Патенты с меткой «полупроводниковых»

Номер патента: 298015

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Чигринский, Шуваев

МПК: H01L 21/78

Метки: кристаллы, пластин, полупроводниковых, проскрайбированных, разделения

...получить замкнутый объем. После этого из. под мембраны откачивается воздух, под действием атмосферного давления мембрана прогибается, и пластина раскалывается на кристаллы.Известный способ разделения имеет следук 1- щие недостатки; необходимость ориентации кристаллов относительно отверстий в мембране, что усложняет устройство для осуществления способа и снижает производительность, а также ограниченность использования мембраны, определяемой размерами пластин и кристаллов,Предложенный способ позволяет использовать пластины и кристаллы различных размеров. Сущность способа состоит в том, что пластиу помещают без ориентации на мелкоячеечную сетку, изолируют ее от атмосферногления с помощью эластичной воздухонецаемой пленки, из-под...

Номер патента: 300844

Опубликовано: 01.01.1971

Автор: Пурин

МПК: G01R 31/26

Метки: вольтамп, полупроводниковых, порога, приборов, сs-образнои, срабатывания

...ограничителем и самоблокирующимоя реле, 1 причем цепь управления исследуемого полупроводникового прибора подключена к дополнительному незаземленному источнику тока,На чертеже, приведена схема предложенного устройства,В исходном состоянии напряжение на вых х,интегратора 1, операционного усилител, дифференциатора 3 и ограничителя 4 ю, ключ 5 разомкнут, контакт б ирующегося реле 7 замкнут, контакт кирующегося реле 7 разомкнут, конпки 9 замкнуты,амыкании ключа 5 на выходе интегпоявляется положительное, линейнонапряжение. При этом напряжениеоперационного усилителя 2 равно ию на испытуемом полупроводникоре 10, включенном в прямом направо цепь обратной связи. Дифференцифференциирует выходной сигнал опео усилителя 2 по току. Напряжение е...

Номер патента: 300911

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Баранник, Новоселова, Патентйо

МПК: H01L 23/22

Метки: паста, полупроводниковых, приборов, электроизоляционная

...материал , рэтих приборах.В настоящее время применяются электроизоляционные прокладки из слюды, лавсана и т. п. Введение электроизоляционных прокладок увеличивает тепловое сопротивление не только за счет ухудшения теплопроводности, но и за счет увеличения зазоров между соприкасающимися поверхностями.Электроизоляционные прокладки из керамики окиси бериллия, обладающей коэффициентом теплопроводности, равным коэффициенгу теплопроводности металлического алюминия, не ликвидируют зазоры между соприкасающимися поверхностями; кроме того, керамические прокладки очень хрупки и при затяжке растрескиваются. Применение клеевых компаундов нетехнологично, а использование жидких масел (веретенного, силиконового) затруднено.Целью изобретения является...

Номер патента: 302998

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Богданов, Губырин, Додонов, Ермолаев, Захаренко, Мельников

МПК: H01L 21/98

Метки: полупроводниковых, приборов, сборки

...в виде хоккейной клюшки или крючка (фиг. 1). На концах зубьев могут быть выштампованы фигурные выступы в форме уступа, П-образные (фиг.2).Отрезки ленты (фиг. 3) могут располагаться в кассете зубьями в одну сторону или навстречу один другому в зависимости от расположения выводов диода,При сборке диодных матриц на отрезках металлической ленты 4 (фиг. 4) оформляют группы выводов, один из которых имеет форму, например, хоккейной клюшки, а другой - крючка. Для фиксации отрезков ленты при сборке на ленте отформованы фиксирующие отверстия 5,Перед сборкой на каждую ленту напаивают по два кристалла в одинаковом положении. На одну из лент кристаллы напаивают или на вывод в форме хоккейной клюшки, или на вывод в форме крючка.На другучо...

