Патенты с меткой «полупроводниковых»

Номер патента: 1467658

Опубликовано: 23.03.1989

Авторы: Астапов, Касьян, Курощепов, Нейман

МПК: H02H 7/10

Метки: вентилей, включенных, встречно, двух, защиты, импульсных, параллельно, перенапряжений, полупроводниковых, управляемых

...9,Устройство обеспечивает также ограничение возникающих в редких случаях перенапряжений с длинными фронтами за счет наличия емкостного делителяПри этом ограничение импульсных перенапряжений с крутыми фронтами происходит на более низком уровне, чем перенапряжений с длинными фронтами. Так как тиристоры в схеме включены встречно параллельно, осуществляется защита тиристоров от повреждений импульсными перенапряжениями любой полярности, потому что для одного из тиристоров приложенное перенапряжение будет прямой полярности и приведет к его отпиранию в прямом направлении, тем самым предотвратив пробой другого тиристора импульсом переналряжения в обратном направлении. Демпфирунщие цепочки из последовательно соединенных резисторов и конденсаторов...

Номер патента: 1469327

Опубликовано: 30.03.1989

Авторы: Альмухаметов, Розенберг, Якшибаев

МПК: G01N 17/00

Метки: давления, действием, интенсивности, керамических, максимальной, поверхностного, полупроводниковых, разрушения, разряда

...первой вая 2) от давления на основе оксида хрСпособ реализует образом,На поверхность испытуемых образцов воздействуют электрическим разрядом при различных давлениях, определяют длительность первой стадии поверхност- ного разряда и частоту следования импульсов второй стадии разряда, произведение этих величин используют вкачестве параметра, характеризующего действие разряда на материал, строят зависимость изменения этого параметра от давления и по этой зависимости определяют давление при максимальной5 интенсивности разрушения.П р и м е р. Требуется определить величину давления максимальной интенсивности разрушения ПКМ на основе ок-, 1 О сида хрома, Испытания проводят на емкостной разряцной установке (фиг.1) Исследуемый образец...

Номер патента: 1471327

Опубликовано: 07.04.1989

Авторы: Котицын, Широков

МПК: H01L 23/34, H05K 7/20

Метки: блок, полупроводниковых, приборов, силовых

...вид.Блок силовых полупроводниковых приборов содержит теплоотвод 1 с прижатыми к нему с двух противополож ных сторон А и Б силовыми полупроводниковыми приборами 2 и 3 и уста-, новленными на них центрирующими механизмами 4 и 5, рессоры 6 и 7, передающие на силовые полупроводниковые 20 приборы. 2 и 3, соответственно, усилие затяжки шпилек Я гайками 9. Центрирующпе механизмы 4 и 5 обеспечивают совпадение осей усилия с осями силовых полупроводниковых приборов 25 2 и 3 и изоляцг ю их от рессор 6 и 7.Предлагаемый блок крепления позволяет создать необходимое для нормальной работы силовых полупроводниковых приборов 2 и 3 определенное 30 усилие, величину которого можно контролировать по прогибу рессор 6 и 7. При работе силовых полупроводниковых...

Номер патента: 1476555

Опубликовано: 30.04.1989

Авторы: Веселов, Дурново, Красильников

МПК: H01L 21/00, H05K 13/02

Метки: кассета, полупроводниковых, преимущественно, приборов, транспортирования

...пазами 4 корпуса 1. Крьппка 2 для удобства работы снабжена ручкой 10. Узел удержания изде 4 лий в кассете выполнен в виде двух упругих пластин 11 и 12, один конец которых закреплен на крьппке, а на втором конце выполнены Г-образные ототгибы (выступы) 13, перпендикуляр. ные к поверхности пластин, расположенные в сквозных пазах 7 и 8 крышки 2 и перекрывающие осевой канал 3 корпуса. Пластина 11 имеет два боковых симметричных. выступа 14,со скосами, перпендикулярных к ее поверхности, проходящих через пазы 9 крьппки и размещенных в полукруглых пазах 4 корпуса. Пластины 11, и 12 закреплены на крышке 2, Кассета , может быть использована в устройстве для монтажа или транспортирования с манипулятором 15 и упором 16.Для заполнения...

