Патенты с меткой «полупроводниковых»

Номер патента: 764208

Опубликовано: 10.06.2000

Авторы: Лисовенко, Марончук

МПК: C30B 25/08, C30B 29/40

Метки: выращивания, полупроводниковых, слоев, соединений, эпитаксиальных

Устройство для выращивания эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений методом газотранспортных реакций, включающее вертикально установленный кварцевый реактор с подложкодержателем внутри, снабженный патрубками для подачи реакционного газа сверху и поддува инертного газа снизу и патрубком для отвода продуктов реакции, отличающийся тем, что, с целью исключения осаждения продукта на стенках камеры и попадания поддуваемого газа в зону осаждения, улучшения за счет этого структурного совершенства и воспроизводимости электрофизических параметров получаемых слоев, реактор снабжен кварцевой рубашкой, соединенной с реактором через отверстия, выполненные в его стенке ниже размещения...

Номер патента: 1176782

Опубликовано: 10.06.2000

Авторы: Елисеев, Иванов, Колоскова, Локтаев, Лягушенко, Нисневич

МПК: H01L 21/314

Метки: n+-p-n-p-типа, многослойных, полупроводниковых, силовых, структур, тиристоров

1. Способ изготовления многослойных полупроводниковых структур силовых тиристоров n+-p-n-p-типа, включающий химическую обработку, осаждение из растворов на основе тетраэтоксисилана на обе поверхности кремниевых пластин n-типа проводимости легированных окисных пленок - источников диффузии алюминия и бора, термическую обработку в окислительной среде при температуре 1200 - 1300oC для формирования высоковольтных p-n переходов, создание маскирующей пленки по всей площади пластины, локальное травление маскирующей пленки и формирование n+-областей диффузией фосфора, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии и улучшения параметров тиристоров, для создания...

Номер патента: 1082252

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Золотухин, Марончук

МПК: H01L 21/60

Метки: многоэлементных, полупроводниковых, приборов

Способ изготовления многоэлементных полупроводниковых приборов, включающий разделение р-n-структур большой площади пазами с двух сторон на элементы и приварку металлических выводов путем приложения давления и температуры, отличающийся тем, что, с целью повышения механической прочности и улучшения электрофизических параметров многоэлементных приборов, перед разделением структуры на элементы из металлической проволоки, образующей эвтектический сплав с полупроводниковым материалом, изготавливают группы контактных шин, которые прикладывают к полупроводниковым структурам и устанавливают в пакет последовательно с прижимным элементом, помещаемым в раму, выполненную из материала, отличного от...

Номер патента: 1085442

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Ахтман, Бротиковский, Павлынев

МПК: H01L 21/316

Метки: меза-структур, полупроводниковых

Способ изготовления полупроводниковых меза-структур, включающий проведение фотолитографии и химического изотропного травления на глубину h, создающих выпрямительные меза-элементы, и защиту меза-элементов стекловидными пленками, отличающийся тем, что, с целью повышения пробивных напряжений меза-элементов, операцию фотолитографии проводят с использованием фотошаблона, рисунок которого представляет собой n дорожек (при n > 1) шириной h и расстоянием между центрами дорожек, равным +2b, где h/2...

Номер патента: 1316501

Опубликовано: 20.06.2000

Автор: Бротиковский

МПК: H01L 21/316

Метки: защиты, исходного, низкотемпературных, поверхности, покрытий, полупроводниковых, приборов, стекловидных

Способ получения исходного материала для изготовления низкотемпературных стекловидных покрытий для защиты поверхности полупроводниковых приборов, включающий приготовление водного раствора азотнокислых солей стеклообразующих элементов, введение в раствор двуокиси кремния, приливание водного раствора аммиака до получения осадка гидроокисей, просушивание и растирание осадка, отличающийся тем, что, с целью улучшения защитно-пассивационных характеристик покрытий путем повышения гомогенности осадка, двуокись кремния вводят в водный раствор азотнокислых солей в виде водного раствора кремниевой кислоты.

