурного диапазона двулучепреломления при снижении диэлектрических потерь и низком температурном коэффициенте диэлектрической проницамости обеспечивается образованием ниэ осимметричной структуры не за счет эамопаживания при определенной температурп (Т,) ионов, как в случае монокристалла-прототипа, а за счет синтеза нОвого соединения, имеющего низкую симметрию (и, следовательно, аниэотропные физические свойства) при кристаллизации. Элементами структуры здесь являются искаженные октаэдры, пентагочальные и15 ЗО трехшапочные призмы, образованные изионов кислорода, окружающих...

Номер патента: 1708946

Опубликовано: 30.01.1992

Авторы: Горошенков, Заболотнов, Козлов, Комоликов, Лебедев, Пейчев, Плинер, Поротников, Прокопьев, Пургин, Романенко, Ямов

МПК: C30B 29/22

Метки: материал, монокристаллический

...(К 1 с) проводили на 3-4 параллельных образцах, выпиленных из монокристаллов, размером 3,04,045 мм. Измерения К 1", проводились методом пропила.(57) Изобретение относится к монокристаллам на основе диоксида циркония (2 г 02) и может быть использовано при изготовлении инструмента для обработки металлов (волок, плавающих оправок и др,). Цель изобретения - повышение ударной вязкости. Монокристаллический материал представляет собой кристалл кубической сингонии с мелкодисперсными выделениями тетрагональной фазы и содержит компоненты в следующем соотношении, мол.: диоксид циркония 95,2-97,3; диоксид церия 0,8-.3,5; оксид иттрия 1,3-1,9, Монокристаллы получают плавлением в "холодном" тигле. Ударная вязкость (Кс) таких образцов изменяется от...

Номер патента: 704373

Опубликовано: 15.07.1992

Авторы: Галактионова, Петров, Шильников

МПК: H01F 1/10, H01F 1/34

Метки: материал, монокристаллический, ферритовый

...окись железа, окись висмута, окись кальция,Изобретение относится к монокристаллическим Ферритовым материалам,которые используются для разработкии создания твердотельных Ферритовыхприборов дециметрового и метрового.диапазона длин волн, в частностиФильтров. Йерритовые монокристаллы,применяемые в этой области, должныобладать следующими свойствами:мала величина намагниченности насыщения (4 йр 1,малое поле магнитной кристаллоузкая линия Фернанса ЬН)однородность линии Ферромагнитного резонанса в рабочем диапазоне частот (отсутствие паразитных резонансов, вызванных магнитной неоднородностью монокристаллических образцов).Известен Ферромагнитный материал,. ьиеющий следующий состав, вес.ь: окись ванадия ил и ч а ю щ и йцелью обеспеченинитных...

Номер патента: 1767050

Опубликовано: 07.10.1992

Авторы: Быстрова, Вистинь, Соболев, Федоров

МПК: C30B 11/02, C30B 29/12

Метки: материал, монокристаллический, оптический

...- С, которая удовлетворяет следующему соотношению: С = (127,4 г - 84-127)1 мол.%,где г- ионный радиус редкоземельного элемента по системе Шеннона для координационного числа 8 или средний ионный радиус всех редкоземельных элементов, входящих в твердый раствор, А,Интервал концентраций для редкоземельного элемента, равный й 1 мол.%, был выбран потому, что, как видно из диаграмм состояния, отклонение равновесного коэффициента распределения примеси от единицы в этом интервале не превышает=.0,1%. Это обеспечивает равенство эффектианого коэффициента распределения примеси единице, отсутствие сегрегации и безъячеистый рост практически при любых скоростях кристаллизации.Таким образом, использование установленной экспериментальной...

Номер патента: 1362088

Опубликовано: 30.12.1994

Авторы: Гутан, Шамовский

МПК: C30B 11/02, C30B 29/12

Метки: материал, монокристаллический, спектрометрических, сцинтилляторов

1. Монокристаллический материал для спектрометрических сцинтилляторов на основе йодистого цезия, активированного таллием йодистым, отличающийся тем, что, с целью повышения радиационной стойкости материала, его параметров по энергетическому и временному разрешению ионизирующих излучений и расширения температурного диапазона использования, он дополнительно содержит легирующую примесь в виде бромистого цезия и имеет состав, соответствующий следующей формуле:(CsI)x(CsBr)y(TlI)[1-(x+y)] ,где 0,947 x 0,948;0,049

Номер патента: 1282785

Опубликовано: 09.01.1995

Авторы: Иванова, Саенко, Саксонов, Щербак

МПК: C04B 35/26, H01F 1/34

Метки: материал, монокристаллический, ферритовый

ФЕРРИТОВЫЙ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ, содержащий окись железа, окись марганца, окись цинка и окись кобальта, отличающийся тем, что, с целью повышения микротвердости при сохранении магнитной индукции и магнитной проницаемости на частоте 5 МГц, он дополнительно содержит окись олова при следующем соотношении компонентов, мас.%:Окись марганца - 9 - 12Окись цинка - 7,5 - 11,7Окись кобальта - 0,06 - 0,6Окись олова - 0,1 - 2Окись железа - Остальное

