C30B 25/14 — средства для подачи или выпуска газов; изменение потока реакционноспособных газов

Номер патента: 273791

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Петрик, Ржеуцкий, Фалькевич, Шварцман

МПК: C30B 25/14

Метки: гидрида, дозированной, камеру, легирующего, подачи, реакционную, элемента

...элементом снабжена индукционным нагревателем, наличие которого исключает образование аэрозоля легирующего элемента вследствие воздействия искрового разряда ца пары легирующего элемента.На чертеже показано предлагаемое устроиство.Оно включает емкости 1, снабженные индукционными нагревателями 2 и введенными в полости емкостей электродами 8, соединенныхги с импульсным генератором 4, Емкости включены в газовую линию, присоединенную параллельно к линии 5 подачи водорода в реакционную камеру 6. В присоединенную к емкости входную газовую линию 7 встроен капилляр 8; выходная газовая линия 9 соединена с линией 5 при помощи эжектора 10. По линии 5 в камеру подается основной поток водорода, давление которого устанавливают при помощи релуктора...

Номер патента: 403431

Опубликовано: 01.01.1973

МПК: C30B 25/14

Метки: 403431

...подвода газа и отвода получаемой парогазовой смеси, отличающееся тем, что, с целью обеспечения однородности парогазовой смеси, испаритель выполнен в виде эжектора, соединенного с трубопроводами патрубкамп.2. Устроцство по и. 1, отличающееся тем, что патрубок, соединяющий эжектор с трубопроводом для отвода парогазовой смеси, расположен тангенцпальпо по отношению к трубопроводу. присоединением заявки М Изобретение относится к устроиствам, предназначенным для испарения и получения парогазовых смесей различных летучих соединений, и может найти применение в технологии полупроводниковых материалов. 5Известно устройство для получения парогазовой смеси, например, полупроводниковых материалов, содержащее испаритель и обогреваемые трубопроводы...

Номер патента: 905342

Опубликовано: 15.02.1982

Авторы: Иванов, Капустин, Николайкин, Сигалов

МПК: C30B 25/14

Метки: газовой, осаждения, слоев, фазы

...смеси 8. выведенным за пределы камеры подвода газов 4 черезфланец 9, Камера 4 снабжена газораспределительным вводом 10. К камеревывода продуктов реакции 5 снизуприсоединены средства откачки в видедвух бустерных насосов 11 и форвакуумного насоса 12,Устроиство работает следующим об разом.Для загрузки подложек 3 поднимают камеру 4. Вместе с ней поднимаются камера 1 осаждения и индукционный нагреватель 6, освобождая доступ к дискам 2 подложкодержателя. Загрузив подложки, опускают камеру 4 и уплотняют ее относительно камеры 5. Затем вклюцают откацные насосы 11 и 2. После откачки устройства до необходимого давления (разряжения через газораспределительный ввод 0 подают водород и начинают нагрев подложкодержателя. В среде водорода при...

Номер патента: 1059032

Опубликовано: 07.12.1983

Авторы: Егорова, Иванов, Мытарев, Насонов

МПК: C30B 25/14

Метки: осаждения, слоев

...разбавителя размещен но внутренней трубе.На чертеже представлено предлагаемое устройство, общий вид, н разрезе.Устройство для осаждения слоеввключает вакуумную камеру 1 с зонойдемпфирования, внутри которой раз".мещена наружная труба 2 и внутренняятруба 3 реактора, Внутренняя труба 3уплотнена по наружной трубе 2 в зоне,демпфирбйания, а полость между внут 60ренней 3 и наружной 2 трубами соединена с камерой 4 загрузки-выгрузки,Наружная труба 2 реактора уплотненана вакуум в нодоохлаждаемом корпусевакуумной системы 5. Внутренняя тру- Я ба 3 реактора выполнена по длине больше, чем наружная. и своим концом входит н камеру 4 загрузки-выгрузки. Трубки б ввода реагентов направлены под углом к внутренней трубе, а одна из этих трубок 7 для напуска...

