Патенты с меткой «сцинтилляционных»

Номер патента: 107843

Опубликовано: 01.01.1957

Автор: Завгородний

МПК: B26D 1/48, B28D 5/04

Метки: монокристаллов, станок, сцинтилляционных

...жидкости.Кронштейн 3, ором помещена подвнжнал а 8 прл помощи скользяше 1 ты поворачиваетсл на угол 90 .На кронштейне 2 помещен фиксатор 13. Вертикальный шпиндель 6, закрепленный в подц 1 ипниках, приводится во вращение от электромотора через редуктор 14. На шпинделе 6 укреплена нижняя планшайба 16, на которой устанавлцваетсл обрабатываемый кристалл,сверху прцжимасмый верхней плац- шайбой 16.При резке кристаллов по плоскости его усганавливают на призму 17 и закрепляют при помощи прижима 18. Рекущая цить располагается в строго вертикальном положении в плоскости резания кристаллов. После включения электромотора при движении каретки по направляющим режущая нить углубляется в кристалл и разрезает его.Вода или растворитель подаетсл из...

Номер патента: 133533

Опубликовано: 01.01.1960

Автор: Артемьев

МПК: G01T 1/204

Метки: жидкостных, кювета, сцинтилляционных, счетчиков

...лучшего свето- собирания. Боковые стенки крышки 2 имеют винтовую резьбу, благодаря которой крышка 2 может ввинчиваться в стакан 1 и обеспечивать их плотное соединение. В крышке 2 сделано два отверстия. Через одно пропущена тонкая трубка б, служащая для продувания через жидкий сцинтиллятор 7 химически неактивного газа (азота, аргона и др.), на 40 - 50% повышающего эффективность жидкого сцинтиллятора 7. Через другое отверстие в рабочий объем кюветы вводится кон133533 тейнер с измеряемой активностью. При измерении активности внешнего источника или при введении исследуемого вещества непосредственно в раствор сцинтиллятора 7 отверстие герметично закрывается фторопластовой пробкой 8.Жидкий оцинтиллятор 7 наливается в стакан 1 кюветы,...

Номер патента: 133534

Опубликовано: 01.01.1960

Авторы: Горн, Хазанов

МПК: G01T 1/20

Метки: амплитудного, величины, разрешения, сцинтилляционных, счетчиков

...порог срабатывания дискриминаторов 5 и б. Выходные сигна.лы дискриминаторов 4, 5 и б нормализуются мультивибраторами 10, 11.,12 и поступают на разностные интеграторы. один из которых составляют дозирующие емкости 18, 14, диоды 15 - 18 и накопительный контур19, а другой - дозирующие емкости 20, 21, диоды 22 - 25 и интегрирую.щий контур 2 б.При сдвиге фотопика из-за изменения усиления фотоэлектронногоумножителя 2 или светового выхода кристалла на контуре 19 появляется отличное от нуля положительное напряжение, которое после уси133534 лителя 27 через катодный повторитель 28 подается на блок питания 29, как часть высоковольтного питания умножителя 2, уменьшая его абсолютную величину, При этом фотопик возвращается в исходное положе. ние....

Номер патента: 312220

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Воробьев, Жернова, Зуев, Павликер, Павловска

МПК: G01T 1/20

Метки: контейнер, монокристаллов, сцинтилляционных, упаковки

...изменения температуры, не превышающей 2 С в минуту. Эти контейнеры состоят из корпуса с оптически прозрачным окном, отражателя, поджимающего устройства, крышки и средств для герметичного уплотнения. С целью повышения энергетическошения упакованных монокристалловрения температурного диапазона допредложенный контейнер снабжен поправой с гнездом под окно, причемство между монокристаллом, отраяокном заполнено оптическим масломстве материала для корпуса испольвар, а в качестве материала для окначеский кварц.С целью избежания появления пвоздуха в масле при неоднократномнии и нагревании монокристаллов, в материала для отражателя использован фторопласт.На чертеже схематически изобра 0 ен предлагаемый контейнер для упаковки сцинтилля цпонного...

