C30B 25/12 — держатели или приемники подложек

Номер патента: 1768675

Опубликовано: 15.10.1992

Авторы: Арендаренко, Барышев, Буравцев, Варгулевич, Лобызов, Чариков

МПК: C30B 25/08, C30B 25/12

Метки: выращивания, полупроводниковых, эпитаксиального

...в виде диска, размещенного в основании и имеющего сателлиты, под которыми в диске и в основании выполнены газотранспортные и сбросные канавки, и средства ввода и вывода газов, в нем в сателлитах на стороне, обращенной к диску, выполнены газотранспортные канавки, имеющие форму и угловое расположение газотранспортных канавок в диске и направленные навстречу им.На фиг.1 изображен общий вид устройства; на фиг.2 - сечение А - А на фиг.1; на фиг.3 - сечение Б - Б на фиг.1,Устройство содержит реактор, включающий корпус 1 с крышкой 2 и основанием 3, внутри которого установлены два экрана 4 и 5, средстьо ввода ПГС, выполненное в виде трубки 6 для ввода компонентов 3-ей группы с водородом и трубки 7 для ввода компонентов 5 группы...

Номер патента: 1784668

Опубликовано: 30.12.1992

Авторы: Арендаренко, Барышев, Буравцев, Волынкин, Жигунов, Лобызов, Чариков

МПК: C30B 25/12, C30B 25/14

Метки: выращивания, полупроводниковых, эпитаксиального

...В теле основания 2 и теле диска 3 выполнены соответственно газотранспортные канавки 13 и 14, соединенные со средством ввода 15 транспортного газа(водорода).В диске 3 выполнены соосно сателлитам 4 кольцевые проточки 16 и 17, соединенные с началом газотранспортных канавок 14. Глубина внут 2 оенней проточки 17 составляет (1,3-1,5) 10 наружного диаметра проточки 16, В диске 3 выполнены сбросные канавки 18, соединенные с отверстиями 19 и 20 диска 3, отверстиями 21 и 22 основания 2 и выводным патрубком 11. Каждый сателлит 4 выполнен в виде двух соединенных между собой круглых дисков 23 и 24, при этом диаметр верхнего диска 24 больше диаметра нижнего диска 23, а нижний торец 25 верхнего диска 24 выполнен со скосом кромки,Устройство работает...

Номер патента: 713018

Опубликовано: 20.04.1995

Авторы: Белов, Потапов

МПК: C30B 25/12

Метки: газовой, диэлектриков, полупроводников, эпитаксии

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ГАЗОВОЙ ЭПИТАКСИИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ И ДИЭЛЕКТРИКОВ, включающее горизонтальный реактор, подложкодержатель для подложки, установленный на пьедестале внутри реактора, и внешний нагреватель, отличающееся тем, что, с целью уменьшения градиента температуры по поверхности подложек и стабилизации температуры, пьедестал выполнен в виде полого контейнера, а подложкодержатель в виде гранулированного материала, размещенного внутри контейнера слоем, толщина которого превышает величину стрелы прогиба подложки.