Ампула для выращивания кристаллов из расплава

Номер патента: 1673652

Авторы: Гресь, Ковалева, Смирнов, Сухостат

ZIP архив

Текст

СОЮЗ СОВЕТСКИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСКИ 5)5 С 30 В 11/ Е ое обьединение и Харьковский творчества мостат, Е.Н.Ков кристаллов. - ВАНИЯ КРИк технике для тодом направупрощение извле шение выхо а го ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИПРИ ГКНТ СССР ОПИСАНИЕ ИЗОБРК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ(54) АМПУЛА ДЛЯ ВЫРАЩСТАЛЛОВ ИЗ РАСПЛАВА Изобретение относитыращивания кристалловенной кристаллизации. Цель изобретения -ения кристаллов и павы д дых.На чертеже показана ампула, разрез.Ампула имеет боковую цилиндрическуюоверхность 1 и коническое дно 2. В местеоединения боковой поверхности 1 и дна 2нутри ампулы выполнено кольцевое углубение 3, имеющее глубину (0,4 - 0,6)б и шиину (О,1 - 1)д, где б - толщина стенкимпулы,Ампула работает следующим образом,В кварцевую ампулу засыпают кристализуемое вещество, вакуумируют и помещают в печь для выращивания кристалла (наертеже не показана). После выращиванияампулу с кристаллом, не переворачивая, пе(57) Изобретение относится к технике для выращивания кристаллов методом направленной кристаллизации. Цель изобретения - упрощение извлечения кристаллов и повышение выхода годных. Ампула имеет боковую цилиндрическую поверхность и коническое дно. В месте соединения боковой поверхности и дна внутри ампулы выполнено кольцевое углубление, Даны соотношения, связывающие глубину и ширину углубления с толщиной стенки ампулы, В ампуле выращены кристаллы галогенидов щелочных металлов, Выход годных увеличен в 1.4 раза. 1 ил 1 табл. реносят в печь оплавления (на чертеже не показана), При этом происходит отделение конусного дна 2 от боковой поверхности 1, кристалл извлекают из ампулы через образовавшееся отверстие и охлаждают до комнатной температуры,Для выращивания кристаллов галогенидов щелочных металлов изготавливают ампулы диаметром 50 - 250 мм, высотой 300 - 700 и толщиной стенки 3 - 4 мм. Кольцевые углубления 3 имеют глубину 1,5 - 2 мм и ширину " 0,3 мм (угол смачивания расплавом галогединов щелочных металлов кварцевого стекла 10). Углубление получают путем сварки цилиндрической поверхности ампулы с конусным дном по наружной поверхности с предварительной их установкой на расстоянии, равном заявляемой ширине зазора. Углубление может быть еще получено механической выборкой внутренней по1673652 верхности ампулы в месте соединения цилиндра с конусом с помощью алмазного диска толщиной, равной заявляемой ширине.В таблице приведены данные испытаний при различных значениях глубины и ширин ы кол ьцево го углубления. В 85 случаях из 100 на стадии оплавления происходило быстрое отделение конусного дна и кристаллы получились качественными. В 15 случаях наблюдалось растрескивание кристаллов, Выход годной продукции увеличен в 1,4 раза. Характер разрушения ампулы на стаии оплавления Ширина кольцевого зазора, мм0,2 Конус не отделился от цилиндрической частиТо же 0,1 б Конус отделился от цилиндрической частиТо же 0,3 О,З О,З 0,50 0,6 б 0,70 0,10 0,20 0,36 0.4 б 0,5 б 0,6 б 0,70 0,2 б 0,30 0,40 0,5 д 0,6 б 0,70 0,1 б 0,2 б О,Зб 0,40 0,2 0,2 0,2 0,2 0,2 0,2 0,3 0,3 О,З О,З Формула изобретения Ампула для выращивания кристаллов израсплава, имеющая боковую цилиндриче скую поверхность и коническое дно, о т л ич а ю щ а я с я тем, что, с целью упрощения извлечения кристаллов и повышения выхода годных, в месте соединения цилиндрической поверхности и конического дна внутри 10 ампулы выполнено кольцевое углублениеглубиной (0,4 - 0,6) д и шириной (0,1 - 1)б, где б - толщина стенки ампулы. Отделился конус от цилиндрической части при заполнении ампулыкристаллизуемымвеществом Конус не отделился от цилиндрическойчастиТо же Конус отделился от цилиндрической частиТо же Отделение конуса от цилиндрической части при заполнении ампулы кристаллизуемымвеществом1673652 Продолжение таблицы Глубина кольцевого зазора, ммХарак ер разрушения ампулы на стаии оплавления Ширина кольцевого зазора, ммКонус не отделился от цилиндрической частиТо жеи 0,1 б 0,2 б 0,3 б 0,4 б При отделении конуса происходит образование мелких осколков кварцевого стекла,являющихся причиной разрушения кристаллов при их охлаждении То же е0,5 б О,бб 0,7 б Составитель Н, ДавыдоваРедактор Л, Пчолинская Техред М.Моргентал Корректор Т. Малец . Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101 Заказ 2899 Тираж 250 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5

Смотреть

Заявка

4748148, 07.08.1989

НАУЧНО-ПРОИЗВОДСТВЕННОЕ ОБЪЕДИНЕНИЕ "МОНОКРИСТАЛЛРЕАКТИВ", ХАРЬКОВСКИЙ ЦЕНТР НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКОГО ТВОРЧЕСТВА МОЛОДЕЖИ "ЮНОСТЬ"

СМИРНОВ НИКОЛАЙ НИКОЛАЕВИЧ, СУХОСТАТ ВАСИЛИЙ АЛЕКСЕЕВИЧ, КОВАЛЕВА ЕЛЕНА НИКОЛАЕВНА, ГРЕСЬ НИКОЛАЙ ВАСИЛЬЕВИЧ

МПК / Метки

МПК: C30B 11/00

Метки: ампула, выращивания, кристаллов, расплава

Опубликовано: 30.08.1991

Код ссылки

<a href="https://patents.su/3-1673652-ampula-dlya-vyrashhivaniya-kristallov-iz-rasplava.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Ампула для выращивания кристаллов из расплава</a>

Похожие патенты