Патенты с меткой «полупроводниковых»

Номер патента: 260677

Опубликовано: 01.01.1970

Автор: Лобаченко

МПК: H03K 3/12

Метки: мультивибратор, низкой, полупроводниковых, приборах, частоты

...транзистора.Это позволяет упростить устройство при сохранении высокой стабильности его работы.Схема устройства дана на чертеже, Устройство содержит управляющий транзистор 1, управляемый транзистор 2, сопротивления 8, конденсатор 4 и диод 5.Конденсатор стремится разряжаться по экспоненте до напряжения, задаваемого делителем, включенным между эмиттером транзистора 2 и шиной земля. При разряде конденсатора до напряжения, задаваемого сопротивлениями коллекторной и эмиттерной цепи транзистора 1, последний запирается, напряжение на его эмиттере скачкообразно увеличивается и конденсатор начинает заряжаться.Когда напряжение на конденсаторе достигает 5 величины, задаваемой сопротивлениями, соединенными с эмиттером транзистора 1, последний...

Номер патента: 264557

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Василевска, Филиппов, Штефан

МПК: H01L 21/00

Метки: автомат, диодов, полупроводниковых, упаковки

...30 и двуплечие рычаги 31. Под барабаном находится золотник 32, а рядом с барабаном золотник 33. Ресивер 34 является также стой кой станины автомата.Диоды по ручьям вибролотка 10 попадают в направляющие 11. Одновременно с катушки 2 упаковочным барабаном 1 сматывается упаковочная лента, при этом барабан поворачи вается на 90. При повороте барабана 1 упаковочная лента отжимает пару освобожденных кулачком-шестерней б и копиром 7 захватов 4 и ложится на барабан так, чтобы пробитые в ленте пневматическим устройст вом 3 гнезда специальной формы попали на грань барабана, После этого захваты возвращаются в исходное положение, но не прижимают ленту к барабану 1. В момент остановки барабана 1 золотник 32 подает воздух в 25 правую полость...

Номер патента: 265298

Опубликовано: 01.01.1970

МПК: G01R 31/24, H01J 13/38

Метки: вентилей, долговечности, зажигателей, относительной, полупроводниковых, ртутных

...до рабочих температур и подают на него только импульсы тока отрицательной полярности сэнергией, на порядок и более меньшей чемэнергия положительцого импульса, неооходимого для возбукдения катодного пятна.5 Полупроводниковые закигатсли помещают,например, в катодную лампу и нагревают ввакууме от постороннего источника тепла.Постороннии истоНик тепла моНет иметьлюбую природу, например лучсисцусканис,10 высокочастотный нагрев.Исключецис составляет лишь нагрев зажигателя за счет пропускания через него электрического тока,Температуру зажигателя при нагреве от15 постороннего источника поддерживают постоянной при любом износе тела зажигателя.При этом разрушение его происходит за счеткатодного распыления, как и в рабочих услоШ 1 ЯХ,20 После...

Номер патента: 266943

Опубликовано: 01.01.1970

Автор: Пелипейко

МПК: G01R 31/3177

Метки: логических, полупроводниковых, пороговых-урбвнёй, схем

...сигнала.Контрольный высокочастотный сигнал, пройдя через проверяемую логическую схему 1, попадает в схему 5 фиксации высокочастотных сигналов, вход которой соединен с выходом логической схемы 1.По мере роста напряже б сигнала и приближения ег266943 ходе, процесс контроля отличается от рассмотренного выше лишь тем, что генератор пилоооразного напряжения вырабатывает не возрастающее, а убывающее по величине напря жение пилообразной формы.Благодаря этому высокочастотный сигнална выходе контролируемой логической схемы всегда изменяется в одном направлении - от малых значений к большим, что позволяет для 10 обоих случаев использовать одну и ту же схему 5 фиксации высокочастотного сигнала.Таким образом устройство осуществляет измерение...

