Патенты с меткой «полупроводниковых»

Номер патента: 1766210

Опубликовано: 15.04.1994

Авторы: Дорофеева, Комов, Кричевская, Ленивкин, Ленивкина, Стольниц

МПК: H01L 21/268

Метки: металлов, осаждения, пленок, полупроводниковых, халькогенидов, химического

СПОСОБ ХИМИЧЕСКОГО ОСАЖДЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛЕНОК ХАЛЬКОГЕНИДОВ МЕТАЛЛОВ, включающий размещение подложки в электролите на основе халькогенсодержащего соединения, нагрев электролита с подложкой до температуры осаждения, формирование на подложке центров кристаллизации, отличающийся тем, что, с целью повышения скорости осаждения, улучшения электрофизических свойств и получения локальных пленок, формирование центров кристаллизации осуществляют одновременно с нагревом электролита и подложки путем импульсного лазерного облучения с длиной волны излучения из области поглощения молекул халькогенсодержащего соединения, плотностью мощности на подложке 104 - 107 Вт/см2, длительность импульсов 10-5 -...

Номер патента: 1131388

Опубликовано: 15.05.1994

Автор: Кремнев

МПК: H01L 21/225

Метки: компенсацией, полупроводниковых, структур, температурной

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР С ТЕМПЕРАТУРНОЙ КОМПЕНСАЦИЕЙ, включающий легирование монокристаллического кремния n-типа проводимости примесями - донором мелкого уровня (мышьяком) и акцептором мелкого уровня (бором) - с общей концентрацией примесей, превышающей 8 1018 атомов см-3, отличающийся тем, что, с целью уменьшения температурного коэффициента удельного сопротивления слоев кремния p- и n-типа, на бездислокационную полупроводниковую подложку кремния наносят поликонденсационную пленку двуокиси кремния, содержащую 3 - 10% ангидрида-диффузанта акцептора мелкого уровня или...

Номер патента: 1725700

Опубликовано: 15.05.1994

Авторы: Загоруйко, Карпова, Комар, Терейковская

МПК: H01L 21/28

Метки: aiibvi, контактных, кристаллов, оптических, поверхности, полупроводниковых, слоев, создания, типа

СПОСОБ СОЗДАНИЯ КОНТАКТНЫХ СЛОЕВ НА ПОВЕРХНОСТИ ОПТИЧЕСКИХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ КРИСТАЛЛОВ ТИПА AIIBIV, включающий обезжиривание, промывку и нанесение на поверхность кристалла металлического слоя, отличающийся тем, что, с целью получения однородного по толщине механически прочного слоя при сохранении оптических свойств кристаллов и упрощения процесса, обезжиривание проводят в насыщенном растворе кальцинированной соды в течение 20 - 30 мин при 18 - 25oС, металлический слой наносят при 10 - 15oС путем осаждения серебра из смеси щелочного раствора аммиаката серебра следующего состава, мас. % :Азотнокислое серебро 1,57Гидрат окиси калия (45% -ный) 2,27Водный аммиак (25% -ный) 17,79

Номер патента: 1777517

Опубликовано: 15.05.1994

Авторы: Гришмановский, Козлова, Лебедева, Плаксенков

МПК: H01L 21/48

Метки: выводных, заготовок, полупроводниковых, приборов, профильных, рамок

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПРОФИЛЬНЫХ ЗАГОТОВОК ВЫВОДНЫХ РАМОК ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ, включающий соединение ленточных материалов выводов и теплоотвода, резку и штамповку, отличающийся тем, что, с целью экономии материалов и снижения трудоемкости, на ленточном материале выводов размещают одну или несколько полос ленточного материала теплоотвода и прокладку, предотвращающую сварку, наматывают полученную слоистую структуру на оправку, выполненную из жаропрочного материала с высоким температурным коэффициентом линейного расширения, на сформированный рулон наматывают металлическую ленту из материала с низким температурным коэффициентом линейного расширения и нагревают рулон с оправкой в защитной среде до температуры, равной 0,8 величины,...

