Патенты с меткой «полупроводниковых»

Номер патента: 879681

Опубликовано: 07.11.1981

Авторы: Гаврилкин, Лысенков

МПК: H01L 21/00

Метки: базовому, ориентации, подложек, полупроводниковых, срезу

...двух сторон приводного ролика и установленными своэможностью их перемещения перпендикулярно базовому срезу подложки.На фиг. 1 изображен общий видустройства ориентации; на фиг. 2устройство ориентации в момент базирования,Устройство ориентации содержитоснование 1 (фиг. 1, ), на которомориентируется полупроводниковая подложка 2 с базовым срезом 3, в основании выполнены ориентирующие сопла 4, по которым подается воздухдля создания воздушной подушки между основанием, и подложкой, а такжеустановлены упорный ролик 5 , приводной ролик 6 для вращения подложки, вращаемый приводом 7, базирующий упор 8, дополнительные базирующие упоры 9 и 10, фиксаторы 11и 12 базирующих дополнительных упоров.Устройство ориентации работаетследующим образом.Подложка 2...

Номер патента: 881028

Опубликовано: 15.11.1981

Авторы: Ганф, Рза-Заде, Шустер

МПК: C03C 3/12

Метки: защиты, полупроводниковых, приборов, стекло

...стабильности параметров прибора.Целью изобретения является сниже-. ние температуры плавления стекла, повышение удельного сопротивления и улучшение стабилизирующих свойств,Эта цель достигается тем, что стекло для защиты полупроводниковых приборов, включающее РЬО, ВО, дополнительно содержит 810 Ь, А 10 при следующем Соотношении компонентов, вес.ЪгРЬО 73,18-87,34В,О 574-6,86В 1 ЙО 5,1-20,68д 10 Ъ 0,2-0,7(р д(,ХО м см 20-30 НВВ град 390 365 320 380 360 320 370 330 305 10 ф 9 10 В 8 10 7 87,34 6,86 5,1 О,82,.5 6,5 10,8 О,73,18 5,74 20,68 О,5 109 3 106 ф 109 410810 5 106 15 3 17 5 ЗО формула изобретения защиты полупроводниковключающее РЬО, ВОЗ, 35щ е е с я тем, что, стемпературы оплавления,ьного сопротивления иилизирующих свойств,льно...

Номер патента: 886100

Опубликовано: 30.11.1981

Авторы: Игнатьев, Матвеев, Чеховской

МПК: H02K 29/03

Метки: кассета, корпусов, локального, нанесения, ножки, покрытий, полупроводниковых, преимущественно, приборов

...расположена рукоятка 7 . Размеры отверстий 2 выбранытак, что фланец 8 ножки 9 перекрыва"ет вход в отнерстие 2, а выводы 10собираются в пучок и попадают (в положение Разжато) между панелью 3и пружинной Г-образной пластиной 4,выступая на 1 - 2 мм выше кромки 11пружинной Г-образной пластины 4.ЕЬли фланцы ножек 12 (фиг.3) имеют форму чашки, то на них одеваютчехол 13, который имеет шахматноерасположение отверстий с тем же ша"гой, что и основание 1, и которыйвьфолнен из упругодеформируемого материала, например резины. толщинучехла выбирают равной высоте фланцаножки 12, а диаметр отверстий н нем -на 0,2 - 0,5 мм меньше диаметра фланца,Для придания конструкции механической жесткости, нсе панели 3 стянуты между собой через втулки 14 при помощи...

Номер патента: 890515

Опубликовано: 15.12.1981

Авторы: Бузыкин, Недолужко, Снетков

МПК: H02H 7/10

Метки: защиты, перегрузок, полупроводниковых, приборов, тепловой

...образом.11 ри возникновении перегрузки с помощью устройства 3 фиксируют ток через прибор 1 путем соответствующего изменения сигнала управления. При этом напряжение на приборе практически эквивалентно мощности, рассеиваемой в нем. Подавая напряжение (или ток, пропорциональный этому напряжению, в зависимости от структуры аналога) на электрический КС-эквивалент теплофизической модели прибора, на его выходе можно получить сигнал, ве й личина которого пропорциональна мгно венной температуре кристалла защищаемого прибора. При запертом приборе напряжение на нем перестает быть эквивалентом мощности, поэтому с помощью переключателя 5 сигнал на входе аналога делают равным нулю, моделируя таким образом остывание прибора, Электрический...

Номер патента: 892362

Опубликовано: 23.12.1981

Авторы: Колобутин, Пыж, Староверов, Хомич

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: полупроводниковых, приборов

...9 в формебольше или меньше норм заданных источником эталонных уровней поступа ют на вход блока 12. Блок 12 вырабатывает циклически следующие импульсы: импульс заряда суммарной емкости р-п перехода контролируемого прибора 4 и электрических цепей для егоподключения и импульс измеренияИмпульс заряда суммарной емкостиблок 12 подает на управляющий входоперационного усилителя 7 и включаетдиапазон измерения больших токов,обеспечивая на время действие импульса малое входное сопротивление операционного усилителя 7, чем осущест" ляет быстрый заряд суммарной емкости, шунтирующей р-и переход. Иа время действия импульса измерения блок 12 после установления переходного про 5 цесса коммутации операционного усилителя 7 анализирует сигналы, пос"...