Номер патента: 269205

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Вальтер, Клт, Телемеханики, Эпштейн

МПК: H03K 3/286

Метки: гистерезиса, петлей, полупроводниковых, триггер, управляемой, элементах

...триггера. Входное напряжение У подается на клеммы 7, а управляющие напряжения У,р Ур, - на клемм 8 и 9.Выходное напряжение Г,снимается с 30 клемм 10.Входное сопротивление 1 преобразует входное напряжение в пропорциональный ему ток 1 обеспечивая суммирование в общей точке 11 на входе потенциального триггера (входное сопротивление потенциального триггера гораздо меньше сопротивления резистора 1) токов от входного сигнала и генераторов тока.На общую точку 11 подаются входной ток 1, а также в зависимости от состояния. триггера или управляющий ток 1 р, от генератора тока , или управляющий ток 1 ур от генератора тока 4, которые пропорциональны управляющим напряжениям Уупр Уупр Управляющие токи к общей точке 11 подаются в...

Номер патента: 269310

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Гаврилин, Гирель, Додонов, Ермолаев, Карелин, Родионов, Рукин, Тулин, Чусов, Шарапов, Шмушкович

МПК: H01L 23/00

Метки: автомат, вал—втулка, полупроводниковых, приборов, сборки, типа

...подаются из вибробункера 8 в зону загрузки бус. Далее держатели 20 спутники с загруженными и строго ориентированными один относительно другого выводами и бусами проходят через туннельный радиационный электронагреватель 9, состоящий из двух нихромовых пластин.25 При прохождении держателей-спутников через автоматический съемник происходит разгрузка собранной арматуры.Держатель-спутник движется от конвейера1 с помощью оси 10, входящей в отверстие ЗО ползуна 11, который перемещается по напрац.ляющим 12 с зазором Ль В ползуне расположена вращающаяся в подшипнике от электродвигателя 13 оправка 14, в которую запрессован упругий стержень 15 с эксцентричным посадочным гнездом 1 б для вывода. На верхнем торце стержня закреплена графитовая пробка...

Номер патента: 269316

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Белов, Дай, Зубарев, Филимо

МПК: H01L 21/66

Метки: кассета, параметров, полупроводниковых, приборов, электрических

...поштучно, что позволяет упростить конструкцию разбраковочного устройства.На фиг. 1 изображена кассета, общий вид; на фиг. 2 - разрез по А - А на фиг. 1.Корпус 1 кассеты выполнен из алюминиевого сплава. К корпусу крепятся две гребенки 2 из изолирующего материала, имеющие сквозные пазы 3, выполненные с шагом 10 я,н, В гребенках 2 выполнены также направляю. Загрузка приооров производится следую щим образом. Кассета устанавливается настолик так, чтобы рамка 6 оказалась сверху, Рамка 7 остается в корпусе 1, а рамка 6 выдвигается из корпуса до упора ее буртика в корпус кассеты. Приооры укладываются 20 фланцами в противоположные стороны в пазы 3 гребенок 2 так, что онн ложатся выводами на рамку 7. После заполнения первого ряда рамка 6...

Номер патента: 269317

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Апая, Кузьмичев, Лифл, Онегин

МПК: H01L 21/60

Метки: беспроволочной, полупроводниковых, приборов, сборки

...пасты, образуя печатный монтаж, Нанесение токо- проводящей пасты производят без применения масок-трафаретов. Получение пробельных участков обеспечивается тем, что они углублены;о стношенис к тскопроводящим линиям и паса искринаст только всрхною плоскость ре;ьсфцых элементов, при этом исключается операция совмещения, применяемая прц трафарстном спосоое печати, благодаря чему; прощается технологический процесс.Формирование рельефцого рисунка на диэлектрической подложке позволяет обеспеить точность размеров и расположения линий.1 эисуцок можно получать одповременно с формовкой подложки, при этом не требуется специального оборудования. На фиг. 1 показана диэлектрическая чодс рельефным ртс.пкох; на фиг. 2 подложка после нанесения...

Номер патента: 269334

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Антохин, Дубовик, Казаков, Куценок, Ордена, Самсонов, Тихонова

МПК: H01J 13/34

Метки: вентилей, ионных, материал, поджигателей, полупроводниковых

...рячем прессо компонентов 1800 в 20"С 1,5 мин. Для сравн метры подл вестного и иизготовления под о материала закл ванин смеси порош в графитовых пре и давлении 200 йг сигателеи из чается в гоов указанных с-формах прп смз в течение предлагаемого изоие стабильности па ри эксплуатации иджига вентилей. Длных компонентов молибдена я ннтри ретения является ра метров поджиуменьшение мощя этого в качестатериала взяты д кремния. Табли ельиое сопротивление, ом см Температуриыи коэффициент в интервале от 20 до 500 С градНапряжение в в процессе работы в иитерва ле от 300 до 500С, в ок в процес се работы в итервале от 00 до 500 С,Напряжение зажигания при20 С, в Материа при 500 С при 20 Известны 220 редлагаемый 1,1510 редмет изобрете стабильности...

