Способ получения монодоменных сверхпроводниковых монокристаллов типа r м в с о

ТЕНИ их темению мпесвер рату=йб, сверх двойн возни иф 0-7 прец свой онодоем за- нцием е меще получедо 1 мм, остигархпроводг, Но,УЬ,системахл.% оксиагаемыи му удове отли ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИПРИ ГКНТ СССР ОПИСАНИЕ И ВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬ СТ(56) Веркин Б.И. и др, - Физика низператур, 1988, т,14, М 2; с.218-221. зобретение относится к получпроводящих кристаллов высокотеных сверхпроводников. онокристаллы йВа 2 Соз 07-У, где й = Я)т), Ец,йд,Оу, Но, Ег, Та, УЬ и Увпроводящей ромбической фазе имеют ики-домены размером 0,1 - 100 мкм,кающие при переходе из тетрагональазы в ромбическую при температуре00 С. Двойники-домены затрудняютизионное исследование физическихтв кристаллов и практическое их исование.звестен способ получения мых кристаллов УВа 2 Сиз 07-у путния части бария в расплаве стро Цель настоящего изобретен ние кристаллов размером доменоЦель настоящего изобретени ется тем, что кристаллизация све ников йВа 2 Сиз 07-у, где й = Т(п, Е У, проводится из расплава в й 20 з-ВаО-СОО с заменой 2 - 5 мо да бария на оксид кальция. Пред способ заявляется впервые, а пот летворяет критерию "существен чия".(54) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОДОМ ННЫХ СВЕРХПРОВОДНИКОВЫХ МОНОКРИСТАЛЛО В ТИПА йМхВЭ 2-хСОз 07-у (57) Использование: техника сверхпроводников. Способ включает выращивание кристаллов из раствора - расплава в системе й 205 Ва 0-СаО-СаО при следующем соотношении компонентов, мол.%: й 20 з 3; ВаО 25 - 28; СаО 2 - 5; СоО остальное, й выбирают из ряда Та, Ег, Но, УЬ, У. Получены кристаллы размером доменов до 1 мм,Полученные кристаллы имеют максимальные размеры примерно 2 х 2 х 0,2 мм и Я форму ограненных пластинок с наиболее развитой гранью (001), Кристаллы переходят в сверхпроводящее состояние при тем.пературе 89-93 К при ширине перехода 0,3 К.Характер двойникования и размеры двойников-доменов контролировались с помощью микроскопии в отраженном поляризованном свете и рентгенографически.Конкретные примеры, иллюстрирующие предлагаемый нами способ получения свободных от двойников кристаллов Тп Ва 2 Соз 07-у, приведены ниже.Свободные от двойников иэоструктурные кристаллы с Ег, Но, УЬ, У получаютсяаналогичным способом с замещением оксидатуллия на оксид соответствующего элемента й.П р и м е р 1. Смесь состава 3 мол.% Тв 20 з, 28 мол,% ВВО 2 мол.% СаОз и 67 мол.% СцО, приготовленную иэ.2,315 г Тв 20 з, 9,822 г Ва 02, 0,2 г СаСОз и 10,658 г СцО, после перемешивания помещают в ко-. рундовый тигель объемом 25 см и нагревают в печи до температуры 1030 С. При этой температуре расплавы выдерживают в течение часа и охлаждают до температуры 2000 С1775509 Составитель И. ЛеонтьеваТехред М.Моргентал Корректор,Л, Филь Редактор Заказ 4024 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г, Ужгород, ул.Гагарина, 101 со скоростью 4 С/час. Кристаллы освобождают из застывшего расплава механическим путем.При наблюдении в поляризованном свете были найдены кристаллы размером до 1 мм, свободные от двойников, а также.кристаллы с крупнодоменной структурой с размерами двойников 0,5-1 мм.П р и м е р 2. Смесь состава 3 мол.% ТагОз, 27 мол.7 ь Ва 0, 3 мол.7 ь СаО и ,67 мол,% СцО, приготовленную из 2,315 г ТагОз, 9,144 г ВаОг, 0,6 г СаСОз и 10,658 г СцО после перемешивания помещают в корундовый тигель обьемом 25 см и нагревают в печи до температуры 1030 С, Далее процесс получения кристаллов проводится по методике, описанной в примере 1.При исследовании кристаллов в поляризованном свете в них были обнаружены области, свободные от двойников размером 0,5-1 мм. Были также обнаружены монодоменные монокристаллы размером до 1 мм,П р и м е р 3. Смесь состава 3 мол,% ТгпгОз,25 мол. Ва 0,5 мол. СаОи 67 мол,% . СцО,приготовленную из 2,315 г ТвгОз, 8,467 гВаОг, 1 г СаСОзи 10,658 г СцО, после перемеши-вания помезщают в корундовый тигель обьемом 25 см и нагревают в печи до 1030 С. Далее процесс получения кристаллов проводится по методике. описанной в примере 1.При исследовании кристаллов в отраженном поляризованном свете в них были обнаружены области, свободные от двойников размером 0,5-1 мм, а также монодоменные кристаллы размером до 1 мм,П р и м е р 4 (запредельный состав). Смесь состава 3 мол,% ТвгОз, 29 мол.оВаО и 67 мол.СцО, приготовленную из 2,315 г ТегОз, 9,822 г ВаОг, 0,2. г СаСОз и 10,658 г СцО, после перемешивания помещают в корундовый тигель и нагревают впечи до температуры 1030 С. Далее процесс получения кристаллов проводится по5 методике, описанной в примере 1.Полученные кристаллы имели мелкиедомены, несдвойникованные области имелиразмеры 0;01 мм.П р и м е р 5 (запредельный состав).10 Смесь состава 3 мол. ТагОз, 24 мол.ВаО, 6 мол.% СаО и 67 мол.оСцО, приготовленную из 2,315 г ТагОз, 8,128 г ВаОг,1,2 г СаСОз и 10,658 г СцО, после перемешивания помещают в корундовый тигель и на 15 гревают в печи до температуры 1030 С,Далее процесс получения кристаллов ведется по методике, описанной в примере 1.Кристаллы ТгпВагСцз 07-у после окончания опыта не были обнаружены,20 Полученные по предложенному намиспособу свободные от двойников сверхпроводящие кристаллы ЙВагСцзОт-у (В = Та, Ег,Но, УЬ, У) необходимы для проведения прецизионных физических исследований и для25 изготовления практических устройств.Формула изобретенияСпособ получения монодоменныхсверхпроводниковых монокристаллов типаВМхВаг-хСцзОту, из раствора-расплава в си 30 стеме йгОз-МО-ВэО-СцО, о тл и ч а ющ и й с я тем, что, с целью получения кристаллов с размером доменов до 1 мм, в качестве й выбирают элемент из ряда-Та, Ег,Но, УЬ, У, в качестве МО берут.СаО при35 следующем соотношении компонентов в системе, мол. :йгОзВаОСаО40 СцО