Номер патента: 1481871

Опубликовано: 23.05.1989

Авторы: Вертинский, Зенкович, Мазаник, Садовский, Твердов, Шевцов

МПК: H01L 21/60

Метки: автомат, выводов, полупроводниковых, приборов, присоединения, проволочных

...посредством шины подключен к входу В второй схемы сравнения, выход которой: подключен к входу А второго формирователя, а вход А второй схемы сравнения подключен по шине к выходу второго счетчика К, вход второго счетчика подключен к выходу второго ждущего мультивибратора, а вход Т - к выходу элемента И,: второй вход которого подключен к выходу генератора и к входу Т первого счетчика, К-вход которого подключен к выходу первого ждущего мультивибратора, а выход его подключен посред,теля, объединенные вход управления вводом УВ формирователя и вход С де 5 10 15 30 25 30 35 40 45 50 55 ством шины к входу А первого формирователя,7, Автомат по п, 3, о т л и ч аю щ и й с я тем, что устройство управления присоединением выводов содержит...

Номер патента: 1483409

Опубликовано: 30.05.1989

Авторы: Гореленок, Мамутин, Приходько

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: двумерной, диагностики, материалах, полупроводниковых, проводимости

...а затем ортогонально ему (вектор СВЧ-поля направлен перпендикулярно длине щели вдоль плоскости волновода). К образцу прикладывается постоянное электрическое поле. При этом образец 11 переходит в низкоомное состояние, что определяется из вольт-амперной характеристики, затем снимаются токовые зависимости СВЧ-шума в диапазоне токов 0,1 - 0,5 А при двух различных ориентациях образца 11 относительно щели, Анализ зависимостей, снятых для образца твердого раствора 1 по,гдГдаолтАв изорешеточного с 1 п Р, выращенного на полуизолирующей подложке 1 пР(Ге) кристаллографической ориентации (100), показывает, что первая носит монотонно возрастающий характер, вторая - насыщается. Первая зависимость показывает, что шнур либо расширяется в плоскости...

Номер патента: 1488161

Опубликовано: 23.06.1989

Авторы: Вольфович, Свиноренко

МПК: B23K 20/00

Метки: групповой, корпусных, полупроводниковых, приборов, сварки, холодной

...полуколец 39и 40, те, цепь питания реле, блокирующего привод пресса, замкнута,На позиции сварки по роликам 27 и 28вручную или с помощью любого известного механизма, например карусели,робота и т.п, подается до упора 30один из сменных блоков 15 матриц сзагруженными баллонами 35 с кристаллодержателями 36 стабилитронов, Приэтом упор 29 утапливается, После установки блока 15 в корпусе 1 упор 29поднимается, ограничивая его спередии подавая сигнал на включение приводапресса. После чего шток (плита) пресса опускает вниз головку 2 с блоком10 пуансонов. Неподвижные элементы 14(ролики 23 или призмы 24) ловителейблока 10 пуансонов входят в зацепление с соответствующими регулируемымиэлементами 20 ловителей блока 15 матриц. При этом ролики 23...

Номер патента: 1490655

Опубликовано: 30.06.1989

Автор: Турченков

МПК: G01R 31/26

Метки: полупроводниковых, р-п-переходов

...ипоэтому на выходной шине выходноенапряжение близко к нулю.При коротком замыкании междуэлектродами р-и-перехода на инвертирующем входе компаратора 3 имеет место положительное напряжение, равноепадению напряжения на резисторе 14от тока, протекающего от источника 11 напряжения через резистор 16,а на инвертирующем входе компаратора 4 имеет местоотрицательное на"пряжение, равное падению.напряжения на резисторе 15 от тока, протекающего от источника 12 через резистор 17, в связи с чем на выходе компаратора 3 напряжение равно нулю,а на выходе компаратора 4 - " 1",При указанных входньм сигналах на выходе элемента 9 равнозначности напряжение равно нулю, выходное напряжение на выходной шине также равно нулю, что указывает на...

