Бурачас
Способ восстановления тиглей из драгоценных металлов для выращивания монокристаллов
Номер патента: 1752023
Опубликовано: 28.02.1994
Авторы: Бондаренко, Бондарь, Бурачас, Кривошеин, Мартынов, Пирогов
МПК: C30B 29/02, C30B 33/02
Метки: восстановления, выращивания, драгоценных, металлов, монокристаллов, тиглей
СПОСОБ ВОССТАНОВЛЕНИЯ ТИГЛЕЙ ИЗ ДРАГОЦЕННЫХ МЕТАЛЛОВ ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ, включающий прокатку тигля и сварку трещин, отличающийся тем, что, с целью увеличения срока службы восстановленных тиглей, перед прокаткой тигель отжигают при 1200 - 1400oС и давлении 10-1 - 10-3 Торр в течение 0,5 - 5,0 ч.
Способ синтеза и наплавления шихты германоэвлинита и устройство для его осуществления
Номер патента: 1649852
Опубликовано: 30.11.1993
Авторы: Бондарь, Бурачас, Горишний, Загвоздкин, Кривошеин, Литичевский, Пирогов, Рыжиков
МПК: C30B 11/00, C30B 29/22
Метки: германоэвлинита, наплавления, синтеза, шихты
...теплового поля и улучшает качество кристалла, а предотвращениеразрушения и продление срока эксплуатации платинового тигля снижает себестоимость кристалла;Скорость охлаждения до 970+70 С недолжна превышать 200 С/ч, так как дальнейшее увеличение скорости приводит к неравномерному затвердеванию расплава идеформации рабочего тигля, с другой стороны скорость менее 50 С/ч неоправданноувеличивает продолжительность процессаи, следовательно, его себестоимость.Скорость дальнейшего охлаждения должна быть не менее 200 С/ч, так как применьшей скорости возможно образование.метастабильных фаэ, и не более 600 С/ч,так как при большей скорости происходитместная закалка и появление хрупкости тигля.Наличие бункера позволяет производить весь процесс...
Способ термообработки кристаллов германата висмута
Номер патента: 1828882
Опубликовано: 23.07.1993
Авторы: Бороденко, Бурачас, Кухтина, Пирогов, Рыжиков
МПК: C30B 29/32, C30B 33/02
Метки: висмута, германата, кристаллов, термообработки
...разрешения согласно ГОСТ 17038-079 и ГОСТ17038.7 79. Затем их помещают в ампулы иэоптического кварца вместе с навесками порошка В 20 з квалификации ос,ч, иэ расче.та 3,3-5,3 г на 1 м объема ампулы. Ампулы-3вакуумируют до остаточного давления 10мм рт.ст, запаивают и помещают в электропечь сопротивления. Печь нагревают в режиме 75-200 град/ч, После достижения1000 + 80" С температуру печи стабилизируют. В изотермическом режиме ампулы выдерживают 0,5-1,0 ч, Охлаждение печиосуществляют, как и в прототипе, сначала соскоростью 50-100 град/ч до 930 + 30 С идалее со скоростью 100-200 град/ч. Прикомнатной температуре ампулы извлекаюти вскрывают. Поверхности сцинтилляторовснова полируют, после чего проводят измерения сцинтилляционных...
Способ выращивания монокристаллов германата висмута
Номер патента: 1810401
Опубликовано: 23.04.1993
Авторы: Бондаренко, Бондарь, Бурачас, Загвоздкин, Кривошеин, Мартынов, Пирогов
МПК: C30B 15/00, C30B 29/32
Метки: висмута, выращивания, германата, монокристаллов
...части, а во втором случае наоборот. Например, для германата висмута в одном из опьтов температура стенок тигля в первом случае снижается с 1146 до 1024 С в течение - 60 с., а во втором случае с 1148 до 972"С в течение того же времени.Таким образом, в результате снижения подводимой к индуктору высокочастотной мощности в 1,5-2,5 раза в течение 2 - 10 с (непосредственно сразу после отделения кристалла от расплава увеличением скорости вытягивания) кристалл не растрескивается и у него отсутствует дефектный нижний конус. При этом доля годного качественного кристаллического материала близка к 100, (т,е. увеличивается по сравнению с прототипом на 5 - 10 ), отсутствуетдеформация тигля. производительность ростовых установок увеличивается на "...
