Арендаренко
Устройство для осаждения слоев из газовой фазы
Номер патента: 1137787
Опубликовано: 30.07.1993
Авторы: Арендаренко, Барышев, Иванютин, Лукичев, Макшаков, Овечкин
МПК: C30B 25/14
Метки: газовой, осаждения, слоев, фазы
...с экрана. попадают в растущий слой и снижают качество ео поверхности, выход годных структур,Целью изобретения является повышение выхода годных эпитаксиальных слоев.Указанная цель достигается тем, что устройство для осаждения слоев из газовой фазы, включающее размещенный на основании водоохлаждаемый колпак, дисковый подложкодержатель, установленный под :.:нм с воэможностью вращения и снабженный нагревателем, расположенные над подложкодержателем экран и торовый коллектор для подачи парогазовой смеси, и патрусок для удаления отработанных газов, размещенный в центре основания, снабжено средством ввода инертного газа и дополнительным коллектором, соединенным с этим средством, расположенным у боковой стенки колпака и выполненным с...
Устройство для выращивания эпитаксиальных слоев полупроводниковых материалов
Номер патента: 1813819
Опубликовано: 07.05.1993
Авторы: Арендаренко, Барышев, Буравцев, Иванов, Лобызов
МПК: C30B 25/14
Метки: выращивания, полупроводниковых, слоев, эпитаксиальных
...В крышке 10 реакционной камеры 2 выполнено центральное отверстие 11, и она установлена с зазором 12 к колпаку 1, при этом зазор 12 соединен со средством сброса 13. Вокруг реакционной камеры 2 размещен нагреватель 14.Устройство работает следующим образом. изводят загрузку подлож арсенида галлия, на вн ость граней подложкодерют реакционную камеру 21. Продувают реакционную камеру 2 инертным газом и водородом, После этого нагревают подложки 4 нагревателем 14 и подают газовую сглесь и водород через трубки 6 и б и кольцевой коллектор 7.В предлагаемом устройстве перфорированная перегородка обеспечивает равномерность поля скоростей не по всему сечению реактора, а лищь непосредственно над перегородкой, между коаксиальным вводом газа и внутренней...
Устройство для эпитаксиального выращивания полупроводниковых материалов
Номер патента: 1784668
Опубликовано: 30.12.1992
Авторы: Арендаренко, Барышев, Буравцев, Волынкин, Жигунов, Лобызов, Чариков
МПК: C30B 25/12, C30B 25/14
Метки: выращивания, полупроводниковых, эпитаксиального
...В теле основания 2 и теле диска 3 выполнены соответственно газотранспортные канавки 13 и 14, соединенные со средством ввода 15 транспортного газа(водорода).В диске 3 выполнены соосно сателлитам 4 кольцевые проточки 16 и 17, соединенные с началом газотранспортных канавок 14. Глубина внут 2 оенней проточки 17 составляет (1,3-1,5) 10 наружного диаметра проточки 16, В диске 3 выполнены сбросные канавки 18, соединенные с отверстиями 19 и 20 диска 3, отверстиями 21 и 22 основания 2 и выводным патрубком 11. Каждый сателлит 4 выполнен в виде двух соединенных между собой круглых дисков 23 и 24, при этом диаметр верхнего диска 24 больше диаметра нижнего диска 23, а нижний торец 25 верхнего диска 24 выполнен со скосом кромки,Устройство работает...
