C30B 29/44 — фосфид галлия

163362

Загрузка...

Номер патента: 163362

Опубликовано: 01.01.1964

МПК: C30B 25/00, C30B 29/44

Метки: 163362

...Л. И. Марина и С, В. ЯкобсонСПОСОБ ПОЛУУМЕНИЯ МОНОКРНСТАЛЛОВ фОСфИДА.АДАМИЯ,3 Известен способ получения игольчатых монокристаллов фосфида галлия, основанный на восстановлении моноокиси галлия парообразным фосфором.Предложено для получения монокристаллов фосфида галлия реакцию взаимодействия паров фосфора с моноокисью галлия осуществлять в токе инертного газа, В результате указанной реакции, протекаюцгей непрерывно до полного использования исходных реагентов, удается получить значительно более крупные монокристаллы, часть которых выделяется в форме пластин.Предмет изобретенияСпособ получения монокристаллов фосфида г аллия путем взаимодействия (реакции) паров фосфора с моноокисью галлия, отлич а ю щ и й с я тем, что, с целью...

Способ термообработки монокристаллов фосфида галлия

Загрузка...

Номер патента: 1682416

Опубликовано: 07.10.1991

Авторы: Антонов, Блецкан, Елсаков, Искорнев, Окунев

МПК: C30B 29/44, C30B 33/02

Метки: галлия, монокристаллов, термообработки, фосфида

...тигля, непосредственно в зоне расположения монокристаллов у их поверхностей.Кристаллы извлекают из камеры. Сверху и снизу каждого монокристалла отрезают по три пластины для исследования электро- физических свойств монокристаллов, после чего монокристаллы поступают на операцию резки на пластины для последующего изготовления из них подложек для эпитаксиального наращивания, До отжига плотность дислокаций в кристаллах оставляет на верхнем торце(1,2-1,5) 10 см, на нижнем1682416 Формула изобретения Способ термообработки монокристаллов фосфида галлия, включающий их нагрев в атмосфере газа, выдержку и последующее охлаждение, отл и ч а ю щи й с я тем, что, с целью улучшения структурного совершенства кристаллов, нагрев ведут до 750-800 С в...