Номер патента: 303677

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Волос, Глазков, Кузьмичев, Онегин

МПК: H01L 21/88

Метки: sqecciv-би5л1, беспроволочной, полупроводниковых, приборовim, сборки

...выступы сферической формы, чего нельзя достигнуть штамповкой, Сфериче ская форма контактных выступов являетсянаиболее благоприятной для присоединения и позволяет производить одновременную сварку всех выводов с кристаллом при меньшей нагрузке сварочного инструмента и использовать 25 кристаллы малой площади и толщины прибольшем числе контактных площадок на кристалле. Меньшее давление на кристалл уменьшает возможность создания внутренних напряжений в хрупком кристалле и образования ЗО микротрещин, сколов. Искло 5 ается отгибка:ОИТЯКТ/1 ЬХ Ц/НОДО/3 ДЛ 51 Об/)с 303 ЫНИ 51 Зс 130 Рс 1 3/СИДУ ЦЫ 30 ДЯ Мп 1 ГРЫИЯ)п КРИСТЗГЛсИЛГ 3 ып(итя крстялл ы СГсг(иа,ьиь/,. Илсикз,"1 ) (/Г с Г,(2 Р 5 1 0 М Ч,ТО Б ) ИОД И Р И 13 Я Р И 3 3 С ТС 51 и С ЦССЙ...

Номер патента: 303678

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Голубовский, Лифл, Онегин, Салей

МПК: H01L 21/00

Метки: кристаллов, микросхем, подложкам, полупроводниковых, присоединения

...когорьх раз)сща)отс 5 и зякрсп 5)Отся в Опрс;с.П 01 Иоложснии подложки 5. Число сбо(очш(х гисзд раио числу позиций стола. Ня ;(сподиижпом Основании 6 расположспы .(сха- ПИЗМЬ ПОШТУ 11)ОЙ ИОДаИ И ИРИСОСДИПСНИ 5) К,) ИГгалс)ОВ Е ПОДЛ)ОЖКЯ, Ка)(ДЫП 3 К 1 ОРЬ(Х (; сдста 3 ляст сооой кс 1 рстк 3 7, псрс) сща)ощу 10- 51 1303 БРс 1 ТНО-ПОТУаТСЛЬНО и Рс 1 ДИЯ 1 Ы 10.,1 Пс)- ПряиЛС 13 И. Нс 3 Крои(ПТСЙПС 8 Кс 1 рСТКИ унрСПЛС- .Ы и ОПОраХ 9 Кас)СПИЯ ДВЕ рабОЧИС ГОЛОГКИ Иинструментами (1, осуцсствляющис захват ) рИСТс 3 ЛЛОВ, ПСрСИОС И.( и рябо)710 30 у И Ирнсосдипсппс к под,)ож)(ям. Псрссщспис карстки осуществлястся от привода 2. Г 1 одложки : агру)кяотся и соорочпыс гиездя из иякошпстя 1 э. Сьс)1 подложск с присос;псиными ериТаллс)1) И ОСМЩССТВЛ...

Номер патента: 303679

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Никулин, Северинов

МПК: H01L 21/00

Метки: групповой, полупроводниковых, приборов, сборки

...кол магнит, а на верхней плоскости положены эластичная прокладк щие штифты для установки ш стичной прокладке и в верхней вания соосно с гнездами кас возныс отверстия, сооощающиеся с откачиемой полостью основания.На чертеже изображено устройство для групповой сборки полупроводниковых приборов.Устройство содержит полое основание 1 со встроенным кольцевым электромагнитом 2 и с прокладкой 3 пз эластичного материала, шаблон 4, установленный на прокладке 3 и зафиксированньш от перемещения штифтами 5, кассеты 6 и 7 с подпружиненным шибером 8. Полость 9 основания соединена с вакуумной системой, В верхней стенке 10 основания и в эластичной прокладке 3 выполнены соосно с гнездами кассет 6 и 7 сквозные отверстия, сообщающиеся с вакуумной полостью...

Номер патента: 305424

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Дзагуров, Молчанов, Плт, Полунина

МПК: G01R 31/28

Метки: автоматов, модульных, полупроводниковых, приборов, согласующее

...1 ых групп, Кроме того, устройство содержит переключатель 52, схему 53 формирования импульса начало измерения, сиг 11 альцыс лампочки 54 57, реле 58 - 62,Прц помощи генераторов 6 и 7 формируются импульсы прямоугольной формы низкой и Высокой 11 сот соответствеццо с коэффициентом заполнения, равным 2. При включении первого плеча генератора 6 импульсов низкой частоты со схемы совпадения 8 через эмиттсрцый повторитель 1 О на первичной обмотке трансформатора 12 формируется первая команда опроса - сигнал длительность 0 ,ь./ заполцсццый частогой ь причем 1.2,= :1, 11)д.При включении Второго плеча генератор 6 импульсов низкой частоты ца первиной обмотке трансформатора 13 формируется вторая команда опроса от вышеназванных генераторов через...