Номер патента: 270079

Опубликовано: 01.01.1970

Автор: Чесноков

МПК: G01R 31/26

Метки: испытаний, полупроводниковых, приборов, силовых, циклостойкость

...прцпоев. Температуру перегрева любого элемента 25 конструкции прибора, а также контактноосоединения можно с достаточным приближением оценить методом электротепловой аналогии (ЭТА),Как показывает анализ методом ЭТА, для 30 типичных конструкций прцооров оп 1)едсляю 270079Шим фактором при оценке предеЛьно допустимой температуры структуры является температура плавления контактного соединения кремниевой пластины с вольфрамовыми термокомпенсаторами.Учитывая возможность существенно большего допустимого перепада температур в контактном соединеНии в процессе циклирования однократными импульсами тока (особенно при снятии с структуры обратного напряжения в схеме циклических испытаний), а также тот факт, что при кратковременных импульсах...

Номер патента: 270898

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Аксененков, Бовыкин, Бородулина, Колесников, Крупко, Кузнецов, Сафонов, Свергунов, Тулинов, Филимонов, Царенко, Цыков, Чупрнков, Шейнов

МПК: H01L 21/50

Метки: диодов, линия, полупроводниковых, сборки

...и шлюзами для выполнения некоторых ручных операций соорки диодов.Устройство для присоединения к ленте в зоне оформленного кристаллодержателя баллона диода выполнено также в виде двух линейно расположенных механизмов, обслуживаемых оператором. Оно содержит направляющую 38 для ориентированного перемещения ленты, механизм 39 контактной конденсаторной сварки с двумя подвижно смонтированными в вертикальной плоскости электродами, один из которых выполнен регулируемым, а также комплект сменных кассет 40 с установочными штифтами и съемными электродами 41.Устройство для обжима и проварки трубки45 50 55 60 65 5баллона выполнено в виде пресса и механизма контактной конденсаторной сварки, которые приводятся в действие посредством...

Номер патента: 270900

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Онегин, Рубенчик, Черкасов

МПК: H01L 21/00

Метки: корпусам, кристаллов, полупроводниковых, приборов, присоединения

...11, рабочая часть которой находится в плоскости движения инструмента 12, Установка снабжена механизмом 19, который подает ленту припоя 20, намотанную на катушку 21, и отрезает необходимую дозу. На оси привода 22 имеется профильный кулачок 23, с которым соприкасается через ролик 24 подпружиненный рычаг 26. Рычаг 25 осью 26 соединен с кронштейном 6. Профильный кулачок 27 через толкатель 28 с роликом 29 воздействует через планку 30 на каретку 8. Тол270900 Л297О 24 г 22 2 г ге юз асимова Техреду А. А. Камышникова Корректор Н. А. Митрохин;.актор Л. гиип аказ 2240/7 Тираж 480 Подписио ипогра 1 ьип, пр. Сапунова, 2 катель 31 с роликом 32 через кулачок 33 связан с ручкой 34. Корпус установки закреплен на основанииУстановка может работать в двух...

Номер патента: 271639

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Дворкина, Загорский, Козл

МПК: H02H 7/12

Метки: защиты, максимальной, полупроводниковых, преобразователей

...цепи трансформатор уставкнасыщевыситсыщеннтора 1)5, чтовичной тет изобретени Известны устроиства для защиты полупроводниковых преобразователей, содержащие в цепи переменного тока преобразователя трансформатор тока с первичными и вторичными обмотками.В предлагаемом устройстве для уменьшения коммутационных перенапряжений вторичные обмотки трансформатора через выпрямитель подключены к одной из обмоток насыщенного дросселя, другая обмотка которого подключена к источнику тока уставки.Принципиальная схема предлагаемого устройства представлена на чертеже,Трансформатор 1 тока с первичными и вторичными обмотками нагружен через выпрямитель 2 насыщенным дросселем 8. Намагничивающая сила обмотки Ж, подмагничивания насьпценного дросселя должна...