Номер патента: 1690535

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Коваль, Подоскин

МПК: H01L 23/34, H05K 7/20

Метки: охладитель, полупроводниковых, приборов

1. Охладитель для полупроводниковых приборов, содержащий полое основание с выполненными из теплопроводного материала опорными противоположными стенками для размещения полупроводниковых приборов и боковыми стенками, соединенными между собой с образованием герметичной полости, которая заполнена рабочим веществом с температурой плавления не более максимально допустимой рабочей температуры полупроводникового прибора, и по крайней мере одну перегородку из теплопроводного материала, установленную в полом основании перпендикулярно его опорным противоположным стенкам и соединенную с ними с обеспечением теплового контакта с ними и с образованием полых секций, ориентированных вдоль геометрической оси...

Номер патента: 774462

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Асадов, Бахышев, Исмаилов, Максимов, Марончук, Соловьев

МПК: H01L 21/365

Метки: галлия, пленок, полупроводниковых, халькогенида

Способ получения полупроводниковых пленок халькогенида галлия в открытой газотранспортной системе с использованием жидкого источника галлия, включающий взаимодействие галогенсодержащего вещества с галлием, транспортирование галогенида галлия в зону роста, подачу в зону наращивания элемента VI группы потоком газа-носителя и наращивание монокристалла на подложку, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии и улучшения качества пленок, наращивание осуществляют в системе HCl-Ga-Se-H2 при температурах зон источников галлия и селена 400 - 600oC и 230 - 300oC соответственно, температуре зоны наращивания 700 - 750oC, потоке водорода над источником...

Номер патента: 1410776

Опубликовано: 20.06.2000

Автор: Бротиковский

МПК: H01L 21/316

Метки: защиты, исходного, покрытий, полупроводниковых, приборов, свинцово-силикатных, стекловидных

Способ получения исходного материала для изготовления свинцово-силикатных стекловидных покрытий для защиты полупроводниковых приборов, включающий приготовление водного раствора солей стеклообразующих компонент, основным из которых является свинец, и кремниевой кислоты, осаждение водным раствором аммиака гидрооксидов, просушивание и растирание осадка, отличающийся тем, что, с целью улучшения защитно-пассивационных характеристик покрытий путем повышения гомогенности процесса стеклообразования, свинец вводят в раствор солей стеклообразующих компонент в виде его ацетата.

Номер патента: 1187649

Опубликовано: 27.06.2000

Авторы: Астафьев, Боронин, Изидинов, Курцин, Нанушьян, Панкратов, Полеес, Потапова, Симановская

МПК: H01L 21/56

Метки: защиты, поверхности, полупроводниковых, приборов, силовых

Способ защиты поверхности силовых полупроводниковых приборов, включающий нанесение на них защитного компаунда, содержащего кремнийорганический винилсодержащий каучук, олигометилгидридсилоксан, наполнитель и в качестве катализатора 1%-ный раствор платинохлористоводородной кислоты, и проведение термообработки, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных и высоковольтных приборов при одновременном сокращении времени термообработки, в компаунд вводят в качестве ингибитора вещество класса пиразолов, причем соотношение катализатора и ингибитора находится в пределах от 5 : 1 до 10 : 1, а общее количество катализатора и ингибитора составляет от 0,6 до 1,2 мас. % компаунда, и...

Номер патента: 1616429

Опубликовано: 27.06.2000

Авторы: Дерменжи, Кондаков, Почуева, Шмелев

МПК: H01L 21/28

Метки: полупроводниковых, приборов, силовых

Способ изготовления силовых полупроводниковых приборов, включающий формирование в полупроводниковой подложке базовой области, создание в базовой области дискретных областей эмиттерных элементов, формирование первого слоя металлизации на поверхности базовой области и областей эмиттерных элементов, выявление неработоспособных эмиттерных элементов, нанесение изолирующего покрытия, закрепление на поверхности подложки с помощью магнитной кассеты маски с окнами над эмиттерными элементами и создание второго слоя металлизации путем напыления металла в окна маски, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных и снижение трудоемкости, изолирующее покрытие после выявления неработоспособных...