Номер патента: 306650

Опубликовано: 01.01.1971

МПК: H01L 21/443

Метки: барьером, диодов, полупроводниковых, шоттки

...того, толщина пленки не ограничивается вследствие термического разложения, как это обычно имеет место при использовании шестифтористого вольфрама. Можно легко образовать пленки вольфрама толщиной боле 1 лк.В соответствии с предложенным способом, на подложку может быть осаждена пленка вольфрама, однородная по толщине, с металлическим блеском, не содержащая неразложившихся галоидных соединений вольфрама.Кроме того, поскольку температура полупроводниковой подложки остается ниже 500 С, химически устойчивые промежуточные вещества на границе между этой подложкой и пленкой вольфрама не образуются, и на границе формируется барьер Шоттки, обладающий хорошим выпрямительным действием.На фиг. 1 показана установка для осу.цествления способа; на...

Номер патента: 306929

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Биы, Всеоо, Патент, Радашевич, Рюмшин

МПК: B23K 35/26

Метки: пайки, полупроводниковых, приборов

...О: - 2, кадмий 31 - 33, олово остальДля повышения качества паяного соединения при холодной пайке изделий в состав припоя вместо кадмия введена сурьма в ко личестве 0,5 - О,босо, а остальные компоненты взяты в следующем соотношении, %: германий 0,3 - 0,5, олово остальное.Данные прочностных свойств и металлографические исследования сплавов системы оло во-германий позволили установить, что оптимальное содержание германия в припое должно быть в пределах 0,3 - 0,5 со. При содержании германия в припое менее 0,3 с 1 эффективность его как добавки проявляется сла бо, а при содержании более 0,5 огсо возможны выделения его в припое в виде самостоятельной фазы - отдельных кристаллов, которые при термоциклическом воздействии на прибор могут...

Номер патента: 307360

Опубликовано: 01.01.1971

Автор: Рыскин

МПК: H01L 21/66

Метки: напряжений, полупроводниковых, приборов, пробивных

...с генератора счетных импульсов в счетчик.На чертеже показана принципиальная схема предлагаемого устройства.Устройство состоит из генера 1 пускового импульса, управляющего ггера 2,Устройство работает следующим образом.По сигналу Пуск генератор 1 пусковым О импульсом вызывает процесс линейного изменения напряжения на испытуемом приборе и одновременно устанавливает триггер 2 в положение, при котором с входа схемы запрета б снимается напряжение, и счетные импульсы 5 с генератора 5 начинают поступать в счетчик 7.По достижении линейно изменяющимся напряжением величины пробивного напряжения для испытуемого полупроводникового прибора 20 8 резко возрастает ток р-и перехода и, следовательно, падение напряжения на токосъемном сопротивлении 9....

Номер патента: 307544

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Зайченко, Кутко, Моргулис, Сандеров

МПК: H05K 3/24

Метки: 615лgt, базирования, пластинвсесоюзная11дтши9-тш2пь, полупроводниковых, прецизионного, ютена

...из кремния и гокрыта пленкой 2 окисла ЯО. Методом фотолитографии на пленку окисла в трех местах наносятся канавки 3 глубиной 0,4 т 1 к,я, шириной 5 - 10 лкя, пленка окисла покрывается слоем фоторезиста 4. Игла б при перемещении пластин западает в канавку 3. Контрольный инструмент также может иметь иглы,Окружностями Х и т обозначены фиксированные положения игл с базами А и В.После предварительной установки пластины 1 по трем штифтовым упорам б с точностью порядка О - 15 якл (фиг, 2) пластина перемешается по часовой стрелке до попадания иглы в канавку 3 (фиг. 3), затем происходит поворот пластины против часовой стрелки вокруг оси иглы ) до попадания иглы Х во вторую канавку.Процесс оазирования заканчивается (фиг. 5) в момент захваса...

