Патенты с меткой «полупроводниковых»

Номер патента: 285710

Опубликовано: 05.08.1976

Авторы: Модель, Савина

МПК: G01R 31/26

Метки: качества, полупроводниковых, приборов

...и определением диапазона микротоков содержащего наибольшую информацию о качестве переходов, где производятся измерения этих параметров при сохранении структур,Параметр гт был ранее известен в литературе, параметрти предложен вновь для контроля качества коллекторного перехое 1еВ основу пред риближеннереход АТи 1 У)Ц ризует обратный в/а характерис 1=1 ехрЗдесь коэффициен наклон полулогар е ттИ характ ифмический токах Для э-ого измерение токовыхр-л переходов ведут на м 0 мка при прямом и инвермиттирующего перехода лагаемого способа положеновнение прямого тока через285710 Составитель О, АфанасенковаРедактор А. Калашникова Техред 1. Родак Корректор Н. Ковалева Заказ 4970/438 Тираж 1029 ПодписноеЦНИИПИ Государственного комитета Совета...

Номер патента: 304864

Опубликовано: 05.08.1976

Авторы: Иванов, Нуров, Пиорунский, Федоров

МПК: H01L 21/66

Метки: переходов, полупроводниковых, приборов, характеристик

...на усилитель прямоугольного напряжения 12 с калиброванным коэффициентом усиления и измеритель напряжения 13, шкала которого проградуирована непоаред. ственгно в значения коэффициента отклонения 36 1 г 1. При коэффициенте усиления усилителя :К =40, отношении - =0,1 и температуреЬ 13окружающей среды 300 С К (37 =25 мв ; Ф показание измер.1 теля напряжения. 13 Ои) составляет: . бИ.=ц= т",т, е. можно получить прямой отсчет коаурй-. циента т 11., 1-.1 пиалкагоне Пря;,111рез о - т 1 перехэд От 3 0 наноа 1.,11, -, - ,;.-,погрешность измерения 11 оафф 171.и 81- тпревышает 3%,ПрИМСН 8111.8 ОЯИС.1 т:718 лго - ., 81серийном произьодстве 7 эволит о:-:; 1 де 7:;1надежность полупроводниковых ,р-, .эв идаст.возможность исследовать за:; --ф"= 14 1 й...

Номер патента: 529510

Опубликовано: 25.09.1976

Авторы: Васильев, Вихров

МПК: H01L 21/68

Метки: выводов, полупроводниковых, приборов, рихтовки

...другомустановлены скошенные диски, окруженныеобоймой, служащей одной из стенок клинообразной щели для рихтовки искривленныхвыводов 1 3 1,Целью изобретения является упрощениеконструкции и уменьшение габаритных размеров рихгуюшего устройства.Это достигается тем, что клинообразная:цель образована боковыми стенами паза накопителя, ширина которых возрастаетпо ходу движения приборов на величину, неменьшую длины выводов,На чертеже изображено предложенноерихтующее устройство.Оно состоит из накопителя 1 с волнообразным пазом для направления приборови эдас гичн тх р опик ов 2 и 3 ус ган овлен, ных В нем с возможностью Вращения для псоемешения прибогов,Клинообразная щель образована боковыми стенками 4 и 5 ВолноОбразного паза накопителя 1,ширина...

Номер патента: 531220

Опубликовано: 05.10.1976

Авторы: Киеня, Эпштейн

МПК: H01L 23/46

Метки: вентилей, жидкостного, охлаждения, полупроводниковых, принудительного

...стенках радиаторов у каждых двухсмежных радиаторов расположены диаметрально противоположно, благодаря чему образуются кольцевые каналы для протекания охлаждающей жидкости между внешнейповерхностью вентиля и внутренней поверхностью вставки параллельно торцовым стенкам радиаторов.На фиг. 1 показано соединение вентилейи радиаторов, разрез по вертикали; на фиг,2- радиатор, поперечный разрез и вид сверху,Таблеточные вентили 1 и радиаторы 2поочередно соединены в одну цепь, Каждыйрадиатор имеет с противоположных сторонплоско-параллельные посадочные поверхности под вентили и используется для одновременного охлаждения двух вентилей.Для направления потока охлаждающейжидкости между радиаторами последние соединены между собой гидравлически с...