Номер патента: 1335055

Опубликовано: 27.06.2000

Авторы: Блохина, Изидинов, Мишанин

МПК: H01L 21/28

Метки: полупроводниковых, приборов

1. Способ изготовления полупроводниковых приборов, включающий создание кремниевой структуры по крайней мере с одним p-n-переходом и контактное соединение кремниевой структуры с электродом припоем на основе алюминия, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрических характеристик приборов, перед контактным соединением на контактной поверхности кремниевой структуры формируют поры, суммарная площадь которых составляет 15-50% площади контактной поверхности.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что поры формируют анодным электрохимическим травлением кремниевой структуры.

Номер патента: 1523010

Опубликовано: 27.06.2000

Авторы: Бучнев, Дмитриев, Зайцев, Рюмшин, Сизова, Смыслов

МПК: H01L 21/58

Метки: кремниевых, мощных, полупроводниковых, приборов, термокомпенсатор

Термокомпенсатор мощных кремниевых полупроводниковых приборов, содержащий графитовое основание с приповерхностным слоем из карбида кремния, отличающийся тем, что, с целью расширения технологических возможностей термокомпенсатора за счет увеличения его смачиваемости алюминием и сплавами на основе алюминия, приповерхностный слой дополнительно пропитан кремнием с концентрацией по привесу 1 10-3 - 2,5 10-2 г/см2 поверхности.

Номер патента: 1480664

Опубликовано: 27.06.2000

Авторы: Колоскова, Локтаев, Нисневич

МПК: H01L 21/225

Метки: многослойных, полупроводниковых, приборов, структур

Способ изготовления многослойных структур полупроводниковых приборов, включающий очистку пластин кремния, осаждение на одну поверхность пластин пленкообразующего раствора с легирующими примесями, осаждение на другую поверхность пластин кремния пленкообразующего раствора, содержащего этиловый спирт, азотнокислый алюминий, борную кислоту и тетраэтоксисилан, и проведение одновременной диффузии путем термообработки, отличающийся тем, что, с целью расширения области применения способа для изготовления многослойных структур тиристоров и транзисторов одной термообработкой, проводят осаждение на вторую поверхность пластин кремния пленкообразующего раствора, дополнительно содержащего ортомышьяковую...

Номер патента: 999872

Опубликовано: 10.07.2000

Авторы: Епихин, Кузнецов, Марончук, Сушко, Тузовский

МПК: H01L 21/208

Метки: наращивания, подложках, полупроводниковых, слоев, эпитаксиального

Способ эпитаксиального наращивания полупроводниковых слоев на подложках, включающий сборку в пакет параллельно расположенных пластин, на поверхности которых расположены полупроводниковые подложки, заполнение зазора между подложками раствором-расплавом и принудительное охлаждение системы, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества слоев, диаметр пластин выбирают больше диаметра подложек на величину, по крайней мере в 4 раза большую, чем зазор между подложками.

Номер патента: 745297

Опубликовано: 10.06.2001

Авторы: Кокин, Лукасевич, Любушкин, Манжа, Назаров, Чистяков

МПК: H01L 21/18

Метки: полупроводниковых, структур, транзисторных

Способ изготовления полупроводниковых транзисторных структур, включающий создание коллектора, базы, травление в маскирующем диэлектрике эмиттерных окон, осаждение легированной поликристаллической пленки кремния, формирование из пленки мезы, внахлест маскирующей эмиттерное окно, создание эмиттерного p-n-перехода, формирование внутрисхемной разводки, отличающийся тем, что, с целью улучшения воспроизводимости характеристик транзисторных структур и увеличения процента выхода годных, перед осаждением легированной поликристаллической пленки кремния в эмиттерных окнах проводят предварительное подлегирование примесью того же типа проводимости, что и пленки поликристаллического кремния.

