Бичурин

Номер патента: 1682413

Опубликовано: 07.10.1991

Авторы: Абдрафиков, Бичурин, Новоселов, Пополитов

МПК: C30B 29/16, C30B 7/10

Метки: германия, диоксида, модификации, тетрагональной

...Чыс: Чн 2 о 2 =-: 9.0; 1,2.Подготовленный к эксперименту реактор герметически закрывают и гюмещают в печь сопротивления с двумя нагревателями. Реактор нагревают до 150 С, вследствие чего внем создается давление порядка 11,2 атм,Температурный перепад между зонами растворения и роста поддерживают равным4 С, время выдержки в стационарном рекиме 8 сут, Процесс протекает аналогичнопримеру 1, Выход монокристаллов = Ое 0292,4%, их размеры находятся в пределах от1,35 до 1,4 мм.П р и м е р 3, Методика и технологияперекристаллизации диоксида германиятетрагональной мсдификации аналогичнапримерам 1 и 2, Физико-химические параметры ведения процесса следующие: концентрация водного раствора ОС) 1,5 мас. и Н 202 2 мас, , температура 160 С, давление...

Номер патента: 1656014

Опубликовано: 15.06.1991

Авторы: Бичурин, Бондарева, Дыменко, Ломонов, Пополитов, Телегенов

МПК: C30B 29/22, C30B 7/10

Метки: выращивания, монокристаллов, оn

...р и м е р 2. В автоклав, футерованный фторопластом, помещаютхимические реактивы тетрабората литияи борной кислоты при их массовомсоотношении 2, 0: 1, О, затем заливаютэтанол (98 мас.7) и размещают перегородку для регулирования конвекциидля заданного температурного перепада, Отношение жидкой фазы к твердой3,0:1,0. Автоклав герметически закрывают и помещают в двухзонную печьсопротивления, где его нагревают дотемпературы (Т) 300 С (зона растворения) с температурным перепадом ( Т)о35 С. При данном нагреве давлениежидкой среды составляет 125 атм,20Процесс получения монокристаллов протекает по схеме, описанной в примере 1. Выход монокристаллов 98,1 Е,размеры до 5,7 мм.П р и м е р 3. В автоклав, футеро 25ванный фторопластом, помещают...

Номер патента: 1643633

Опубликовано: 23.04.1991

Авторы: Бичурин, Пополитов, Цейтлин

МПК: C30B 29/22, C30B 7/10

Метки: монокристаллов, соединения

...градиента температуры 1,6-2,1 град/см, Получают мснокристаплы в виде удлиненныхксаганальных призм длиной 3-б мм. Выд кристаллов 83 - 90;4 2 табл. клава происходит образование манакристаллав Яс 2 ЯЬ 409. Полученные манокристаплы кристаплизуются в виде удлиненных гексагональных призм, длина которых колеблется от 1 до 3 мм, Указанная область получения манокристаппов Яс 2 ЯЬ 409 ограничена параметрами: ЯЬ 20 з:Яс 20 з= 1.2;1=620 С; Л 1= 1,6 град/см, СсзР = 18 мас.,4.П р и м е р 2. Исходные компоненты шихты ЯЬ 20 з и Яс 20 з, взятые в мапьнам отношении 1,5;2,4, помещают на дно автоклава, устанавливают перегородку и затем заливают водный раствор фтаристага цезия концентрацией 36 мас,0/ Отношение жидкой фазы к твердой составляет б:1. Автоклав...

Номер патента: 1643457

Опубликовано: 23.04.1991

Авторы: Бичурин, Дыменко, Пополитов, Телегенов, Черкасов

МПК: C01B 19/00

Метки: оксихлорида, теллура

...примере 1,П р и м е р 3. Процесс получениякристаллического оксихлорида теллураосуществляют по примеру 1. Технологические параметры кристаллизации:температура 90 С,. температурный перепад 25 С, концентрация водных растворов НС 1 и КС 10 17 и 2 мас.Х соответственно соотношение жидкой итвердой фаз 3,0;1, а жидких фазУВц ф 1 кСщ= 45:1, Время выдержкив режиме 5 сут. В результате описанного технологического процесса происходит образование кристаллического оксихлорида теллура, выход кото. рого составляет практически 99,6 Хгот массы загрузки.1В таблице приведены .основные технологические параметры получения кристаллического оксихпорида теллура. Вследствие достаточной величины растворимости диоксида теллура в смешанном водном растворе соляной...