Номер патента: 531284

Опубликовано: 05.10.1976

Автор: Солод

МПК: H03K 19/08

Метки: диэлектрических, металло, полупроводниковых, транзисторах, усилитель-формирователь

...равный Е О,питгде О о - пороговое напряжение МДП-транзисторов.С приходом отрицательного перепада на вход усилителя-формирователя в точке 22 устанавливается потенциал, равный О вх+ + Е - О о, который превышает уровеньпитЕ пит,Транзисторы 5, 10, 14 и 18 открываются, и в точке 21 и выходах всех двухтактных усилителейформирователей устанавливаются потенциалы, близкие к нулю, при этом верхние транзисторы двухтактных усилителей закрыты и ток не проводят.Накопительный конденсатор 8 и смещаюшие конденсаторы 11 и 15 заряжаются через открыте пары транзисторов 3 и 14, 12 и 10, 16 и 14, Так как напряжение в точке 22 превышает Е, то в точках 20,пит24 и 26 устанавливаются потенциалы, оавные Е , Конденсатор 2 также зарядитсяпитчерез...

Номер патента: 534810

Опубликовано: 05.11.1976

Автор: Староверов

МПК: H01L 21/66

Метки: автомат, классификации, полупроводниковых, приборов

...устройства, ЗОТранспортирующий ротор 4 Охвачен обоймой 16, неподвижно закрепленной с помощью кронштейнов 17 для удержания приборов в пазах ротора при его вращении,. Нараъруэочных позшлях, а их количество55(например, 14) соответствует количествуприемных емкостей 6, в Обойме 16 имеются вырезы 18, через которые прибор мсьжет быть выброщ:и иэ паза рого э 3, Задкаждой емкостью, кроме последней, где для бф 104вьпрузки неразбракованных приборов неподвижно закреплена пластина 19, установленмеханиж разгрузки 5 Рычаг 20 механизма разгрузки 5 шарнирно закреплен в пазукронштейна 21 при ощи оси 22 и удер-фживается в исходном положении пружиной23 для регулировки натяжения которой слуфжат шток 24 и стопорный винт 25, Конец"установлена в вырезе обоймы...

Номер патента: 534811

Опубликовано: 05.11.1976

Авторы: Чистов, Шпаков

МПК: H01L 21/66

Метки: испытаний, климатических, полупроводниковых, приборов

...показаноусловно), включающее. кассету, многоканальмую точку с анкерным механизмом и досылателем. В основании 1 расположены вентиблятор 6, воздухавод 7, пневмоцилиндры 8и 9 и разбраковщик приборов 10,Вертикальные и наклонный отсеки вмеоте с воздуховодом 7 образуют замкнутыйКонтур, в котором создан микроклимат для 20испытуемых приборов,;В этом контуре размещена транспортно-накопительная системавключающая неподвижные стенки 11 и 12 с,полками 13, подвижные стенки 14 и 15 сполками 16, системутолкателей, состоя- фщую из рам 17 2 О р приводами 21-24 икронютейнами 25, а также иэ досылателей26-29, Полки 13 и 16 представляют собой планки с пазами, размер которых состветствует размеру выводов приборов. Кронштейны 25 рам 1 ч и 18 выполнены ввиде...

Номер патента: 537770

Опубликовано: 05.12.1976

Авторы: Бабак, Балакин, Близнюк, Нижегородов, Палабугин, Россошинский

МПК: B23K 3/00

Метки: пайки, полупроводниковых, приборов

...корпуса. 5Полюса магнитопровода установленытаким образом, чтобы проекция крышки,совмещенной с основанием корпуса интегральной схемы, или ферромагнитного элемента, зафиксированного на неферромагнитной крышке, на плоскость полюсов быларасположена симметрично между полюсами,а короткие стороны крышки или элементаобращены к полюсам, причем ширина полю. -сов равна или больше ширины крышки изферромагнитного материала,или ферромагнитного элемента, а расстояние между полюсами равно или больше длины крышкиили элемента.При изменении величины постоянноготока, проходящего через катушку электромагнита, изменяется магнитный поток вмагнитопроводе, что ведет к изменениюусилия прижима крышки к основанию корпуса интегральной схемы,Периодическое...