Номер патента: 1492398

Опубликовано: 07.07.1989

Авторы: Бурштейн, Воронцов, Ермоленко, Светличный, Сеченов

МПК: H01L 21/02

Метки: импульсной, полупроводниковых, структур

...размер ячейки, Ь - расстояние от электрода допластины. 1 ил.тывает аналоговый сигнал, пропорциональный температуре пластины, Сигнал усиливается в 10 - 10 раэ в усилизтеле 10, преобразуется и поступает на вход задатчика 4 температуры, в5 котором происходит сравнение текущего и заданного значения температуры. При совпадении укаэанных значений задатчик вырабатывает импульс прекращения 0 облучения пластины и коммутирующее устройство отключает излучатель от источника питания.Например, для проведения операции, стабилизации заряда в подзатворном окисле на кремниевой пластине на электрод подается отрицательный потенциал 150 В.Электрод устанавливают на расстоянии 5 мм от пластины и проводят импульсный нагрев пластины в атмосфере аргонао...

Номер патента: 1492493

Опубликовано: 07.07.1989

Авторы: Зейков, Зусмановский

МПК: H01L 23/34, H05K 7/20

Метки: охлаждения, полупроводниковых, преимущественно, приборов, радиатор

...в ниде по крайней мере одного отверстия цилиндрической формы, ориентированного перпендикулярно геометрической оси соответствующего теплоотводящего ребра 2. Сквозные изогнутые каналы теплоотводящих ребер 2 ориентированы одинаково относительно их геометрических осей, Выходные сечения 5 сквозных каналов расположены со стороны вершин теплоотводящих ребер 2 вих центральных зонах, д их выходныесечения 6 - со стороны основанийтеплоотводящих ребер 2 на их конических поверхностях 7, При этом отверстия цилиндрической формы частей 4сквозных каналов могут быть выполне1492493 6 формула изобретения 2. Радиатор по п.1, о т л и ч а ю 40 ш и й с я тем, что отверстия цилиндрической формы сквозных каналоввыполнены глухими и ориентированыоткрытыми...

Номер патента: 1495876

Опубликовано: 23.07.1989

Автор: Горобец

МПК: H01L 21/98

Метки: полупроводниковых, приборов, сборки

...с созданием пластмассового корпуса, о т л ич а - ю щ и й с я тем, что, с целью экономии плакировочного металла и повышения выхода годных приборов, вырубку герметиэируемых частеи армату"н 20 ры выполняют с шагом, равным шири" не негерметизируемых частей арматуры, после разварки выводов выполняют взаимную фиксацию герметизируемых частей арматуры каждого прибора опрессовкой пластмассой, а перед герметизацией формируют вырубкой не" .герметизируемые части арматуры и отгибают их на ленте вместе с опрессованными герметизируемыми частями арматуры,2. Способ по и. 1, о т л и ч а ющ и й с я тем, что опрессованные части арматуры отгибают через одну перекруткой ленты в плоскости, перпендикулярной ее первоначальной плоскости3, Способ по п. 1, о т л...

Номер патента: 1497593

Опубликовано: 30.07.1989

Авторы: Аношин, Базин, Кабак, Сагинов

МПК: G01R 31/265, H01L 21/66

Метки: бесконтактного, параметров, полупроводниковых, электрофизических

...легированными слоями толщиной0,5 мкм,д расположен в зазоре .равном толщине с структуры б, ",.ежду внешней поверхностью резонатора 1 и металлической пластиной 7 (диском), перекрывающей в плане отверстис 4 связи4 эПри измерении электрофизических параметров (удельного и слоеного сопротивления) двухслойной структуры с субмикронным легированным слоем методом малых возмущений для определе 5 О ния удельного сопротивленияподложки толщиной о и слоеного сопротивле- ния К легированного слоя используются следующие Формульп(1: А 1 (1/, - 1/Р,)-", (1)К,= В 1 (1 Ка/О,), .(2) где А,В,К (2 ( К( 3) - постоянныг для данного резонатора диаметра отверстия связи и материала подложки,измеряемые при калибровке резонатора 1 по эталонным образцам;Я -...