Номер патента: 308470

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Зайченко, Кузин

МПК: H01L 21/306

Метки: полупроводниковых, травитель

...многочисленные травители для травления полупроводниковых м атериалов. В частности, широкое распространение имеют травители кислотно-щелочного типа.Однако вое известные травители не позволяют определить границу срастания подложка-пленка, так как кристаллы одинакового типа проводимости травятся в специальных химических травителях примерно одинаково,Цель изобретения - выявить границу срастания эпитаксиальной пленки арсенида галлия на подложке арсенида галлия того же типа проводимости.Поставленная цель достигается тем, что травитель содержит ЗНМОэ+НГ+5 НгО и 6 ИаОН+НгОг в соотношении от одной до пяти весовых частей первого компонента на одну весовую часть второго компонента.Вышеуказанная жидкая смесь хорошо выявляет границу...

Номер патента: 309416

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Бубнов, Лурье, Токарев

МПК: H01L 21/00

Метки: вакуул1ного, нанесения, пленок, полупроводниковых, соединений

...изобретения состоит в разработке устройства для нанесения в вакууме пленок полупроводниковых соединений, которое позволило бы получить пленки стехиометрического состава и структуры.Поставленная цель достигается тем, что в устройстве, содержащем замкнутую камеру, подложку и нагреватель, выбираются такие соотношения геометрических размеров камеры и температурных режимов, которые обеспечивают осаждение пленок из газодинамического потока в условиях малого пересыщения пара и интенсивного реиспаренич ма ас подложки и стенок камеры.Согласно теоретическому расчету и экспериментальной проверке, для полупроводниковых5 соединений групп АпВ" и Ап Б отношениедлины камеры к ее диаметру составляет 0,5 -1,5 при градиенте температуры вдоль...

Номер патента: 313180

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Аболтинь, Стикут

МПК: H01L 21/66

Метки: измеритель, полупроводниковых, свойств, слоев, электрофизических

...изменений зазоровконтакта образцов с металличесволновода и повышение чувствмерений с регулировкой ее в блах,левым излучателем (концом волновода). Наличие диэлектрических стерженьков позволяет исключить омический контакт образца с механическими частями волновода. Образец мо жет иметь любую форму, а в результате выбора определенного зазора между образцом и волноводом создается возможность увеличения чувствительности измерений на несколько порядков, что объясняется трансформацией 0 точки вносимого импеданса в удобную для измерения область.Сущность изобретения поясняется чертежом, на котором приведена схема описываемого устройства, содержащего СВЧ-генератор 5 1, индикаторный блок 2, волноводный щелевой излучатель 3, к которому...

Номер патента: 314159

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Алена, Григулис

МПК: H01L 21/66

Метки: высокочастотный, емкостный, параметров, пластин, полупроводниковых

...указывает удельное сопротивление полупроводника, а перемещениеэлектродов - толпину пластины,На чертеже, представлена схема измерения,1 - полупроводниковая пластина, 2 - сто з3 - электроды, 4 - емкостный датчик,- конденсатор настройки, б - вольтметр,7 - высокочастотный генератор, С - емкостьизмерительного элемента, 1. - индуктивностьизмерительного контура. ЗО Толщина и удельное сопротивление полупроводниковой пластины 1, поставленной на столик 2, измеряются полем электродов 8 емкостного датчика 4 по показателям перемещения датчика и напряжения на электродах в случае установления перемещением датчика резонанса в контур С 1,. При этом на точность измерения не будет влиять зазор и изменение диэлектрической ,проницаемости...

Номер патента: 314254

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Зеньков, Лифл, Муп, Онегин

МПК: H01L 21/00

Метки: кассета, кристаллов, полупроводниковых

...для а5 сборки.Цель изобретения - и иориентации кристаллов.Эта цель достигается тем, что плита с гнез.дами выполнена из основания с плоской ра 10 бочей поверхностью и рамки со сквознымигнездами, подвижной относительно основания, перемещение которой ограничено упорами; на двух взаимно перпендикулярных гранях рамки укреплены плоские пружины, под 15 жимающие рамку к граням основания.Благодаря этому кристалл базируется посвопм двум взаимно пересекающимся боковымграням, которые прижимаются к базовым боковым поверхностям гнезд, что значительно20 увеличивает точность ориентации кристаллов.На фиг. 1 и 2 изображена кассета; нафиг, 3 показаны гнезда с кристаллами до ихокончательной ориентации; на фиг. 4 - гнезда с кристаллами после их...