Номер патента: 538671

Опубликовано: 05.12.1976

Авторы: Хайнц, Ханс

МПК: H04N 7/18

Метки: бестигельной, зонной, наблюдения, плавки, полупроводниковых, процесса, стержней, телевизионное

...изображении на экране видеоконтрольного устройства 4,ответствии с изменением изображения срегулируемым постоянным напряжением,которое подается с элемента установкипорога компарации 15, причем сравнениепроисходит в компараторе 12 блока 6 генерации измерительных меток. Если пилообразное напряжение достигает величинырегулируемого постоянного напряжения,переключается выход компаратора 12. Поскольку генератор 8 синхронизирован симпульсами телевизионной установки, которые изменяют изображение, то и изменение состояния выхода компаратора 12оказывается синхронным с изменениемизображения. Таким образом, имеется собственно смещение во времени, которое соответствует отрегулированному постоянному напряжению, Временное смещение определяет...

Номер патента: 538915

Опубликовано: 15.12.1976

Автор: Васильев

МПК: B41N 1/40

Метки: маркировки, механизм, полупроводниковых, устройству, фиксации

...внаправляющих 6, и имеющую сквозной вырез, в центре верхней стенки, образующий две опоры 7 для удержания нижней части корпуса изделия. Расстояние между опорами больше 20 меньшего диаметра и меньше большего диаметра маркируемого изделия, На верхней стенке рамы шарнирно закреплены захваты 8, выполненные в виде двух подпружиненных упругих зубчатых пластин, образующих вместе 25 с опорами ячейку для изделия в виде ступенчатого паза, сходящего на конус. Шарнирное закрепление пластин осуществлено за счет посадки их на осях 9 в сквозных пазах опор 7.Между пластинами и опорами расположены 30 пружины 10, отжимающие пластины от опор, 538916Поворот захватов на осях 9 осуществляется при возвратно-поступательном перемещении каретки и...

Номер патента: 539306

Опубликовано: 15.12.1976

Авторы: Акимов, Гринберг, Разгуляев

МПК: G08B 1/08, G08B 23/00

Метки: выпрямительных, неисправностей, полупроводниковых, сигнализации, узлов

...светодиодов, причем каждая пара подключена параллельно своему контролируемому вентпльному элупроводнпкового выпрямительноНа чертеже изображена схема пго устройства.5 Устройство состоит из и пар (по числу контролируемых вентилей 1 выпрямительного узла 2, включенного на выходе генератора 3) вентиль ных светодиодов 4, включенных встречно-параллельно, причем каждая из пар 10 подключена параллельно своему контролируемому вентильному элементу. Для согласованного включения светодиодов последовательно с каждым из них включен резистор 5.Устройство работает следующим образом.15 При работе генератора и нормальной работевыпрямителя согласно включенные с вентцлямп выпрямителя светодиоды попадают под дсиствие в проводящем направлении прямого...

Номер патента: 460826

Опубликовано: 05.01.1977

Авторы: Андреев, Жиляев, Ларионов, Никитин

МПК: H01L 21/36

Метки: жидкостной, методом, многослойных, полупроводниковых, структур, эпитаксии

...приведения подложки в контакт с расплавамНедостатком этих устройств является то, что при перемещении подложки может происходить либо перетаскивание одного рас плава в другой и их перемешивание, либо частичное сдергивание расплава и механическое повреждение вырашенного слоя стенками контейнера, что ухудшает условия смачивания для следующего расплава и приводит к возникновению дефектов в многослойных полупроводниковых структурах,С целью уменьшения дефектов изготовляемых структур предлагаемое устройство снабжено дополнительной соединенной с контейнером камерой с поршнем, в которую помещены держатели подложек, образующие ка нал, соединяющий камеру с резервуаром для отработанных расплавов. крывается соединительный каналЗаказ 893/79 Тираж...

Номер патента: 463394

Опубликовано: 05.01.1977

Авторы: Андреев, Егоров, Ермакова, Ларионов, Шелованова

МПК: H01L 21/20

Метки: полупроводниковых, структур

...заключается в в ращивании поверх последнеи последующем химическодополнительного слоя материала, скорость травления которого бопее,чем на порядок превосходит скорость трввпения материапа последнего рабочего слоя.Дпя выращивания в конце крции последнего рабочего сЛоя врасплав, из которого производится ее о кристаллизация, вводится веществ е463394 Составитель Н, ОстровскаяРедактор Т, Орловская Техред О, Луговая Корректор В. Куприянов Заказ 893/79 Тираж 976 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская набд. 4 Юфилиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 чивакцее кристаллизацию дополнительного слоя, После окончания эпитаксии этот слой...