Способ термообработки сцинтилляционных кристаллов
Номер патента: 1609211
Опубликовано: 23.04.1993
Авторы: Бондарь, Бурачас, Горишний, Зеленская, Кривошеин, Пирогов, Рыжиков
МПК: C30B 29/32, C30B 33/04
Метки: кристаллов, сцинтилляционных, термообработки
...кристаллы со ско" ростью 50-100 град/ч до 930+30 С и д- лее до комнатной температуры со скоростью 100-20 ф град/ч. После охлаждения ячейку вынимают нз печи и извле 1609211кают кристаллы (или сцинтилляторы),Кристаллы передают на оптико-механи:ескуа обработку, а спинтилляторына измерение сцинтилляционных параметров,Были проведены лабораторные испытания известного.и предлагаемого способов, Термообработке. подвергалосьболее 35 кристаллов германата висмута и сцинтилляторов из них, Характерные результаты испытаний приведены втаблице (для сцинтилляторов размером4040 мм и 5 ПМ 50 мм),В абсолютном значении световой выход увелицивается на 3,0-393, энергетицеское разрешение улучшается на2,0-7,33,Относительное улучшение сцинтилляционных параметров...
Способ выращивания монокристаллов германата висмута
Номер патента: 1700954
Опубликовано: 15.04.1993
Авторы: Бондаренко, Бондарь, Бурачас, Загвоздкин, Кривошеин, Пирогов, Тиман
МПК: C30B 15/00, C30B 29/32
Метки: висмута, выращивания, германата, монокристаллов
...при этом увеличивается, и кристалл начинает подплавляться. Поэтоиу в этом случае для сохранения прежнего поперечного сечения необходимо понизить температуру расплава эа счет уменьшения мощности нагревателя с помощью ЛСУТП. При этом происходит быстрая кристаллизация в центре фронта кристаллизации внизу кристалла. В результате в течение некоторого времеви в расплаве формируется нижний конус кристалла, содержащий большое количество дефектов 1 пузырей и включений). Такая дефектная структура имеет значительномевьиую теплопроводность, так как поглощает н рассеивает излучение, цдущее от расплава, что уменьшает передачу, тепла от расплава к кристаллу,Вследствие этого при отделении кристалла (со сформированным таким образом нижним...
Способ выращивания монокристаллов оксидов и устройство для его осуществления
Номер патента: 786110
Опубликовано: 23.01.1993
Авторы: Аракелов, Белабаев, Бурачас, Дубовик, Назаренко, Саркисов, Тиман
МПК: C30B 15/00, C30B 15/14, C30B 29/30 ...
Метки: выращивания, монокристаллов, оксидов
...следящей системы,Постоянное вмешательство следящейсистемы в процесс выращивания обусловливает основной недостаток известного способа и устройства автоматического управления процессом ростамонокристаллов, так как постоянноевмешательство приводит к искусственным колебаниям температуры расплава,связанным с самим управлением. В своюочередь, колебания температуры отрицательно сказываются на оптическойоднородности кристалла и снижают выход годных кристаллов,Применение кристаллов ниобата лития в квантовой электронике предъявляет к качеству кристаллов повышенные требования, особенно к однородности структуры кристалла по высоте.Искусственные колебания температурырасплава, возникающие в процессе автоматического управления процессомроста,...
Способ выращивания монокристаллов германата висмута
Номер патента: 1789578
Опубликовано: 23.01.1993
Авторы: Бондаренко, Бондарь, Бурачас, Кривошеин, Мартынов, Пирогов
МПК: C30B 15/00, C30B 29/32
Метки: висмута, выращивания, германата, монокристаллов
...затравку, разращивание верхнего конуса, рост при постоянном диаметре, отделение кристалла от расплава и последующее его охлаждение, согласно изобретению, разращивание верхнего конуса осуществляют в пределах телесного угла 130 - 160.В основе предлагаемого способа лежат следующие физические явления. Телесный угол разращивания верхнего конуса соответствует определенной скорости снижения температуры расплава в ходе разращивания и, следовательно, определенным тепловым условиям на фронте кристалл и за ции. Кон к ретн ы й хара кте р этих условий определяет характер роста Р-, Я- и К-граней. Поскольку, как показал предварительный анализ для достижения поставленной цели необходимо исключить преимущественный рост Р-граней, но обеспечить...