Номер патента: 1497654

Опубликовано: 30.07.1989

Авторы: Адомайтис, Галванаускас, Добровольскис, Кроткус

МПК: H01L 21/66

Метки: диэлектрической, материалах, полупроводниковых, проницаемости, распределения

...мкл 1 звключенныйв разрез верхней полости пинии 3 передачи нд расстоянии Ь = 0,7 мм от ее 25конца, и источник питания Т 1:0-9подключенный к свободному концу этойлцнцц, В качестве цикосекундного лазера 5 был использован ОКГ на основеАИГ: 11 л (Ъ=1,06 мкм) с пассивной З 0синхронизацией мод на красителе3724 и системоц выделения моноимпульса, генерировавшцй импульсы длительностью 27 пс и энергией 200 мкДж, Регистрирующим прибором 2 служил стробоскопцческцй преобразователь напря-,жения ВС 1-280 оптическая линия 4зддержкц представляла собой системузеркал, диаметр зондирующего светоВвого луча состанлял 30 мкм на поверхносги образца,Устройство работает следующим обр дз ол,Световой импульс, г енерируемый иикссекундным лазером 5, делится...

Номер патента: 1497778

Опубликовано: 30.07.1989

Авторы: Селицкий, Черняков

МПК: H01L 21/68, H05K 13/02

Метки: асимметрично, выводами, корпусом, односторонними, ориентации, полупроводниковых, приборов, расположенными, ступенчатым, цилиндрическим

...продольного паза 2,соответствующая диаметру размещаемойв. нем части корпуса полупроводникового прибора с учетом зазора, равного 0,5-1 мм;0 С - угол между продольными осями основного и дополнительного лотков, выбираемый из диапазона 90-130оНаправляющие прорези 8 и 9 выполнены с клинообразными эаходными частями на входе последовательносвязанных основного и дополнительного лотковИеханиэм колебаний обеспечивает направление пульсирующих колебаний основного и дополнительного лотков7778 4 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 соответственно под углами /э ик продольным осям 10 и 1 лотков.У ориентируемого полупроводникового прибора 12 длинный вывод 13введен в проходной паэ 3 лотков, аболее короткий Г-образный вывод 14введен в направляющие прорези...

Номер патента: 1102416

Опубликовано: 07.08.1989

Авторы: Асеев, Герасименко, Калинин, Федина

МПК: H01L 21/263

Метки: интегральных, планарных, полупроводниковых, приборов, схем

...т междоузельные атомы), Эа счет разной подвижности при комнатной температуре междоузельные атомы выходят на повеохность(если на нейнет окисной пленки и других загрязнений), и в объеме образуется избыточная концентрация вакансий, которыевзаимодействуют со стержнеподобнымидефектами и растворяют их,Энергия электронов должна бытьбольше или равна 220 кэВ, так как при меньших энергиях в объеме не будут создаваться радиационные дефекты. Испольэовать электроны с энергией бо"лее 1 мэВ невыгодно, так как сильно возрастают вес и стоимость ускорителя электронов. Интенсивность пучка электронов должна быть больше или равна 51 О"ф смс-, так как при меньших интенсивностях облучения образующиеся точечные дефекты уходят на другие стоки в объеме...