Номер патента: 542487

Опубликовано: 05.01.1977

Авторы: Адольф, Карл-Фридрих, Оскар, Франц, Херберт, Штефан

МПК: H02P 13/16

Метки: вентилей, высоковольтных, группами, полупроводниковых, раздельного

...лежащей в полосе от 10 МГц до 50 ГГц, антенна которого снабжена отражателем и направлена на приемники несущей частоты, которые также снабжены ан теннами, направленными на антенну передатчика.На чертеже представлена принципиальная схема предлагаемого устройства.Устройство содержит высокочастотный передатчик 1, антенна 2 которого снабжена отражателем 3, приемники несутцей частоты 4, снабженные демодуляторами, настроенными на соответствующие дляФЗкаждой группы вентилей 5 модулируюшие частоты, и устройствами запуска вентилей, причем приемники снабжены антеннами 6, направленными на антенну передатчика.Устройство работает следующим образом. Передатчик 1 передает частотно-модулированные сигналы, соответствующие управляющим импульсам для...

Номер патента: 251096

Опубликовано: 05.01.1977

Авторы: Алферов, Андреев, Корольков, Носов, Портной, Третьяков

МПК: H01H 21/203

Метки: диодов, основе, полупроводниковых, соединений

...алюмивысокой чистоты позволяет получить концентрацию примесей в выращенных твердых растворах порядка 10Я 1Твердые растворы Яха Яз с ой низкой концентрацией примесей можно получить только п-типа, Использование в качестве подложки 4 оЯВ р-типа позволяет создать р-п-переход и высокочистый слой в области объемного заряда диода в течение одного технологического цикла.Критическая напряженность поля в твердых растворах с шириной запрещенной зоны,25 1096 Составитель М, ЛепешкинаРедактор В. Данилова ТехредА. Демьянова Корректор С. Болдижар Заказ 818/78 Тираж 1002 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 113035; Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5филиал ППП фПатент", г. Ужгород, ул,...

Номер патента: 543042

Опубликовано: 15.01.1977

Автор: Васильев

МПК: H01L 21/68

Метки: групповой, кассета, ножек, полупроводниковых, приборов, собранных

...прикрепленный с зазором к пластине, меяду которыми зажимаются ножки полупроводниковых приборов,Недостатком этого устройства является низкая надеяность крепления ножек полупроводниковых приборов,С целью повышения надежности крепления ножек полупроводниковых приборов в кассете на цилиндрический стержень, прикрепленный с зазором к пластине, навита пружина, служащая для поджатия ножек к пластине.На фиг, 1 и 2 показана предлагаемая кассета для групповой обработки собранных ножек полупроводниковых приборов.Кассета состоит из пластины 1 с Л-образным хвостовцком 2 для крепления в техноло гическом оборудованцц, цилиндрического стержня 3, прикрепленного с зазором к пластине, и пружины 4, навцтой ца цилиндрический стержень 3. Выводы ножек 5...

Номер патента: 543625

Опубликовано: 25.01.1977

Авторы: Афанасьев, Коптев, Любимов, Марин, Хохлов, Шевченко

МПК: C03C 3/10

Метки: защиты, полупроводниковых, приборов, стекло

...к п ольно Из приведен видно, что темпер кол более низкая его наКонце нтр мос тура оплавлени чем у известно состояниях МДЛ-тр 1,21.Эти стеклавлагостойко стью,ванием с коэффиполупроводниковсоставах отсутствно низкую темп400 С) и нарядуРующими свойствпров одников ых пНаиболее б ситсг к составам легкоплав мых в микроэлектронике длг ты полупроводнтковых присхем.нике известны легкоплавкие 810 г, Вг Оз длг герметизатпти полупроводниковых приборов аны конкретные составы стекол,0 мула и зо бре те ни 10 оО 1 - 4 ПО 2 - 4 Стекло для за оров включающее ЕпО, отличающ ния температуры о табилизирующих св нгредиенты в следу щиты полупроводни РЬО Я 10 г, ВгО е с я тем, что, с ковыхТОг при- СОО, иже- еклу внимание целью сн плавленияойств, о...