Номер патента: 676109

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Короткова, Коршунов, Миркин, Тихонов

МПК: H01L 21/268

Метки: инверсных, материалах, полупроводниковых, слоев

1. Способ получения инверсных слоев в полупроводниковых материалах путем их плавления воздействием импульсного лазерного излучения с последующей рекристаллизацией оплавленного слоя, отличающийся тем, что, с целью увеличения эффективной подвижности и концентрации носителей заряда в слое и использования его для упрощенного изготовления многоэлементных структур, лазерное воздействие осуществляют в режиме образования выпуклой зеркальной поверхности рекристаллизованного слоя.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что, с целью увеличения в антимониде индия эффективной подвижности электронов до (4 - 6) 104...

Номер патента: 1436767

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Аверьянова, Верин, Генералов, Зимаков, Зыканова, Коршунов, Прохоров, Сазонов, Соловьев, Старикова

МПК: H01L 21/268

Метки: ионно-имплантированных, отжига, пластин, полупроводниковых, слоев

Способ отжига ионно-имплантированных слоев полупроводниковых пластин, включающий формирование поглощающего лазерное излучение слоя и нагрев его лазерным излучением, отличающийся тем, что, с целью увеличения степени однородности свойств отожженного слоя, поглощающий лазерное излучение слой формируют внутри или на обратной стороне полупроводниковой пластины путем легирования, толщину и концентрацию примеси в указанном слое выбирают из условия выделения в поглощающем слое максимальной части энергии лазерного излучения, облучение проводят лазером на CO2 в импульсно-периодическом режиме с мощностью излучения, обеспечивающей температуру подложки от 0,55 Tпл до...

Номер патента: 1563510

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Белотелов, Коршунов

МПК: H01L 21/265

Метки: антимониде, индия, полупроводниковых, приборов

Способ изготовления полупроводниковых приборов на антимониде индия, включающий легирование исходного материала компенсирующей примесью до получения материала p-типа, изготовление из легированного материала подложек, имплантацию в них ионов и последующий термический отжиг, отличающийся тем, что, с целью повышения качества МДП-структур с инверсионным каналом и p-n-переходов за счет снижения токов утечки и повышения подвижности свободных носителей заряда, в качестве компенсирующей примеси используют германий, легирование осуществляют до концентраций дырок от 1012 до 1016 см-3, после изготовления подложек на них дополнительно наносят слои диэлектрика, в качестве...

Номер патента: 631017

Опубликовано: 20.09.2001

Автор: Коршунов

МПК: H01L 21/268

Метки: алмазоподобных, инверсных, материалах, полупроводниковых, слоев

1. Способ получения инверсных слоев в алмазоподобных полупроводниковых материалах путем воздействия на них импульсами лазерного излучения, отличающийся тем, что, с целью обеспечения возможности управления концентрацией носителей заряда, воздействие лазерным излучением осуществляют импульсами с плотностью мощности от 6 до 400 МВт/см2 при длительности импульса от 10-1 до 10-9 с.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что, с целью получения в антимониде индия концентрации доноров от 1015 до 1018 см-3, воздействие лазерным излучением осуществляют импульсами с плотностью мощности от 6 до 56 кВт/см2 при длительности...

Номер патента: 1393232

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Аверьянова, Астахов, Белотелов, Верин, Генералов, Зимаков, Зыканова, Камушкин, Коршунов, Петровнин, Прохоров, Соловьев, Старикова, Шестериков, Щербина

МПК: H01L 21/268

Метки: ионолегированных, отжига, полупроводниковых

Способ отжига ионолегированных полупроводниковых материалов, включающий нагрев пластин из полупроводниковых материалов излучением CO2-лазера в импульсно-периодическом режиме до температуры T, лежащей в диапазоне 0,55 Tпл T Tпл, где Tпл - температура плавления материала, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности отжига за счет снижения количества дефектов и дислокаций в пластинах, легированных дозами ионов примеси, не вызывающими аморфизацию имплантированного слоя, нагрев ведут импульсами миллисекундной...

