Патенты с меткой «полупроводниковых»

Номер патента: 444189

Опубликовано: 25.09.1974

Авторы: Бакаев, Блохин, Кукушкин

МПК: G07C 11/00

Метки: классификации, полупроводниковых, приборов

...процесса классификации в случае отсутствия синхронизации. Предмет изобретения Устройство для контроля и классификации полупроводниковых приборов, содержащее блок синхронизации и блок ввода, первый вход которого соединен с выходом иэмерительного блока, а первый выход - с первым входом оперативного запоминающего блока, первый выход которого соединен с первым входом блока выбора адреса, второй вход которого соединен с выходом программного блока классификации, а выход через блок вывода соединен с меынизмом сортировки, генератор тактовых импульсов, блок выбора эталона группы классификации, выход которого соединен с третьим входом блока выбора адреса ипер- вым входом блока самоконтроля, о т л ич а ю ш е е с я тем, что, с целью обеспечения...

Номер патента: 445963

Опубликовано: 05.10.1974

Авторы: Белопухов, Волотковский, Королев, Фурсов

МПК: H02J 1/14

Метки: балансировки, выпрямителей, многоагрегатной, нагрузки, подстанции, полупроводниковых

...резко переменной нагрузки и - несимметрии фнзных напрГжений, сложность конструктивных и схемных решений, значительно снижающая надежность баласировки.По предлагаемому способу с целью исключения влияния погреш, А.М,Королев и Э.В.Бел КИ ПСПУПРОВОДБЕОВЫ ЕГАТНОИ ПОДСТАНЦИИ3 44в непроводящую часть периода каждой фазы питающего напряжения, когда разность между одноименнымйфазными напряжениями представляетсобой мгновенное значение разности напряжений холостого хода питающих трансфораторов 1,2, т.е. хатеризует уровень пйтающих напряжений или различие трансформаторовпо козффициенту трансформации,Сигналы, соответствующие уровням фазных напряжений питающихтрансфорааторов 1, 2 подаются вблок срвнения 3, где определяетсясреднии уровень...

Номер патента: 446743

Опубликовано: 15.10.1974

Авторы: Глушков, Раскевич

МПК: G01B 11/06

Метки: полупроводниковых, слоев, толщины

...таким образом, чтобы поверхности его слоев былй параллельны направ 1 о лению потока, и по выявленной границе раздела между слоями определяют их толщину.Описываемый способ прост взксплуатации и не требует химичвстб КОй ПОдГОтОВКИ ОбраэцОВ.Принципиальная схема измеренияпо предложенному способу показана на чертеже.Свет от источника 1 проходит 20 через конденсор 2, поляризатор 3,образец 4, анализатор 5, фокусирующую систему б и попадает на регистрирующее устройство 7.ИсследуемыИ образец 4 помещают 25 между скрещенными поляризатором 32 2 б 7 Составитель А, С Э ЛИ НРедактор С,ХОЙфИЦ Текред Н .СОНИНЭ Заказ 4 З Изд. И )Я Тираж Щ) Подписиое ЦНИИПИ Государствеияого комвтета Совета Мииистров СССР по делам изобретений и открытий Москва, 113...

Номер патента: 446851

Опубликовано: 15.10.1974

Авторы: Тарвид, Шаронов

МПК: G01R 31/26

Метки: величине, классификации, обратных, полупроводниковых, приборов, стабильности, токов

...электрометрического усилителя 5 в исходном положении закорочен, и сигнал на его выходе отсутствует. Через некоторое,время, необходимое для установления измерителя тока 1 и заряда емкостного элемента памяти 2, определяемое устройством управления 13, включается реле времени 4, которое через ключ 3 отключает вход электр ометрического усилителя 5 от корпуса, подключая его к емкостному элементу памяти 2.Момент времени начала отсчета обозначен 1 ю, а напряжение, до которого зарядился емкостной элемент памяти, Ц,1.Таким образом, начиная с этого момента времени, ко входу электрометрического усилителя прикладывается напряжение, равное разности Ц - Цц, где Цц - напряжение на выходе измерителя тока в любой момент времени.Напряжение на выходе...

