Ботнарюк

Номер патента: 1748690

Опубликовано: 23.07.1992

Авторы: Бляндур, Ботнарюк, Ватаманюк, Киврига

МПК: A01C 1/00

Метки: предпосевной, семян

...441,7 нм, плотность потока 7,5 мВт/см в течение 240-720 мин, после чего в тот же день высевают. 1 табл. при экспозиции 240-720 мин. По окончании облучения семена высевают,П р и м е р, Семена кукурузы линии Лподвергнуты лазерному облучениюдлиной волны 441,7 нм, ППМ -7,5 мВт/см при времени облучения 5, 10; 15, 30, 60, 120, 180, 240, 360, 480, 600, 720 и 840 мин. В качестве контроля взяты необлученные семена, После облучения семена в тот же день, в тот же час высевались на поле в строгой пропорции с контролем в трехкратной повторности. В каждом варианте обрабатывали и высевали 270 зерен, по 90 в делянке. Полную спелость определяли по тесту "черного пятнышка".В таблице показано сокращение вегетационного периода эа счет предпосевной...

Номер патента: 1686042

Опубликовано: 23.10.1991

Авторы: Ботнарюк, Горчак, Збигли, Раевский, Симашкевич, Сушкевич

МПК: C30B 23/00, C30B 29/46

Метки: выращивания, монокристаллов, растворов, твердых, типа

...(фиг.1) помещают 2,99 г теллурида цинка и 0,01 г селенида цинка, Путем испарения и переноса их паров из зоны нагрева, имеюгут быть использованы в приборах оптоэлектроники. Способ позволяет получить твердые растворы заданного состава и повысить их качество. Монокристаллы твердых растворов ЕпТехЯе 1-х выращивали путем испарения исходных раздельно размещенных бинарных соединений ЛпТе и 2 пЯе в трубках различной пропускной способности, расположенных в герметичной ампуле. и переносе паров этих соединений из зоны нагрева в зону роста при наличии между этими зонами градиента температ, р, Приведено соотношение для определения размеров трубок. Полученные монокри сталлы являются сплошными, без раковин и в пределах 900 состава однородных по длине....