Номер патента: 318340

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Альперович, Дымов, Етутйло, Корнилов

МПК: H01L 21/56

Метки: герметизации, полупроводниковых, приборов

...более длительном нагреве температура прессматериала и арматуры та же, что и температура пресс-фори Па протяжении нагрева.Г 1 рп этом более длительный нагрев позволяет уменьшить градиент температуры прессх 1 ятсрияля и к моменту приложения давления иметь более равномерно прогретый прсссматсриал по всему обьему.Настоящий способ позволяет повысить качество гсрмстизнруемых изделий, поднять производительность труда и дает возможность создать оболочку, приборов из термопластичнь 1 х и терморсяктивнь)х матер;ялов сл)ооых 1 временем полимсризяции,Для осуществления способа в пресс-форму5 загружают прессмятсриял и арматуру, затемсб)рянную пресс-форму нагревают.Один из возможных вари;штов изменен)гясмпературы нагрева прессматерняла представлен...

Номер патента: 327423

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Кайгородов, Козлова

МПК: H01L 21/66

Метки: материалах, носителей, подвижности, полупроводниковых

...от плеча 22 двойного волноводного тройш 1 ка 21 к плечу 28 двойного волноводного 20 тройника 16 фазовращателем 24, двойным воловодцым тройником 25 и детекторной секцией 26, присоединенной к плечу 27 двойного волцоводного тройника 25; и регистрирующее устройство 28.25 Предлагаемое устройство работает следующим образомСВЧ сигнал от генератора 6 через вентиль 7поступает на плечо 1 турникетного моста. Уровень СВЧ сигнала, модулируемого в модуля- зО торе 8 низкой частотой от генератора 10, из327423 Предмет изоб 1 рете ния Составитель А. Туляков одактор Т. Юрчикова Гктсд Е, Борисова Ксоректсл И, Шматоваяи тета па 5 типоГрафия 1,остромскОГО управлеиии по печат меряется прибором 11, В турникетном мосту прямой сигнал распределяется между...

Номер патента: 331454

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Аш, Леваков, Мантель, Петраковский

МПК: H01L 21/00

Метки: диодов, полупроводниковых, сборки

...резьбовое отверстие которого входит винт 27 вертикальн цой регулироВки, пОдвижно укреплш 1 цьш н указанной цаправляошей. В кронштейне 26 подвижно укреплен винт 28 продольной регулировки, входящий в резьбовое, отверстие кронштейна 29 продольной регулировки (сч.фиг, 2), сидящего н продольном пазу кронштейна 26. В кронштейне 29 подвижно укреплен винт 30 поперечной регулировки (см. фиг.2), входящий в резьбовое отверстие вилки 31 (см. фиг, 2), лежащей ца кронштейне 26 и одновременно охватывающей сноич нижним пазом, кронштейн 29. Такая конструкция обеспечивает возможность регулцровк: поло 10 15 20 25 30Ч 0 4жения вилки 31 в трех взаимно перпенд 1 кулярных направлениях,Для фиксации вилки 31 н отрегулированном положении служит вццт 32,...

Номер патента: 332141

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Войцехов, Черн

МПК: G01N 21/17

Метки: качества, металлических, покрытий, полупроводниковых, прибор

...резистора (рабочий температурный интервал резистора определяется рассеиваемой на нем мощностью) их показатели преломления совпадали для единственной длины волны спектра белого света, однозначно изменяющейся с температурой.В качестве жидкости может быть использована органическая, либо неорганическая прозрачная для белого света жидкость, характеризуемая высокими изоляционными свойствами,Материалом для сосуда 1 может служить органическое стекло, полимерный материал и т. д.Деталь, качество поверхностного проводящего покрытия которой контролируется, например резистор 3, нагревается протекающим по покрытию током при подключении источника э.д.с, б и нагревает тонкий слой жидкости. Картина температурного поля жидкости практически...