Номер патента: 446854

Опубликовано: 15.10.1974

Авторы: Петров, Руменник, Смолянский, Штанин

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: качества, конструкции, полупроводниковых, приборов, соединений, элементов

...отличается от прогрева кристалла у бездефектного образца, В связи с этим скорость изменения измеряемого температурно- чувствительного параметра у дефектного образца больше, чем у бездефектного образца,446854 Предмет изобретения о 6. дрейя Фиг 45 0 г Составитель 3, Челноковаедактор И. Шубина Техред М. Семенов орректор А. Дзссов аказ 962,19 Тираж 678ЦНИИПИ Г Совета Министров ССи открытийя наб., д. 4/5 Изд.1211осударствен ного комитета по делам изоб 1;гтений Москва, Ж, Раушска дпнспос ипография, пр. Сапунов На фиксации различий указанных скоростей иоснован способ контроля качества соединений,На фиг. 1 показаны осциллограммы изменения температурно-чувствительного параметра 5для дефектного и бездефектного образцов; нафиг, 2 - скорости...

Номер патента: 447766

Опубликовано: 25.10.1974

Автор: Буров

МПК: H01G 9/048

Метки: анодов, конденсаторов, объемнопористых, оксидно, полупроводниковых, формовки, электролитических

...уровнем электролита.На фиг.1 представлена схема 5 устройства для формовки объемно=пористых анодов оксидно=полупроводниковых конденсаторов;на фиг.2 - график значейия формовочного тока в процессе формовки 1 о на предлагаемом устройстве приподаче номинального формовочйогонапряжения; на фигЛ - графикзначений формовочного тока в процессе формовки на многоступенчатом устройстве с постепенным по, вышенйем формовочного напряженияДО НОМИНИЛЬНОГОеУстройство состоит из ванны Тс электролитом, звездочек Ртранспортирующих несущую ленту 1, катодной пластины 4, контактных роликов О и изолирующего экрана ЯНесущая лента 3 с закрепленны .ми на неи анодами транспортирует447766ся звездочками 2 в ванну с электро ,но-пористых анодов оксидно-полупро литом...

Номер патента: 449322

Опубликовано: 05.11.1974

Автор: Терентьев

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: параметров, полупроводниковых, приборов

...во времени. Затем определяют спектральную: мощность разностного сигнала, которая позволяет судить о величине нестабильности и ее распределении по частотному диапазоОписываемый способ позволяет получить более полную информацию о поведении транзистора во время испытаний, формированне фазоманипулирозанного сигнала обеспечивает высокую точность и помехоустойчивость последующих преобразований;фазоманипулированный сигнал является хорошим приближением для теоретически оптимального сигнала, обеспечивающего при измерении наибольшее отношение сигнал/помеха; использование простых преобразователей развертывания, вычитания упрощает аппаратурную реализацию способа.Предмет изобретенияСпособ измерения параметров полупроводниковых приборов, например...

Номер патента: 450260

Опубликовано: 15.11.1974

Авторы: Бандик, Безсалов, Данковский, Доброхотов, Дулин, Медведев, Муравчик

МПК: H01L 7/68

Метки: полупроводниковых, резки

...зажимным приспособлением шарнирно подвешен на свободном конце первого рычага. 25На чертеже показано описываемое уст шарнирно связан рычаг 5 механизма подачи. Поворот рычага 5 осуществляется вокруг оси 6 при помощи ручки 7 эксцентрикового кулачка 8, сидящей на оси 9. Рычаг 10 установлен на оси 11 рычага 5 и соединен с ним гидро- регулятором 12. На нижнем конце рычага 10 закреплено зажимное приспособление для стержня 13.Устройство работает следующим образом.Стержень 13 фиксируется в зажимном приспособлении рычага 10, За счет поворота ручки 7 кулачка 8 вокруг оси 9 рычаг 10 со стержнем 13 выводится из положения вертикального равновесия и под действием соб. ственного веса начинает поворачиваться вокруг оси 11, осуществляя подачу стержня...

Номер патента: 452744

Опубликовано: 05.12.1974

Авторы: Власов, Ротов

МПК: F28F 3/04

Метки: охлаждения, полупроводниковых, приборов, радиатор

...прохода охлример воздуха,Радиатор работаеТепло от установлен след го место 4 полупровод пает на пластину 1 овог чер ится илов тепло за счет теплового излучен шипов радиатОра еплообмена с ох за счет конвективног ждающим агентом, ко отверстия 5 и кана 12 ель изобретения - повности охлаждения. Данная цель достигаетс пиение тивторыи поступа лы 3. При это с внешней пов верхности стен тепла происходит каки шипов, так и с поалов 3,ем, что шитыми каналархнос ок кан выполнены со сквозными о 16 хематически изображен опитор; на фиг. 2 - то же,. в ну 1, ореб, в котоы 3, поса- полупроводне показан) р е е з о тения ржит пласт орОн шипам 20 охлаждения полупроводнио авт.св,333388,и й с я тем, что, сэффективности охлаждениясо сквозными осевыми иатор...