Номер патента: 1635817

Опубликовано: 15.05.1994

Автор: Кремнев

МПК: H01L 21/225

Метки: компенсацией, полупроводниковых, структур, температурной

...формирование контактных площадок и межсоединений и получение омического контакта посредством вжигания алюминия,П р и м е р 3. На кремниевой пластине, марка КЭФ, плоскость кристаллографической ориентации 110), методом термического окисления создается маскирующий слой двуокиси кремния толщиной 0,5-0,8 мм, затем групповым методом фотолитографии вскрывают окно первой области, Затем на пластину методом центрифугирования наносят гидролиэно-поликонденсационную пленку двуокиси кремния, содержащую 20 мас. 7 ь ангидрида - диффуэанта донора глубокого уровня - железа, Проводят термодеструкцию пленки при 600 С в течение 3 мин в потоке инертного газа (аргона) и удаляют с поверхности маскирующего слоя ЯЮг легированную железом пленку, Затем...

Номер патента: 1531753

Опубликовано: 15.05.1994

Автор: Кремнев

МПК: H01L 21/225

Метки: компенсацией, полупроводниковых, структур, температурной

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР С ТЕМПЕРАТУРНОЙ КОМПЕНСАЦИЕЙ, включающий формирование на поверхности монокристаллического кремния двух соприкасающихся областей путем диффузионного легирования примесями одинакового типа проводимости, при этом первую область легируют примесью глубокого уровня, а вторую область - примесью мелкого уровня до концентрации примеси мелкого уровня, значительно большей концентрации примеси глубокого уровня, и глубины p - n-перехода примеси мелкого уровня, значительно меньшей глубины p - n-перехода примеси глубокого уровня, отличающийся тем, что, с целью повышения качества структур за счет уменьшения температурного коэффициента удельного сопротивления слоев кремния p- и n-типа и упрощения технологии...

Номер патента: 1212156

Опубликовано: 15.06.1994

Авторы: Ахманаев, Данилов, Медведев, Петров

МПК: G01N 22/00

Метки: датчик, параметров, полупроводниковых, электрофизических

ДАТЧИК ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ, содержащий цилиндрический СВЧ-резонатор квазистатического типа, на одной из торцевых стенок которого закреплен один конец индуктивного штыря, другой конец которого размещен в соосном с ним отверстии, выполненном в другой торцевой стенке, а также элементы связи цилиндрического резонатора с источником СВЧ-энергии и индикатором и механизм осевого перемещения индуктивного штыря, отличающийся тем, что, с целью повышения точности и производительности измерений, торцевая стенка, на которой закреплен индуктивный штырь, выполнена в виде концентрически гофрированной металлической диафрагмы, а механизм осевого перемещения индуктивного штыря - в виде катушки индуктивности с соосно...

Номер патента: 967177

Опубликовано: 15.06.1994

Авторы: Ахманаев, Борзунов, Медведев, Сафронов

МПК: G01R 27/32

Метки: полупроводниковых, распределения, сопротивления, удельного

1. УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ УДЕЛЬНОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ, содержащее последовательно соединенные сверхвысокочастотный генератор, вентиль, измерительный резонатор квазистатического типа с индуктивным штырем, установленным на торцевой стенке, и соосно с ним отверстием связи с исследуемым полупроводниковым материалом в другой торцевой стенке, сверхвысокочастотный детектор и индикатор, отличающееся тем, что, с целью повышения точности измерений, к выходу сверхвысокочастотного детектора последовательно подключены времяамплитудный преобразователь и блок вычитания, выход которого соединен с управляющим входом введенного механизма осевого перемещения индуктивного штыря.2. Устройство по п.1, отличающееся...

Номер патента: 1738035

Опубликовано: 15.06.1994

Авторы: Аросев, Комкова, Рогов, Шереметьев

МПК: H01L 21/304

Метки: полупроводниковых, структур

1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР, включающий наклейку пластин на план, утонение пластин до заданной толщины путем обработки нерабочей стороны, разделение пластин на отдельные структуры, отличающийся тем, что, с целью расширения технологических возможностей способа и повышения выхода годных, перед наклейкой пластин на план на рабочей стороне пластины по ее периферии дополнительно жестко закрепляют кольцевой держатель, внутри которого наклеивают диск с зазором, и одновременно шлифуют торцевые поверхности кольцевого держателя и диска до их выравнивания, а перед разделением пластин удаляют диск путем его отклеивания и проводят металлизацию нерабочей стороны пластины, при этом диск выполняют из того же материала, что и...