Номер патента: 1065508

Опубликовано: 07.01.1984

Авторы: Валентинов, Кириллов, Фурсов

МПК: C30B 25/14

Метки: газовой, осаждения, слоев, фазы

...реакционную камеру со сторонызагрузки устанавливают подложкодержа" 65 тель 3 с обрабатываеаааи пластинами4 на нагреватель 5. Загрузочный люкзакрываютЧерез средство 6 подачи газа подают реакционные газы для . обеспечения осаждения слоев.В качестве примера можно привести следующие реакции образования слоев81 СХ+2 Н в + +4 НСХ (поли- и моно)81 Н+20 -8102+2 НО (диэлектрические пленки 8102) .Скорость осаждения определяется переносом масс в газовой фазе. В связи с этим форма и скорости газовых потоков являются определяющим фактором, действующим на распределение толщины, т.е. на качество осаждаемых слоев. Поток газа в устройстве формируется под воздействием подъемной силы (свободная конвекция), возникающей из-за разницы температур на...

Номер патента: 1650800

Опубликовано: 23.05.1991

Авторы: Воробьев, Скульский, Тибилов

МПК: C30B 25/14

Метки: газов, газофазной, подачи, реактор, эпитаксии

...примеру 1, толькооткрывается клапан 13, при этом сбросовыйпоток Мз = 100 см/мин, превышает величину И 1" = 90 см/мин, весь входной потокЙ 1 уходит в сбросовую линию 10, дополняясь чистым газом-носителем из линии 7,Этот дополнительный поток (100-М 1) поступает из дополнительной линии на ретродиффузионном участке навстречудиффундирующим парам ДМК, В зависимости от его величины меняется концентрацияпродиффудировавших против встречногопотока паров ДМК, Величина встречного потока (100 - й) и концентрация ДМК навыходе регулируются путем изменениявходного потока й с помощью вентиля 3. Экспериментальная зависимость. концентрации ДМК на выходе из канала отвеличины К 1 приведена на фиг. 2.П р и м е р 3, Прекращение подачилегирующей примеси...

Номер патента: 1673653

Опубликовано: 30.08.1991

Авторы: Исаев, Никулов

МПК: C30B 25/14

Метки: газовой, мос-гидридной, полупроводниковых, соединений, технологии, эпитаксии

...8, калорифер, дросселирующий клапан 10, фильтр 9 и выбросом через предохранительный клапан 15 в атмосферу с поджигом водорода в факеле 14. Парогазовая смесь в трубопроводе сброса, проходя через регулятор 18 давления, калорифер, электромагнитный клапан 16, фильтр 9, откачивается либо насосом б, либо, минуя насос б, при закрытом клапане 7 попадает в атмосферу, проходя через электромагнитный клапан 21 и предохранительный клапан 16. Если процесс эпитаксии в реакторе 2 осуществляют при атмосферном давлении, то парогазовая смесь после реактора 2 обычно проходит через оба калорифера, При этом все электронамагниченные клапаны, кроме клапана 7, и дросселирующий клапан 10 открыты и парогазовая смесь проходит через предохранительный. клапан 16....

Номер патента: 1074161

Опубликовано: 15.01.1992

Авторы: Арендаренко, Барил, Минаждинов, Мягков, Овечкин, Слепнев, Федоров

МПК: C30B 25/14

Метки: газовой, полупроводниковых, соединений, эпитаксии

...подложкодержателем соосно с нимпо высоте (0,1-0,15)Вд и выполненв виде тора диаметром (11-1,2)Ппс отверстиями на внутренней его поверхности, гдеи диаметр подложкодержателя. Кроме того, экран расположен от подложкодержателя на высоте (О 3 0,4) 0 п,На чертеже показано устройстводля газовой эпитаксии полупроводниковых соединений.Устройство вклюцает реакционнуюкамеру, состоящую из крышки 1 и основания 2, внутри которой расположены подложкодержатель 3 в видедиска с отверстием 4 в центре длявывода ПГС, газораспределитель 5,выполненный в виде тора с отверстиями на внутренней его поверхностидля ввода ПГС, установленный надподложкодержателем 3 соосно с ним,и экран 6, расположенный над газораспределителем 5. Подложкодержатель 3 может быть...

Номер патента: 1784668

Опубликовано: 30.12.1992

Авторы: Арендаренко, Барышев, Буравцев, Волынкин, Жигунов, Лобызов, Чариков

МПК: C30B 25/12, C30B 25/14

Метки: выращивания, полупроводниковых, эпитаксиального

...В теле основания 2 и теле диска 3 выполнены соответственно газотранспортные канавки 13 и 14, соединенные со средством ввода 15 транспортного газа(водорода).В диске 3 выполнены соосно сателлитам 4 кольцевые проточки 16 и 17, соединенные с началом газотранспортных канавок 14. Глубина внут 2 оенней проточки 17 составляет (1,3-1,5) 10 наружного диаметра проточки 16, В диске 3 выполнены сбросные канавки 18, соединенные с отверстиями 19 и 20 диска 3, отверстиями 21 и 22 основания 2 и выводным патрубком 11. Каждый сателлит 4 выполнен в виде двух соединенных между собой круглых дисков 23 и 24, при этом диаметр верхнего диска 24 больше диаметра нижнего диска 23, а нижний торец 25 верхнего диска 24 выполнен со скосом кромки,Устройство работает...