Номер патента: 452793

Опубликовано: 05.12.1974

Авторы: Матвеев, Сурин

МПК: H01L 21/66

Метки: бесконтактный, двухслойных, параметров, полупроводниковых, структур, электрофизических

...исследуемой ие структуры.Поставленная цельтому, что измеряют веструктуры, соответстви минимальным потеряпри синфазном и протиях осевой компонентынитного поля, затем рп игается бл агодаряия ичину смеше юшую максимм, последовате льным н офазном напр апряженности ределяют иско влепи мамый И плос параметр шения стСушно ется черОбраз казыва руктуры, сть предложе тежо м. тству инфаз соотО(при ясняго спосо в 1, 2,аторагполеесостоя ший из с такс помешаюми 3,4ными вбольшой Т МЕЖДУ СООСНЬэлектромагнит иде плоских спплотностью вит тми конце ного поля,гдем иральных к ков в центр е ум го зависимости от величины смеисимости от смешения структурычто величина смешения Кмаксюшая максимальным потерямном включении), равна:412 Ф 2 (2 бД+б 1 2452793...

Номер патента: 454518

Опубликовано: 25.12.1974

Авторы: Радыванюк, Фомин

МПК: G01T 1/24

Метки: детекторов, излучения, ионизирующего, криостат, полупроводниковых

...криостата погружного Крностат имеет вакуумную камеру 1, накоторой установлены разъем 2 для подачи напряжения и снятия сигнала с детектора 3 и вентиль 4 для присоединения криостата к 5 вакуумной системе. Хладопровод 5 со столиком 6 для детектора 3 через тепловой мост 7 соединен с вакуумной камерой 1, которая герметично закрыта колпаком 8. Сифонная трубка 9 с регулирующим предохранительным кла паном 10 смонтирована коаксиально с хладотроводом; в кольцсвоз( зазоре между трубкой и хладопроводом па высоте, определяемой необходимым уровнем хладагента, установлен разделитель фазового состояния 11 (газ-жпд кость) хладагснта 12, выполненный пз пористого материала. Криостат герметично с помощью сальникового уплотнения (прокладка 13, втулка...

Номер патента: 458062

Опубликовано: 25.01.1975

Авторы: Морозов, Петров

МПК: G01R 1/067, G01R 31/26, H01L 21/66 ...

Метки: диэлектрических, емкостных, зонд, полупроводниковых, структур, характеристик

...лемент 3, с 2. аботает сл я емкостных харак х и полупроводник полусферу 1, втулк оединяющий полусф м образом,Изобретение относится к электронике и может использоваться для исследования полупроводниковых и диэлектрических структур.В настоящее время С(Р) -характеристики снимаются при помощи контактных металлических пленок, напыленных или осажденных на поверхность структуры полупроводник-диэлектрик.Однако использование известных контактных пленок не обеспечивает контроля пара метров образца до напыления в процессе обработки и невозможность снятия С-характеристик в любой точке образца. Помимо этого, сам процесс напыления пленочного контакта может изменять свойства структуры, что 1 затрудняет процесс исследования.Целью...

Номер патента: 458605

Опубликовано: 30.01.1975

Авторы: Зарецкий, Карпов, Колкин, Николаев, Слотин, Черевко, Шевцов, Эскин

МПК: C22C 1/02

Метки: полупроводниковых, сплавов, эмиттерных

...закалку осуществляют при введени ультразвуковых колебаний в закалочную среду.Это дает, возможность получать однородные 1эмиттерные полупроводниковые сплавы с добавками акцепторных или донорных элементов, не растворяющихся в расплаве компонентов сплава,По этому способу изготовленную шихту загружают в кварцевую ампулу, которую затемвакуумируют и отпаивают,под вакуумом; ампулу с загрузкой, нагревают соскоростью 15 - 20 в мип в расплавесолей до температуры на 50 - 80 выше 2точки плавления наиболее высокотемпературного компонента сплава. В расплав волей вво-дят с помощью магнитострикционного вибратора ультразвуковые колебания частотой20 кгц, которые передаются в расплав метал лов, Ультразвуковую обработку распл изводят до получения...

