Способ выращивания монокристаллов твердых растворов типа а в

ZIP архив

Текст

(5 ф 5 С 30 В 4) 1ф ,с ОБ САН ОМУ СВИДЕТЕЛ К АВТ веркевич, нарюк КРИ- ИПА ологии цх расрце монижн да ц щен сод 100 м прим ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМПРИ ГКНТ СССР(56) Авторское свидетельство СССРМ 1565086, кл, С 30 В 23/ОО, 1988.(54) СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОСТАЛЛОВ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОАп В(57) Изобретение относится к техвыращивания монокристаллов твердтворов на основе ЕпТе - Упыре; кото Изобретение относится к технологии выращивания смешанных материалов на основе возгоняемых веществ, а именно к способам выращивания монокристаллов твердых растворов на основе ЕпТе и Упыре, которые могут быть использованы в приборах оптоэлектроники.Целью изобретения является получение заданного состава твердого раствора и повышение его качества.На фиг,1 - 4 изображены кварцевые ампулы внутренним диаметром 15 мм и длиной 300 мм для выращивания монокристаллов; на фиг.5 - распределение температуры Т по длине ампулыП р и м е р 1, В нижнюю часть 1 ампулы (фиг.1) помещают 2,99 г теллурида цинка и 0,01 г селенида цинка, Путем испарения и переноса их паров из зоны нагрева, имеюгут быть использованы в приборах оптоэлектроники. Способ позволяет получить твердые растворы заданного состава и повысить их качество. Монокристаллы твердых растворов ЕпТехЯе 1-х выращивали путем испарения исходных раздельно размещенных бинарных соединений ЛпТе и 2 пЯе в трубках различной пропускной способности, расположенных в герметичной ампуле. и переносе паров этих соединений из зоны нагрева в зону роста при наличии между этими зонами градиента температ, р, Приведено соотношение для определения размеров трубок. Полученные монокри сталлы являются сплошными, без раковин и в пределах 900 состава однородных по длине. 1 табл 5 ил,щей температуру 1379 К в зону роста с температурой 1323 К, выращивают монокристаллы твердых растворов УпТеЯе 1-. Давление исследуемцх паров ЕпТе и 7 пЗе определяется температурой зон, точность поддержания температуры + 2 К, Продолжительность эксперимента 170 ч, Получают твердый раствор массой 3 г, близкой к теллуриду цинка с неоднородным по длине составом,П р и м е р 2. В ампулу 2 (фиг.2), в юю ее часть, помещают 1,33 г селениинка и 0,87 г теллурида цинка, разменого во внутренней трубке, запаянной ного конца, диаметром 3 мм и длиной м, Условия выращивания аналогичны еру 1. Получают раствор массой 2,2 г. Скорость переноса паров теллурида а в холодный конец ампулы намного1686042 Йг оставитель Е.Писареехред М.Моргентал ва ррек едактор А. Шандор аказ 3579 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета.по изобретениям и открытиям при ГКНТ ССС 113035, Москва, Ж, Раушская наб 4/5 на, 101 зводственно-издательский комбинат "Патент" ород, ул

Смотреть

Заявка

4723140, 24.07.1989

КИШИНЕВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ИМ. В. И. ЛЕНИНА

РАЕВСКИЙ СЕМЕН ДМИТРИЕВИЧ, СИМАШКЕВИЧ АЛЕКСЕЙ ВАСИЛЬЕВИЧ, ГОРЧАК ЛЕОНИД ВАСИЛЬЕВИЧ, ЗБИГЛИ КАРЛ РУДОЛЬФОВИЧ, БОТНАРЮК ВАСИЛИЙ МИХАЙЛОВИЧ, СУШКЕВИЧ КОНСТАНТИН ДМИТРИЕВИЧ

МПК / Метки

МПК: C30B 23/00, C30B 29/46

Метки: выращивания, монокристаллов, растворов, твердых, типа

Опубликовано: 23.10.1991

Код ссылки

<a href="https://patents.su/3-1686042-sposob-vyrashhivaniya-monokristallov-tverdykh-rastvorov-tipa-a-v.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ выращивания монокристаллов твердых растворов типа а в</a>

Похожие патенты