Номер патента: 1523000

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Верин, Газуко, Генералов, Гласко, Губарь, Зимаков, Зыканова, Коршунов, Петровнин, Соловьев, Старикова, Щербина

МПК: H01L 21/268

Метки: полупроводниковых

Способ обработки полупроводниковых материалов, включающий импульсный нагрев, отличающийся тем, что, с целью получения обедненных слоев в кремнии n-типа, в качестве исходного используют кремний, легированный фосфором до концентраций 1013 - 5 1015 см-3, а нагрев ведут на воздухе до температуры 1150oC < T < 1200oC.

Номер патента: 1523001

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Верин, Газуко, Генералов, Гласко, Губарь, Зимаков, Зыканова, Коршунов, Петровнин, Соловьев, Старикова, Щербина

МПК: H01L 21/268

Метки: инверсных, полупроводниковых, слоев

Способ получения инверсных полупроводниковых слоев в исходном легированном кремнии, включающий импульсных нагрев, отличающийся тем, что, с целью расширения области применения и исключения эрозии поверхности, в качестве исходного используют кремний n-типа, легированный фосфором до концентраций 1013 - 2 1016 см-3, а нагрев ведут на воздухе в интервале температур от 1200oC до температуры плавления кремния.

Номер патента: 913793

Опубликовано: 20.09.2001

Автор: Коршунов

МПК: G01N 21/00

Метки: вырожденных, полупроводниковых, проводимости, типа

1. Способ определения типа проводимости вырожденных полупроводниковых материалов, преимущественно с различными эффективными массами электронов и дырок, основанный на сравнении параметров, измеренных на исследуемом материале и эталоне, отличающийся тем, что, с целью упрощения и обеспечения бесконтактного определения типа проводимости приповерхностных слоев, в качестве эталона используют невырожденный полупроводниковый материал, образец и эталон освещают поляризованным светом с длиной волны, не превышающей длины волны красной границы поглощения кр.эт эталона, плавно перестраивают длины волн и находят наименее...

Номер патента: 1170926

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Генералов, Зимаков, Коршунов, Соловьев, Тихонова

МПК: H01L 21/268

Метки: ионно-имплантированных, отжига, полупроводниковых

1. Способ отжига ионно-имплантированных полупроводниковых материалов, включающий облучение полупроводника излучением CO2-лазера с длиной волны, лежащей вне полосы собственного поглощения полупроводника, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии при одновременном улучшении параметров и повышении производительности, облучение ведут в импульсно-периодическом режиме с длительностью импульса 1,5 10-6 - 1 10-4 с и количеством импульсов 5 - 900 при температуре облучаемой поверхности не меньше 0,55 т.пл., но меньше...

Номер патента: 1394925

Опубликовано: 27.02.2003

Авторы: Беспалов, Головченко, Колпахчьян, Красновид, Мускатиньев

МПК: G01R 31/26

Метки: параметров, полупроводниковых, приборов, силовых

Устройство для измерения параметров силовых полупроводниковых приборов, содержащее трансформатор, блок пуска, один из выходов которого соединен с управляющим электродом коммутирующего тиристора, компаратор, выход которого соединен с управляющим электродом формирующего тиристора, катод которого соединен с общей шиной, клемма для подключения анода испытуемого прибора подключена к одному из выводов делителя напряжения, второй вывод которого подключен к общей шине и через шунт - к клемме для подключения катода испытуемого прибора, первый вывод вторичной обмотки трансформатора через ограничитель тока подключен к второму выводу делителя напряжения, второй вывод вторичной обмотки трансформатора...

Номер патента: 1079105

Опубликовано: 27.12.2003

Авторы: Анохин, Мишенев, Певцов

МПК: G01T 1/24, H01L 21/02

Метки: альфа-частиц, восстановления, детекторов, погружных, полупроводниковых

1. Способ восстановления погружных полупроводниковых детекторов альфа-частиц, включающий отмывку чувствительной поверхности детектора раствором азотной кислоты, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности удаления радиоактивных нуклидов, перед отмывкой чувствительной поверхности детектора в раствор азотной кислоты добавляют восстановитель.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве восстановителя используют аскорбиновую кислоту в концентрации 0,1-0,2 моль/л.3. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве восстановителя используют сульфаминат двухвалентного железа в концентрации 0,1-0,2 моль/л.

