Электрохимический способ получения кристаллов оксидных бронз
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 1675408
Авторы: Барабошкин, Вакарин, Калиев
Текст
(51) 5 С 30 В 9/14, 29/22 СОЮЗ СОВЕТСКИХСОЦИАЛИСТИЧЕСКИХРЕСПУБЛИК ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЫТИЯМПРИ ГКНТ СССР ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ,. К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ(57) Изобретение относится к росту кристаллов, может быть использовано для получения кристаллов, применяемых в электронной, химической промышленности. и позволяет ускорить процесс и получать трехмерные кристаллы, ограниченные плоскостями с кристаллографическими индексами одного типа. В тигле расплавляют исходную шихту. Вводят в расплав электроды. Пропускают между ними постоянный электрический ток плотностью 2 - 4 мА/см, а после достижения кристаллом заданной длины плотность тока увеличивают на 2 - 3 порядка. Достигают ускорения процесса в 2 - 3 раза.1 табл.(71) Институт электрохимии Уральскогоотделения АН СССР(56) Калиев К. А., Барабошкин А. Н. Электрокристаллизация оксидных бронз переходных металлов из расплавленных солей.М.: Наука, 1982, с. 142, 169 - 173.(54) ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКИЙ СПОСОБПОЛУЧЕНИЯ КРИСТАЛЛОВ ОКСИДНЪХ БРОНЗ Изобретение относится к росту кристаллов и может быть использовано для получения кристаллов, применяющихся в электронной, химической, металлургической промышленности.Целью изобретения является получение трехмерных кристаллов, ограниченных плоскостями с кристаллографическими индексами одного типа, и сокращение времени их роста.Пример 1. В тигле расплавляют исходную шихту, содержащую, мол.%: К%04 32,5; Ма%04 32,5; %0 з 35. Шихту расплавляют и расплав нагревают до 700 С. В расплав вводят электроды. В качестве катода используют медную проволоку диаметром 0,37 мм, в качестве анода - платиновую проволоку диаметром 0,5 мм. Между электродами пропускают постоянный электрический ток плотностью 3 мА/см. Наблюдают образование на катоде зародыша кристалла и его рост в виде иглы, ограненной по бокам плоскостями 1110), а по вершине 1 ОЯ). Через 2 мин по достижении кристаллом заданной длины 3 мм плотность тока увеличивают в 1000 раз до 3000 мА/см. Наблюдают разращивание кристаллической иглы в боковых направлениях и по истечении 5 мин преобразование ее в бипирамиду, ограненную плоскостями типа 1310). Получают кристалл калий-натрий-вольфрамовый бронзы размером во всех направлениях 2,8 - 3,2 мм.Пример 2. Процесс проводят, как в примере 1, но изменяют плотность тока и длительность операций роста.Характеристики полученных кристаллов в зависимости от режимных параметров процесса их получения представлены в таблице.Таким образом, предлагаемый способ позволяет в 2 - 3 раза ускорить процесс получения единицы массы кристалла и получать кристаллы неигольчатой формы, а трехмерные - с ограничением плоскостями одного типа.Формула изобретенияЭлектрохимический способ получения кристаллов оксидных бронз путем пропускания постоянного электрического тока через1675408 расплав, содержащий оксиды исходных компонентов, отличающийся тем, что, с целью получения трехмерных кристаллов, ограниченных плоскостями с кристаллографическими индексами одного типа, и сокращения времени их роста, по достижении кристалломзаданной длины плотность тока увеличивают на 2 - 3 порядка. Кристаллографический Уаз меркристалла,мм Величина плотноститока, мА/смф ДлительОпыт Тип кристалла тип плоскостей начальконечная ная огранки 1 Калий-натриевая вольфрамовая бронза То же 11 1,0 3,0 6,0 4000 3000 1600 100100100КалийвольФрамовая бронзаТо же 1010 1010 1010 0,1 1,0 3,0 500 500 500 10 11 Составитель В. БезбородоваРедактор Н. Рогулич Техред А. Кравчук Корректор А. ОбручарЗаказ 2980 Тираж ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР113035, Москва, Ж - 35, Раушская наб., д. 4/5Производственно-издательский комбинат Патент, г. Ужгород, ул. Гагарина, 10 2 3 4 5 Натрий- вольфрамовая бронза То же 2 3 2 2 2 4000 3000 1600 10002 ность процессароста,мин 0,5 5,0 700,0 1600,0 3300,0 0,5 4,0 600,0 3,0 10,0 16,0
СмотретьЗаявка
4367428, 21.12.1987
ИНСТИТУТ ЭЛЕКТРОХИМИИ УРАЛЬСКОГО ОТДЕЛЕНИЯ АН СССР
КАЛИЕВ КАБИР АХМЕТОВИЧ, ВАКАРИН СЕРГЕЙ ВИКТОРОВИЧ, БАРАБОШКИН АЛЕКСЕЙ НИКОЛАЕВИЧ
МПК / Метки
МПК: C30B 29/22, C30B 9/14
Метки: бронз, кристаллов, оксидных, электрохимический
Опубликовано: 07.09.1991
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-1675408-ehlektrokhimicheskijj-sposob-polucheniya-kristallov-oksidnykh-bronz.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Электрохимический способ получения кристаллов оксидных бронз</a>
Способ контроля ограненных пластинчатых кристаллов гексагонального типа
Номер патента: 725001
Опубликовано: 30.03.1980
МПК: G01N 23/20
Метки: гексагонального, кристаллов, ограненных, пластинчатых, типа
...не более 3, и регистрацию рентгеновских дифракционных отражений, запрещен. ных структурным фактором, с .помощью счетчика квантов, Отражения получают,по схеме съемкиБрэгга. По угловому положе. нию запрещенных отражений определяют, 20 состоит кристалл из одного политипа или является" сростром:Известен также способ контроля кристаллов на присутствие включений полатипов 12, в котором облучают кристалл моно. 25 хроматическим пучком лучей, направлен. ным перпендикулярно кристаллографическому направлению 1 ОООЦ пластины кристалла, покачивая объект, регистрируют рентгеновсиие дифракционные отражения; полу- З 9 2ченные по схеме съемки Брэгга, на фотопленку и, анализируя положения и интенсивности разрешенных отражений, определяют, состоит кристалл...