Номер патента: 670049

Опубликовано: 15.08.1989

Авторы: Анзин, Глушков, Еремец, Ицкевич, Косичкин, Надеждинский, Толмачев, Широков

МПК: H01S 5/00, H01S 5/06

Метки: генераторов, изменения, квантовых, полупроводниковых, частоты

...Оптический диапазон от 25 мк до видимого света обеспечивается сменными окнами из сапфира и кремния. В качестве жидкости используются,на - пример, керосино-масляные и пентаномасляные смеси. Рабочий вариант камеры имел длину 150 мм и внешний диаметр 32 мм.Предлагаемое устройство работает следующим образом.В корпус 2 вставляется поршень 3 и через подпятник 4 Фиксируется в начальном положении силовым винтом (гайкой) 5. Рабочий канал 1 заполняется смесью, передающей давление.На оптическом окне 9 монтируется полупроводниковый квантовый генератор 8. Обтюратор 7 укрепляется в корпусе 2. Вращением силового винта (гайки) поршень приводится в положение, соответствующее нужному давлению. Давление может создаваться также и с помощью внешнего...

Номер патента: 1506604

Опубликовано: 07.09.1989

Авторы: Жаров, Явношан

МПК: H01L 23/34, H05K 7/20

Метки: охладитель, полупроводниковых, приборов

...обеспечения ее установки в коррус. Верхняя стенка 3 установлена свозможностью осевого перемещения.На нижней стенке корпуса закреплен 30полупроводниковый прибор, напримертиристор 5. Пружина 4 находится всжатом состоянии. Устройство, показанное иа фиг, 3, содержит цилиндрический корпус 1, заполненный теплоаккумулирующим веществом 2, котороеплотно прюкато перфорированной верхнейстенкой 3 к дну корпуса с помощью пружины 4, закрепленной в пазах гайки 6,имеющей отверстие 7. Гайка ввинчена 40в корпус.Охладитель работает следующим образом.После включения прибора корпус 1и теплоаккумулирующее вещество 2 разо.45греваются до температуры разложениявещества. При дальнейшем нагреве вещество начинает разлагаться с поглощением большого количества...

Номер патента: 1080682

Опубликовано: 15.09.1989

Авторы: Кононов, Махаев, Степанков

МПК: H01L 21/66

Метки: параметрам, подключения, полупроводниковых, преимущественно, приборов, спутниках, установках, электрическим

...колодка 9,соединенная с измерительным блоком, непоказанным на чертеже. Устройстводля подключения полупроводниковыхприборов снабжено механизмом выгрузки спутников с фиксирующими элементами, рабочие поверхности которыхразмещены между кареткой 6 и контактной колодкой 9 с возможностьюобразования гнезда 10 для спутников,фиксирующие элементы, рабочие поверхности 11 которых расположены состо"роны контактной колодки 9, выполнены в виде подпружиненных пружинами12 заслонок 13, установленных на основании на штоках 14 с возможностьювозвратно-поступательного перемещения. Фиксирующие элементы, рабочиеповерхности 15 которых расположенысо стороны каретки 6, выполнены ввиде подпружиненных собачек 1 б,установленных на основании 4 с.возможностью...

Номер патента: 1507581

Опубликовано: 15.09.1989

Авторы: Коломиец, Панков

МПК: B29C 43/08

Метки: автомат, герметизации, полупроводниковых, приборов

...в радиальном направлении расположены обоймы, в которых установлены подвижные пакеты прессформ с автоматическим зажимом и задавливанием пресс-материала, причем исполнительные органы связаны одним приводом посредством копиров, блоков шестерен и грузовых винтов.2, Автомат по п,1, о т л ь ч а - ю щ и й с я тем, что, с целью упрощения процессов загрузки арматуры и выгрузки готовых изделий, пакеты пресс"форм расположены в горизонтальной плоскости.3. Автомат по п,2, о т л и ч а - ю щ и й с я тем, что он снабжен технологическими кассетами. 3 150758пресс-формы, оканчивающийся поршнем,винт 15 привода плунжера задавливания пресс-материала (трансфера),подвижную половинку 16 пресс-формы,неподвижную половинку 17 пресс-формы, зубчатое колесо 18...