Номер патента: 543886

Опубликовано: 25.01.1977

Авторы: Добровольскис, Кроткус, Репшас

МПК: G01R 27/00

Метки: вольтамперных, исследования, полупроводниковых, характеристик

...измерения содержат пог-1 б решности 3.Наиболее близким техническим решением к изобретениео является устройство для исследования вольт-амперных характеристик полупроводниковых материаловсодержащее 111 последовательно соединенные генератор, ргу-". ное реле и коаксиальную измерительную линию, резистивный зонд, стробоскопический осциллограф и двухкоординатный самописец С 23. ЦИ 1 более с"ьих,"1 Ве 1 в 1;1 м еда татком тае ко 1-О устройства 111;11 Отс я низ 1 ая 1 розводи. ТЕЛЬИОСТЬ ИЗ 1 Д:.РЕ;,1 И 1.1 АЕЛЬ ИЗООН:.ТРИЛ " ПО 11.ИС 11 ИО 1 И 1 ОИЗВО П 1.Р;,ЬНР( ТИ;: с;, -,-т 1Для лост 1.же 1 и 1 Остаы 1 е 1111 ой 11 О 11 и В уст ОЙСТВО Д 11 Я ИСС:. :Она 111 ВОЛЬТ - а,11 Е 1111 к"1 (те 11 гк И 1 " ,рво:ичзьх11 е 1.иалОВ содержащее...

Номер патента: 544019

Опубликовано: 25.01.1977

Авторы: Канчуковский, Мороз, Преснов, Шенкевич

МПК: H01L 21/306

Метки: полупроводниковых, травитель

...го на поверхностьбО наносят слой позитивного фоторезистора на основе нафтохинондиазида методом центрофугирования. Далее образцы подвергают сушке при комнатной температуре в течение 20 мин в сушильномошкафу при 85 С в течение 15 мин. Р эпэнироввние осуществляют при эсвешс .ности 6000 лк в течение 1,5 мин. Проявление проводят в 0,125% ном растворе МстОНв течение 30-40 сек. Процесс задубливания фоторезиста осуществляют при 70 С в течение 30 мин. с постепенным повышением температуры доо170 С и выдерживают при этой температуре в течение 35 мин, Вскрытие окон в 50 проводят в трввителе следующего состава;544019 Составитель Е. БычковаРедактор Т, Иванова ТехРед Н. АндРейчУк КоРРектоР Ж. КеслеР Заказ 836/67 Тираж 976 Подписное БНИИПИ...

Номер патента: 544997

Опубликовано: 30.01.1977

Авторы: Гринберг, Левитас, Марчук, Таранов, Шуляковский

МПК: G11B 5/46

Метки: компенсации, магнитных, погрешности, полей, полупроводниковых, сопротивлений, температурной, управляемых

...возрастет стоимость целом, так как сам процесс наиторезистора сложен.544997 лучая при этом какого-либо преобразонапи. илп усиления. В результате на ,ходе блока вычитания присутствует напряжение сигнала, в котором пе имеется постоянной составляощей.В розу,ьта 1 с реализации описанных процессов оказывается возможным почти полностью избавиться от погрешности, вызванной наличием гостоянной составляющей, и упростить используемую схему, так как отпадает необходимость в многоэлектронном датчике, как это имеет место в прототипе, а, следовательно, и в ряде блоков, связанных с сто разными электродами. Способ компенсации температурной погрешности полупроводниковых сопротивлений, управляемых магнитным полем, основанный на преобразовании...

Номер патента: 545017

Опубликовано: 30.01.1977

Авторы: Пинчук, Рюмшин

МПК: H01L 21/302

Метки: полупроводниковых, состав, структур, шлифования

...к технологии изготовления полупроводниковых приборов, преимущественно при получении контактных покрытий на многослойных полупроводниковых структурах со сложным рельефом.Известен травитель для обработки поверхности полупроводниковой структуры перед операцией нанесения контактов, содержащий насыщенный раствор бихромата калия в плавиковой кислоте и травитель, содержащий натриевую и калиевую щелочь.К недостаткам известного травителя относится следующее.Раствор бихромата калия в плавиковой кислоте воздействует на поверхность кремния и на разделительные окисные слои, он также полирует поверхность полупроводника, ограничивая предельную толщину осаждаемого покрытия,Обработка в смеси натриевой и калиевой щелочей (тактике как и предыдущий...