Номер патента: 1641898

Опубликовано: 15.04.1991

Авторы: Бичурин, Дыменко, Пополитов, Телегенов, Черкасов

МПК: C30B 29/12, C30B 7/04

Метки: кристаллов, оксидно-галогенного, соединения, теллура

...свидетельствует об иххорошей чистоте,П р и м е р 2, В кварцевый реактор емкостью 1 л загружают 350 гТеО, устанавливают кварцевую перегородку с отверстиями и заливают водный раствор НВг концентрацией40 мас.Х. Соотношение жидкой и твердой фаз 4, б: 1, 5. Реактор герметизируют фторопластовым затвором с капилпяром, соединенным с резиновой трубкой, которая отведена в кварцевуюемкость с водой. Подготовленный реактор помещают в печь сопротивления,где его нагревают до 80 С с температурным перепадом 5 С Время выдержкикварцевого реактора в стационарномрежиме составляет 5 сут. Исходнаяшихта при указанных параметрах растворяется и конвекционным движениемЗОпереносится в обьем раствора, гдеза счет температурного перепадаи испарения растворителя...

Номер патента: 1537961

Опубликовано: 23.01.1990

Авторы: Бичурин, Грудин, Ульянов

МПК: F23G 7/04

Метки: жидких, отходов, печь, сжигания, циклонная

...24 пневмо. цилиндра 11 перемецается в направлении меньшего давления из крайнего нижнего положения в крайнее верхнее. При этом зубчатая рейка 10, соединенная с поршнем 24 через шток, также перемещается. Находящаяся в зацеплении с зубчатой рейкой 1 О шестерня 9, закрепленная на валу 7, поворачивается и врацает вал 7, который, н свою очередь, сообщает днижение закрепленному на нем скребку 8, В результате, при движении поршня 24 в пневмоцилиндре 11 из одного крайнего положения в другое скребок 8 также переводится из одного крайнего положения н другое, совершая при этом свой рабочий ход и очищая отражательный щиток 4.Установкой форсунки на стенке камеры, диаметрально противоположной отражательному щитку, обеспечена возможность максимального...

Номер патента: 1491809

Опубликовано: 07.07.1989

Авторы: Бичурин, Дыменко, Пополитов, Черкасов

МПК: C01B 19/00

Метки: диоксида, перекристаллизации, теллура

...до температуры 80 С с температурным перепадом 10 С.Время выдержки кварцевого реактора в стационарном режиме составляет 3 сут. Исходная шихта при указанных параметрах растворяется и конвекционным движением переносится в объем раствора, где эа счет температурного перепада и испарения растворителя происходит кристаллизация диоксида теллура. Выход диоксида теллура составляет 977. от веса исходнойзагрузки. Чистота кристаллов диоксида теллура аналогична той, что в примере 1.П р и м е р 3. Процесс получения кристаллического диоксида теллура осуществляют аналогично примерам1 и 2. Технологические параметрыкристаллизации: температура 100 С,оо,температурный перепад 20 С, концент 35 40 45 50 55 рация водных растворов НС 1 и Н 0соответственно 6 и...

Номер патента: 1308998

Опубликовано: 07.05.1987

Авторы: Бичурин, Ермаков, Железный

МПК: G05D 16/10

Метки: давления, регулятор

...регулирования, резонансные явления и волновые процессы в трубопроводной части.При гармонических колебаниях давление не может сохраняться на уровне настроенного, а периодически с определенной 50 частотой подходит к нему сверху и снизу.Это приводит к быстрому износу элементов регулятора, например, подвижных уплотнений мембраны, засорению каналов, выходу из строя контрольно-измерительных приборов, срабатыванию предохранительных устройств. 982При возможном росте или падении давления в выходном канале 3 с определенной частотой и амплитудой регулятор ведет себя следующим образом.Давление в полости А начинает увеличиваться со скоростью, определяемой гармоническими колебаниями. Чувствительный элемент 4 регулятора, обладающий определенной...

