Способ термообработки монокристаллов вольфрамата кадмия
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
(ст С 30 В 33/00, 29/32 ГОС.УДМ С ПГНГЭГ Ц 7 ГЛОГ вгдгмстпо ссср(госцитгцг ссс ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ(54) СПОСОБ ТЕРМООБРАБОТКИ МОНОКРИСТАЛЛОВ ВОЛБФРАМАТА КАДМИЯ(57) Изобретение касается обработки кристаллов, может быть использовано при промышленном производстве монокристаллов Изобретение касается обработки моно- кристаллов и может быть использовано при промышленном производстве монокристаллов вольфрама кадмия, предназначенных для регистрации и спектрометрии рентгеновского и гамгла-излучения,Целью изобретения является увеличение выхода годных и повышение светового выхода кристаллов.П р и м е р 1, Кристалл вольфрамата кадмия Сс 3 ЬО размером 10 10 3 мм нагревают в вакууме (10 орр) до 400 С со-7 о скоростью 50 град/ч, выдерживают 4 ч, затем нагревэют до 700 С в атмосфере воздуха со скоростью 100 град/ч и выдерживают при этой температуре 24 ч, после чего проводят охлаждение со скоростью 50 град/ч. Фиксируют, что световой выход с кристалла отногительно Сз(Т) и его энергетическоеразрешение Я по линииСз Е = 0,662 5 О 1515796 А 1 вольфрамата кадмия и позволяет увеличить выход годных кристаллов и повысить их световой выход. Кристаллы нагревают в вакууме со скоростью 50-100 град/ч до 390-450 С и выдерживают в течение 2 - 5 ч, Затем проводят их термообработку в кислородсодержащей атмосфере, При этом нагрев ведут со скоростью 50-100 град/ч до 640 - 950 С, выдержку осуществляют в течение 10-15 ч, а охлаждение проводят со скоростью 30-50 град/ч. Достигают увеличения светового выхода кристаллов относительно светового выхода кристаллов Св(Т) до 437 ь.1 табл,МэВ) до обработки составляют 32 и 13%, а после обработки 43 и 10,30 соответственно. Достигают увеличения светового выхода кристалла относительно исходной величины на 33%, что значительно превышает результат(5 - 7), получаемый согласно прототипу,В таблице приведены значения светового выхода с отработанных кристаллов относительно светового выхода кристаллов в зависимости от условий обработки,Из таблицы видно, что у всех образцов после обработки по предлагаемому способу световой выход увеличен на 15-20; относительно исходной величины, тогда как по способу-прототипу (пример 5) на 507, Выход годных кристаллов увеличивается в несколько раз.Формула изобретения Способ термообработки монокристаллов вольфрамата кадмия, включающий на1 с; 1 5 с о с; 11 аг 1)ев й с к(ук скас - ,ссст ос ,); С. с, в ,оцсс с 1 в екпсзр;, с ура г дс) ,спс:"с с оо 3 сь)Эс15 Р 450 г.оррес с)р 1.Ссп,кс Редактор Т Куркова Заказ 562 1 с д си осзВНИЬ 1 ПИ Ггс.удсгс си о ц к;,;а сс с, ,Спесесс и с с ссцтп с сссь 3 1.1С,С Р, ,03 Яссва СсауцекгссаГ .с/5 Производесссспссссзласс,сп,сси, кс,ссс,;.с, с 1 аест, с Ус рссс, ул Гссерпа 101 грев, ввсдер,кку и оклгткдепсс. и кс с л ссо-держащей атмосфере, о, псо,сс и с стем, все с цсльсо уеескс;сс код едпи гтовишепсл светосзос) сс 1 .с,дс с, аскссспредварительно сса р;,",с ,.,рсс;,сс50100 град/ч пи 1 сс ссср: псн сс а , ,) , р(3 с Г с ст сс иря (сп ссе: 5 ц гес, оскзвку црс.красссассс:дчдс.с атс с"фсзрк сргтасас рк;тс,к;,со 610 0"О Г с)и, ) . :; 1 с .а о с;з ,; сс иг, с, ";с;с, - и.,
СмотретьЗаявка
4391854, 13.01.1988
ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ Р-6496
НАГОРНАЯ Л. Л, ОВЕЧКИН А. Е, ПИРОГОВ Е. Н, ВОСТРЕЦОВ Ю. Я
МПК / Метки
МПК: C30B 29/32, C30B 33/00
Метки: вольфрамата, кадмия, монокристаллов, термообработки
Опубликовано: 07.12.1992
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-1515796-sposob-termoobrabotki-monokristallov-volframata-kadmiya.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ термообработки монокристаллов вольфрамата кадмия</a>
Предыдущий патент: Электрогидравлический взрыватель
Следующий патент: Способ возведения набивной железобетонной сваи
Случайный патент: Способ разработки крутопадающих рудных тел