Номер патента: 545019

Опубликовано: 30.01.1977

Авторы: Пуховский, Староверов

МПК: H01L 21/68

Метки: контактное, подключения, полупроводниковых, приборов

...двух сторон на часть упругих пластин, и контактных площадок 14, закрепленных на слое диэлектрика. Контактные площадки имеют форму удлиненного прямоугольника, вытянутого вдоль траектории движения выводов, и выступают над слоем диэлектрика. Контактные пластины 8, 9, 10 крепятся к ножам 5, 6 и направляющей 3 сзади по ходу движения транспортирующего ротора 1, упругие пластины 11, 12, 13, изготовленные, например, из бериллиевой бронзы, помимо функций каркаса и пружинной подвески выполняют также функцию экранов, в значительной степени уменьша 1 ощих паразитную емкость контактного механизма. 11 ривод контактного механизма состоит из кулачка 15, рычага 16 с роликом 17, пружины 18, прижима 19, соединенного с рычагом 16 пружиной 20,...

Номер патента: 546044

Опубликовано: 05.02.1977

Авторы: Воробьевский, Гавриков, Осенков

МПК: H01L 21/68

Метки: кассета, полупроводниковых, приборов

...этой перемычки.На фиг. 1 показана предложенная кассета, поперечный разрез; на фиг. 2 - общий вид кассеты, загруженной приборами. Кассета содержит корпус 1, ориентирующиеребра 2, 3, соединенные перемычкой 4, направляющие пазы со стенками 5, 6, расположенные по обе стороны от перемычки 4 и перекрыва ющие друг друга. Выгрузку приборов 7 осуществляют при вертикальном расположении корпуса, загрузку - как в вертикальном, так и в горизонтальном положении. После выгрузки или загрузки одного ряда приборов кассе- О ту поворачивают на 180 вокруг своей оси иосуществляют выгрузку или загрузку ориентированных приборов смежного ряда. Кассета предложенной конструкции может быть выполнена двухрядной, четырехрядной и т. д.5 Использование кассеты в...

Номер патента: 546045

Опубликовано: 05.02.1977

Авторы: Зайцев, Зенкович, Иванушко, Огер

МПК: H01L 21/68

Метки: кассета, кристаллов, полупроводниковых

...кассета обеспечивает очисттку кристаллов, но ненадежна в работе, так как затрудняет операции ориентированной укладки, выборки и визуального осмотра кристаллов. Это объясняется тем, что при смыкании основной и накладной рамок и в лроцессе укладки и выборки кристаллов происходит;изменение;координат расположения ячеек относительно установочных баз вследНа фиг. 1 и 2 изображена предлагаемая кассета в двух проекциях; на фиг. 3 - узел 1 на фиг. 1; на фиг, 4 - разрез по А - А на фиг. 1.Кассета содержит основание 1, на рабочей поверхности которого, имеются ячейкиуглубления 2 для кристаллов, и крышку 3,представляющую собой,рамочку 4 с натянутыми проволоками б. Дно ячеек углубленийимеет,крестообразно расположенные угловыевыступы б, которые...

Номер патента: 546961

Опубликовано: 15.02.1977

Автор: Никулин

МПК: H01L 21/66

Метки: выводов, полупроводниковых, приборов, присоединения

...головки 1 осуществляется рычагом 3 от привода сварочной головки (на чертеже не показан). Механизм 7 подачи и обрыва проволоки соединен осью 8 с зажимными губками 9 и 10, между которыми находится электромагнит 11.На подвижной плите 5 установлен шток 12, соединенный посредством кронштейна 13 с осью 8, а посредством подвижного соединения 14 и штока 15 - с держателем 16 электромагнитов 17 и 18, Электромагнит 17 периодически жестко соединяется с пластиной 19, подпружиненной к неподвижной плите 20. Электромагнит 18 периодически жестко соединяется с подвижной плитой 5. На закимной губке 10 установлен подающий капилляр 21, в который подается проволока 22 барабана 23 при.оединения к траверсам 24 и 25 и контактным глощадкам кристалла 26,...

Номер патента: 548911

Опубликовано: 28.02.1977

Авторы: Игнатов, Сосновских

МПК: H01L 21/66

Метки: классификатор, полупроводниковых, приборов

...с соплами пневмосистемы и расположенных через 180, В основании диска закрепленынаправляющие, по которым перемещаютсяползуны, несущие подпружиненные контакты(не показаны), соединенные с измерительнымустройством проводами, собранными в жгут10, уложенный в винтовую канавку втулки 11,находящейся на одном валу с диском узлаподключения. На валу 12 закреплены флажкидатчиков 13 и шестерня (не показана), получающая качательное движение от распределительного вала.Узел раскладки охватывает цилиндрическуюповерхность диска узла подключения разъемным приемником 14, соединенным с наклоннымжелобом 15, являющимся транспортирующимэлементом узла раскладки, Наклонный желобимеет в нижней части наклонные отверстия 16,сообщающиеся с пневмосистемой и...