Номер патента: 1526562

Опубликовано: 30.06.1994

Авторы: Гармаш, Нехамкин, Самойленко, Тетерьвов

МПК: H05K 3/06

Метки: жидкостной, линия, пластин, плоских, полупроводниковых, преимущественно, химической

1. ЛИНИЯ ДЛЯ ЖИДКОСТНОЙ ХИМИЧЕСКОЙ ОБРАБОТКИ ПЛОСКИХ ИЗДЕЛИЙ ПРЕИМУЩЕСТВЕННО ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН, содержащая каркас, последовательно установленные рабочие ванны, поворотные носители изделий с вертикальным размещением посадочных гнезд для изделий, средства перемещения носителей и средства их вращения в виде валков, горизонтально установленных под носителями в ваннах, приводы валков, отличающаяся тем, что, с целью повышения качества обработки, поворотные носители снабжены П-образным держателем и выполнены в виде ротора с торцовыми зубчатыми дисками, центральным валом и обоймами, размещенными равномерно по периферии ротора, при этом каждая обойма выполнена с окнами на боковой поверхности и внутренней продольной полостью со средствами...

Номер патента: 1251749

Опубликовано: 15.08.1994

Авторы: Алексахин, Бодунова, Маркман, Панин

МПК: H01L 21/02

Метки: выводами, объемными, полупроводниковых, приборов

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ С ОБЪЕМНЫМИ ВЫВОДАМИ, включающий нанесение на планарную поверхность полупроводниковых пластин с p - n-переходами защитного диэлектрического слоя, выращивание объемных выводов, резку пластин на кристаллы и монтаж, отличающийся тем, что, с целью повышения качества монтажа приборов и их надежности, после выращивания выводов в качестве защитного диэлектрического слоя наносят полимерный лак, толщина которого находится в пределах от 8 мкм до 2/3 высоты объемных выводов, а оптимальная толщина слоя равна высоте медного основания объемного вывода, а затем режут пластины на кристаллы.

Номер патента: 1575829

Опубликовано: 15.08.1994

Авторы: Алейникова, Сутырин, Хриткин

МПК: H01L 21/26

Метки: диэлектрических, линейных, пластинах, полупроводниковых, структур, субмикронных, формирования

СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ЛИНЕЙНЫХ СУБМИКРОННЫХ СТРУКТУР В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ И ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПЛАСТИНАХ, включающий нанесение маскирующего покрытия на поверхность пластины, создание окон в маске литографией и травление ленточным пучком ионов, большая ось поперечного сечения которого расположена перпендикулярно направлению перемещения пластин, отличающийся тем, что, с целью повышения точности изготовления структур за счет уменьшения бокового растравливания, пластины в процессе травления ориентируют так, чтобы линейные субмикронные структуры были расположены перпендикулярно большой оси поперечного сечения пучка.

Номер патента: 1222147

Опубликовано: 15.08.1994

Авторы: Енишерлова-Вельяшева, Русак

МПК: H01L 21/66

Метки: глубины, монокристаллах, нарушенного, полупроводниковых, слоя

1. СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ГЛУБИНЫ НАРУШЕННОГО СЛОЯ НА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МОНОКРИСТАЛЛАХ преимущественно кремния, германия и арсенида галлия после грубой механической обработки, включающий избирательное травление, изготовление шлифов и оценку глубины нарушений, отличающийся тем, что, с целью повышения точности способа, избирательное травление проводят в травителе, содержащем 0,5 - молярный водный раствор хромового ангидрида и плавиковую кислоту в весовом соотношении от 3 : 1 до 1 : 3, в течение 60 - 300 с, а оценку глубины H нарушенного слоя производят по формулеH= Z2-Z ,где Z1 и...

Номер патента: 1364154

Опубликовано: 30.08.1994

Авторы: Глущенко, Колычев

МПК: H01L 21/78

Метки: полупроводниковых, структур

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР, включающий операции формирования в полупроводниковой подложке областей структур, нанесение слоя металла, формирование металлизированной разводки, окисление части толщины металла, нанесение слоя защитного диэлектрика, вскрытие контактных окон в защитном диэлектрике и присоединение металла проводников к металлизированной разводке через вскрытие окна, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности структуры путем создания беспористого диэлектрика, слой металла наносят толщинойT = t + ,где t - минимальная толщина металла, обеспечивающая токо- и теплопроводность;D - толщина наносимого защитного диэлектрика,...

Номер патента: 730202

Опубликовано: 15.09.1994

Авторы: Дурнин, Суворов

МПК: H01L 21/58

Метки: полупроводниковых, приборов, сборки

СПОСОБ СБОРКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ преимущественно с алюминиевой разводкой, включающий соединение кристаллов с металлическим кристаллодержателем пайкой с помощью припойной прокладки из эвтектического германиевого соединения, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности приборов и экономичности способа, используют прокладку из эвтектического соединения германия с алюминием, температура образования которого 350 - 570oС.