Номер патента: 272991

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Бахтин, Боровлев, Кибл, Кондаков

МПК: H01L 21/00

Метки: групповой, загр, полупроводниковых, приборов, узки

...фиг. 1 изображен общий вид устройства; на фиг, 2 - поперечное сечение между отверстиями; на фиг. 3 - поперечное сечение по отверстиям. Устройство состоит цз корпуса 1, которыйявляется приставкой к вибропитателю, и подпружиненного зубчатого затвора 2, Корпус выполнен с продольными пазами 3 и направ ляющими 4 и 5. поичем направляющая 4 выступает над направляющей 5. Параллельно пазам 3 в направляющей 5 выполнены сквозные отверстия б, Будучи частично совмещены с пазами, они имеют проход, соединяющий их 10 с пазом.Ориентированные в пазах вибропитатслядетали 7 под действием вибрации перемещаются в пазах 3 по направляющим 4 ц 5. Так как направляющая 4 выше направляющей 5, 15 то детали движутся в наклонном состоянии ипод действием...

Номер патента: 274233

Опубликовано: 01.01.1970

Автор: Вители

МПК: G01R 31/26

Метки: полупроводниковых, приборов, сопротивления, теплового

...Обра зующееся при этом на приборе напряжениеподают на фильтр первой гармоники, затем отселектцрованный сигнал напряжения с фильтра и ток тцрцстора подают на фазочувствительный прибор, по отградуиров анной О шкале которого определяют тепловое сопротивление полупроводникового прибора. Известны способ противления полуп которым измеряют бора непосредствен полупроводника ко бором мощность, а сопротивление, хар в приборе,Недостатком необходимость вт измерения теплового сооводниковых приборов, по температуру корпуса прино, температуру кристалла свенно, рассеиваемую призатем вычисляют тепловое акте ризующее теплоотвод известного способа является трех операциях измерения и ения теплового сопротивления ния - обеспеа теплового соо прибора...

Номер патента: 274240

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Антохин, Дубовик, Куценок, Ордена, Самсонов, Тихонова

МПК: H01J 13/34

Метки: вентилей, ионных, материал, поджигателей, полупроводниковых

...бора.Однако поджигатели, изготовленные из такого материала, имеют высокую мощность поджига и нестабильные параметры тока и напряжения в процессе работы.Целью данного изобретения является создание такого материала, поджигатели из кОтО- рого имеют малую мощность поджига и стабильные эксплуатационные параметры.Указанная цель достигается тем, что в материал, содержащий карбид бора и нптрид бора, введена окись ниобия.Технология изготовления поджигателеи из предлагаемого материала заключается в горячем прессовании смеси порошков карбида бора, нитрида бора и окиси ниобия в графпговых пресс-формах при 1=1900 - 2000 С, давлении 200 кг/с,ссз и времени выдержки 2 псин.Указанные компоненты могут быть взяты в соотношении, Ъ: нитрид бора 40 - 60,...

Номер патента: 276258

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Выборное, Исаев

МПК: G01R 31/26

Метки: знакопеременности, обратного, полупроводниковых, приборов

...конДенсаторе 2, так как сопротивление между сеткой верхней по схеме) 15 половины лампы и нулевой птиной равно(1 - 3) 10 о ом. Такое высокое сопротивлениеонденсатора за счет течение всего периопредотвращает разряд ксеточных токов лампы вда измерения.20 Конденсатор заряжаечерез резисторы 3 и 4,резистор 8. Схема сравлампе 5. На вход Вх, ппропорциональное обра5 вход Вхподается напркатодного повторителя,ние ,пропорционально нрого зарядился конденсСигнальная лампа бЗО ъти реле 7 и 8 и служи276258 копеременности обратного тока. Знак отклонения обратного тока запоминается с помощью реле 7 и 8, Общий сброс памяти (реле 7 и 8) после окончания измерения осуществляется управляющим контактом 9.Предлагаемое устройство работает следующим...