Устройство для эпитаксиального выращивания полупроводниковых материалов
Номер патента: 1768675
Опубликовано: 15.10.1992
Авторы: Арендаренко, Барышев, Буравцев, Варгулевич, Лобызов, Чариков
МПК: C30B 25/08, C30B 25/12
Метки: выращивания, полупроводниковых, эпитаксиального
...в виде диска, размещенного в основании и имеющего сателлиты, под которыми в диске и в основании выполнены газотранспортные и сбросные канавки, и средства ввода и вывода газов, в нем в сателлитах на стороне, обращенной к диску, выполнены газотранспортные канавки, имеющие форму и угловое расположение газотранспортных канавок в диске и направленные навстречу им.На фиг.1 изображен общий вид устройства; на фиг.2 - сечение А - А на фиг.1; на фиг.3 - сечение Б - Б на фиг.1,Устройство содержит реактор, включающий корпус 1 с крышкой 2 и основанием 3, внутри которого установлены два экрана 4 и 5, средстьо ввода ПГС, выполненное в виде трубки 6 для ввода компонентов 3-ей группы с водородом и трубки 7 для ввода компонентов 5 группы...
Фильтр
Номер патента: 1755894
Опубликовано: 23.08.1992
Авторы: Арендаренко, Барышев, Буравцев, Лобызов
МПК: B01D 46/54
Метки: фильтр
...с входной и выходной полостями, ным каналами для газа, боковые крышки с которыеразделены вертикальной перегород- опорными выступами и фильтрующие элекой, в полостях между опорными сетками менты, снабжен газопроницаемой вставкой, размещенной между фильтрующими элементами, вкладыш выполнен с кольцевой проточкой, соединенной с входным каналом, при этом вставка установлена под проточкой, а ее ширина превышает ширину проточки,Эта цель достигается также и тем, что вставка выполнена в виде кольца из пористого материала.На фиг. 1 йредстэвлен общий вид фильтра; на фиг, 2 - бЮение А-А нэ фиг. 1.фильтр содержит вкладыш 1 с входным 2 и выходным 3 кайалами, боковые крышки 4 и 5 с опорными выступами 6 и зазором 7. Между ними во вкладыше 1...
Устройство для газовой эпитаксии полупроводниковых соединений
Номер патента: 1074161
Опубликовано: 15.01.1992
Авторы: Арендаренко, Барил, Минаждинов, Мягков, Овечкин, Слепнев, Федоров
МПК: C30B 25/14
Метки: газовой, полупроводниковых, соединений, эпитаксии
...подложкодержателем соосно с нимпо высоте (0,1-0,15)Вд и выполненв виде тора диаметром (11-1,2)Ппс отверстиями на внутренней его поверхности, гдеи диаметр подложкодержателя. Кроме того, экран расположен от подложкодержателя на высоте (О 3 0,4) 0 п,На чертеже показано устройстводля газовой эпитаксии полупроводниковых соединений.Устройство вклюцает реакционнуюкамеру, состоящую из крышки 1 и основания 2, внутри которой расположены подложкодержатель 3 в видедиска с отверстием 4 в центре длявывода ПГС, газораспределитель 5,выполненный в виде тора с отверстиями на внутренней его поверхностидля ввода ПГС, установленный надподложкодержателем 3 соосно с ним,и экран 6, расположенный над газораспределителем 5. Подложкодержатель 3 может быть...
Оправка для намотки, преимущественно секций конденсаторов
Номер патента: 860158
Опубликовано: 30.08.1981
Авторы: Арендаренко, Медведев, Холмова
МПК: H01G 13/02
Метки: конденсаторов, намотки, оправка, преимущественно, секций
...горизонтального перемещения, а планка - только вертикального за счет продольного перемещения стержня 6, связанного с механическим приводом, В крайней правой части пиноли закреплен двухзаходный винт 7, на ко 20 торый насажена шестерня 8, которая посредством шестерни 9,жестко посажена на вал 10, кинематически связана с выдвижными захватами 11. Особен- ность нарезки винта 7 состоит в том,25 что в начальной части. винта (12 его рабочей длины) канавки имеют сбег по винт%вой линии, а далее эти винтовые линии выпрямлены, т.е. канавки направлены вдоль оси, Благодаря этому при перемещении винта 7 вместе с пинолью 4 вправо вначале .происходит поворот шестерней 8, 9 и 12 вместе с валом 10, т,е. происходит выдвижение захватов 1 (захваты имеют...