Номер патента: 436312

Опубликовано: 15.07.1974

Автор: Козубский

МПК: G02B 5/24

Метки: сбора, света, сцинтилляционных, счетчиках, черенковских

...или, если задан размер ВОФ, то можно собрать свет, испущенный в большем телесном угле,На фиг. 2 представлена схема распространения луча света в среде с градиентом показателя преломления, заключенной в ящик с плоскопараллельными зеркальными стенками, Из фиг. 2 видно, что луч света вследствие рефракции входит в ВОФ под более острым углом падения, чем луч в отсутствии рефракции,Следовательно, согласно формул Френеля, потери света на входной поверхности фотоумножителя (ВОФ) будут меньше, чем в случае отсутствия в световоде градиента показателя преломления.Если световод с зеркальными стенками заполнен средой с градиентом показателя преломления, то лучи света будут попадать на отражающие грани под ббльшими углами падения, чем в случае...

Номер патента: 419164

Опубликовано: 05.02.1976

Авторы: Гинзбург, Деревщиков, Кодочигов

МПК: G01T 7/00

Метки: амплитудный, анализатор, датчиков, импульсов, информации, многоканальный, нескольких, передачи, радиоизотопов, спектрах, сцинтилляционных, энергетических

...выхода линий задержки при наличии разрешающих импульсов на выходах дискриминаторов уровня. Каждое ЛПУ соединено также с формирователем уровня постоянного напряжения 17 - 20, предназначенным для выработки напряжения, необхолимого лля смещения спектра датчиков ца определенные, разные для каждого датчика, уровни. Выходы ЛПУ 13 - 16 соединены с соответствующими,вхдламц линейной собирательной схемы 21, благодаря чему инфэрмация от нескольких латчиков передается ня анализатор импульсов по одному цроволу,Работа схем вс х каналов (в данном случае четырех) аналогична. Излучение уэкванта вызывает световую вспышку в кристалле МаЗ, которая усиливается ФЭУ датчика 1. Таким образом, цмпуль- напряжения на выходе латчика прямо пропдрционален энергии...

Номер патента: 1432436

Опубликовано: 23.10.1988

Авторы: Гребенюк, Кожевников

МПК: G01T 1/208

Метки: больших, временной, привязки, сцинтилляционных, счетчиков

...= (с, + с)/2 + 1/2 Ч,где с - время сцинтилляции в местепопадания частицы в счетчик;с и с - времена прихода света нафотокатоды фЭУ 2 и 3;Ч - скорость распространениясвета в сцинтилляторе.Поступление сигнала с первой схемы И 6 включает, генератор линейноизменяющегося напряжения, сигнал свторой схемы И 8, появляющийся сразу по окончании сигнала со схемы Иб, увеличивает скорость изменениянапряжения в два раза. По достижениинекоторого порогового напряжения Пп,СКК 10 запускает выходной формирователь 11. Независимо от этого черезвремя, равное половине длительностисигнала с одного из формирователей4 или 5 (которая равна времени распространения светового сигнала всцинтилляторе сцинтилляционного счетчика), по сигналу, поступающему...

Номер патента: 1478104

Опубликовано: 07.05.1989

Автор: Кравченко

МПК: G01N 21/41

Метки: кристаллов, показателя, преломления, сцинтилляционных

...от источника. -излучения до фотопленки, мм, 2 ил. онным образцом по его центру. Облучают сцинтилляционный образец руизлучением. При этом продольное излучение выходит из исследуемого сцинтилляционного кристалла с углом раскрытия, ограниченным углами М полного внутреннего отражения (ПВО) для данного образца. Следовательно, на фотопленке получим негативное изображение вьппедпего из образца света сцинтилляций. Согласно закону преломлениявыходе света из твердого тела н где и - показатель преломл дуемого образца. Из геометрических постро веденных на фиг.1, следует478104 Фиг с известными способами, Пля его реализации требуется только наличиет-источника и фотопленки. Способ нетребует наладки и юстировки сложныхоптических систем и временных...

Номер патента: 1031318

Опубликовано: 23.12.1991

Авторы: Приходько, Ронжин, Рыкалин

МПК: G01T 1/20

Метки: амплитуды, выравнивания, протяженными, сигнала, сцинтилляторами, сцинтилляционных, счетчиках

...сцинтилляционных счетчиках с протяженными сцинтилляторами, содержащем светофильтр, помещенный между сцинтиллятором и Фото"приемным устройством, боковая поверхность сцинтиллятора покрыта пленкойсмесителеМ спектра, поглощающего излучение сцинтиллятора и затем пере- излучающей его в более длинноволновую область, причем величина частей периметра, пс крытой пленкой в любомпоперечном сечении сцинтиллятора поего длине обратно пропорциональнавеличине амплитуды сигнала от исходного сцинтиллятора при возбужденииего в этом сечении ионизирующими частицами.Однородность сеетосбора достигается за счет того, что поверхность наиболее удаленных областей сцинтиллятора покрывается. пленкой полностью, близлежащих областей " частич" но или совсем не...