Номер патента: 332527

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Полухин, Трещун

МПК: H01L 21/00

Метки: кассета, пластин, полупроводниковых, химической

...пластины непрерывно меняют свой угол относительно кассеты. На фиг. 1 представлен общий вид кассеты; на фиг. 2 - ,конструкция кассеты; на фиг, 3 - ячейка кассеты,Кассету 1 с загруженными в нее пластинами ставят на направляющие 2 ванны 3, В ванну наливают травильный раствор, зажигают газовые горелки 4 и включают электродвигатель б, укрепленный, как и ванна 5, на основании б. При взаимодействии кулачка 7 и штока с,пружиной 8 кассета совершает возвратно-поступательные движения. При этом 5 ячейкам 9 под действием сил инерции и сопротивления жидкости сообщаются колебательные движения, обеспечивающие интенсивное перемешивание травильного раствора и, следовательно, равномерное травление плас- О тин. Кассета (фиг. 2) выполнена из...

Номер патента: 333388

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Васильев, Лисицкий, Рыбин, Шит

МПК: H01L 23/36

Метки: охлаждения, полупроводниковых, приборов, радиатор

...разл потока, о 15 напримерми в пла верстия д ор для охлаждения полупров оров, содержащий оребреину пластину с закрепленным мым прибором, отличающии лью интенсификации тепл ичных направлениях охлажд ребрение выполнено в виде конической формы, между стине предусмотрены сквозн чя прохода охлаждающего аоднико ю с обе на ней обмена ающего шипов, которыые отгента. Известны радиаторы для охлаждения полупроводниковых приборов, содержащие оребренную с обеих сторон пластину с закрепленным на ией охлаждаемым прибором.Цель изобретения - повышение интепсивносги теплообмена при различных направлениях охлаждающего потока.Цель достигается тем, что оребрение выполнено в виде шипов, например конической формы, между которыми в пластине предусмотрены...

Номер патента: 335660

Опубликовано: 01.01.1972

Автор: Сенькин

МПК: G03D 5/00

Метки: пластин, полуавтомат, полупроводниковых, промывки, сушки

...бокам для крепления к 15 конвейеру 1 и со сквозным отверстием в центре с диаметром, большим, чем размеры промываемой пластины 3. Дно несущей ячейки 2 образовано натянутыми продольными тонкими нитями б, закрепленными на нижней поверх ности ячейки 2, на которых расположена промываемая пластина 3.Верхняя поверхность ячейки 2 снабженапродольньви пазами 7, совпадающими с направлением движения цепного конвейера 1, 25 через которые проходят натянутые вдольходу конвейера 1 в зонах промывки тонк нити 8, закрепленные в неподвижных обоймах 9.Сушильнаявейер 1 с закрепленными на нем несущими ячейками 2, в которых расположены промытые тонкие пластины 8, Сушильная камера 5 снабжена нагревательным элементом. По выходе из этой камеры пластина 8 выпадает...

Номер патента: 335754

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Дул, Плечкан, Ренин, Специальное

МПК: H01L 21/00

Метки: автомат, вентилей, выводов, полупроводниковых

...17. Зажимы 13 и 14 приводятся в действие также от кулачков и работают попеременно.Отрезной механизм 6 снабжен зажимом 18 для закрепления жгута при резке. Зажим срабатывает от кулачка 19. Губки 20 зажима могут перемещаться вдоль жгута при подстройке по месту отрезки. Отрезной механизм 6 имеет устройство, состоящее из направляющих и винта с гайкой (не показаны), при помощи которого он устанавливается на жгуте совместно с губками 20 зажима 18. Шпиндельная головка механизма 6 смонтирована на поперечных направляющих для подачи от кулачкового привода 21 на жгут при резке.Механизм 8 снятия заусенцев состоит из поворотного стола 22 с зажимами, в которых изделие удерживается в вертикальном положении, и двух электродвигателей 23 с...

Номер патента: 337854

Опубликовано: 01.01.1972

Автор: Изо

МПК: H01L 21/00

Метки: групповой, кассета, полупроводниковых, приборов, фиксации

...жевозможность легко автоматизироваку приборов в кассету. Приборы,изка или наклонной дорожки попадходную часть кассеты, а затем, прнием кассеты или опусканием дорожми выводами заходят в волнообразжелоба 1, где выводы изгибаются вупругой деформации. Возникающиесилы трения надежно удерживаютв кассете. Одновр ров в во своими прорези приборовИзвестны, кассеты для групповой фиксации полупроводниковых приборов, применяемые в производстве, где производится путем запирания каждой ножки за боковскую поверхность 1 фланца, состоящие из двух профильных пластин. Перед загрузкой (выгрузкой) поворотом ключа одну профильную пластину отжимают от другой и загружают (выгружают) ножки. После этого, поворотом ключа запирают кас сету,с загруженными ножками, а...