Номер патента: 1806225

Опубликовано: 30.03.1993

Авторы: Дерновский, Корнеенков, Криворотов

МПК: C30B 25/08, C30B 25/14

Метки: газофазного, методом, нитридов, осаждения, слоев, тугоплавких, химического

...5 и б подают реакционные газы. После охлаждения снимают образец с подложки,1806225 Таблица 1 Содержание примесей мас, Ох 10 (метод 3 СР)" ф Знак - ниже предела чувствительности метода, +"-" - не определялиобр, 1 получен с использованием предлагаемого устройстваПример 1.Для полученияизделийиз пиролитического нитрида бора используют специально подготовленную подложку изграфита МПГдиаметром 10-50 мм и высо-. той 50-120 мм, давление в камере устанавливают 1-20 торр и нагревают подложку до 1750-2000 С с применением ВЧ-нагревателя. Через внутреннюю трубку подают аммиак, (йНз), через внешнюю - хлорид бора (ВСз) и азот (И 2), Скорость осаждения составляет 200,и/ч.В табл, 1 приведены данные по чистоте пиролитического нитрида бора, полученного...

Номер патента: 1813819

Опубликовано: 07.05.1993

Авторы: Арендаренко, Барышев, Буравцев, Иванов, Лобызов

МПК: C30B 25/14

Метки: выращивания, полупроводниковых, слоев, эпитаксиальных

...В крышке 10 реакционной камеры 2 выполнено центральное отверстие 11, и она установлена с зазором 12 к колпаку 1, при этом зазор 12 соединен со средством сброса 13. Вокруг реакционной камеры 2 размещен нагреватель 14.Устройство работает следующим образом. изводят загрузку подлож арсенида галлия, на вн ость граней подложкодерют реакционную камеру 21. Продувают реакционную камеру 2 инертным газом и водородом, После этого нагревают подложки 4 нагревателем 14 и подают газовую сглесь и водород через трубки 6 и б и кольцевой коллектор 7.В предлагаемом устройстве перфорированная перегородка обеспечивает равномерность поля скоростей не по всему сечению реактора, а лищь непосредственно над перегородкой, между коаксиальным вводом газа и внутренней...

Номер патента: 1137787

Опубликовано: 30.07.1993

Авторы: Арендаренко, Барышев, Иванютин, Лукичев, Макшаков, Овечкин

МПК: C30B 25/14

Метки: газовой, осаждения, слоев, фазы

...с экрана. попадают в растущий слой и снижают качество ео поверхности, выход годных структур,Целью изобретения является повышение выхода годных эпитаксиальных слоев.Указанная цель достигается тем, что устройство для осаждения слоев из газовой фазы, включающее размещенный на основании водоохлаждаемый колпак, дисковый подложкодержатель, установленный под :.:нм с воэможностью вращения и снабженный нагревателем, расположенные над подложкодержателем экран и торовый коллектор для подачи парогазовой смеси, и патрусок для удаления отработанных газов, размещенный в центре основания, снабжено средством ввода инертного газа и дополнительным коллектором, соединенным с этим средством, расположенным у боковой стенки колпака и выполненным с...

Номер патента: 1462857

Опубликовано: 15.03.1994

Авторы: Жиляев, Кечек, Куликов, Маркарян

МПК: C30B 25/08, C30B 25/14

Метки: выращивания, многослойных, полупроводниковых, структур, эпитаксиальных

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ МНОГОСЛОЙНЫХ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР из газовой фазы, содержащее реактор, неподвижно установленный в нем подложкодержатель, источники исходных компонентов, каждый из которых соединен со средством ввода газов, и средство их вывода, отличающееся тем, что, с целью уменьшения толщины переходных слоев, устройство снабжено проточной камерой роста, в которой размещен подложкодержатель, при этом камера роста соединена с одним из источников поворотным коммутатором.