Номер патента: 1122113

Опубликовано: 30.04.1992

Авторы: Горин, Рыкалин

МПК: G01T 1/20

Метки: волокно, годоскопов, сцинтилляционных

...2 введены обозначения. волокно 1, керн 2 выполненный из спинт 1 л 11 пиру 1 оцегс вещества;оболочка 3, кассета гороскопа 4, направление регистрируемого излучения4 О 5, направление света б, выходящегоиз волокон,Образование света в волокне в случае двухкомпонентов сцинтилпятора -керна осуществляется следующим об 43 разом,Регистрируемое излучение (частица)проходит через волокно 1, теряя часть своей энергии, которая передается веществу (основе) керна 2 и оболочки 3. Эта энергия безрадиационным способом сообщается сцинтилпяционной добавке, которая излучает коротковолновые 1 Ьстаны, Фогсны, образовавшиеся в керне 2 и оболочке 3.возбуждают молекулы.второй добавки керна (смеситель. спектра), которая с высокой квантовой эФАективностью изотропно...

Номер патента: 1526401

Опубликовано: 30.06.1992

Авторы: Гершун, Горишный, Горожанкин, Гринев, Литичевский

МПК: G01T 1/20

Метки: детекторов, сборки, сцинтилляционных

...слетоотражаницнх оболочек в детекторах данного типа на центрифугахэтого вида.Прн конструировании каждый тнпдетектора рассчитывается на перегрузки строго определенной величины (в зависимости от условий эксплуатации),поэтому Формирование светоотражающейоборчки нельзя проводить с линейнымиускорениями превышающими, иначе невыполнение этих условий приведет кбракуеНа фиг.1 и 2 показано устройство,для осуществления предлагаемого способа; на фпг.3 приледены зависимостиплотности набивки отражателя от массыкольца при вращении сборки на центрифуге с линейными перегрузками,Предлагаемьй способ включает следующие операции. Предварительно наданном типе центрифуги снимают зависимость плотности набивки порошкооб-раэного отражателя от массы...

Номер патента: 1589695

Опубликовано: 30.11.1992

Авторы: Бобырь, Долгополова, Кравченко, Смирнов

МПК: C30B 29/12, C30B 33/00

Метки: галогенидов, металлов, монокристаллов, основе, сцинтилляционных, термообработки, щелочных

...поглощения кристалла Се 1(Т 1) 5 10 15 20 после отжига при 650 К представлен на фиг, 25 2 (кривая 3). Оптические и спектрометрические параметры детектора Сз(Т 1) и фосвича йа 1(Т 1) + Сз 1(Т 1) представлены в табл. 1, Ч 1. Как видно из представленных результатов, не все сложные активэторные центры окра ски разрушаются. При этом спектрометрические и оптические параметры детектора Сз(Т) и фосвича Ма 1(Т 1) + Сз 1(Т 1) улучшаются.Чтобы разрушить все сложные актива торные центры окраски, которые еще проявляются в спектрах поглощения и снижают конверсионную эффективность и энергетическое разрешение как детектора Сз 1(Т), так и фосвича йа 1(Т 1) + Сз(Т 1), кристалл 40 Сз 1(Т 1) помещают в печь, нагревают до 750 К со скоростью 0,2...

Номер патента: 862700

Опубликовано: 23.01.1993

Авторы: Виноград, Гуревич, Цирлин

МПК: G01T 1/202

Метки: заготовок, кристаллических, отбора, сцинтилляционных, счетчиков

...радиационным изменением наклона платодетектора при -40 С и величинойпослесвечения заготовки при комнатой температуре.Отклонение времени облучения и интервала времени между окончанием облучения и измерением величины Л отуказанных выше значений приводит кнарушению корреляции между величинами 3 иЬР. 5 10 15 20 25 30 35 40 бованиям, при этом повторное использование контейнеров исключено.Необходимость охлаждения детекторов до -40 ОС приводит к существенному усложнению требуемой аппаратуры изначительному увеличению длительности во времени процесса отбора (только охлаждение до -40 С и нагрев докомнатной температуры требует не менее 1 ч.) .Целью изобретения является сокра-щение времени, исключение непроизводительных затрат и упрощение процесса...