Номер патента: 1167997

Опубликовано: 09.01.1995

Авторы: Абаренкова, Иванова, Саенко, Харинская

МПК: C04B 35/26, H01F 1/34

Метки: материал, монокристаллический, ферритовый

ФЕРРИТОВЫЙ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ, содержащий окись марганца, окись цинка, окись кобальта и окись железа, отличающийся тем, что, с целью повышения магнитной проницаемости на частоте 10 МГц при низких значениях тангенса угла магнитных потерь и увеличения магнитной индукции в поле 10 Э, он дополнительно содержит окись германия при следующем соотношении компонентов, мас.%:Окись марганца - 18,1 - 21,6Окись цинка - 9,7 - 13,4Окись кобальта - 0,05 - 1,00Окись германия - 0,05 - 1,30Окись железа - Остальное

Номер патента: 1626741

Опубликовано: 27.01.1995

Авторы: Гутан, Шамовский

МПК: C30B 29/12

Метки: материал, монокристаллический, спектрометрических, сцинтилляторов

МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ ДЛЯ СПЕКТРОМЕТРИЧЕСКИХ СЦИНТИЛЛЯТОРОВ на основе твердого раствора CsIxCsBr1-x, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности регистрации и временного разрешения сцинтилляций и исключения токсичности, раствор имеет состав, соответствующий 0,8 х 0,9.

Номер патента: 1732706

Опубликовано: 10.03.1995

Авторы: Абаренкова, Иванова, Саенко, Харинская, Эркес

МПК: C30B 11/02, C30B 29/26

Метки: материал, монокристаллический, ферритовый

ФЕРРИТОВЫЙ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ на основе феррошпинели, содержащий марганец (II), цинк (II), железо (III) и кобальт (II), отличающийся тем, что, с целью повышения магнитной проницаемости на высоких частотах и удельного электросопротивления, он дополнительно содержит марганец (III) и имеет кристаллохимическую формулуMn2x+ZnyCoaMn3b+FezO4- ,где x = 0,683 - 0,853;y = 0,254 - 0,28;a = 0,003 - 0,018;b = 0,004 - 0,062;l = 1,873 - 2,001;g = 0 - 0,034

Номер патента: 1513934

Опубликовано: 10.04.1995

Авторы: Астафьева, Герасимов, Глезер, Голубовский, Денисов, Зуев, Качанов, Кишкин, Кулешова, Ларионов, Миронов, Морозова, Никольская, Орехов, Панкратов, Сидоров, Толорайя, Хацинская, Хвацкий, Шапин

МПК: C22C 19/05

Метки: монокристаллический, никеля, основе, сплав

МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ СПЛАВ НА ОСНОВЕ НИКЕЛЯ, содержащий хром, алюминий, титан, молибден, вольфрам, тантал, рений, кобальт, отличающийся тем, что, с целью повышения жаропрочности изделий, отлитых преимущественно с кристаллографической ориентацией (III), он дополнительно содержит ниобий, иттрий, лантан, церий, празеодим, неодим, гадолиний, скандий, при следующем соотношении компонентов, мас.Хром 2,5 5,5Алюминий 5,0 6,2Титан 0,7 1,5Молибден 1,0 4,0Вольфрам 10,5 13,0Тантал 0,01 4,5Рений 1,0 2,6Кобальт 5,0 9,5Ниобий 0,7 1,5Иттрий 0,002 0,075Лантан 0,001 0,05Церий 0,001 0,05Празеодим 0,0002 0,01Неодим 0,0002 0,005Гадолиний 0,0002 0,005Скандий 0,0002...

Номер патента: 1827121

Опубликовано: 09.07.1995

Авторы: Башашкина, Ващекина, Герасимов, Голубовский, Денисов, Качанов, Кишкин, Кулешова, Ларионов, Орехов, Панкратов, Ригин, Сидоров, Телис, Фоменко

МПК: C22C 19/05

Метки: монокристаллический, никеля, основе, сплав

МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ СПЛАВ НА ОСНОВЕ НИКЕЛЯ, содержащий хром, алюминий, титан, молибден, вольфрам, тантал, рений, кобальт, ниобий, иттрий, лантан, церий, празеодим, неодим, гадолиний и скандий, отличающийся тем, что он дополнительно содержит углерод при следующем соотношении компонентов, мас.Хром 2,5 5,5Алюминий 5,0 6,2Титан 0,7 1,5Молибден 1,0 4,0Вольфрам 10,5 13,0Тантал 0,01 4,5Рений 1,0 2,6Кобальт 5,0 9,5Ниобий 0,7 1,5Иттрий 0,002 0,075Лантан 0,001 0,05Церий 0,001 0,05Празеодим 0,0002 0,01Неодим 0,0002 0,005Гадолиний 0,0002 0,005Скандий 0,0002 0,005Углерод 0,04 0,07Никель Остальноепричем суммарное содержание иттрия, лантана,...