Номер патента: 278800

Опубликовано: 01.01.1970

Автор: Кантор

МПК: H01P 1/22

Метки: аттенюатора, диодах, полупроводниковых, свч, схема

...желательная взаимозависимость проводимостей диодов. Предлагаемая схема управления дподамп создает в СВЧ-устройствах определенную характеристику КСВН путем образования взаимозависимости проводимости диодов 5 от входного напряжения (общего тока).На фиг. 1 представлена предлагаемая схемас независимым управлением диодов; на фпг. 2 - предлагаемая принципиальная схема; па фпг. 3 - схема, использующая аттенюа тор, в котором могут быть применены диоды.Как показано па фиг, 1, диоды управляютсянезависимо друг от друга, ток г, - , через диоды определяется входным напряжением С/ и величинами постоянных сопротивлений 15 Л, - Я,. Пунктиром условно показана высокочастотная линия передачи, в которой располагаются полупроводниковые диоды.Как показано на...

Номер патента: 280684

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Бабушкин, Веремейчук

МПК: H01L 21/66

Метки: вольтамперных, полупроводниковых, снятия, характеристик

...пластины. Вольтамперную характеристику системы снимают в темноте и сравнивают с кривой анодного растворения германия, не имеющего нарушенного слоя,Недостаток этого устройства заключается в низкой воспроизводимости результатов, а также в том, что при каждом снятии вольтамперных характеристик необходимо многократно наклеивать полупроводниковые пластины на державки для измерения, а затем отсоединять их, а также наносить защитные покрытия на пластины перед травлением. Это делает каждый замер весьма трудоемким ц приводит к увеличению погрешностей измерений.спирали, жестко установленной параллельно плоскости измеряемой пластины.Кроме того, система контактирования с положительным полюсом источника питания представляет собой изолированный...

Номер патента: 280834

Опубликовано: 01.01.1970

МПК: C08F 226/02, C08F 8/44

Метки: ион-радикальных, модификации, области, обрабо, относится, поливинилбезилата, поливинилбезилатар1зобретение, полупроводниковых, предлагается, производства, путем, солей, частности

...Поздняк Корректор Т. А. Абрамова Заназ 3437/4 Тираж 480 Подписное ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Типография, пр, Сапунова, 2 Получают продукт темно-синего (почти черного) цвета, на 60 - 70% растворимый в диметилформамиде, ацетонитриле, нитрометане, Он хорошо прессуется, дает прочные пленки из перечисленных растворителей, обладает узким сигналом ЭПР с шириной 2,5 - 2,8 эрст и интенсивностью 5 101 з - 2 10 и саин/г.Электропроводность о простых солей зависит от их состава (процент этерификации) и составляет 10 1" - 10ом смпри энергиях активации проводимости Е 1,6 - 1,8 эв.К 110 4 - 3 10 л М раствору полученной соли в ацетонитрилдиметилформамиде или нитрометане...

Номер патента: 281650

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Текстер, Шефтель

МПК: H01L 21/40

Метки: контактов, омических, полупроводниковых, терморезисторах

...и повышения стабильности контактов в полупроводник вжигают слой серебра, обслуживают серебряный слой пристоехт из сплава индий- свинец, производят термообработку. Кроме того, припой содержи1 п и 80 - 40% РЬ; термообрабопри 250+ 50 С.Суть способа заключаегся в следующем: 5 механическая обработка поверхности на шлифовальных станках; промывка в проточной воде; нанесение пасты из окиси серебра на торцовые поверхности терморезистора; вжнгание электродов при 700 в 8 С на воздухе 10 в течение 1 О - 15 ттин; обслуживание всей поверхности контакта и припаивание красно- медных выводов методом окунания (плп с помощью паяльника). Принципиально важных является состав припоя. Используется сплав 15 индия и свинца в соотношении от 77 вес....