Способ термообработки кристаллов германата висмута
Номер патента: 1784669
Опубликовано: 30.12.1992
Авторы: Бороденко, Бурачас, Кухтина, Пирогов, Рыжиков
МПК: C30B 29/32, C30B 33/02
Метки: висмута, германата, кристаллов, термообработки
...сцинтилляцион- сцинтилляционного уровня кристаллов ных характеристик сцинтилляторов, вцре- ВОО. Сурьма, имея меньший атомный радизанных из одного кристалла, характерен ус,являетсяизовалентныманалогом висмубольшой разброс, Так, сцинтилляторы сли та, и поэтому может быть внедрена в нейными размерами 25 х 10 х 3 мм имеют све- подрешетку его оксида. Известно также, что товой выход от 11,2 до 16,3; а многие соединения сурьмы - хорошие люэнергетическое разрешение от 13,7 до минофоры, Пятиоксид сурьмы ЯЬ 205 - сое,5 О/о. динение устойчивое ниже 357 ОС, переходящееПредлагаемый способ принципиально 45 при более высоких температурах через отличается от аналогов составом кислород- ЯЬо 012 в ЯЬ 206 и далее в ЗЬ 20 з. Температусодержащей...
Способ получения монокристаллов германата висмута со структурой эвлитина
Номер патента: 1603844
Опубликовано: 23.11.1992
Авторы: Бондарь, Бурачас, Горишний, Кривошеин, Пирогов, Салийчук, Федорова
МПК: C30B 11/02, C30B 15/00, C30B 29/32 ...
Метки: висмута, германата, монокристаллов, структурой, эвлитина
...г, оксид германия Ое 021054,2 гдля получения требуемого соотношения, соответствующего Формуле ВцСезО 2 (масса загрузки смеси на одно выращивание для тигля диаметром 100 мм и высотой 100 мм составляет 4200 г).Собирают нижнюю часть кристаллизационного узла в соответствии с чертежом, засыпают в тигель 2 и упло 1 няют полученную гомогенную смесь - первичная загрузка, Затем устанавливают верхнюю часть кристаллизационного узла, включают ростовую установку (" КристалЛ") и нагревают смесь оксидов со скоростью 100 град/мин до 940 С, далее со скоростью 15 град/мин до 1175 С (температуру контролируют по показаниям термопары типа ТПП), Агрегатное состояние смеси, процессе повышения температуры наблюдается через смотровое окно 5 и при получении...
Генератор прямоугольных импульсов
Номер патента: 598220
Опубликовано: 15.03.1978
Авторы: Бурачас, Маликов, Паникарский
МПК: H03K 3/28
Метки: генератор, импульсов, прямоугольных
...резистора 3 меха598220 Формула изобретения ЦНИИПИ Заказ 1269148 Тираж 1086 Подписное Филиал ППП фПатентф, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 нически связан с валом шагового электродвигателя 2Обмотка шагового электродвигателя 2 через контакты 9 злек - Ромагнитного реле 7 подключена к источнику питания.5Генератор работает следующим образом.При подаче питания конденсатор 5 времязадающей кС-цепочки заряжается через контакты 8 электромагнитного реле 7. Положительное напряжение запирает усилитель 6 и обмотка электромагнитного реле 7 отключается Контакты 8 реле 7 отключают КС-цепочку от источника питания. Напряжение на конденсаторе 5 падает вследствие разряда емкости через резисторы 4 и 3.усилитель 6 постоянного тока увеличивает ток через реле...
Измеритель уровня расплава
Номер патента: 586338
Опубликовано: 30.12.1977
Авторы: Беленко, Бурачас, Дубовик, Костенко, Маликов, Назаренко
МПК: G01F 23/24
Метки: измеритель, расплава, уровня
...показан измерительуровня; на фиг. 2 - щуп в положениях касания и открыва его от расплава,Измеритель уровня расплава содержит ре 15 версивный двигатель 1, схему 2 управленияреверсивным двигателем и ходовой винт 3 сгайкой 4. На направляющей 5 установленапоперечина б таким образом, что гайка расположена внутри нее с зазором, равным ве 20 личине мениска расплава на конце щупа. Гайка жестко соединена с щупом 7, а поперечина - с движком реохорда 8, Поперечина б укреплена на направляющей 5 с помощью башмака 9 и пружины 10.Измеритель работает следующим образом.При подаче питания на схему 2 управленияреверснвный двигатель 1 при помощи ходового винта 3 опускает гайку 4 до касания щупа7 с расплавом (положение 1). Поперечина б,которая является...