Номер патента: 459818

Опубликовано: 05.02.1975

Авторы: Блинов, Козырь, Яловега

МПК: H01L 7/68

Метки: пластин, поверхности, полупроводниковых

...самоуравновешивания подвешены к станине 13 на двойномшарнире Гука 14.Работает устройство следующим образом.1 О В гнезда ротора 2 закладывают полупроводниковые пластины и поджимают их сверху с помощью пневмопривода 5 крышкой 4 с усилием, гарантирующим давление на поверхность ротора 4 - 15 кг/см, Затем в полость 15 между ротором 2 и крышкой 4 из резервуара6 под давлением подают нагретую до температуры 80 - 90 С смесь особо чистой воды с растворенным в ней кислородом. Когда в магистрали подачи воды давление возрастает до 20 появления тонкого слоя жидкости, истекающей по кольцевому зазору, включают центрифугу 1. По окончании процесса очистки выключают центрифугу, прекращают подачу смеси, поднимают крышку и освобождают ротор 25 от очищенных...

Номер патента: 392852

Опубликовано: 05.03.1975

Авторы: Климов, Рябченко, Савчук, Шаповалов

МПК: H01L 7/52

Метки: германиевых, полупроводниковых, р-п-р-структур, травления, электролитического

...от среды электролита; на электролит подагот отрицательный потенциал напряжения.Такой способ способствует уменьшению уровня обратного тока эмиттерного и коллекторного р - гг-переходов транзисторной структуры и соответственно повышению их высоковольтности за счет отравливания преимущественно рекристаллизованного р-слоя р - п-переходов благодаря незначительному расширению объемных зарядов р - и-переходов в область базы при подаче на отравливаемый р - гг-переход наведенного положительного по.у, у ыФ%;Я фф 3 вф = в "392832 Предмет изобретения Составитель М. Сорокина Техред Т. МироноваКорректоры: А. Дзесова и Л. Царькова Редактор С. Жиляева Заказ 1428/11 Изд, Мо 500 Тираж 837 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета...

Номер патента: 470020

Опубликовано: 05.05.1975

Авторы: Карнаухов, Окружнов, Пецюх, Пономарев, Ратнек, Синчук, Тарвид, Чарный, Шаронов

МПК: H01L 7/68

Метки: классификатор, полупроводниковых, приборов

...8 см. фиг, 1) представляет собой поворотную трубу с воронкообразнойприемной частью. Труба жестко соединена свалом электромеханического привода 9, электрически связанного с блоком управления 6.Работает классификатор следую 1 цим 11 бразом. 15Транзистор загружается вручную в узелподключения 2 до упора, сделанного на егокрышке, при этом пружинящие контакты обжимают выводы транзистора. Производитсязамер параметров в автоматическом режиме.Если транзистор бракуется на первой позициикоммутатора, то остальные параметры не измеряются,При этом (или после окончания замеравсех параметров) с олокг классификации 5подается команда на блок управления 6, который выдает кратковременный импульс наэлектродвигатель 14 привода съемника,Длительность...

Номер патента: 470044

Опубликовано: 05.05.1975

Автор: Турченков

МПК: H02M 1/08

Метки: генерирования, напряжений, полупроводниковых, приборов, управляющих

...Вторая обкладка конденсатора 12соединена с нагрузочным эмиттером, в качестве которого, например, можно использоватьпервичную обмотку импульсного трансформа 20 тора или управляющий переход тиристора.Блок команд имеет по своим выходам четыре состояния, в соответствии с которыми имеетчетыре состояния устройства для генерирования напряжения.25 При больших сопротивлениях между выходами 2 и 3 (показанные электроцныс ключиразомкнуты) на выходе импульсов пет, а коцденсатор 12 заряжен до пикового значениянапряжения источников 8 или 9,470044 бои Составитель Ю. БаеваТехред Т, Миронова ебедев Редактор В. Фельдман оррек ПодписноеСР Тираж 782комитета Совета Министровбретений и открытийРаушская наб., д. 4/5 Изд.690 осударственного по делам изо Москва,...

