Тупаев

Номер патента: 1773955

Опубликовано: 07.11.1992

Авторы: Абловацкий, Бузунов, Иванов, Калугин, Куценогий, Муравицкий, Петров, Тупаев

МПК: C30B 15/02, C30B 29/06

Метки: кремния, монокристаллов

...так несколько циклов, при последнем выращивании вытягивают весь расплав.Предложенное решение является усовершенствованием известного способа ивыгодно отличается ат него. Так как отсутствует механизм смены затраваки последующее выращивание производится спомощью того же механизма и на ту жезатравку, то устраня 1 атся факторы, которьемогут привести к сбоя бездислакацианногароста кристалла. Вытягивание за один циклне более 2/3 расплава, содержащегося втигле, позволяет увеличить выход годного,так как при этом, как показала практика, вмонакристалл вытягивается оптимальнаядоля расплава, которая может пойти в годную продукцию, а в тигле остается достаточный остаток расплава, который послесплдвления подпитачных стержней используется повторно для...