Номер патента: 1693908

Опубликовано: 27.08.1995

Авторы: Бушуева, Захарюгина, Зверева, Петров

МПК: C30B 29/22, C30B 9/12

Метки: бария, гексаферрита, материал, монокристаллический, основе

МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ НА ОСНОВЕ ГЕКСАФЕРРИТА БАРИЯ, содержащего добавки цинка и марганца, отличающийся тем, что, с целью увеличения температуры Кюри, повышения за счет этого термостабильности рабочей частоты и расширения частотного диапазона при сохранении узкой ширины кривой ферромагнитного резонанса, материал дополнительно содержит никель и имеет соотношение компонентов, соответствующее кристаллохимической формулеBa2 Zn2-x-yNix MnyFe12O22,где x 0,2 0,35;y 0,2 0,3.

Номер патента: 1658676

Опубликовано: 20.10.1995

Авторы: Александрова, Баранова, Петров

МПК: C30B 29/28, H01F 1/34

Метки: магнитный, материал, монокристаллический, основе, са-v, феррограната

МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ МАГНИТНЫЙ МАТЕРИАЛ НА ОСНОВЕ СА-V-ФЕРРОГРАНАТА, содержащий кальций, ванадий, индий, ниобий, железо и кислород для приборов СВЧ, работающих в частотном диапазоне 0,5 2,0 гГц, отличающийся тем, что, с целью повышения термостабильности резонансной частоты за счет уменьшения поля анизотропии, он дополнительно содержит германий и имеет состав, соответствующий формуле{Ca3} [Fe2-y-z/nyNbz](Fe3-x-qVxGeq)O12,где x 1,40 1,45; y 0,15 0,20; z 0,04 0,05;15 q 0,02 0,10 и q /(y + z) 0,10 0,40.

Номер патента: 1517384

Опубликовано: 10.11.1995

Авторы: Александрова, Бушуева, Захарюгина, Петров

МПК: C30B 29/28, H01F 1/10

Метки: магнитный, материал, монокристаллический

МАГНИТНЫЙ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ на основе феррограната, содержащий кальций, ванадий, индий и железо, отличающийся тем, что, с целью уменьшения намагниченности насыщения и снижения величины поля магнитной кристаллографической анизотропии в кристалле, он содержит компоненты в соответствии со следующей формулой:{Ca3}[Fe2-y-zInyNbz](Fe3-xVx)O12,где Х 1,36 1,41;Y 0,22 0,25;Z 0,09 0,14,а отношение индия к ниобию равно 2,20 3,02.

Номер патента: 1345684

Опубликовано: 20.08.1996

Авторы: Нейман, Никитин, Ракович, Соколовский, Усоскин, Федорова, Шафаростов

МПК: C30B 29/28, C30B 31/02, C30B 33/00 ...

Метки: лазерный, монокристаллический, стержень

1. Монокристаллический лазерный стержень из сложного окисла с активирующей добавкой, содержащий в поверхностном слое ионы металла, отличающийся тем, что, с целью повышения устойчивости стержня к УФ-излучению, в качестве ионов поверхностный слой содержит ионы редкоземельных элементов или индия, или никеля, или кобальта.2. Способ получения монокристаллического лазерного стержня из сложного окисла с активирующей добавкой, включающий нагрев стержня в порошке оксида металла до заданной температуры с последующим охлаждением, отличающийся тем, что, с целью повышения устойчивости стержня к УФ-излучению, в качестве оксида металла берут оксид редкоземельного элемента или оксид индия, или оксид никеля, или оксид кобальта с размером зерен 1 20...

Номер патента: 1839798

Опубликовано: 27.05.2005

Авторы: Бадиков, Мартынов, Матвеев, Панютин, Погосов, Троценко, Устинов, Шевырдяева, Щербаков

МПК: C30B 11/02, C30B 29/46

Метки: материал, монокристаллический, нелинейной, оптики

Монокристаллический материал для нелинейной оптики, содержащий серебро, галлий и серу, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности преобразования из инфракрасной области спектра в видимую, он дополнительно содержит германий в соответствии с химической формулой AgGaGeS4.

Номер патента: 1839800

Опубликовано: 27.05.2005

Авторы: Бадиков, Каплунник, Матвеев, Победимская, Троценко, Тюлюпа, Шевырдяева

МПК: C30B 11/06, C30B 29/46

Метки: материал, монокристаллический, нелинейный

Нелинейный монокристаллический материал, содержащий серебро, галлий и селен, отличающийся тем, что, с целью увеличения двупреломления и снижения коэффициента поглощения в области спектрального пропускания, он дополнительно содержит германий в количестве, удовлетворяющем химической формуле AgxGaxGe1-x Se2, где 0,167 x 0,37.