Номер патента: 473131

Опубликовано: 05.06.1975

Авторы: Грицевский, Пашенцев, Смирнов, Степанов

МПК: G01R 31/26

Метки: допустимого, лавинного, максимально, полупроводниковых, приборов, пробоя, режиме

...6, цифровой индикатор 7, блок уставок 8, схему сравнения 9 и индикатор годности 10. Устройство работает следующим образом.Испытуемый прибор (ИП) подключают кклеммам и запускают задающий генератор 5, 15 который включает управляемый генератор тока 1, настроенный при помощи блока управления 6 на максимальную амплитуду тока.Если амплитуда тока при заданной его длительности больше, чем допустимая для данно го прибора, то срабатывает амплитудный дискриминатор 4, который сравнивает амплитуду напряжения на испытуемом приборе в данный момент с ее предыдущим значением, запомненным в блоке 3. Дискриминатор выра батывает импульс на выходе в том случае, если произошло понижение этого напряжения, что сигнализирует о начале термоэлектрического...

Номер патента: 473133

Опубликовано: 05.06.1975

Автор: Горобец

МПК: G01R 31/26

Метки: полупроводниковых, предварительной, приборов, проверки

...потечет по цепи того составного тран зистора, проводимость которого совпадает сполярностью включенного р-л-перехода. Так, при совпадении полярности включенного в цепь испытуемого р-гг-перехода с проводимостью транзистора 7 транзистор 7 открывается, 25 заряжает емкость 8 и через резистор 9 заряжает емкость 10. Открывается транзистор 11, и сигнал поступает на блок ключей 3, ко 1 орые отключают цепи транзисторов 7, 11 от подключаюц;его устройства 4 и производят 30 требуемое подключение электродных выводов;Ц1 Сос 1 а,нтедь В. А Те" ред Е, По вдониндурушинаТираж 902а Совета Министи открь 1 ти 11ая нао., д. 4/5 ректор Н. А дакто аказ 2023/19ЦНИИП Изд, Ьв 758 сударственного ко.нитет но де;,агн нзобьетенн: Москва, Б, РаушскПодписноеСССР...

Номер патента: 463401

Опубликовано: 25.06.1975

Авторы: Лепетило, Янович

МПК: H01L 7/68

Метки: полупроводниковых, приборов, сборки

...- ца флдццс 2 О 4 инструмента; механизм прижима подложи)1с шарнирной опорой, связанной с корпусом рабочей головкц через цаправляощую внутреннего трения.Шарнирная опора выполцсца в вцдс вту.)- О с Опор)ым ф,аниса 9, кднтд),т;11) Оц 1 сйпо сфере с корпусом 10, с которым также контактирует по сфере шайба 11. Между шайбой 11 и флаццем 12, закрепленным в верхней части втулки 8, установлена пружц- зО на сжатия 1). Шарнирная опора соединенаС КРИУСХ РЯООСИ ГОГОБКР ПсИРЯ В.15 ОиСи ВпутрсппеГО трспи 51, ВыиОлпсппОЙ В Виде двух плоско-параллел 1 Иых пру 5 кип 14 с плаваю 1 Ци 5 КРЕПЛСПИС.ЪстрОЙство ряоотяст следуоцпм оразом.После зс 1 хвятя кристял,12 1 э и:1 стрммепТО ПУТОМ СОЗДЯ 1 И 51 ВЯКУУМЯ РООЧЯ 5 О,ОБ.ея, я Вместе с пей мехапизх...

Номер патента: 474870

Опубликовано: 25.06.1975

Авторы: Грешнов, Чернов

МПК: H01L 7/68

Метки: групповой, кассета, полупроводниковых, приборов, фиксации

...днаметр меньше 0,1 лл, на операциях от термокомпрессионной прцварюц выводов до укладки приборов в тару.Известна кассета для групповой фцксап 0 лу:1 роводниковых п 1)иборов, где приборы предварительно попадают в заходную часть кассеты, а затем, приподнимая кассету, своими выводамц заходят в волнообразну 1 о часть желоба, где выводы изгибаются в пределах упругой дефорации, а возникающие пр; этом силы прения надеж 1 но удорживают пр:.боры в кассете.Выводы приборов должны иметь достаточну 1 о жесткость, чтобы :не согнуться прц своем движении в волнообразную часть, Для приооров, у которых выводы имеют диаметр меньше 0,1 лл,;из любого, материала, приисняемого для этих целей, такая конструк 1 и я н Юлдр 1 ц Годн а.Однако для приборов с...