Номер патента: 343324

Опубликовано: 15.10.1989

Автор: Кузнецов

МПК: H01L 21/20

Метки: крепления, подложек, полупроводниковых

...разогреваемой полупроводниковой подложки 1 помещены между двумя парами брусков 2 и 3 кремния. При по 5 мощи металлических зажимов 4 токоподводящие металлические пластины 5 и 6 зажимают концы брусков; Токоподводя щие пластины подсоединены к источнику 10 электрического тока.Бруски изготовлены из низкоомного, вырожденного кремния, Это объясняется тем, что с уменьшением удельного сопротивления полупроводника уменьшает ся и сопротивление области его контак. та с металлом. Размеры брусков выбирают такими, чтобы нагрев металлических токоподводящих пластин за счет тепловыделения на самих брусках и путем теплопроводности от подложки был наименьшим, так при нагревании образцаокремния до 1400 С контакты нагреваются до 200 С. Градиент...

Номер патента: 1516929

Опубликовано: 23.10.1989

Авторы: Зонин, Новожилова, Тютина

МПК: G01N 27/02

Метки: анализа, газового, полупроводниковых, чувствительных, элементов

...получить качественное покрытие при плотностях тока выше 200 А/м , Кроме тойго, моноалкиловые эфиры полиэтиленгликолей при содержании в электролитениже 5 г/л быстро вырабатываются ивозникает необходимость частотойкорректировки электролита по добавке,Блескообразующая добавка, представляющая собой смесь этиловогоспирта и коричного альдегида вводитсяв электролит для получения блестящихпокрытий олово - свинец и олововисмут, что позволчет увеличить срок 5 10 15 20 25 30 35 хранения покрытия и таким образомулучшить качество изделия, Добавка может вводиться в электролит в достаточно широком диапазоне концентрацииот 0,1 до 15 г/л (от 0,4 до 6,0 мл/л)Концентрация добавки в электролитениже 0,1 г/л не дает возможности получать качественные...

Номер патента: 1402201

Опубликовано: 23.10.1989

Авторы: Ермакова, Перов, Поляков

МПК: H01L 21/66

Метки: диэлектрика, емкости, заряда, области, полупроводнике, полупроводниковых, пространственного, структур

...где Е, - диэлектрическая проницаемостьМатериала, Я - диэлектрическая пров ицаемость вакуума, Б, - концентрая нескомпенсированных примесей волупроводнике, с 1 - заряд электрона); М, - сопротивление утечки материала б большей шириной запрещенной зоны; Ц - емкость материала с меньшей шииной запрещенной зоны, К, - сопротивение объемных квазинейтральных обастей полупроводников; Бф - фотоЭДС, оявляющаяся при освещении образца;емкостная нагрузка; 7- фотонаряжение (фотоотклик); на фиг,. 4 ременная зависимость фотоотклика 1 (Т) при освещении образца светом,Кривая 1 - при С=С и кривая 2 - 25 4 ри С=С Н, С н (С и, . Чф - значение фотоотклика в точке излома на зависиМости 7 при С=С и, 7 ф - при С= =С 1 где С и С- первое и второе значения...

Номер патента: 1518834

Опубликовано: 30.10.1989

Авторы: Данилов, Пеков, Перелыгин

МПК: H01L 21/60

Метки: диэлектрической, кристаллов, монтажа, подложке, полупроводниковых

...предварительного крепления кристаллов, При40этом появляется возможность осуществлять групповое присоединениевсех кристаллов, что приводит к повьппению производительности, а использование однократного теплового воздействия на кристаллы при присоединении повыщает надежность. Кроме того способ позволяет производить совмещение каждого кристалла с диэлектрической подложкой вплоть до термонаг - рева, что обеспечивается простотой их отсоединения, Для этого достаточно удалить постоянные магниты данного кристалла, после чего его можно заменить или возвратив магниты на место, произвести повторное совмещение.Формула и э обретения1. Способ монтажа полупроводниковых кристаллов на диэлектрической подложке, включающий нанесение на поверхность...

