Способ получения магнитнооптической структуры

СОЮЗ СОВЕТСКИХСОЦИАЛИСТИЧЕСКИХРЕСПУБЛИК 5409 9) (11 ТЕНИЯ ОБР ТЕЛЬСТ арственныи униА. Еськов,шенко Эпинав ксиальные одложках Ф, 1989,ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМПРИ ГКНТ СССР ОПИСАНИЕ АВТОРСКОМУ СИИ(56) Еськов Н. А. и др.пленки феррит-гранатовСаз(хЬба) зО. - Письмт, 15, вып. 2, с, 27 - 30. Изобретение относится к электронике и может быть использовано при создании элементов магнитооптических приборов,Целью изобретения является повышение воспроизводимости параметров структуры, а также повышение ее кристаллографического совершенства.Пример 1. Монокристаллическую булю кальций-ниобий-галлиевого граната КНГГ состава Саз 1 хЬ,6 зузбаз,з 7 зОо,з 50 и выращивают из расплава на ориентированную в направлении 111 затравку того же состава. Интервалы скоростей вращения, позволяющих поддерживать максимально плоский фронт кристаллизации, определяют экспериментально в зависимости от конструкции теплового узла и ограничивают 10 - 50 об/мин. Скорость вытягивания составляет 3 - 4 мм/ч.Подложки вырезают параллельно грани 112, предварительно сориентировав кристалл.Обработку подложек осуществляют с финишной химико-механической полировкой до 14 - 15 класса.(54) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МАГНИТООПТИЧЕСКОЙ СТРУКТУРЫ(57) Изобретение относится к электронике и может быть использовано при создании элементов магнитооптических приборов. Обеспечивает повышение воспроизводи мости параметров, а также кристаллографического совершенства структуры. Способ включает жидкофазную эпитаксию висмутсодержа щей феррит-гранатовой пленки на ориентированную в направлении 112 подложку из моно- кристалла кальций-ниобий-галлиевого граната. Используют подложку из монокристалла, выращенного в направлении 12.1 3. п. ф-лы, 1 табл. Кристаллизацию эпитаксиальной пленки висмутсодержащего феррит-.граната проводят по известной методике путем вертикального погружения подложки в переохлажденный раствор-расплав, содержащий РЬО - ВОз - В 120 з - т зОз - 1.цзОз Ге 20 з - йаОз. Проведено последовательное выращивание серии из четырех эпитаксиальных пленок на подложках КНГГ 112. Контроль однородности полученных пленок, их кристаллографического совершенства, осуществляют путем наблюдения их поверхности и подсчета светящихся точек в темном поле микроскопа. Воспроизводи мость физико-технических параметров исследуют путем измерения величины удельного фарадеевского вращения.Результаты исследования свойств полученных магнитооптических структур в сравне нии с известными приведены в таблице.Пример 2. Монокристаллическую булю КНГГ состава, указанного в примере 1, выращивают на ориентированную в направлении 112 монокристаллическую затравку1675409 формула изоб ретекия 15 Образец Известный способ 1 ) 2 5 6 7 Ориентация монокристаллическойбулиОриентация подложкиТемпературароста, СВремя роста,минУдельное Фарадеевское вращение,град мкмКоличество све 1 11 1 12 112 112 112 1 1 г 1 1 г 111 111 111 1 1 О 1 1 О 1 1 О 683 681 684 1 12 112 1 12 112 1 12 11 О 675 673 670 669 669 670 670 681 З 4 3 з з 3 з 3 4 5 17 18 175 2,0 19 2,0 2,0 2,3 1,7 1,5 2,1 тящихся точек на1 см 5 7 8 3 2 2 2 Не измерялось Составитель Е. ЛебедеваРедактор Н. Рогулич Техред А. Кравчук Корректор М. СамборскаяЗаказ 2980 Тираж ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР113035, Москва, Ж - 35, Раушская наб., д. 4/5Производственно-издательский комбинат Патент, г. Ужгород, ул. Гагарина, 101 того же состава. Режимы выращивания такие же, как и в примере 1. Из 1000 г шихты выращена буля диаметром 35 мм и массой 700 г. Около 90 Я фронта кристаллизации занимает плоская грань 112. Подложки вырезают параллельно этой грани без проведения предварительной рентгеновской ориентации. Рентгеновский контроль показал, что ориентация подложек в пределах измерений была 112. Обработку подложек и наращивание эпитаксиальных пленок проводят так же, как указано в примере 1.Результаты исследования полученных магнитооптических структур приведены в таблице.Как видно из таблицы, предлагаемый способ позволяет получать магнитооптические структуры с высокой кристаллографичЕской однородностью и воспроизводимостью физико-технических параметров. Кристаллографическое совершенство, в свою очередь, обеспечивает высокое качество получаемых структур, Кроме того, предлагаемый пособ позволяет исключить трудоемкую операцию рентгеновской ориентации були при изготовлении подложек.Направление 112 определяет морфологически устойчивую грань соединения структуры граната, устойчивую к травя щему действию висмутсодержащего раствора-расплава. На этой поверхности реализуетсятангенциальиый послойный механизм роста,обеспечивающий высокую однородность пленки и воспроизводимость физико-техническихпараметров.При выращивании подложечного монокристалла в указанном направлении подложка, вырезанная параллельно поверхности 112, являющейся плоской межфазнойграницей були, не содержит концентрационно напряженных областей неоднородногосостава, что обеспечивает высокое качествоэпитаксиальной пленки и всей магнитооптической структуры,1. Способ получения магнитооптической структуры, включающий жидкофазную эпитаксию висмутсодержа щей феррит-гранатовой пленки на ориентированную подложку из монокристалла кальций-ниобийгаллиевого граната, отличающийся тем, что, с целью повышения воспроизводимости параметров структуры, используют подложку, ориентированную в направлении 112.2, Способ по п. 1, отличающийся тем, что, с целью повышения кристаллографического совершенства структуры, используют подложку из монокристалла, выращенного в направлении 112.