Номер патента: 282710

Опубликовано: 01.01.1970

Автор: Химического

МПК: G01L 9/04

Метки: крепления, полупроводниковых, тензорезисторов

...способ отличается от известного тем, что указанное соединение осуществляют путем электролитического осаждения металла на изоляторы и тензорезисторы, Это позволяет повысить рабочую температуру узла крепления по сравнению с паянным соединением, допускающим рабочую температуру не более 150 в 2 С.На чертеже показано крепление полупроводниковых тензорезисторов к упругим элементам по предлагаемому способу.На упругом элементе 1 закрепляют изоляторы 2 с пазами, подвергнутыми металлизации. Затем в пазы вводят выводы тензорезисторов 3 и производят механическое и электрическое соединение их с изоляторами за счет электролитического осаждения металла 4 5 на изоляторы и тензорезисторы. Сопособ крепления полупроводниковых тен зорезисторов к...

Номер патента: 286082

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Зудин, Кочнев, Кулинич

МПК: G01R 21/06

Метки: вольт-амперных, полупроводниковых, приборов, характеристик

...устройства,содержащая,источник 1 переменного,напрягния, состоящий из последовательно соединенных генератора, переменного периодического.напряжения,и источника постоянного,напря;жения смешения, исследуемый полупроводниковый прибор 2, преобразователь 3, детектор 4 З 0 среднего значения, регистрирующее устроиство 5.Устройство работает следующим образом.На испытуемый .полупроводниковый прибор 2 от источника 1 подается напряжение с амплитудой и 2 - и 1 (от генератора переменного периодического напряжения подается напряжение с максимальной амплитудой иг, а от источника постоянного напряжения смещения - напряжение и).Преобразователь 3 преобразует ток, протекающий через исследуемый полупроводниковый.прибор 2, в напряжение, которое подается на...

Номер патента: 286084

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Горшков, Зажигин, Кошкин, Розенгауз, Хоменко

МПК: B23P 21/00

Метки: аналогичных, баллонов, диодов, изделии, нагрева, окисления, полупроводниковых, прессовки, сборки, спекания

...ход каретки - ходсопровождения.Разогретое стекло с трубкой и окисленныйкорпус в юпинделях ароходят через роторпрессования 19, где стекло щрессуется рабочиминструментом ротора от подпружиненного копира. Далее, изделия в шпинделях поступают взону 20 опекания изделий, где в результате Интенсивного нагрева изделий и коронок эжекционными газовыми горелками, смонтированными в шесть двухрядных кассет (по 12 горелок к,кассете) на каретке спекания 21, происходит вакуумно-плотное соединение стеклас металлическими деталями баллона - корпусом и трубкой,Каретка спекания 21 работает аналогичнокаретке разогрева 14, Спекание баллонов осущоо 11 вляется ва 18 сек, т.,е. ва шесть рабочихходов каретки. Обратный ход каретка совершает за 0,6 сек.Пройдя...

Номер патента: 320236

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Алексеев, Стафеев, Черн

МПК: H01L 35/34

Метки: полупроводниковых, термоэлектрических, устройств, элементов

...выдавливания через фильеру предусматривается выдавливание прутка в направлении, совпадающем с продольной осью заготовки. В то же время известно, что полупроводниковые термоэлектрические сплавы (в частности, 10 сплавы системы В - Те - 5 е и В 1 - Те - 5 е) имеют резко выраженную анизотропию тепловых и электрических свойств, зависящую от ориентации структурных составляющих. Так, например, в случае использования в качестве 15 заготовок при выдавливании спрессованных из порошка брикетов необходимо учитывать тот факт, что оптимальные термоэлектрические свойства брикет имеет в направлении, перпендикулярном направлению приложения па грузки в процессе спрессовывания порошка. Поэтому после выдавливания таких заготовок неблагоприятная...

Номер патента: 322008

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Арбайтесштелле, Иностранное, Ргностранец

МПК: G01R 27/00

Метки: головка, измерительная, определеиия, полупроводниковых, сопротивления, удельного, четырехзондовая

...обсс- ЗО печиваюгцее пласпине с направляющими отВОрсти 51 ми 2 касание с ОбразцОм 3 или маскпруюп 1 им его слоем 14. Прп этоРм места зажима зондо 1 В 5 и пх токовые вводы находятся Вце по;1 я зрения мпкроокопа. Показанные на чертежах загнутые зонды являются лишь возможяым ВадпънтОм иополн 01 и 1 я; можно также располагать зонды под подходящим углом отНОСР 1 телыно гор 1 Р 1 зоР 1 тали и Р 1 х концы зажимат 1 в держателях, подвижных в вертикальном направлеРи 111 с сохранением требоваРнпй о нахождецРпи мест зажРц 1 ов зондов вце поля зрсцп 151 и совпядОниР 1 цш 1 тра спстсмы зондов с оптической осью микроскопа. С целью повышения точности юстР 1 ровки gа маленьких симметричных Образцах па стороне пластины или линзы, обращенноР 1...