Номер патента: 1519789

Опубликовано: 07.11.1989

Авторы: Абрашин, Иванов, Логвинов, Селезнев

МПК: B07C 5/08, H01L 21/70

Метки: полупроводниковых, приборов, сортировки

...ь 1( 3(РОс)к и д, (Я с 1с ц ИЯ,(3 Р НР 1 3,3(л .(Й( ш(и . Норами 1) Ед сскСр- Л 3(ц 13 П 1 (црс ) 33(кяс р 11 С (31( ц К 13 (ОК ш ,1,1 ц(,1 Ьс 13 рь 1 Г О ГССКт, 351ср ис(нц Ьчя сцргирнки рд(ц(;с сл. .) В 3,(ич ц(р, л..с 3 (л(,п цч, ск;я Иддчд Ориц гирцвдц- ЦЫ С 3( ,1 ЧЦДЦВ (К НССТВ.1 С Гся С ЦЦМЦЦЬК) цибр(к)ср; 5, сгк,1 издс ли ццд(ктся пц нибрц,1 ц 3 к 1 (, ццчц цськ) О ск)тс 151 прци 3- цц 1 С ццц 1 Г 3135 3 цд;чд 3 зчсгНЙ В зцц д р ки и с кцрс ццц. Ис рсл)цссц 3 из,И- шй и (Г (ц(с л)ц)ц.(.су 1;. (.сктс)р-мдцип. , 3Ор О с ( 13(рцс 3 ццц рц(ц(с псрсьчсИИци ц, , 3,)3 с ИЬ 1 сГ(3 ц кццц. )сцд 1, 1 ри .3 ЦЧ Н ЛЦ 33 ЦДД ЦРЦИС,ц СОВПД,Снп(сс; (к( 1,(.ч,ницля(црд с пд(цм Вибрцлотка. В момент совпадения упорная планка 17 рычага 15 находится...

Номер патента: 1525744

Опубликовано: 30.11.1989

Авторы: Гутерман, Колганов

МПК: G11C 11/401

Метки: буферное, динамических, запоминающее, памяти, полупроводниковых, элементах

...адрес) или триггера 25 (еслипоследнее слово имеет нечетный адрес), логическая "1" с выхода Ц, через элемент 2 ИЛИ 30 поступит на входС триггера 21. Поскольку в этомслучае на вход 1 этого триггера свыхода счетчика 20 слов) подаетсялогическая "1", то триггер 21 будетпереведен в состояние "1"Появляющаяся при этом на выходе "Запретзапроса слова" логическая "1" запрешает запрос нового слова, После возвращения триггера 39 в состояние"0" на выходе "Окончание операции"появляется логическая "1", что свидетельствует об окончании обменамассивом информации.Регенерация информации, хранящейся в элементах 64 памяти, осуществляется для каждого адреса строки сигналом БАБ, Адреса строк формируютсяразрядамиО - 71 счетчика 7 адресов регенерации....

Номер патента: 1102154

Опубликовано: 30.12.1989

Авторы: Калачев, Сизов

МПК: B23K 31/02

Метки: монтажа, полупроводниковых, приборов

...К моменту опускания инструмента контактная площадка 8 подойдет под него. Затем производят вторую сварку 12. После этого расфиксируют перемычку 10 (разжимают и отводят дополнительные губки 11), а проволоку 2 зажимают губками 6 для подачи и обрыва проволоки, отводят их от инструмента и обрывают проволоку. Инструмент 1 отводят в.исходное положение, а губки 6 подают про 3 , 110215 и опускания к второй контактной пло-щадке. При подъеме проволоку отгибают вверх, а при опускании инструмента ее отгибают под острым углом к контактной площадке..Другой недостаток заключается в излишней затрате времени на предварительный подъем, опускание и перемещение инструмента по траектории, превышающей по длине периметр перемычки. Необходимо также время на...