Номер патента: 995166

Опубликовано: 07.02.1983

Авторы: Бичурин, Бувин, Фомин, Шапиро

МПК: H01P 1/22

Метки: аттенюатор, управляемый, электрически

...синфазно подавать на 25 них управляющее напряжение.На чертеже представлена принципиальная электрическая схема аттенюатора.Аттенюатор содержит линию 1 пере ЗО,дачи, первый четвертьволновой шлейф995166 оставитель Л. Белаяехред Т. Фанта Корректор Ю. Макаре ктор Е. Пап Заказ 656/38 ираж 588сударственио иэобретенива, Ж, Р одписноеССР НИИПИ Го по дела 035, Мосго комитета й и открыты аушская наб ППП фП т. Ужгород, ул ектная,л 2 с подключенными к нему р 1 п-диодом 3, согласованной нагрузкой 4 и фильт ром нижних частот (ФНЧ) 5, второй четвертьволновой шлейф 6 и подключенный к его разомкнутому концу р 1 пдиод 7Аттенюатор работает следующим образом.При подаче через ФНЧ 5 отрицателЬ ного напряжения на р 1 п-диоды 3 и 7 через них протекает ток...

Номер патента: 919696

Опубликовано: 15.04.1982

Авторы: Бичурин, Вилкова, Макаров, Тазов

МПК: B01D 17/04

Метки: воды, нефти, разделения

...2 входа эмульсии, патрубками выхода газа 3, нефти 4, и водыф 5, насадку 6, решетку 7, Насадка 6 (фиг. 1) состоит из блоков, которые представляют собой параллельно расположенные между собой элементы насадки 8 (фиг,3), соединенные с номоп 1 ью скоб 9 и образующие звенья цепи.Для образования блока звенья цепи свернуты в спираль таким образом, что элементь насадки 8 соприкасаются друг с другом поеобразующим, а последний элемент закреплен3 9со смежными, обеспечивая компактность блокав цером (фиг, 2).Блоки насадки внутри устройства расположены навалом .Устройство работает следующим образом,Перед пуском устройство заполняется во.дой, которая как хорошо смачивающая фазаудерживается в острых углах каналов, образованных соприкасающимися внешними...

Номер патента: 494587

Опубликовано: 05.12.1975

Авторы: Андреев, Бичурин, Иоффе

МПК: F28D 7/02

Метки: аппарат, змеевикового, теплоомбенный, типа

...навиты змесвиковые экономайзерцыс трубы 12. Теплообменццк содержит коллек- О торную камеру 13, патрубок 14, соединяющийотверстия 11 и 15, пятрубкц 16, сл лсящие для подвода теплоносителя, пдтрубкц 17 ;зя отвода его, соединяощцс отверст"я 18 и 19, В верхней коллекторцой камере 6 рдсполоке ця кольцевая питдтс;ссцд 5 кдыеря 20.В нижне коллскторцой камере 7 мсзотсяцапрдвлязощцс пятрубкццилиндрический 21 и конический 22.В обеих коллекторцых камерах 6 и 7 цд коц- О цах циркуляционной трубы 8 установлены направляющие надставки 23.Работа аппарата применительно к использованию в установке получения окиси этилена осуществляется следующим образом.Питательная вода через пятрубок 24 посту.пает в кольцевуо герметц цую камеру 20 и оттуда - в пучок...

Номер патента: 459658

Опубликовано: 05.02.1975

Авторы: Андреев, Бичурин, Иоффе, Лобанов, Станкевич

МПК: F28D 7/02

Метки: аппарат, змеевикового, теплообменный, типа

...прямыми участками 5, сердечник 6, снабженный заборным конусом 7, кольцевой коллектор 8, обечайку 9, размещенную с зазором, в котором расположена теплообменная поверхность - экономайзер 10. В верхнем днище аппарата размещен сепаратор 11, в нижнем - направляющие элементы 12, а под нижней трубной решеткой 3 коаксиально корпусу установлена цилиндрическая перегородка 13, Корпус снабжен патрубком 14 для ввода в межтрубное пространство теплоносителя, патрубком 15 для ввода жидкой среды в экономайзер, а затем в трубы, патрубком 16 для отвода газа, патрубком 17 для отвода теплоносителя. Аппарат работает следующим образом. Жидкость, подлежащая выпариванию, поступает из патрубка 15 в кольцевой коллектор 8, оттуда в экономайзер 10. После...