Номер патента: 323057

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Галков, Фейгинов

МПК: H01L 21/66

Метки: полупроводниковых, приборов

...пластину 1 с функциональными элементами на держателе. спутнике 2 (фиг. 1) легкоплавким клеем илипримораживанием, разделяют ее ца кристаллы без нарушения ориентации с помощью устройства 3 (резца скрайберцого станка, пилы или диска установки разрезки), Для этой операции может применяться и травление.Далее прц последовательном перемеще 1 ц 1 ц пластины ца шаг расположения кристаллов 4 контролируют их параметры зондами 5 (фцг. 2), Годные кристаллы поочередно, по мере измерения, отделяют от держателя-спутника 2 устройством 6, применяя местный подогрев пх до температуры плавления крепящего состава с помощью устройства 7, которое может представлять собой трубку для подачи горячего газа либо цдгретый стержень (в частцом случае устройства 6 ц 7...

Номер патента: 289680

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Альперович, Кислицын, Корнилов, Лебига, Рассошинский

МПК: B23K 1/00

Метки: пайки, полупроводниковых, приборов

...присоединение неско оских металлических проводнцковых выводов к полупроводниковым кристаллам германия, кремния, карбида, арсенида таллия ц др.Предварительно собранные в приспособлении 1 в необходимой последовательности элементы прцбо)ра 2 нагреваются со скоростью нагрева 10 С,.ттин до температуры на 40 - 70 С ниже температуры плавления припоя цли образовання (плавления) эвтектической прослойки на отдельном нагревателе 3 или струей горячего газа (1 стадия), затем все элементы прибора сжимают с определенным усилием Р, нанример, электродом наконечником тльтразвуковой головки 4 (11 стадия) и собранные эле 1 о менты 1 подвергают воздействию механических колебаний ультразвуковой частоты (111 стадия). При этом происходит увеличение...

Номер патента: 291091

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Антонова, Гофман, Молдавер, Морозова, Новосибирский, Шадрин

МПК: G01B 7/16, G12B 13/00

Метки: индивидуальной, полупроводниковых, тарировки, тензорезисторов

...балку, нагружают, измеряют его параметры и отделяют от балки.Предложенный способ повышает точность измерений. Это достигается тем, что тензорезистор наклеивают на предварительно омедненную гальванопластическим способом алюминиевую тарировочную балку, Затем тензорезистор вместе с медной фольгой отделяют от тарировочной балки и используют вместе со вспомогательной основой из медной фольги.На балке из алюминиевого сплава, например, Д 16 Т, места, рте подлежащие металлопокрытию, защищаются эмульсией или поли- хлорвиниловой лентой, Пробельные места представляют собой прямоугольники, расположенные по главной оси балки. После анодирования в серной кислоте на пробельные места осаждают слой меди толщиной до 0,1 ил из стандартного кислого...

Номер патента: 296180

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Гладченко, Кочкарев, Крачковский, Леваков, Лейбович, Петраковский, Ратнек, Сидоренко, Черный

МПК: H01L 21/66

Метки: классификатор, полупроводниковых, приборов

...контакты 47 припаяны к лепесткам 48, установленным на диске 49 из изоляционного материала. Контакты 47 так же,как и ящики 7, равно расположены по окруж.ности, а их количество (двенадцать) соответствует количеству ящиков. Каждый изконтактов подключен по схеме совпадения ссоответствующим выходом логического устройства к системе управления электроприводом. Диск 49 установлен на кронштейне 43при помощи колонок 50. Контакты 47 управляются постоянным магнитом 51, расположенным в гнезде поводка 38, выполненногоиз немагнитного материала. Магнит 51 удерживается в гнезде прижимным винтом 52,таким образом, высота закрепления магнита(его удаление от контактов 47) регулируется.С целью сужения сектора воздействия магнитного поля магнита на контакты...