C30B 9/00 — Выращивание монокристаллов из расплавов с использованием расплавленных растворителей

Номер патента: 298368

Опубликовано: 01.01.1971

МПК: C30B 9/00

Метки: 298368

...12, вал 13, коцическук, передачу 14 и вал 5. Ти.гель при сливе поддерживается ложем 15. едмет цзобретеци а вокруг уг гориу упраг,.меха Манипул я вертикальной зоцтальцой о пения, соедш Изобретение может быть использовано преимущественно в устройствах для выращивания мопокристаллов из раствора в расплаве, например для перемещения тигля в полости камеры и слива расплава.Известен манипулятор, при помощи которого можно производить поворот объекта ц вращение его вокруг горизонтальной оси путем вращения укрепленной на поворотном валу рукоятки управления. Манипулятор включает исполнительный механизм, соединенный с рукояткой управления жесткими кинематическими цепями. Однако такой манипулятор не обеспечивает блокировки от одновременного...

Номер патента: 859490

Опубликовано: 30.08.1981

Авторы: Багдасаров, Лубе, Федоров

МПК: C30B 9/00

Метки: выращивания, монокристаллов, процессом, расплава

...монокристаллов из расплава,5 Устройство содержит тигель, 1 с расплавом 2, кристалл 3, преобразователь 4 аку-стической эмиссии в электрический сигнал,привод 5 перемещения кристалла, первыйнагреватель 6, второй нагреватель 7, источ 20 ники 8 и 9 питания, регуляторы О и 11мощности, подводимой к нагревателям, усилитель 12 импульсов акустической эмиссии,блок 13 измерения интенсивности имmульсов акустической эмиссии, регулятор 1425 скорости перемещения кристалла, электродвигатель5 привода кристалла,Способ осуществляется следующим обра859490 Формула изобретения 10 Составитель В. Федоров Техред А. Камышиикова Корректор Н, Федорова Редактор Л, Письман Заказ 2009 Изд.182 Гираж б 0 1 одписное1110 с 1 онск Государственного комитета...

Номер патента: 683065

Опубликовано: 15.12.1981

Авторы: Дубовицкий, Половинкина

МПК: C30B 9/00

Метки: выращивания, монокристаллов, ориентированных, разъемный, тигель

...И. Однако этот тигель не обеспечивает воспроизводимости структурного совершенства монокристаллов, так как пля каждой операции кристаллизации используется новая затравка.Кроме того, неопределенность пространственноя ориентациии затравочного кристал ла затрудняет выращивание монокрнстал 2лов зюпзцпой ориентации и точной геометррич ес к,1 й ф ч м м.Н лс 1 ц,306)гтеиия является повышениеструктурно о совера 1. яства моиокристаллов поср аством многократного использоваиия одной и той же затравки, управпения процессом затравливания и уменьщения напряжений при кристаллизации.Эго постигается тем, что разъемныйтигель цля выращивания ориентированныхмонокристаллов вертикальной направлеянвйкристаллизацией расплава на затравхевыполнен из...

Номер патента: 584446

Опубликовано: 23.06.1982

Авторы: Миллер, Переляев, Швейкин

МПК: C30B 9/00

Метки: ванадия, двуокиси, монокристаллов

...4/5Типография, пр,Сапунова, 2 3фазы - двуокиси ванадия. Сравнительноневысокая температура процесса (800 -900 С) также снижает количество зародышей по всей массе расплава, В дальнейшем,по мере диссоциации, обеспечивается преимущественный рост незначительного числапоявившихся зародышей, причем растущиекристаллы ориентируются вдоль тигля вместе подачи неокислительного газа. Затемс целью полного разложения пятиокиси ванадия повышают температуру до 1000 -1050 С, прекращают подачу неокислительного газа, а в системе создают вакуум10 -- 10 -мм рт, ст, и процесс продолжаютеще 22 - 24 ч,На этой стадии скорость диссоциации пятиокиси ванадия значительно увеличивается, но в основном продолжается рост ужепоявившихся кристаллов двуокиси...