Номер патента: 1623502

Опубликовано: 15.09.1994

Авторы: Климов, Масловский, Минаев, Постников

МПК: H01L 21/66

Метки: испытания, мдп-структурой, надежность, полупроводниковых, приборов

СПОСОБ ИСПЫТАНИЯ НА НАДЕЖНОСТЬ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ С МДП-СТРУКТУРОЙ, включающий измерение в одинаковых условиях электрических параметров структур до и после термостатирования и выявление потенциально ненадежных приборов при изменении этих параметров, превышающих заданное значение этого изменения, отличающийся тем, что, с целью повышения достоверности испытаний, до термостатирования или одновременно с ним на структуру воздействуют магнитным полем, увеличивая его от 0 до 2,0 105 А/м, а затем выключая его.

Номер патента: 1547619

Опубликовано: 30.09.1994

Авторы: Бачурин, Верников, Енишерлова-Вельяшева, Концевой, Левин

МПК: H01L 21/324

Метки: высокотемпературной, пластин, полупроводниковых

1. УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНОЙ ОБРАБОТКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН, включающее печь с горизонтальной трубой и кварцевую кассету, средство для центровки и удержания пластин, узел регулирования усилия сжатия пластин, отличающееся тем, что, с целью обеспечения высокотемпературной термокомпрессионной попарной сварки полупроводниковых пластин, средство для центровки и удержания пластин выполнено в виде опоры и набора плоскопараллельных шайб из полупроводникового материала, покрытых нитридом кремния, между средством для центровки и удержания пластин и узлом регулировки усилия сжатия пластин дополнительно введен подвижный шток, содержащий шаровую опору, а узел регулировки усилия сжатия пластин находится вне трубы печи.2. Устройство...

Номер патента: 1371462

Опубликовано: 30.10.1994

Авторы: Мелихов, Федотов, Холявин

МПК: H01L 21/48

Метки: герметизации, корпусах, плоских, полупроводниковых, приборов

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ГЕРМЕТИЗАЦИИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ В ПЛОСКИХ КОРПУСАХ, содержащее систему откачки, вакуумируемую камеру с эластичной прокладкой и вакуумным краном, соединяющим камеру с системой откачки, блок нагревателей, систему управления нагревателями, отличающееся тем, что, с целью упрощения конструкции устройства и снижения его металлоемкости, вакуумируемая камера образована двумя металлическими плитами и герметизирующей упругой прокладкой, образующей боковую стенку камеры, вакуумный кран расположен на одной из плит, а эластичная прокладка расположена на другой плите.

Номер патента: 1075874

Опубликовано: 15.12.1994

Авторы: Вершигора, Лазарева, Михайлов, Соколов

МПК: H01L 23/34

Метки: охлаждения, полупроводниковых, приборов, радиатор

РАДИАТОР ДЛЯ ОХЛАЖДЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ, выполненный в виде дискообразного основания с симметрично расположенными в его центре на торцовых частях плоскими контактными площадками, образующие которого симметрично наклонены от его геометрического центра к периферии навстречу друг другу, отличающийся тем, что, с целью расширения эксплуатационных возможностей и повышения эффективности охлаждения, образующие выполнены профилированными в форме затухающих волн, причем кромки контактных площадок сопряжены с кромками одних из впадин образующих.

Номер патента: 1792557

Опубликовано: 09.01.1995

Авторы: Башевская, Белов, Рогов, Смычникова, Тюнькова

МПК: B24B 31/00

Метки: пластин, полирования, полупроводниковых

...такжеразброс толщины по пластине.1 В процессе обработки пластин шламполупроводникового материала остается наполировальнике. Масло постепенно улету 15чивается с полировальника, особенно, еслипроводится обработка материалов группыА В (Станки снабжены вытяжной вентиляЧцией), Экспериментально установлено, чтопри продолжительности обработки 20-50мин стабильно поддерживается требуемаяплоскостность пластин арсенида галлия,При продолжительности менее 20 мип измерение плоскостности носит необъективный характер, т.к, количество снятого спластин припуска мало. Однако при этомвполне понятно, что масла на полировальнике вполне достаточно, и его количествопрактически не влияет на точность обработки пластин, Если продолжительность...