Номер патента: 1760946

Опубликовано: 10.04.2004

Авторы: Гомжин, Лебедев, Черноусов

МПК: H01L 21/302, H05H 1/00

Метки: плазмохимического, пластин, полупроводниковых, травления

Способ плазмохимического травления полупроводниковых пластин, включающий напуск и откачку рабочего газа до заданной величины давления P в реакционной камере, генерацию индукционного ВЧ-разряда в кварцевой разрядной камере с помощью навитой по форме камеры катушки индуктивности, размещенной над держателем пластин и соединенной с ВЧ-генератором, и создание постоянного магнитного поля в разрядной камере с помощью источника магнитного поля, расположенного снаружи камеры, отличающийся тем, что, с целью повышения селективности и скорости травления при сохранении низкого уровня радиационных повреждений, магнитное поле создают с помощью источника магнитного поля, выполненного в виде соленоида,...

Номер патента: 1207339

Опубликовано: 10.04.2004

Авторы: Гомжин, Лебедев, Селиванов, Федоров, Юдина

МПК: H01L 21/302

Метки: плазмохимического, пластин, полупроводниковых, удаления, фоторезиста

Устройство для плазмохимического удаления фоторезиста с полупроводниковых пластин, содержащее цилиндрический реактор, в вершине которого расположена цилиндрическая разрядная камера, снабженная катушкой индуктивности, соединенной с ВЧ-генератором, систему подачи газа и подложкодержатель, установленный в основании реактора вне зоны разряда, отличающееся тем, что, с целью снижения энергозатрат при сохранении скорости и качества удаления фоторезиста, в основании разрядной камеры выполнен конусный раструб, обращенный к подложкодержателю, с радиусом, составляющим 0,8-1R радиуса обрабатываемой пластины, на расстоянии h от подложкодержателя, определяемом неравенством 0,08R

Номер патента: 1642901

Опубликовано: 10.04.2004

Авторы: Будянский, Гомжин, Лебедев, Черноусов

МПК: H01L 21/302, H05H 1/30

Метки: плазмохимического, пластин, полупроводниковых, удаления, фоторезиста

Устройство для плазмохимического удаления фоторезиста с полупроводниковых пластин, содержащее ВЧ-генератор, активационную камеру в виде трубы из диэлектрического материала с системой возбуждения газового разряда, в вершине которой расположен патрубок напуска рабочего газа, и реакционную камеру с термостабилизированным подложкодержателем, установленным в основании камеры вне зоны газового разряда, отличающееся тем, что, с целью повышения скорости удаления фоторезиста и качества обработки пластин, активационная камера снабжена по крайней мере одной дополнительной трубой равного диаметра, система возбуждения выполнена в виде двух плоскопараллельных электродов с отверстиями, в которых...

Номер патента: 1299408

Опубликовано: 27.04.2005

Авторы: Иванов, Козьянский, Мурадов

МПК: H01L 23/40, H05K 7/06

Метки: крепления, полупроводниковых, приборов

Устройство для крепления полупроводниковых приборов, содержащее цилиндрический корпус с расположенными на его наружной поверхности опорными площадками для установки полупроводниковых приборов, прижимной узел в виде гибкого звена со средством его натяжения и упоры, каждый из которых установлен с возможностью взаимодействия его рабочей поверхности с гибким звеном прижимного узла, отличающееся тем, что, с целью расширения эксплуатационных возможностей, повышения технологичности конструкции и уменьшения массогабаритных характеристик, каждый из упоров выполнен регулируемым, опорные площадки корпуса равномерно расположены по окружности, а рабочие поверхности упоров расположены на разных...