Номер патента: 776269

Опубликовано: 23.02.1993

Авторы: Андрющенко, Говорова, Зубенко, Квитницкая, Шабалтас

МПК: G01T 1/20

Метки: контейнеризации, монокристаллов, сцинтилляционных

...до полной вулквнизации (а не непосредственно между корпусом детектора и монокристаллом, как в прототипе) исключает адгезию между корпусом детектора и монокристаллом, а также расширяет применение заливочной отражающей массы как холбдного, так и горячего отверждения.Термообработка полученной отражающей оболочки при температуре 50-60 С в течение 2-3 ч обеспечивает полное удаление летучих до контейнеризации при минимальном количестве затрачиваемого времени и исключает взаимодействие летучих с поверхностью моно- кристалла после контейнеризации.Выбранные режимы термообработки являются оптимальными, так как выход за нижний приводит к резкому увеличению времени выдержки, а выход за верхний предел может привести к ухудшению качества...

Номер патента: 415916

Опубликовано: 23.03.1993

Авторы: Гуревич, Мустафина, Панова

МПК: C30B 11/02, C30B 29/12

Метки: монокристаллов, сцинтилляционных

...позволяет использовать их при работе в сильных переменных полях ядерной радиации, ЬП р и м е р, Предварительно дегидрати- д рованную соль Йа при постоянном вакуу- ц мировании нагревают до расплавления.Затем в расплав добавляют 0,1 мол.ТП и 0,4 мол.ИаЮЭ и производят выращивание в вакуумированной герметичной ампуле при ее опускании в печи со скоростью -2 мм/ч, Получены монокристаллы 6 40 мм, Счетные характеристики счетчиков, изго- а товленных их этих кристаллов, после облучения в течение 1 ч гамма-радиацией мощностью 50 рад/ч не изменяются. к технологии интилляционй кристаллиГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕВЕДОМСТВО СССР(54)(57) 1. СПОСОБ ПОЛУЧЕНИКРИСТАЛЛОВ СЦИНТИЛЛЯЦМАТЕРИАЛОВ на основе йодидо.: ных металлов с активирующей добправленной...

Номер патента: 1609211

Опубликовано: 23.04.1993

Авторы: Бондарь, Бурачас, Горишний, Зеленская, Кривошеин, Пирогов, Рыжиков

МПК: C30B 29/32, C30B 33/04

Метки: кристаллов, сцинтилляционных, термообработки

...кристаллы со ско" ростью 50-100 град/ч до 930+30 С и д- лее до комнатной температуры со скоростью 100-20 ф град/ч. После охлаждения ячейку вынимают нз печи и извле 1609211кают кристаллы (или сцинтилляторы),Кристаллы передают на оптико-механи:ескуа обработку, а спинтилляторына измерение сцинтилляционных параметров,Были проведены лабораторные испытания известного.и предлагаемого способов, Термообработке. подвергалосьболее 35 кристаллов германата висмута и сцинтилляторов из них, Характерные результаты испытаний приведены втаблице (для сцинтилляторов размером4040 мм и 5 ПМ 50 мм),В абсолютном значении световой выход увелицивается на 3,0-393, энергетицеское разрешение улучшается на2,0-7,33,Относительное улучшение сцинтилляционных параметров...

Номер патента: 1676245

Опубликовано: 15.01.1994

Авторы: Костенко, Сенчишин, Скрипкина, Тицкая, Шершуков

МПК: C08F 112/06, C08F 2/44, G01T 1/203 ...

Метки: заготовок, пластмассовых, сцинтилляционных

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПЛАСТМАССОВЫХ СЦИНТИЛЛЯЦИОННЫХ ЗАГОТОВОК путем радикальной полимеризации в массе винилароматического мономера, активирующей добавки, добавки, смещающей спектр люминесценции при температуре 50 - 90oС, с последующей дополимеризацией мономера до твердого состояния, отличающийся тем, что, с целью улучшения экологической чистоты и ускорения процесса и повышения выхода заготовок, процесс проводят в присутствии тиофенолов общей формулыR SHгде R1 и R2 = (C1 - C2)-алкил, в количестве 2 10-3 - 2