Термохромная композиция на основе жидких кристаллов холестерического типа
Номер патента: 449923
Опубликовано: 15.11.1974
Авторы: Бабенко, Махотило, Онищенко, Тищенко, Фетисова
МПК: C09K 3/00
Метки: жидких, композиция, кристаллов, основе, термохромная, типа, холестерического
...таких составов на какую- либо поверхность образуется термохромпое покрытие, окраска которого меняется вслед за изменением температуры поверхности, проходя весь спектр цветов до полного обесцвечивания, когда температура поверхности становится ниже или выше температурного интервала цветовой гаммы данной смеси,Однако в ряде случаев необходимо сохранить на какое-либо- время цветовую картину поверхности неизменной при изменении температуры подложки, Для этого в холестери. 449923 Составитель И. Горина Редактор В, Новоселова Корректор А, Галахова Техред М, Семенов Заказ 1574(3 Изд,1183 Тираж 678 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Типография,...
Насадка для управления рулем велосипедного типа лицами с протезом одной из верхних конечностей
Номер патента: 503781
Опубликовано: 25.02.1976
Авторы: Желтый, Кирсанов, Шелчков
МПК: B62K 3/16
Метки: велосипедного, верхних, конечностей, лицами, насадка, одной, протезом, рулем, типа
...стержня выполнено пеМ ременным и увеличивается по направлениюот .онца стержня к месгу изгиба, От места изгиба до основания стержень имеет постоянное, например, цилиндрическое сечение.Кольцо 6, обхватывающее стержень, снабжено жестко прикрепленным к нему хвостовиком 7, закрепляемым в протезе 8. К кольцу 6 посредством круглой накладки 9 и заклепок 10 прикреплена упругая, например резиновая шайба 11, плотно обхватывающая цилиндрическую часть стержня 1. Диаметр отверстий кольца 6 и накладки 9 несколько больше диаметра отверстия. шайбы 11.Переменное поперечное сечение верхней части стержня 1 облегчает надевание и сбрасывание кольца 6 и соединенных с ним деталей благодаря значительной разнице в диаметре конца стержня и шайбы 11. Наличие...
Способ изготовления диодного или транзисторного р-п перехода на полупроводниковом кристалле п-типа
Номер патента: 621239
Опубликовано: 15.08.1979
МПК: H01L 21/02
Метки: диодного, кристалле, п-типа, перехода, полупроводниковом, р-п, транзисторного
...по делам изобретений и открытий 113035 Иосква ЖРа ская наб. . 4 5филиал ППП Патент, г, Ужгород, ул. Проектная, 4 тем самым более четкую, гранину между р-п"областями, увеличивая эффектвыпрямления и, следовательно, улучшая качество изделий,Примеры выполнения предлагаемого способа.П р и м е р 1. Изготовление полевого транзистора из монокристалла.кремния и-типа с исходным удельнымсопротивлением 100 Ом см, выращенного по методу Чохральского и содержащего ростовые дислокации10 смДеформацию осуществляют пуансонамииз ЯО при 900 С втечение, ЬО мйнс нагрузкой 1 кг/мм 2. Толщина исходной пластины кремния равна 0,1 мм.Для одновременности проведения дефор"мации и легирования перед началомдеформации на острия пуансонов наь 3носят каплю спиртового...
Жидкие кристаллы нематического типа с отрицательной диэлектрической анизотропией
Номер патента: 562547
Опубликовано: 25.06.1977
Авторы: Адоменас, Даугвила, Денис, Чепоните
МПК: C07C 69/78
Метки: анизотропией, диэлектрической, жидкие, кристаллы, нематического, отрицательной, типа
...1 и 6 и диэлектрическая анизотропия жидкокристаллического ди-(4-н-гексилокси)-бензойного эфира гидрохинона при различнытемпературах ( М 700 кГц) 3,80 1,35 3,80 5,05- 1,25- 1,20 3,80 4,90 1,10 Найден я; .;,. 76; Н 6,92Сзн НОВычисленс%: С 72,91; Н 6,86 аналогично синтезируют все сложные эфяры замещенных гидрохинонов,П р и м е р 2. ди-(н-Гексилокси)-бензойный эфир 2,3 - дициангидрохинона. Выход 62%, Нематический интервал146-168 С,Найдено,%: С 71,53; Н 6,42С Н Й ОВычислено %: С 71, 81; Н 6,38П р и м е р 3, ди-(4-н Бутилокси)-бензоат 2 3- дициангидрохинона,СМ СКн - СЕ)-90.-В-иВыход 65%, Нематический интервал164-195 С,16 П р и м е р 5, ди-( 4-н-Гексилоксн)= -бензоат 2-нитрогидрохинона. Полученные жидкие кристаллы при комнатной...
Предыдущий патент: Способ регенерации никеля из отработанных растворов химического никелирования
Следующий патент: Способ получения магнитнооптической структуры
Случайный патент: Аппарат для приготовления закваски молока