Способ выращивания кристаллов

СОЮЗ СОВЕТСКИХСОЦИАЛИСТИЧЕСКИХРЕСПУБЛИК 1 б 73650 1)5 С 30 В 7/00 О А ЕТ Б ОМУ С К АВТ ЕЛЬСТВУ Кон КРИСТ бам в Изобретени ивания крисмер из р Ользовдно д их, пироэле е относится к спос таллов из жидкой аствора, и мож ля получения пьез ктрических, эле кристаллов. Об ства кристаллов азы, на т быть электри- ооптичеечивает счет соктрес за лучшение каче пособам выой фазы, наожет быть езоэлектри- ктрооптичеи важн ы,х тение атно кристаллов з раствор но для полу оэлектриче ругих те тся к з жид ращивани ения их, э иче улучшение качес дания статистиче роста и исключен ора,ыращивают кристалл ния (АДР) из водного ском кристаллиэациемкостью 2 л. Криристаллодержателе в ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯПРИ ГКНТ СССР(56) Авторское свидетельство ССМ 108804, кл. С 30 В 7/00, 1950.(54) СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ кристаллов.Цель изобретениякристаллов за счет созравномерных условийзапаразичивания раст П р и м е р 1. В дигидрофосфата аммо раствора в цилиндриче онном водном сосуде сталл закреплен на к омерных условии разичивания расовместное однористаллизатора с жателя с кристалальной оси. При кое реверсивное текания кристалодического повырости вращения сительно скоро- тора, Выращены а аммония высо и враЩения крин и изменении ллодержателя от здания статистироста и исключетвора. Способ внаправленное врраствором и крилом вокруг общэтом проводят периодичес изменение направления об ла раствором путем пери шения и понижения ско кристаллодержателя отно сти вращения кристаллиза кристаллы дигидрофосфат кого качества при скорост сталлизатора 250 об/ми скорости вращения криста 300 до 200 об/мин. центральной части сосуда (ось 2 кристалла ориентирована в вертикальном направлении), Сосуд и кристаллодержатель установлены с возможностью вращения вокруг общей вертикальной оси. Температура первоначального насыщения раствора 32 С, температура кристаллизации 29 С. Сосуд и кристаллодержатель вращаются в одинаковом направлении. Скорость вращения сосуда 250 об/мин, кристаллодержателя - 200 об/мин. Выращивание ведут в течение 20 час, За указанное время кристалл увеличивается в поперечных размерах от 1 (затравка) до 2 см. Исследования выращенного кристалла показывают, что он имеет неоднородную структуру, на теневых участках граней и ризмы (за выступающими ребрами)1613650 5 10 15 20 Формула изобретения Способ выращивания кристаллов иэ раствора, включающий совместное однонаправленное вращение кристаллиэатора с раствором и кристаллодержателя с кристаллом вокруг общей вертикальной оси и периодическое реверсивное изменение направления обтекания кристалла раствором, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью улучшения качества кристаллов за счет создания статистически равномерных условий роста и исключения эапараэичивания раствора, изменение направления обтекания кристалла раствором проводят путем периодического повышения и понижения скорости вращения кристаллодержателя относительно скорости вращения кристаллизатора,25 30 35 40 Составитель В, БезбородоваРедактор Л, Пчолинская Техред М,Моргентал КоРРектоР Т, Малец Заказ 2899 Тираж 251 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г, Ужгород, ул, Гагарина, 101 имеется скопление дислокаций и включений раствора,П р и м е р 2, Выращивают кристалл АДР в условиях по примеру 1, но при этом изменяют характер вращения сосуда и кристаллодержателя: сосуд и кристаллодержатель вращают с одинаковой скоростью 250 об/мин, К концу процесса выращивания прирост кристалла был приблизительно в 1,5 раза меньше, чем в примере 1, Исследования выращенного кристалла показывают, что его структура, как и в примере 1, характеризуется неоднородностью и повышенным содержанием дефектов, что обусловлено наличием концентрационных потоков раствора, обтекающих кристалл в процессе роста.П р и м е р 3. Выращивают кристалл АДР в условиях по примеру 1, но при этом изменяют характер вращения кристаллизатора и кристаллодержателя: сосуд вращают с постоянной скоростью 250 об/мин, скорость кристаллодержателя периодически изменяют от 300 до 200 об/мин через каждые 5 мин. К концу процесса выращивания прирост кристалла приблизительно такой же, как и в примере 1. В процессе роста концентрационные потоки раствора отсутствовали. Исследования выращенного кристалла показывают, что его структура характеризуется высокой однородностью, локальных скоплений дислокаций и включений не наблюдается,Новизна способа заключается в том, что скорость вращения кристаллодержателя с кристаллом периодически повышают и понижают относительно скорости вращения кристаллизационного сосуда с жидкой фазой. Существенное отличие заключается в создании эффекта реверсивного движения кристалла относительно жидкой фазы. При опережающем вращении кристалла жидкость обтекает его в направлении, противоположном направлению вращения, При опережающем вращении жидкой фазы обтекание происходит в обратном направлении, Положительным эффектом является повышение однородности кристалла и уменьшение дефектности его структуры эа счет создания статистически равномерных условий роста, Кроме того, вращение кристаллиэационного сосуда с жидкой фазой исключает опасность запаразичивания раствора в зоне роста кристалла, что позволяет вести ускоренное выращивание в условиях повышенных пересыщений (переохлаждений).Таким образом, предложенный способ по сравнению с известным обеспечивает повышение качества кристалла эа счет улучшения условий выращивания,