Номер патента: 1715068

Опубликовано: 28.02.1994

Авторы: Андрющенко, Будаковский, Гершун, Грицан, Сотников

МПК: G01T 1/203

Метки: детекторов, монокристаллов, основе, паратерфенила, сцинтилляционных

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СЦИНТИЛЛЯЦИОННЫХ ДЕТЕКТОРОВ НА ОСНОВЕ МОНОКРИСТАЛЛОВ ПАРАТЕРФЕНИЛА, включающий шлифовку и полировку торцовой поверхности сцинтиллятора со стороны выходного окна, предварительный изотермический отжиг с последующей упаковкой сцинтиллятора в герметичный корпус, отличающийся тем, что, с целью улучшения сцинтилляционных характеристик детекторов и повышения их устойчивости к воздействию механических и климатических нагрузок, полировку поверхности производят олигоорганогидридсилоксаном, а изотермический отжиг сцинтилляторов проводят при 100 - 120oС в течение 2 - 2,5 ч с нанесенным на отполированный торец слоем высокомолекулярного полиорганосилоксанового каучука с молекулярной массой (6 - 9)

Номер патента: 713016

Опубликовано: 20.09.1995

Авторы: Иванов, Смирнов

МПК: C30B 29/12, C30B 33/00, G01T 1/20 ...

Метки: плоских, сцинтилляционных

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПЛОСКИХ СЦИНТИЛЛЯЦИОННЫХ ИЗДЕЛИЙ из монокристаллов иодидов щелочных металлов путем разрезания заготовки, отличающийся тем, что, с целью обеспечения однородности изделий с площадью существенно большей любого сечения исходной заготовки, разрезание осуществляют аксиально боковой поверхности цилиндрической заготовки в один слой или в несколько слоев по спирали с толщиной h, после чего полученный слой или слои подвергают нагреву со скоростью 10 20oС/ч до 350 450oС, выдерживают 3 5 ч при температуре и разворачивают в плоскую пластину с последующим охлаждением до комнатной температуры со скоростью 20 30oС/ч, причем толщина слоя h, радиус изгиба rи степени деформации соответствует...

Номер патента: 1304442

Опубликовано: 20.01.1997

Авторы: Бобырь, Иванов, Любинский, Нагорная, Смирнов

МПК: C30B 11/02, C30B 29/12

Метки: кристаллов, сцинтилляционных, щелочно-галоидных

1. Способ получения сцинтилляционных щелочно-галоидных кристаллов, включающий плавление исходной соли в контейнере, имеющем коническую и цилиндрическую части, введение в расплав соли активатора, выдержку расплава при заданной температуре и выращивание конической и цилиндрической частей кристалла путем опускания контейнера из зоны плавления через водоохлаждаемую диафрагму в зону кристаллизации, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности процесса при сохранении оптического качества кристаллов, после выращивания конической части вводят активатор, поднимают контейнер в зону плавления на 3 5 мм, осуществляют выдержку в течение 6 8 ч и проводят выращивание цилиндрической части кристалла.2. Способ по п.1, отличающийся тем,...

Номер патента: 1037773

Опубликовано: 20.06.1998

Авторы: Будаковский, Нагорная

МПК: G01T 1/202

Метки: n-терфенила, детекторов, монокристаллов, основе, стильбена, сцинтилляционных

Способ изготовления сцинтилляционных детекторов на основе монокристаллов п-терфенила и стильбена, включающий выращивание монокристалла, обработку его и контейнеризацию, отличающийся тем, что, с целью улучшения сцинтилляционных характеристик детекторов, перед контейнеризацией обработанные монокристаллы нагревают со скоростью 1 - 2 град/мин до +60 - 80oC и проводят изотермический отжиг в течение 3 - 5 ч с последующим охлаждением со скоростью 1 - 2 град/мин до комнатной температуры.

Номер патента: 1563423

Опубликовано: 20.11.1999

Авторы: Волчок, Екимов

МПК: G01T 1/20

Метки: детекторов, сцинтилляционных

Способ изготовления сцинтилляционных детекторов, включающий прессование порошкообразного NaI(Tl) в вакууме на предварительно спрессованной подложке из галогенида щелочного металла с последующим отжигом, отличающийся тем, что, с целью улучшения пространственного разрешения детектора, повышения надежности, а также повышения производительности способа, на слое порошкообразного NaI(Tl) перед прессованием размещают плоские каркасы из алюминиевой проволоки, прессование слоя NaI(Tl) осуществляют с давлением 5 - 6 Т/см2 на подложке из КС1, предварительно спрессованной с давлением не менее 10 Т/см2, далее спрессованную пластину нагревают до температуры не менее 60oC...