Номер патента: 1783674

Опубликовано: 09.02.1995

Автор: Юкшинская

МПК: B21B 37/16

Метки: выводов, качества, микропроволоки, полупроводниковых, приборов

СПОСОБ КОНТРОЛЯ КАЧЕСТВА МИКРОПРОВОЛОКИ ДЛЯ ВЫВОДОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ, преимущественно, изделий микроэлектроники, включающий определение механической прочности по условию разрыва неотожженной и отожженной проволоки и определение годности по заданному усилию разрыва отожженной проволоки, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности контроля, проводят дополнительную оценку микропроволоки по неизменности разброса содержания легирующего компонента по длине до и после отжига.Способ может быть использован для изготовления изделий микроэлектроники. От каждой серии катушек исходной микропроволоки отбирают образцы. На отобранной от первой катушки микропроволоке определяют...

Номер патента: 1823715

Опубликовано: 20.02.1995

Авторы: Джалилов, Паутов, Самсоненко, Сорокин

МПК: H01L 21/335

Метки: полупроводниковых, приборов

...сушки фоторезиста ФПпроводят экспонирование пластины по шаблону с рисунком затворного слоя (при этом описывают затворный рисунок на шаблоне в В предлагаемом способе перетрав Я 102 отсутствует и вскрывшиеся участки полупроводника в канале и Ац-Ое омические контакты на тестовых структурах травятся незначительно (скорость плазмохимического травления полупроводника составляето-40 А /мин). Растрав Я 02 под фоторезистивную маску составляет 0,06 мкм, Стенки травления близки к вертикальным и рисунок в фоторезисте переносится в ЯОЙ без изменения размеров. Фотореэист удаляют последовательно в диметилформами 40 45 50 затворный рисунок на пластине, расширенный посредством растрава ЯЮг по ф/р маску), После экспонирования устанавливают шаблон с...

Номер патента: 1083842

Опубликовано: 20.03.1995

Авторы: Болдин, Голисов

МПК: H01L 21/265

Метки: интегральных, легированных, микросхем, областей, полупроводниковых, приборов, создания

СПОСОБ СОЗДАНИЯ ЛЕГИРОВАННЫХ ОБЛАСТЕЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ И ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ путем окисления кремниевых пластин, вытравливания окон в маскирующем окисле, создания окисла в вытравленных окнах и ионной имплантации бора с последующей его разгонкой, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрических характеристик полупроводниковых приборов и интегральных микросхем путем исключения дефектов в областях, легированных бором, выращивают окисную пленку в вытравленных окнах толщиной, определяемой соотношением d = kE,где d - толщина окисла, нм;E - энергия ионного легирования, кэВ;K - коэффициент, равный (3,6 - 4,0) нм/кэВ,после чего проводят ионную имплантацию бора в окисел энергией из диапазона 20-100 кэВ,...

Номер патента: 1766212

Опубликовано: 27.03.1995

Авторы: Башевская, Белов, Рогов, Савостьянова, Тюнькова

МПК: H01L 21/304

Метки: полупроводниковых, структур, утонения

СПОСОБ УТОНЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР, включающий операции механической обработки и полирующего травления нерабочей стороны, отличающийся тем, что, с целью повышения точности обработки и повышения выхода годных структур, операции повторяют, до и после последней операции травления измеряют неплоскостность поверхности, причем последнюю операцию механической обработки проводят на глубину не более 50 мкм, а последнюю операцию полирующего травления проводят на глубину, обуславливающую увеличение неплоскостности в 2,0 - 5,0 раз по сравнению с предыдущей механической обработкой.

Номер патента: 1819066

Опубликовано: 27.03.1995

Авторы: Арутюнян, Бородулина, Новиков, Тюлягин

МПК: H01L 21/58

Метки: кристалла, напайки, никелированную, поверхность, полупроводниковых, приборов, теплоотвода

...10 с при скорости разогрева 500 С/мин и составляет 100 С, В результате максимальная температура поверхности теплоотвода составляет не более 500 С, что не приводит к нарушению поверхности алюминиевых контактов кристалла,При большой скорости разогрева припоя до высокой температуры 500 С гораздо выше температуры плавления припоя 230 ОС), происходит быстрое расплавление припоя и формирование шарика за счет сил Формула изобретенияСПОСОБ НАПАЙКИ КРИСТАЛЛА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ НА НИКЕЛИРОВАННУЮ ПОВЕРХНОСТЬ ТЕПЛООТВОДА, включающий помещение в герметичную камеру теплоотвода, . трафарета, кристалла и навески припоя, откачку камеры, нагрев сборки, прекращение откачки и введение в камеру нейтрального газа, содержащего азот 5 10 15 20 25 30...