Номер патента: 339883

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Институт, Левитас, Огильницкий, Пожела, Сащук

МПК: H01L 21/66

Метки: полупроводниковых, электропроводности

...трансформатора 2, полупроводникового образца 3, компенсирующего трансформатора 4, нуль-индикатора б, вторичной обмотки компенсирующего трансформатора 6 и конденсатора 7. Вторнидя 00)10 тка кох 1 пенспру 10 гцего трансформатора 6 н конденсатор 7 образу)от ,ол сб) з 1 тс,нный конту 1 э.Трансформатор 4 имеет компенсационную обмотку 8, подключенную к обмотке 9 питающего трансформатора через потенцномстр 10.Образец 3 является вторнчнон:Омоткой питающего трансформатора н первичной обмоткой компенсирующего трансформатора. Напряжение питающего генератора радионмпульсов 1, подключенное к первичной обмотке трансформатора 2, индуцирует э. д. с., создающую в полупроводниковом образце 3 ток, вызывающий появление во вторичной обмотке трансформатора 4...

Номер патента: 341117

Опубликовано: 01.01.1972

Автор: Герман

МПК: H01L 21/66

Метки: вакуумный, герметичности, полупроводниковых, приборов

...и иетехиологичности методов Ввиду необходимости дополнительных операции обезжириванил и сушки,Предлагаемый способ позволяет проверять изделия с замкнутым объемом ца грубую течь от 0,1 л лклсек и более и свободен от недостатков известных методов.По предлагаемому способу коцтролируемый прибор, предварительно выдержанный в вакууме, помещают в нскотопы 11 объем с посто341117 Тираж 448 Заказ 1931/б одписно ипография, пр. Сапунова,янным начальным давлением, которое изменяется на некоторую величину при наличии в изделии грубой течи.В случае отсутствия грубой течи исходное давление изменяется на значительно меньшую величину, зависящую от величины вредного объема и от гажения внутренних поверхностей системы, Для повышения...

Номер патента: 346066

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Розов, Филоненко

МПК: B23K 35/30, C22C 5/02

Метки: пайки, полупроводниковых, приборов, элементов

...зов и В илонеико Заявите ПРИПОЙ ДЛЯ ПАЙКИ ЭЛЕМЕН ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБО В. св, Мо 313633 известен лементов полупроводникоющего состава, /,:10 - 20 16 - 35остальное. чаев пайки временем затвердеванисхватывания при температурес подложками любых типов (золоребряные, никелированные) принии предлагаемого припоя полносчено. я, Явление 360 - 370 С ченые, се- использоватью исклюДля улучшения адгезии и предобыстрого схватывания с подложкостекании в состав предлагаемого пден висмут в количестве 2 - 5 о/о,Предлагаемый припой является четырех- компонентной эвтектикой, плавится при постоянной температуре (353 С - нонвариантное равновесие) и характеризуется высокой жидкотекучестью с приемлемым для всех слутвращения й при рарипоя ввет и етения...

Номер патента: 347837

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Пасечник, Петров, Чистов

МПК: H01L 21/00

Метки: выводов, полупроводниковых, приборов, присоединения

...внутренних выводов полупроводниковых приборов.5В известной установке каретка с рабочим инструментом жестко установлена на плите манипулятора, с помощью которого оператор сообщает инструменту движение в горизонтальной плоскости для совмещения его с тоцками сварки (вертикальное перемещение спсструмецта осуществляется его приводом).Однако эта установка ивсеет низкую производительность, поскольку оператору приходится с помощью манипулятора совмещать инструмент поочвредно с каждой точкой сварки.Цель изобретения - автоматизация подачи рабочего инструмента к точкам сварки.Цель достесгается тем, что в предлагаемой установке каретка с рабочим инструментом установлена не непосредственно на плите манипулятора, а через две промежуточные плиты,...