Номер патента: 440104

Опубликовано: 05.07.1975

Авторы: Крамер-Агеев, Пархомов

МПК: G01T 3/00

Метки: действием, дефектов, излучения, материалах, нейтронного, образования, полупроводниковых, скорости

...непосредственно в эксперименте и повышения точности измерений предлагается одновременно измерять калориметром мощность полной поглощенной дозы в данном полупроводниковом материале и полупроводниковым детектором, изготовленным на основе того же материала, часть мощности поглощенной дозы, расходуемой на ионизацию и возбуждение атомов, и по их разности оценивать скорость образования дефек- тов Разность сигналов У калориметра и приведенного сигнала 1 полупроводникового детектора И - КТ характеризует долю поглощенной интенсивности излучения, преобразованную в 10 кинетическую энергию смещенных атомов, т. е.в соответствии с современными представлениями скорость генерации дефектов в исследуемом полупроводником материале. Коэффициент связи К...

Номер патента: 479179

Опубликовано: 30.07.1975

Авторы: Кадаков, Смирнов

МПК: H01L 7/68

Метки: ориентации, полупроводниковых, приборов

...может быть использовано при автоматизации ряда технологических операций.Известно устройство для ориентации полупроводниковых приборов, содержащее вибролоток с фасонным пазом и иглы, причем зона ориентации его выполнена в виде лабиринта, образованного клиновидным выступом на фасонном пазу вибролотка, а иглы выполнены регулируемыми по длине.Вследствие гого, что, проходя лабиринт, прибор должен поворачиваться на угол до 270 на участке лотка, соизмеримом по длине с диаметром, на котором расположены выводы, возможны случаи заклинивания, особенно при наличии подпора приборов, что нарушает условия прохождения лабиринта.Кроме того, трудоемкой задачей является настройка лабиринта на конкретный тип прибора.Изобретение позволяет устранить эти...

Номер патента: 480144

Опубликовано: 05.08.1975

Авторы: Орлов, Пергунов, Симакин, Ушаков

МПК: H01L 21/66

Метки: лентоносителе, параметров, полупроводниковых, приборов, электрических

...головки неподвижно установлен профильный кулачок 6. Предметный столик 7 выполнен с вырубным штампом 8. В столике 7 имеется паз 9 для прохода контролируемого прибора, а перпендикулярно ему в п 10, в котором по шаровым опорам 11 перемещается П-образный упор 12 (фиг. 2), соединенный с рычагом 13 через толкатель 14, взаимодействующий с профильным кулачком 6. Рычаг 13 подпружинен к корпусу посредством пружины 15 (фиг, 3).Для зажима и фиксации лентоносителя в определенном положении на позиции измерения полупроводникового прибора в устройстве используются два механизма зажима.Устройство работает следующим образом.При включении привода перемещения лентоносителя - шагового механизма (на чертежах не показан) полупроводниковый прибор с...

Номер патента: 481087

Опубликовано: 15.08.1975

Авторы: Иванов-Омский, Коломиец, Огородников, Сидорчук

МПК: H01L 7/66

Метки: заданного, материалах, нахождения, объема, полупроводниковых, состава

...точности локализации объекта с заданным составом по предлагае мому способу перед разрезанием выявляют форму поверхности постоянного состава на пластинах (например, путем травления) и вырезают образец так, чтобы поверхности постоянного состава были параллельны торцо О вым граням образца.Способ поясняется фиг. 1 и 2.Исходный слиток полупроводникового материала разрезают на пластины (фиг, 1) параллельно оси роста, На пластинах выявля ют форму сечений поверхностей постоянного состава 1 каким-либо из известных способов, например травлением в селективно-окрашивающем травителе. Изготавливают образец 2 для измерения коэффициента Холла так, что- Зо бы при измерении ток можно было направить по нормали к поверхностям постоянного состава....

Номер патента: 392845

Опубликовано: 25.09.1975

Авторы: Гольдберг, Царенков

МПК: H01L 7/02

Метки: полупроводниковых, приборов

...и полупроводника, а для контактных пар, не образующих эвтектики, ниже температуры плавления металла.Осаждение в растворе препятствует окислению пластинки полупроводника; ток при этом не протекает, что также уменьшает вероятность образования окисла. Поэтому получаемый окиспый слой на пластинке по392845 Составитель Г,КорниловаРедактор И.0 рлова Техред И,Карандашова корректор З.Тарасова Заказ ,ДИзд. М )(Ц Тираж 8 ЗПодписное ЦПИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР но делам изобретений и открытий Москва, 113035, Раушская наб 4 Предприятие Патент, Москва, Г.59, Бережковская наб 24 ф Предлагаемым способом можно получать диоды, транзисторы, фотодиоды и другие полупроводниковые приборы с потенциальным барьером металл -...