Номер патента: 1820790

Опубликовано: 27.03.1995

Авторы: Володин, Каминский, Сосова

МПК: H01L 21/34

Метки: моносульфида, основе, полупроводниковых, самария, тензорезисторов

...материала чувствительного элемента тензорезистора известно и применяется при производствефольговых неметаллических тензорезистоЗ 5 ров для увеличения их электросопротивления, а не для уменьшения ТКС, Никакихданных об изменении ТКС при примененииэтого технологического приема нет. Совокупность существенных признаков предла 40 гаемого изобретения позволяет врезультате их взаимодействия устранить отрицательное влияние оказываемое краевыми участками тензорезистора, что приводитк достижению цели, укаэанной в формуле45изобретения.На фиг.1 изображен тензорезистор и нанем пунктиром отделены удаляемые участки чувствительного слоя элемента (а - подложка, б - контактные площадки, в - тензочув 50 ствительный слой из ЯвЯ); на фиг.2представлена...

Номер патента: 1178263

Опубликовано: 10.04.1995

Авторы: Билинец, Голович, Матвеев, Стусь, Талалакин, Федак

МПК: H01L 21/208

Метки: полупроводниковых, структур

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУРInAs InAs1-x-ySbxPyметодом жидкофазной эпитаксии, включающий приготовление раствора-расплава, содержащего индий, мышьяк, сурьму и фосфор, приведение его в контакт с буферной пластиной арсенида индия при температуре начала эпитаксиального наращивания, изотермическую выдержку в течение 30 45 мин, приведение раствора-расплава в контакт с подложкой арсенида индия и последующее наращивание согласованных на границе с подложкой слоев твердого раствора путем принудительного охлаждения системы, отличающийся тем, что, с целью улучщения качества структур за счет снижения плотности дислокаций в эпитаксиальном слое,...

Номер патента: 1274558

Опубликовано: 20.04.1995

Авторы: Воробьев, Склизнев, Смирнов, Юрченко

МПК: H01L 21/66

Метки: диодных, параметров, полупроводниковых, структур

СПОСОБ КОНТРОЛЯ ПАРАМЕТРОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДНЫХ СТРУКТУР, включающий пропускание тока через диодную структуру, измерение спектральной плотности низкочастотного шумового напряжения и отбраковку структур, отличающийся тем, что, с целью увеличения точности контроля уровня частотно-модулированных шумов диодных структур, измерение спектральной плотности низкочастотного шумового напряжения проводят при температуре диодных структур от 243 до 248 К, а отбраковку структур проводят при условии, что спектральная плотность низкочастотного шумового напряжения не превышает значения, вычисленного по формулегде S спектральная плотность низкочастотного шумового напряжения,...

Номер патента: 1807817

Опубликовано: 30.04.1995

Авторы: Ильин, Сурков

МПК: H01L 21/68

Метки: крепления, плоских, полупроводниковых, преимущественно, приборов, электрорадиоэлементов

...регулировочные винты 19, предназначенные для регулировки угла раскрытия прижимов 9.Устройство работает следующим образом,Для. закрепления изделия 6 устройствонаходится в первой рабочей позиции, изображенной на фиг.1. В этой позиции прижимы 9 удерживаются в вертикальномположении за счет прижатия к регулировочным винтам 19 пружиной 13, а пластина 3находится в крайнем верхнем положении иудерживается зацепами 10, Изделия 6 располагают на пластине 3 так, чтобы конусныерами 2 и может быть легко снято.При высокой точности изготовления по лупроводниковых приборов, интегральныхмикросхем, электроимпульсных трансформаторов всякое нарушение плоскостности изделия в процессе работы с ним приводит к деформации и браку.45 Заявляемое устройство...

Номер патента: 1813303

Опубликовано: 30.04.1995

Авторы: Астафурова, Сухов, Хаханова, Чагина, Штыров

МПК: H01L 21/265

Метки: полупроводниковых, структур

1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР, включающий формирование на поверхности кремниевой подложки первого типа проводимости каналоограничительных областей путем локального окисления, получение подзатворного окисла, осаждение слоя поликремния, формирование рисунка плавающего затвора, имплантацию примеси второго типа проводимости, окисление плавающего затвора, формирование управляющего затвора, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных полупроводниковых структур за счет улучшения качества диэлектрической изоляции плавающего затвора, перед окислением плавающего затвора проводят дополнительную обработку структуры в водном растворе фтористоводородной кислоты состава 1:100-1:10.2. Способ по п.1, отличающийся тем,...