C30B 9/14 — электролизом

Номер патента: 1675408

Опубликовано: 07.09.1991

Авторы: Барабошкин, Вакарин, Калиев

МПК: C30B 29/22, C30B 9/14

Метки: бронз, кристаллов, оксидных, электрохимический

...медную проволоку диаметром 0,37 мм, в качестве анода - платиновую проволоку диаметром 0,5 мм. Между электродами пропускают постоянный электрический ток плотностью 3 мА/см. Наблюдают образование на катоде зародыша кристалла и его рост в виде иглы, ограненной по бокам плоскостями 1110), а по вершине 1 ОЯ). Через 2 мин по достижении кристаллом заданной длины 3 мм плотность тока увеличивают в 1000 раз до 3000 мА/см. Наблюдают разращивание кристаллической иглы в боковых направлениях и по истечении 5 мин преобразование ее в бипирамиду, ограненную плоскостями типа 1310). Получают кристалл калий-натрий-вольфрамовый бронзы размером во всех направлениях 2,8 - 3,2 мм.Пример 2. Процесс проводят, как в примере 1, но изменяют плотность тока и...

Номер патента: 703936

Опубликовано: 10.07.1999

Авторы: Аксентьев, Барабошкин, Волков, Докучаев, Захарьяш, Злоказов, Калиев, Кокшаров, Фотиев

МПК: C30B 29/32, C30B 9/14

Метки: бронз, вольфрамовых, монокристаллов

Способ получения монокристаллов вольфрамовых бронз для активных элементов датчиков рН птуем электролиза расплава смеси вольфрамового ангидрида и вольфрамата натрия, отличающийся тем, что, с целью повышения верхнего предела измерения рН щелочных сред, в расплав за 3 - 5 мин до окончания электролиза вводят вольфрамат лития в количестве 30 - 40 вес.% или вольфрамат магния в количестве 10 - 15 вес.%.

Номер патента: 421229

Опубликовано: 10.07.1999

Авторы: Барабошкин, Калиев, Комаров, Скиба, Смирнов, Тарасова, Тетерев

МПК: C30B 29/16, C30B 9/14

Метки: двуокиси, монокристаллов, урана

1. Способ получения монокристаллов двуокиси урана электролизом расплавленных солей хлоридов щелочных металлов и хлорида уранила, отличающийся тем, что, с целью получения крупных хорошо ограненных кристаллов, в расплав вводят добавки четырехвалентного урана и фтора в весовом отношении 7 - 10.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что процесс ведут при использовании микрокатода площадь не более 10-3см2 при 400 - 450oС и скорости нарастания тока 0,2 - 0,3 мА/ч.

Номер патента: 978615

Опубликовано: 10.07.1999

Авторы: Бабенко, Барабошкин, Калиев, Фотиев

МПК: C30B 29/22, C30B 9/14

Метки: бронз, ванадиевых, монокристаллов, оксидных

1. Способ получения монокристаллов оксидных ванадиевых бронз MxV12O30 типа , где 2 для М = Li, Na, Ag, Cu; x 1 для М = Ca, Sr, Ba и x 1,2 для М = К, кристаллизацией из расплава пятиоксида ванадия и оксидной соли металла, взятых в стехиометрическом соотношении на затравочный кристаллоксидной ванадиевой бронзы, отличающийся тем, что, с целью повышения качества монокристаллов и повышения...

Номер патента: 665425

Опубликовано: 10.07.1999

Авторы: Аксентьев, Барабошкин, Калиев

МПК: C30B 29/22, C30B 9/14

Метки: выращивания, монокристаллов

Способ выращивания монокристаллов кислородсодержащих соединений путем электролиза расплава их солей на постоянном токе и зарождении монокристалла в капилляре, отличающийся тем, что, с целью ускорения и упрощения процесса, зарождение монокристалла в капилляре ведут при плотности тока 0,2 - 1,5 А/см2 до спада катодного потенциала, а затем осуществляют выращивание монокристалла при катодном потенциале на 3 - 20 мВ отрицательнее равновесного потенциала получаемых кислородсодержащих соединений.