Номер патента: 394093

Опубликовано: 25.09.1975

Авторы: Голубев, Корнеев, Шмарцев

МПК: B01J 17/06

Метки: кристаллических, полупроводниковых, структур

...или не дают возможности получать большое количество слоев в структуре, или ведутся при температурных режимах, которые не препяч ствуют взаимной диффузии материалов близлежащих слоев, Известен способ получения ,п-р и-;-структур на германии, основанный на использовании эффекта Пельтье при пропускании импульсов постоянного тока через систему "твердое-расплав- твердое.2394093 Составнтелв д ГолубевРедактор Техред КорректорКиШапаурова И.Карандашова Н.Стельмах ЗасдоЯЗЦ Идд до Ю 6 Торси 782 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений н открытий Москва, 113035, Раушская наб 4 Предприятие Патент, Москва, Г, Бережковская наб., 24 3такой, чтобы на границе раздела твердый -раствор-расплав ,обеспечить...

Номер патента: 485858

Опубликовано: 30.09.1975

Автор: Ситников

МПК: B24B 37/04

Метки: двусторонней, пластин, полировки, полупроводниковых, станок, химико-механической

...упорные выступы 6 для удержания пластин.Станок работает следующим образом.Полупроводниковые пластины подаются спомощью транспортирующей ленты 4 ь зонуобработки, где онп подвергаются воздействиюсуспензии, подаваемой через шпиндели 1 нлабиринтные канавки инструментов 2, Шпиндели вращаются в противоположные сторонысо скоростью 10 - 12 тысяч оборотов в мин.Благодаря тому, что давление суспензии, подаваемой через нижний шпиндель, выше давления суспензии, подаваемой сверху, полупроводниковая пластина находится во взвешенном состоянии на определенном расстоянииот поверхности инструментов, Лабиринтныеканавки в инструментах разделяют струю суспензии на несколько потоков, направляемыхчерез отверстия в поверхности инструментов,О что позволяет...

Номер патента: 488152

Опубликовано: 15.10.1975

Автор: Бедняков

МПК: G01R 31/26

Метки: диодов, полупроводниковых, постоянных, составляющих, токов

...14, соединенный с измерительными цепями 5 и 6 через детптель напряжения 15.Диоды 7 и 8 в измерительных цепях вк(цочены разнополярно.Устройстьо работает следуОцпм образом.Прп вклочецпи источника низкочастотногонапряжения 14 вык,цочателем 6 цапряжецис 20 поступает на разнополярно включенные диоды 7 ц 8, которые вклочсцы по схеме двухполуперподцого выпрямлсния. 1 ерез диоды 7, 8 и резисторы 9, 10 протекает выпрямленены ток источника низкочастотного цапряжения, 25 который фиксируется индикаторами 11 и 12.При отсутствии мощности гетеродица 17диоды 1 и 2 почти полностью закрыты и представляют собой значительные сопротивления.При наличии мощности гетеродина токи диого дов 1 и 2 резко возрастают, а сопротивления;арректор Л. Котова рчикова...

Номер патента: 488271

Опубликовано: 15.10.1975

Авторы: Голубовский, Журавский, Лифлянд

МПК: H01L 7/68

Метки: кристаллов, монтажа, полупроводниковых

...и оппра 1 ощемся ца кулачок 18, прифецлсц электромагнит 19 с упором 20.Привод кулачков 14 и 18 осуществляется от электродвигателя 21 через червячную передачу 22.Устройство работает следующим образом.Кристаллы помещают в загрузочное устройство 23, откуда их пошту о захватывают инструментом 2 и переносят ца позицию монтажа, где сварочная головка 1, укрепленная ца каретке вертикального хода 3, уста 11 авливает кристалл на контактные площадки подложки микросхемы. Перемещение каретки 3 производится рычагом 12, опирающимся на кулачок 14.В момент коцтактирования выводов кристалла с контактными площадками подложки микросхемы на инструмент должно передаваться определенное усилие цагружения, определяемое технологическими факторами (типоразмер...