Номер патента: 971922

Опубликовано: 07.11.1982

Авторы: Белицкий, Ковалевский, Прилепо, Урсуляк

МПК: C30B 9/00

Метки: кристаллов, раствора, роста, скорости

...состоящий из компонентов раст-ворителя и кристаллообразующих компонентов нагревают до температуры на 30 - 100 С зОвыше температуры начала кристаллизации,при этой температуре раствор выдерживаютдо полной гомогенизации и в него вводяткапилляр, через который подают инертныйгаэ. 25Скорости подачи газа регулируют такимобразом, чтобы через раствор проходило 5 -10 пузырьков в минуту, Давление в системеподачи газа регистрируют микроманометром,Далее раствор охлаждают до температурыниже температуры кристаллизации, содаваязаданное пересыщение, При этом на внутренних стенках капилляра образуются зародыши кристаллов, которые при своем ростеизменяют его внутренний диаметр. За счет35этого происходит увеличение максимальногодавления в газовой пузырьке....

Номер патента: 776101

Опубликовано: 15.05.1985

Авторы: Иванов, Лейбович, Сухарев, Федоров, Шушков

МПК: C30B 9/00, G05D 27/00

Метки: диаметра, кристалла

...Второйвход усилителя через аттенюатор 19подключен.к выходу основного интегратора 20, Выход усилителя 18 непосредственно соединен с интегратором 20. Для уменьшения ошибки оценивания сигнала производной следящей система 3 содержит дополнительйый интегратор 21, который подключен к входу основного интегратора 20..На фиг. 1 показаны также водоохлаждаемая камера 22, находящийсяв ней кристалл 23, выращиваемый изтигля 24 с расплавом, нагреватель25 с силовым блоком 26, электроприводы с регулятором 27 перемещенияи регулятором 28 вращения кристалла, с регулятором 29 перемещения ирегулятором 30 вращения тигля.Введены следующие обозначения;Ч иЪ у а - скорости перемещения, вращения кристалла и тиглясоответственно;С - температура нагревателя;.К...

Номер патента: 1574696

Опубликовано: 30.06.1990

Автор: Абдуллаев

МПК: C30B 9/00

Метки: выращивания, монокристаллов, расплава, раствора

...4 так, что ее вертикальные участки размещены в разных температурных зонах.Устройство работает следующим образом.Смесь безводного Сг, Сз, Сд и Яе, взятые в соотношении 1:2:2, загружают в ампулу 1 через загрузочный патрубок 2. В процессе загрузки в ампулу 1 помещают затравки. Затем ампулу 1 откачивают до 50мм рт. ст, и запаивают загрузочный патрубок 2. Ампулу 1 устанавливают в печи 4 патрубками 2 и 3 вверх. Включают Я 111 5746 ре вано в полупроводниковои промышленности, Обеспечивает управление скоростью потока раствора-расплава. Устройство содержит кварцевую ампулу в виде трубчатой рамы. Верхний горизонтальный участок рамы снабжен загрузочным и подпитывающим пагрубками. Патрубки соединены между собой в месте присоединения к ампуле. Ампула...

Номер патента: 1765265

Опубликовано: 30.09.1992

Авторы: Рандошкин, Слинкин, Чани

МПК: C30B 29/14, C30B 9/00

Метки: выращивания, монокристаллов, оро, раствора-расплава

...шихты, при нагревании шихты, как показал наш опыт, наблюдается "пузырение" расплава и, как следствие, его разбрызгивание, Для уменьшения влияния этого отрицательного эффекта приходится наплавлять тигель малыми порциями(не более 20 О объема), а температуру повышать со скоростью не более 20-50 град/ч, Зто усложняет и удлиняет процедуру приготовления РР. В заявляемом изобретенил смешивали не все компоненты, а только два Т 02 и КР 04, Зту смесь помещали на дно тигля, Сверху в тигель засыпали К 2 СОз, Такой способ заполнения тигля предотвращал неконтролируемое разбрызгивание РР, При скорости .разогрева более 700 град/ч на первом этапе и риходится использовать мал ои нерционную печь, что снижает воспроизводимость кристаллообразующих свойств...

Номер патента: 1050300

Опубликовано: 20.04.1996

Авторы: Бабашова, Емельченко, Куриленко, Титова

МПК: C30B 9/00

Метки: выращивания, монокристаллов, растворов, твердых

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ, включающее нагревательную камеру, установленную в ней с возможностью поворота вокруг горизонтальной оси керамическую оболочку, кристаллизатор, расположенный в оболочке и имеющий внутри затравкодержатель и установленный напротив него подпитывающий тигель, снабженный в верхней части перфорированной крышкой, отличающееся тем, что, с целью повышения производительности и уменьшения расхода сырья, нижняя часть подпитывающего тигля выполнена с отверстиями и расположена на расстоянии B от горизонтальной оси кристаллизатора, выбираемом из следующего соотношения: