Патенты с меткой «полупроводниковых»

Номер патента: 1248971

Опубликовано: 07.08.1986

Авторы: Авраменко, Мазо, Халилев

МПК: C03C 3/145

Метки: арсенида, галлия, защиты, основе, полупроводниковых, приборов, стекло

...СЙО,.Н ЯОэ, А 1 Г , РЬР и ВГ , Варку стекол проводят в корундовых тиглях нри 1000 о1050 С в течение 20-25 мин, Готовое стекло вырабатывают на металлическую плиту, затем его растирают и из полученного порошка приготавливают суспензию на тетраэтоксисилане, которую заливают в Ч-образные канавки на мезаструктурах арсенида галлия. Затем проводят оплавление в течение 20 - 30 мин при 580-570 С и инерциальное охлаждение. После оплавления стекло ровным тонким слоем покрывает поверхность 7-образных канавок.Оптимапьное количество вводимого в состав стекла фторида висмута нахо 8971 2дится в пределах 14,5-5,0 мас.Е, таккак при введении МГ в количестве,меньшем 5,0 мас.7 не наблюдается хорошего растекания стекла по поверхности СаАз, а введение В 1...

Номер патента: 1255969

Опубликовано: 07.09.1986

Авторы: Бельский, Дмитриев, Забиров, Кричун

МПК: G01R 31/26

Метки: времени, переход-корпус, полупроводниковых, постоянной, приборов, тепловой

...тепла, поэтому амплитуда напряжения на нем, пропорциональная току,50 протекающему через него, будет оставаться неизменной при протекании греющего тока, а амплитуда напряженияна испытуемом приборе будет меняться пропорционально изменению его со 55 5 О 5 20 25 30 торого соединен с входом дешифратора 13, выход которого соединен с входом индикатора 14,Генератор управляющих импульсовсодержит генератор 20 напряжения треугольной формы, первый 21 и второй22 компараторы, делитель 23 частоты,ключ 24, инвертор 25, первый 26 ивторой 27 источники опорного напряжения.При этом выход генератора 20 напряжения треугольной формы соединенс первыми входами первого 21 и второго 22 компараторов, выход первого 2компаратора соединен с входом делителя...

Номер патента: 1256249

Опубликовано: 07.09.1986

Авторы: Пименов, Царев

МПК: H05K 7/12

Метки: контактное, полупроводниковых, приборов

...часть пазов может иметь фаски или скругления. Внутренний диаметр втулки 14 несколько больше диаметра окружности, описанной вокруг выводов 13, а наружный диаметр втулки 14 меньше диаметра условного прохода нижней части держателя 10.На фиг. 1 и 3 показаны соответственно общий вид контактного устройства в начале рабочего хода и аксонометрическая проекция части контактного устройства согласно фиг. 1, иллюстрирующая взаимодействие втулки 14 и замыкателя 11 выводов в начале рабочего хода.При этом полупроводниковый прибор 9 в держателе 10, снабженном замыкателем 11 выводов, устанавливается в чашеобразный ловитель 8 контактного . устройства в одном фиксированном положении относительно ловителя благодаря имеющимся на держателе , и контактном...

Номер патента: 1257730

Опубликовано: 15.09.1986

Авторы: Немировский, Николаев, Новицкий, Соломатин

МПК: H01L 21/306

Метки: жидкостной, пластин, полупроводниковых

...при химической и электрохимической обработкеполупроводниковых или иных пластин,например для травления, анодногоокисления, получения слоев пористого кремния и т.д,Цель изобретения - повышение ка 0чества полупроводниковых пластин путем защиты необрабатываемой стороныот попадания обрабатывающей жидкости.На фиг,1 схематически изображеноустройство, разрез, на фиг.2 - тожев рабочем положении.15Устройство содержит держатель полупроводниковой пластины в виде стакана 1, на дне которого имеется опорный выступ 2, уплотнительный элементвыполняемый в виде эластичной герметичной камеры 3, размещенной на стенках стакана 1, полость которой снабжена патрубком ч для напуска сжатогогаза, трубку 5 и электрический кон 25такгный элемент б с проводником...

Номер патента: 1259104

Опубликовано: 23.09.1986

Авторы: Борщев, Осипов, Спалек, Тихомиров, Харенко

МПК: G01B 7/16

Метки: группового, полупроводниковых, тензоэлементов, чувствительных

...присоединяют вывод-ные проводники, нагружают подложку в зоне расположения. этого тензоэлемента постоянной механической нагрузкой и измеряют в паузах процесса травления выходной параметр контрольного тензоэлемента,Кроме того, предварительно в подложке травят углубление для размещения контрольного тензоэлемента, аподложку нагружают сосредоточеннойсилой,Контрольный тензоэлемент формируют в виде интегрального тензомоста.1На чертеже представлена подложкав случае травления углубления дляразмещения контрольного тензоэлемеита, поперечное сечение.Подложка 1 из исходного полупроводникового материала содержит группу 2 тензоэлементов, локальную мембрану 3, контрольный тензоэлемент 4 и подставку 5.,Способ осуществляют следующим...

Номер патента: 1260122

Опубликовано: 30.09.1986

Автор: Вишневский

МПК: B23K 1/00

Метки: монтажа, полупроводниковых, приборов

....изображена схема монтажаприбора.Способ осуществляют следующим образом.На контактную площадку 1, сформированную на подложке 2, помещают теплопроводящую пластину 3 и закрепляют ее методом сварки косвенно-импульсным нагревом при О = 1,5-2,5 В; Р = 80- 100 Гц;0,2-0,3 с с помощью микроинструмента 4.На закрепленный на контактной площадке конец теплопроводящей пластины наносят припой 5 в виде таблетки или пасты.С помощью вакуумного пинцета 6 устанавливают полупроводниковый кристалл 7 на припой и осуществляют пайку его, при этом нагрев осуществляют микроинструментом, размещенным на свободном конце теплопроводящей пластины на расстоянии 0,5-1 мм от контактной площадки.Для монтажа кристаллов возможно использование широкой гаммы припоев с...

Номер патента: 1260678

Опубликовано: 30.09.1986

Автор: Седов

МПК: G01B 11/30

Метки: пластин, плоскостности, поверхности, полупроводниковых, преимущественно

...лазера 1 посредством расширителя 2 формируется в малорасходящийся световой пучок, поступающий насветоделитель 3, который расщепляет 55 его на два световых пучка: опорный А и измерительный Б: С помощью призм 6 и 7 полного внутреннего отражения световые пучки А и Б направляются на соответствующие фокусирующие объективы 8 и 9, посредством которых эти пучки фокусируются: опорный А - в плоскости эталонного зеркала 10, а измерительный Б - в плоскости предметного столика 4.При вращении четырехгранной призмы 5 осуществляется сканирование поверхности контролируемой пластины 12 и эталонного зеркала 10 посредством измерительного и опорного пучков соответственно. При этом четырехгранная призма 5 отклоняет (смещает) эти пучки от...

Номер патента: 1260883

Опубликовано: 30.09.1986

Автор: Резников

МПК: G01R 31/26

Метки: полупроводниковых, приборов

...напряжение 11 р сравнения из условияр ьэ нюн) 1где- заданная температура перехода;(крутизна изменения температурочувствительного параметра - прямого падения напряжения 11 э).На выходе формирователя 1 операторустанавливает такое же начальноенапряжение Бз. При подаче сигнала"Пуск" (фиг.2 а) на выходе триггера15 появляется сигнал, изображенныйна фиг,2 б, который размыкает ключ вформирователе 1 эталонного сигналаи включает мультивибратор 14, Напря 15жение на выходе формирователя 1 начинает изменяться во времени по закону,соответствующему требуемой скоростиизменения температуры во временис 1 Т10например по экспоненте, На выходемультивибратора 4 формируются импульсы сар и с иэм, (фиг2 В)л, лпричемнаг.им . Импульсыл 256 а,периодически...

Номер патента: 1261029

Опубликовано: 30.09.1986

Авторы: Бабенко, Богданов, Васильев, Киселев, Рабецкий

МПК: H01L 23/34

Метки: охлаждения, полупроводниковых, приборов, силовых

...17, а в горизонтальной - перегородкой 18 в виде полукольца.В перегородке 8 испарителя 1 могут быть выполнены отверстия 19 для крепления полупроводниковых приборов 20. Устройство заполнено рабочей жидкостью 21. При работе полупроводникового прибора тепло по перегородке 8 испарителя 1 передается к поверхности каналов 11, где кипит рабочая жидкость 21. Для интенсификации процесса кипения поверхность каналов 11 покрывается капиллярно-пористым покрытием 12. Образовавшиеся при кипении в каналах 11 пары рабочей жидкости по полости 9 и через патрубок 13 перемещаются по внутренней трубе 15 и трубе 4 в зазор 6 конденсатора, где происходит их конденсация. Движение паров жидкости с высокой скоростью в направлении резервуара 7обеспечивает...

Номер патента: 1222142

Опубликовано: 15.10.1986

Авторы: Градусов, Колядинцев, Попов, Руденко

МПК: H01L 21/52, H01L 21/68

Метки: полупроводниковых, приборов, сборки

...установлены электромагниты 10 и 11, подключенные к выходу блока 5 управления. На входном и выходном валах редуктора 7 жестко закреплены флажки 12 и 13, перекрывакщие в крайних положениях рычага 9 фотодатчики 14 и 15, подключенные к входу блока 5 управления. На свободном конце рычага 9 жестко закреплен вакуумный за:.ват 16 для снятия и переноса кристаллов 2. В верхнем положении рычаг 9 удерживается пружиной 17. Устройство работает следукзцим образом.Пластина с кристаллами 2 полупроводниковых приборов подается на позицию снятия кристаллов и ориентируется механизмом 1 подачи кристаллов. С блока 5 управления при этои подается импульс на электромагнит 11, под действием которого рычаг 9 опускается и вакууиный захват 16 захватывает один...

Номер патента: 1265661

Опубликовано: 23.10.1986

Авторы: Воинов, Кругликов, Ледовской

МПК: G01R 31/26

Метки: надежности, полупроводниковых, приборов

...единицы до тех пор, пока количество периодов синусоидального напряжения, вырабатываемого ге нератором 4, не достигнет порогового значения Ио, В течение этого времени регистратор 12 подсчитывает им пульсы высокочастотного генератора11. Когда число периодов синусоидального напряжения достигнет пороговогозначения И , на выходе третьего порогового элемента 7 вырабатываетсянапряжение логического нуля и счетимпульсов прекращается. Количествоимпульсов И;, измеренное регистратором 12, преобразуется в величинуразности фаз в соответствии с выражением 2 Г И,и проводить на частоте, лежащей в пределах диапазона(2) 1/1) (,Г1/4 ( где ь - время жизни неосновных носителей заряда.Зависимость разности фаэ между переменными составляющими тока,...

Номер патента: 1265662

Опубликовано: 23.10.1986

Авторы: Габов, Муртазин

МПК: G01R 31/26

Метки: диодов, параметров, полупроводниковых, электрических

...напряжение Б = Бхвп(я С + Ь), амплитуда которогопропорциональна величине г контроли 40руемого диода 18, а Фаза запаздываетотносительно фазы напряжения Б навеличину ь , через фильтр 3 поступает на первый вход блока 9 и на второй вход блока 11. 45Запаздывание фазы на Ьд вызванонеидентичностью параметров цепей прохождения сигналов У и У.Действительно, сигнал Б на первый вход блока 11 подается непосредственно с выхода генератора 13, асигнал У Формируется переменнымтоком 1 ., протекающим с выхода сумматора 14 через ЦАП 6, стабилизатор17 коммутатор 1, блок 2 через контролируемый диод 18 и поступает навторой вход блока 11 через Фильтр 3.Каждый из этих блоков, а также конт 62 4ролируемый диод 18 вносят соответствующую задержку фазы...

Номер патента: 1265894

Опубликовано: 23.10.1986

Авторы: Белотелов, Патрацкий, Петров

МПК: H01L 21/18, H01L 31/02

Метки: полупроводниковых, приборов

...относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем, в частности к технологии изготовления фотоприемников и сверхбыстродействующих схем на подложках из антимонида индия.Цель изобретения - получение диэлектрических слоев на поверхности антимонида индия с отрицательным встроенным зарядом.На границе раздела структуры %0 - 1 пЬЬ образуется отрицательный заряд, препятствующий возникновению инверсного слоя на поверхности антимонида индия. В результате этого устраняются паразитные токи утечки, неуправляемые электрическим полем, и тем самым обеспечивает расширение диапазона выходных токов в фотодиодах и МДП-транзисторах, содержащих структуру Н 10 - 1 пЯЬ.Подложку антимонида индия р-типа проводимости марки...

Номер патента: 421304

Опубликовано: 07.11.1986

Авторы: Анохин, Качурина, Немировский, Сопов

МПК: H01L 21/283

Метки: полупроводниковых, приборов

...металлические покрытия (например, для маскирования придиффузии или ионной бомбардировке) иметаллические электроды из различных материалов, в том числе из молибдена и вольфрама.Тонкие слои этих материалов обладают хорошими маскирующими свойствами, но имеют плохую воспроизводимостьадгезии и недостаточную скорость травления, что ухудшает шумовые характеристики полупроводниковых приборов.В связи с этим в полевых МОП-транзисторах слои этих металлов используются только при изготовлении приборовдля вычислительной техники, где уровень шумов не имеет решающего значения, и практически не используютсядля изготовления малошумящих высоко-,частотных транзисторов,Целью изобретения является улучшение воспроизводимости свойств границы раздела металла с...

Номер патента: 1269930

Опубликовано: 15.11.1986

Авторы: Павлынив, Полухин, Романовский, Сердюк

МПК: B23K 1/12, H01L 21/02

Метки: полупроводниковых, приборов

...кристалл подвергают травлению, производят контроль параметров прибора., нанесение защитного покрытия и герметизацию прибора.25Проведение травления после пайки, а также введение промежуточной термообработки позволяют снизить остаточные механические напряжения в спаях и полупроводниковом кристалле, что повышает качество приборов и стабильность их характеристик.Пример. Г 1 олупроводниковый кремниевый кристалл с тиристорной структурой в нем паяют с основанием корпуса и выводами (арматура тиристора) в водородной конвейерной печи одновременно - за один температурно-временной цикл, Все паяные швы выполняют припоем одного и того же состава (марки ПОС 2, температура полного расплавления которого близка к 320 С.Пайку ведут при 400+- 10...

Номер патента: 1270554

Опубликовано: 15.11.1986

Авторы: Вилянов, Волков, Герасимов, Ларионов, Лысов, Николаева, Петухов, Шац

МПК: G01B 11/02

Метки: пластин, полупроводниковых, фотошаблонов

...объекта. Привод 10 обеспечиваетперемещение дефлектора 6, двигатели111 и 12 - кронштейна 4. Окуляр 13 иобъектив 14 предназначены для визирования объекта контроля,Устройство работает следующим образом.Излучение от источника 1 проецируется конденсором 2 на зеркало 7дефлектора 6 и, отражаясь последова- З 5тельно от зеркал 7 - 9, формируетна держателе 3 объекта пятно с распределением интенсивности, олизким кравномерному, отражаясь от объектаконтроля, закрепляемого на держателе3, излучение дифрагирует и на площадке фотоприемника 5 образуется частьдифракционной картины,Перемещением кронштейна 4 подуправлением двигателя 12 осуществляется сканирование дифракционной картины. Далее дефлектор 6 перемещаетсяприводом 10 в новое положение. С...

Номер патента: 1272283

Опубликовано: 23.11.1986

Авторы: Ворвуль, Ковалелис, Матвеев, Росов

МПК: G01R 29/12, G01R 29/24

Метки: движущихся, диэлектрических, заряженных, контраста, периодически, полупроводниковых, слоях, электростатического

...частот, оконечного усилителя 7 и регистрирующего прибора 8.Неподвижные чувствительные элек- ЗО троды 1 располагаются на расстоянии, например, 0,5-2 мм от контролируемой поверхности по направлению перемещения периодического потенциального рельеФа на расстоянии, равном нечет- З 5 ному числу пространственных полупериодов периодического потенциального рельефа.Чувствительные электроды могут иметь любую форму и быть выполнены 40 различным образом, например из Фольгированного стеклотекстолита (фиг.2),Могут быть предусмотрены конструктивные меры, позволяющие плавно либо ступенчато изменять расстояние между 45 чувствительными электродами, Входное сопротивление дифференциального усилителя 4 равно, например, 10-30 МОм,Принцип действия...

Номер патента: 1273224

Опубликовано: 30.11.1986

Авторы: Астафьев, Городенский, Ксенофонтов, Панкратов, Чикин

МПК: B23K 31/02, H01L 21/02

Метки: кремния, основе, полупроводниковых, приборов

...507. серебра - 570 С. Так как тонкая серебряная прослойка предварительно вплавлена в полупроводниковую структуру, в этом месте золотой припой смачивает серебряную поверхность, но не вплавляется глубоко в кремний. За технологическое время пайки полупроводниковой структуры золото и серебро не успевает значительно перемещаться, и в месте вплавления в кремний образуется сплав серебро - золото с преимущественным содержанием серебра, высокой температурой взаимодействия с кремнием и малой глубиной вплавления. Вжигаемый серебряный сплав отделяет поверхность кремния с электронной проводимостью от припоя с акцепторной примесью или поверхность с5 дырочной проводимостью от припоя сдонорной примесью, что позволяетуменьшить прямые падения напряженияи...

Номер патента: 1277326

Опубликовано: 15.12.1986

Авторы: Балтин, Сидоренко, Хатанов

МПК: H02P 1/32

Метки: звезда, ключей, коммутацией, обмоток, обратно, переключений, полупроводниковых, силовой, треугольник, электродвигателя

...то блок программного 50 5 10 15 20 25 30 35 обратном переключении не менее однойтрети полупериода,В случае переключения обмоток двигателя со схемы Звезда на схемусоединения фазных обмолвок "Треугольник" с отстающими углами сдвига фазмежду линейными и фазными напряжениями выдержку времени на включениетретьего ключа выбирают не менее одной шестой длительности полупериоданапряжения питающей сети, а при обратном переключении не менее двухтретьих полупериода.Устройство, реализующее способ,содержит три симистора 1,2 и 3 группы "Треугольник" и три симистора 4,5и 6 группы "Звезда", одни концы которых соединены с одними концами фазныхобмоток электродвигателя 7,8 и 9,другие концы симисторов группы "Звезда"соединены в общую точку, началафазных...

Номер патента: 1284612

Опубликовано: 23.01.1987

Авторы: Гребельская, Зубарев, Суровый

МПК: B08B 3/08

Метки: пластин, полупроводниковых

...воды 250 г/ч, а слив воды осуществляют через сливное отверстие. 15 Подачу азота осуществляют через газовый коллектор под давлением 0,2 - 1,0 кг/смз через поток деионизованной воды. Давление и время по примерам сведены в табл. 1. Пример Давление, Время отмывкг/см ки мин25 Объем использованнойдеионизованной воды, л Удельное сопротивлениедеионизованной воды навыходе процесса, МОм Перманганатная окисляемость деионизованнойводы после отмывки (в пересчете на 02,), мг/л Микрочастицы, шт/млМикроорганизмы, кол/мл Стоимость отмывки 20-типластин, руб23 Пузырьки азота, проходя через деионизованную воду, создают нестабилизированный турбулентный поток. Этот поток позволяет избежать появления застойных и водоворотных зон.Парциальное давление...

Номер патента: 1292072

Опубликовано: 23.02.1987

Авторы: Москвин, Прохорчева, Свирский

МПК: H01L 23/26

Метки: охладитель, полупроводниковых, приборов, силовых

...счастичным вырезом; на фиг.2 - то же,вид сверху.Охладитель включает в себя верхнюю часть 1 основания, которая имеет внутреннюю полость с радиальнымивыступами 2 и штырями 3, нижнюючасть 4 основания с радиальными выступами 5 и штырями 6, В сочленениипо радиальным выступам 2 и 5 обоих.резьбовым хвостовиком 10 и фланцем11. Сборка охладителя осуществляется путем стягивания верхней части 1и нижней части 4 основания с помощьюштуцера 8, причем так, что штыри 3верхней части находятся по впадинахнижней и образовывают шахматный,трехрядный участок штырей с требуемым зазором, а радиальные каналыштуцера находятся соосно с радиальными выступами 2 и 5.5 При присоединении охладителя ксистеме принудительного охлажденияхладагент через штуцер 8 и...

Номер патента: 1293485

Опубликовано: 28.02.1987

Авторы: Бережинский, Лисица, Лысенко, Нечепоренко, Сергеев, Усенко

МПК: G01B 11/24, G01B 9/02

Метки: пластин, плоскостности, полированных, полупроводниковых

...отражением друг друга относительно нормали к эталонной поверхности клина 5, В качестве источника 1 монохроматического могерентного излучения используется лазер. Коплиматор состоит из двух объективов: первый микрообъектив 2 экране 6 визуально наблюдают интер.Ференционную картину сразу от всейконтролируемой поверхности пластины 7, по которой и производится котроль плоскостности пластины 7, 1 ил. фокусирует излучение лазера в точку, которая лежит в фокусе второго коллимирующего объектива 3, Оба обьектива 2 и 3 подобраны так, что их относительные отверстия предельно, близки. Коллимирующий объектив 3 и микрообьектив 2 установлены с возможностью перемещения относительно друг друга вдоль оси светового пучка. Это позволяет точно совместить...

Номер патента: 1295467

Опубликовано: 07.03.1987

Авторы: Ахметова, Герасимова, Ставицкий, Тихонова

МПК: H01L 25/00

Метки: блок, вентилей, полупроводниковых

...3 в Фиксирующий ключевой паз 12, Между радиаторами 2 устанавливаются полугроводниковые вентили 9 дисковой Формы, которые 67 2ориентируются в углублении 11 основания 1 строго по оси сжатия.Основание 1, две торцевые пластины6, четыре. стяжные шпипькис гайкамиобразуют жесткую конструкцию. Необходимое усилие сжатия обеспечиваетсяз,зтяжкой осевого прижимного устройства со сферическим упором,Замена отказавших в эксплуатациивентилей осуществляется непосредственно в силовой преобразовательнойустановке без демонтажа блока ослаблением осевого устройства, Любой извентилей 9 свободно извлекается изблока и замевяется новым, после чеговновь затягивается прижимное устройство 8.Блок также позволяет произвестизамену в аналогичньх условиях и...

Номер патента: 1297133

Опубликовано: 15.03.1987

Авторы: Ермаков, Перов, Поляков

МПК: H01L 21/66

Метки: границе, полупроводниковых, потенциалов, раздела, структурах

...зоны самого узкозонного материала (Са Ая, фиг.1), и с интенсивностью, достаточной для достижения фотоЭДС насыщения, и измеряется временная зависимость фотоЭДС Ч,р (е) (фиг. 2), на которой четко вйдны характерные участки и изломы.При таком освещении наличие трех характерных участков и двух резких изломов между ними (фиг, 2, кривая 1) свидетельствует о спрямлении барьеров с, суй в Са Ая и последовательном достижении насыщения связанных с ними барьерных фотоЭДСВ области первого излома достигает насыщения фотоЭДС от барьера Ч . Поэтому, экстраполируя участок зависимости Чпосле первого излома к моменту начала светового импульса при с=0, находим су =ц Ч =0,22 эВ, где и - заряд электрона. Экстраполяцией участка зависимости Ч (1:)...

Номер патента: 1297160

Опубликовано: 15.03.1987

Авторы: Зборовский, Шелепов

МПК: H02H 7/10

Метки: вентилей, исправности, параллельно, полупроводниковых, преобразователя, силовых, соединенных

...илиопытным путем устанавливают темпера-туру наиболее и наименее нагретогоиэ полупроводниковых приборов при50 минимальной нагрузке. Допустим, чтонаиболее нагретый прибор 7, а наименее нагретый прибор 12. При работепреобразователя со всеми исправнымиприборами с минимальным током на 55 груэки все контакты термодатчиковс уставкой температуры первого уровня будут замкнуты, так как все при-боры имеют температуры выше температуры первого уровня, и, следователь12971 При пуске преобразователя со все ми исправными приборами с холодного состояния, т,е. температуры окружающей среды, при любом токе нагрузки, в частности номинальном, на первом но, все индикаторы зашунтированыконтактами. По крайней мере однапара контактов 30 термодатчика с уставкой...

Номер патента: 1305901

Опубликовано: 23.04.1987

Авторы: Бабайлов, Котляревская, Кубышкин, Курский, Лабковский, Ткаченко, Фейгельман

МПК: H01L 23/34, H05K 7/20

Метки: блок, полупроводниковых, приборов

...охлаждаемого полупроводникового прибора 9.При сборке охлаждаемых силовых полупроводниковых приборов таблеточного типа в столбы плоскопараллельные стенки корпуса испарителя своими установочными площадками 1 и 2 соприкасаются с основаниями этих приборов 9, и в процессе стягивания их, например, стяжными винтами 10 каждая из указанных пар испытывает прижимные усилия. Внутри каждого испарителя происходит самоустановка шаровой опоры в положение, которое она занимает в непосредственной зависимости от степени взаимной непараллельности каждой пары контактирующих поверхнос 1305901тей. Возможность такой самоустановки обеспечивается наличием по меньшей мере одного на испаритель гибкого элемента 5, позволяющего изменять положение установочных...

Номер патента: 1308653

Опубликовано: 07.05.1987

Авторы: Клот, Леман, Липпитц, Пурпс, Хейдборн

МПК: C30B 33/00

Метки: возникающих, отходов, переработки, полупроводниковых, приборов, производстве

...8653 2арсина и фосфина при помощи очистительной системы отработавшего газа,состоящей из установки 13 обратнойпромывки с водой и газоочистителя14, наполненного раствором гипохлорита натрия, и направляется в вентиляционную установку -15.Контроль ядовитых газов в отходящем воздухе производится при помощи10 трубок Дрегсра для арсина и фосфина.После кратковременного пропуска промывочной жидкости клапаны 8 - 11 зак"рывают. Отложения удаляются в прифланцованных частях установки припомощи инструмента, например сверла,с последующим полосканием водой, которая подводится через гибкий шлангпри открытом вентиле 16,После интенсивного продувания азо 20 том очистительная камера открывается, и прифланцованные, очищенныечасти установки после...

Номер патента: 1317339

Опубликовано: 15.06.1987

Авторы: Аносов, Трухан

МПК: G01N 22/00

Метки: полупроводниковых, сопротивления, удельного

...14 видеодетектора б и источника 12 опорногонапряжения, Управляемый источник 10света (светодиод), включенный последовательно между выходом дифференциального усилителя 8 и регистратором11, освещает дополнительный полупровоцниковый образец 5, причем его световой поток пропорционален току дифференциального усилителя 8. Добротность измерительного резонатора 1 определяется при этом проводимостью исследуемого образца, дополнительногополупроводникового образца 5 и неравновесной проводимостью, возникающейпри освещении дополнительного полупровоцникового образца 5 при .освещении его от управляемого источника 10света, Величина добротности задаетсяисточником 12 опорного напряжения засчет, регулирования величины фотопотерь СВЧ-мощности в...

Номер патента: 1324069

Опубликовано: 15.07.1987

Авторы: Бураченко, Некрасов

МПК: G11C 11/40, G11C 16/14

Метки: информации, некристаллических, памяти, полупроводниковых, стирания, элементах

...2. Генератор 3 серии импульсов через ограничитель 4 тока подключен к одному из выводов (А) полупроводникового элемента, второй вывод В которого заземлен.Схема работает следующим образом, 45Импульсные сигналы серии стирания поступают на полупроводниковый элемент 2, который находится в проводящем состоянии.В момент стирания проводящего состояния происходит ограничение амплитуды напряжения на полупроводниковом элементе из условия Б, - Б ., где Ьсоф - уровень срабатывания стабилизатора 1 напряжения. Это исключает возможность повторного включения под воздействием амплитуды напряжения 11 с.ир и пйедохраняет элемент от избыточной тепловой мощности импульсных сигналов. В качестве опытного состава для элемента памяти был использован...

Номер патента: 1325603

Опубликовано: 23.07.1987

Авторы: Альтман, Головнин, Рифтин, Столбов, Церфас

МПК: B23K 1/12, H01L 21/50

Метки: полупроводниковых, приборов

...импульсами,П р и м е р, Способ опробован на участке изготовления диода, кристаллы которого получают методом химического травления пластин с глубокозалегяющим р-п-переходом, Глубина р-и-перехода 90 - 100 мкм при толщине пластины 210 - 230 мкм. йорма боковой поверхности кристалла образована в результате химического разделения пластины (Лиг,1). Р-п-переход получают дивизией алюминия в и-тил с удельным сопротивлением О Омасм. ,Соосцые омические контакты разного диаметра (П = 1,65 мм, Б = 1,85 мм) ця криста 3(ях 13 ы 1 о)5 цт из Золта пчтем электрохимическаго осаждения.Пайку кристаллов к выводу вьполцяют поочередно илулт сямц прямого тока. При первой лайке используют импульс длительностью 0,35 с, а лри второй - 1 с лри одинаковой мощности...