Искорнев

Номер патента: 1701758

Опубликовано: 30.12.1991

Авторы: Елсаков, Искорнев, Окунев, Росс

МПК: C30B 27/02, C30B 29/40

Метки: галлия, монокристаллов, фосфида

...чем на 50 С повышается вероятность растрескивания монокри 50 сталла за счет повышения величин термонапряжений из-за сплошного слоя флюса на его поверхности Повышение температуры со скоростью более 7 С/мин приводит к растрескиванию монокристалла из-зэ наличия термоудэроз и повышения на этой основе величин термонапряжений,ния монокристалла. При этом плотностьЗО Я-ямок травления возрастает. Если передПовышение температуры со скоростью менее 0,7 С/мин нецелесообразно иэ-эа резкого увеличения времени процесса без заметного эффекта повышения структурного совершенства монокристаллов. 5Пои скорости последующего охлаждения монокристалла менее чем в 1,5 раза меньшей скорости первоначального охлаждения происходит растрескивание моно- кристалла...

Номер патента: 1682416

Опубликовано: 07.10.1991

Авторы: Антонов, Блецкан, Елсаков, Искорнев, Окунев

МПК: C30B 29/44, C30B 33/02

Метки: галлия, монокристаллов, термообработки, фосфида

...тигля, непосредственно в зоне расположения монокристаллов у их поверхностей.Кристаллы извлекают из камеры. Сверху и снизу каждого монокристалла отрезают по три пластины для исследования электро- физических свойств монокристаллов, после чего монокристаллы поступают на операцию резки на пластины для последующего изготовления из них подложек для эпитаксиального наращивания, До отжига плотность дислокаций в кристаллах оставляет на верхнем торце(1,2-1,5) 10 см, на нижнем1682416 Формула изобретения Способ термообработки монокристаллов фосфида галлия, включающий их нагрев в атмосфере газа, выдержку и последующее охлаждение, отл и ч а ю щи й с я тем, что, с целью улучшения структурного совершенства кристаллов, нагрев ведут до 750-800 С в...