Номер патента: 553699

Опубликовано: 05.04.1977

Авторы: Козлов, Петрова, Сорокин

МПК: H01L 21/316

Метки: анодного, индийсодержащих, окисления, полупроводниковых, соединений, электролит

...не лектролита каждая из ой кислоты концентра. 17,6 44 25,2 52 290 35 до 10 до 10 до 10 А 70 10,2 2200 19,8 2800 30,0 3000 о 100 о 100 до 1000 70 60 3смеси, Каждую смесь готовят отдельно при 20 Снепосредственно перед проведением анодированияиз препаратов марки "чда",При концентрац. ях ортофосфорноме ньших 1,0 об. %, процесс анхарактеризуется невысокой скоросотсутствии ее полупроводники вокисляются.П р и м е р 2. Для полученияготовят три смеси компонентов,которых содержит 4 об, % ортофосфорЙ= 1,69 г/смэ) и отличается от други При увеличении концентрации изопропилового спирта выше 70 об, % резко возрастает сопротивление раствора, в результате чего образуется неравномерный по толщине окснд.При уменьшении концентрации резко снижается...

Номер патента: 555463

Опубликовано: 25.04.1977

Авторы: Лященок, Плехоткина, Стрекопытова, Федоров

МПК: H01L 21/66

Метки: коэффициентов, полупроводниковых, термоэдс, термоэлектрических, халькогенидных

...внутри З 0которого асимметрично располагается измерительная ячейха, создает осевой градиенттемпературы и стабилизирует температурноеполе. Экраны 1 1 устраняют конвекционныепотоки газа, стабилизируя температурное 85поле.Последовательность работы с устройствомследующая,Размельченное исследуемое вешество загружается в измерительную ячейку через от 40верстие, которое закрывается графитовой пробкой 9. Затем ячейку помешают внутрь разъемного блока 10, Камеру 12 вакуумируют и заполняют очищенным от кислорода инертным газом.Исследуемое вещество расплавляют при помо 45ши нагревательной печи 13. Осевой градиенттемпературы устанавливается перемещениемпечи вдоль вакуумного колпака, а рабочаятемпература - выбором необходимой м ощности печи. После...

Номер патента: 558329

Опубликовано: 15.05.1977

Авторы: Новолаев, Фрумкин

МПК: H01L 21/68

Метки: ориентации, полупроводниковых, приборов

...через пасспк 11.25 Устройство работает следующим образом.Полулроводниковый прибор 1, движущийсяпо пазу вибролотка 2, попадает в зону действия вращающегося диска 3. Если эксцентрнсптет между диаметральной осью прибора и ЗО линией расположения его выводов направленв сторону диска 3, то между диском и ориенгнруемым прибором происходит фрикционное зацепление. Прибор, отжимаясь от эластичного резинового кольца 4 диска 3, скользит своими выводами по торцу пластины 5 до момента, когда первый по ходу движения вывод прибора 1 попадает в угловой вырез 6.Рычаг 7, соединенный с пружиной 8 отжимается. Упор 9 служит для фиксации рычага 7 в исходном положении. Прибор 1 начинает поворачиваться вокруг своего вывода, попавшего в угловой вырез, до тех...

Номер патента: 561234

Опубликовано: 05.06.1977

Авторы: Галунов, Морозов, Староверов

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: автомат, полупроводниковых, приборов, разбраковки

...приборов на 180, закреплена непод. вижно таким обраэом, что пазы диска 7 являются продолжением пазов лотка. Часть 23 лотка мож.т перемещаться с помощью электромагнита 25 и ры чага 26 в вертикальной плоскости между упора. ми 27, 28, выполненными на кронштейне 29,Устройство выгрузки промаркированных при боров выцолне о и виде трубки-сопла ЗО, нз кото. рую посажена втулка 31, поджимаемая пружиной 32 с нижней поверхности транспортирующего ротора 3, Во время остановки ротора на позиции, выгрузки его гнезда сообщаются посредством сверлений, имеющихся в роторе, с соплом ЗО, к которому подведен сжатый воздух.Для предотвращения выгрузки (на данной познща); из ротора непромаркирозаиных приборов имеется заслонка 33 с приводом от электромагнита,...