Номер патента: 1536344

Опубликовано: 15.01.1990

Автор: Седов

МПК: G02B 26/10

Метки: параметров, пластин, полупроводниковых, предметный, систем, сканирующий, столик

...кареток 3,5 во взаимно перпендикулярных направлениях по осям Х,У). Катушка 8 индуктивности и приводы 12, 13 подключены к блоку 14 управления. ,Для поворота штока 9 с держателем 10 пластины 11 предусмотрен микрометрический винт.Устройство работает следующим образом.8 исходном состоянии каретки 3,5 занимают крайнее положение, при котором шток 9 с держателем 10 опущен. 8 этом положении контролируемая полупроводниковая пластина 11 с транспортных или загрузочно-разгрузочных моду лей системы автоматически подаются на держатель 10, где Фиксируются посред" ством вакуума, Ьлок 14 управления включает приводы 12,13, осуществляющие перемещение пластины 11 по координатам Х,У, Затем блок 14 управления Формирует сигнал на включение катушки 8...

Номер патента: 1536456

Опубликовано: 15.01.1990

Авторы: Анчевский, Бахнов, Конышев, Котляревская, Кубышкин, Лабковский, Ткаченко, Фейгельман, Шелег

МПК: H01L 23/34

Метки: охлаждения, полупроводниковых, приборов, силовых, таблеточного, типа

...концы испарителей. Конденсаторы тепловых труб 2 имеют поперечное оребрение 3. Оребрение 3 любой из тепловых труб 2 в силу их веерообразного расположения находится под различными углами к оребрению 3 всех других труб 2, а ребра каждых двух 40 соседних тепловых труб 2 у основания 1 частично перекрываются, т.е. входят в межреберные пространства их оребрения 3. По обе стороны веера конденсаторных частей тепловых труб 2 рас положены электроизоляционные пластины, которые образуют канал для прохода хладагента, омывающего конденсаторные части тепловых труб.При подготовке к работе устройства 0 оно прижимается монтажной поверхностью основания 1 к основанию силового полупрдводникового прибора таблеточного типа. В процессе работы этого прибора он...

Номер патента: 1545174

Опубликовано: 23.02.1990

Авторы: Аракелян, Мартиросян, Петросян

МПК: G01R 31/26

Метки: испытания, полупроводниковых, приборов

...предлагаемая конструк;.гия позволяет обходиться без контактиру 55 ющих устройств и вентиляторов, умень- шить габариты установки за счет .выс - вобождения рабочего объема от .их има пространств,.необходимьщ для свободного потока воздуха и обеспечения равномерности распределения температуры, а также уменьшить .расход сырья,материалов и электроэнергии.Испытание конкретного устройства на предполагаемое изобретение осуществлено на макете для про:ведения ЭТТ приборов с планарным расположением выводовУстройство работает следующим образом.При помощи нагревательных элементов осуществляется нагрев жидкости в резервуаре. В качестве жидкости используется вода, Образовавшийся пар заполняет камеры, герметично соединенные с резервуаром. Боковые стенки...

Номер патента: 1547998

Опубликовано: 07.03.1990

Авторы: Тарасенко, Трубицын

МПК: B23K 31/02

Метки: герметизации, контактной, полуавтомат, полупроводниковых, приборов, сваркой

...вертикального перемещения, опускается. Также опускается каретка 19 вертикального перемещения вместе с упором-досылателем 20, закрепленным на нижнем ее конце, до упора 34, размещенного на каретке 18 горизонтального перемещения. Причем опускание каретки 19 вертикального перемещения вместе с подпружиненным упором-досылателем 20 до упора 34 происходит на небольшом по сравнению с общей длиной наклонной поверхности копира 27 участке.Упор-досылатель 20 занимает такое положение, при котором его нижняя часть располагается ниже уровня крышки, но немного выше верхней поверхности корпуса 10. При дальнейшем перемещении штока 15 по наклонной поверхности копира 17 упордосылатель 20 совершает только горизонтальное перемещение до ободка корпуса 10....