Збигли
Способ выращивания монокристаллов твердых растворов типа а в
Номер патента: 1686042
Опубликовано: 23.10.1991
Авторы: Ботнарюк, Горчак, Збигли, Раевский, Симашкевич, Сушкевич
МПК: C30B 23/00, C30B 29/46
Метки: выращивания, монокристаллов, растворов, твердых, типа
...(фиг.1) помещают 2,99 г теллурида цинка и 0,01 г селенида цинка, Путем испарения и переноса их паров из зоны нагрева, имеюгут быть использованы в приборах оптоэлектроники. Способ позволяет получить твердые растворы заданного состава и повысить их качество. Монокристаллы твердых растворов ЕпТехЯе 1-х выращивали путем испарения исходных раздельно размещенных бинарных соединений ЛпТе и 2 пЯе в трубках различной пропускной способности, расположенных в герметичной ампуле. и переносе паров этих соединений из зоны нагрева в зону роста при наличии между этими зонами градиента температ, р, Приведено соотношение для определения размеров трубок. Полученные монокри сталлы являются сплошными, без раковин и в пределах 900 состава однородных по длине....