Номер патента: 892368

Опубликовано: 23.12.1981

Авторы: Гура, Красковский

МПК: G01R 31/36

Метки: батарей, испытания, полупроводниковых, солнечных

...испытываемой ба/тареи, поступает на вход элемента сравнения 8, на другой вход которого поступает напряжение с выхода регулятора 5, пропорциональное ЬТ = Т Ъ -Тй где ьТ - истинное приращение температуры во времени (т.е., истинная скорость нагрева испытываемой. батареи);Т- истинная температура испытываемой батареи, которая выделяется регулятором 5, осуществляющим сравнение напряжения источника опорного напряжения 7 и датчика температуры.892368 5На выходе элемента сравнения 8 формируется напряжение, пропорциональное отклонению от заданной скорости нагрева, т.е. пропорциональное д(дТ)д Т - д ТЗ, которое усиливается усилителем 9 и подается на вход регу" л;.тора 5, который управляет величиной тока источника 1 испытания, проходящего...

Номер патента: 894892

Опубликовано: 30.12.1981

Авторы: Изотов, Толкачев

МПК: H05K 13/02

Метки: контактными, металлизированными, ориентированной, поверхностями, подачи, полупроводниковых, приборов, сортировки, формы, цилиндрической

...5,которое приподнимает шток 1.В испытательную камеру проникает диод 15 и замыкает контактные элементы 20,Одновременно имаульс мультивибратора попадает на линию 30 задержки и через нее на реле 26, реле срабатывает и.через его нормально разомкнутые контакты 27,двигатель 4, съемные кольца 9 и 12 подается напряжение на диод 15,Если через диод ток не идет,т.е. диод подключается к источнику питания в обратном направлении и не пробитl то устройство остается в статическом состоянии вплоть до Прихода от мультивибратора отрицательногб импульса, который также дифферинцируется конденсатором 23 и через съемное кольцо 8 и диод 25 подается на электромагнит 7, который, срабатывая, поднимает шток 2, одновременно шток 1, опускаясь своим выступом,...

Номер патента: 896524

Опубликовано: 07.01.1982

Авторы: Ахманаев, Медведев, Хлестунов

МПК: G01N 22/00

Метки: датчик, параметров, полупроводниковых

...пружиной 9 и перемещается микрометрическим винтом 10. Фиксация индуктивной петли 4 связи осуществляется цанговым зажимом 11.При подаче на сверхвысокочастотный транзистор 5 постоянного напряжения в нем возникают колебания, Амплитуда и частота колебаний определяются добротностью цилиндрического резонатора 1 с полупроводниковым материалом 8 и коэффициентом связи цилиндрического резонатора 1 с сверхвысокочастотным транзистором 5.Для обеспечения режима затягивания частоты СВЧ генератора, выполненного на сверхвысокочастотном транзисторе 5, цилиндрическим резонатором 1 в процессе измерения параметров полупроводникового материала 8 должно выполняться условие Гн . ГГ 15, где Г - собственная частота СВЧ генератора; Г - частота цилиндрического...

Номер патента: 900085

Опубликовано: 23.01.1982

Авторы: Гончаров, Долгий, Зуева, Иванов, Калошкин, Карпуть, Крутько, Рычаго, Фомин

МПК: F27B 1/10

Метки: пластин, полупроводниковых

...газовых отверстий 19 в колпаке 6, совпадающих с ними вертикальных газовых отверстий 20 стенда 7, кольцевого канала 21, центрального канала 22, распорного кольца с наружными выступами 23, ограничительного штифта 24, упорных винтов 25, продольных пазов 26, кольцевой проточки 27, загрузочного отверстия 28, роликовых опор 29, эксцентриковых осей 30 и фиксаторов 31 их поворота.Установка работает следующим образом,Держатель с полупроводниковыми пластинами 8 устанавливается на кварцевую подставку 16, Открывается заслонка 12 и колпак 6 гидроцилиндром опускается на стенд 7 игерметизируется усилием штока 10 гидроцилиндра посредством прижатия к стенду, Ша. ровая опора 11 позволяет обеспечить установ. ку колпака 6 на стенд 7 без перекосов....

Номер патента: 902108

Опубликовано: 30.01.1982

Авторы: Ващук, Друнк, Масленников, Портянников

МПК: H01L 21/00

Метки: пластин, плоских, полупроводниковых, преимущественно

...привод содержит шкив 3 со скосом4, посаженный на валу 2 и взаимодейст Эвующий с кулачком 5, Поджим деталейпривода осуществляется посредством пружины 6, опирающейся на подпятник 7,вращающийся с помощью шариков 8 вопоре 9. С двух сторон пары цилиндри- Заческих щеток перпендикулярно к их продольным осям установлены направляющие10 и 11. Кроме того, устройство содержит толкатель 12, установленный с возможностью возвратно-поступательногоперемещения по направляющей 10 в пазу 13,Для регулирования зазора между паройцилиндрических щеток 1 вал 2 взаимодействует. со стойкой 14, установленнойна оси 15 с возможностью поворота припомощи пружины 16 и винта 17.Все детали закреплены на основании18. Направление ворсе на цилиндрическихщетках 1...

Номер патента: 902109

Опубликовано: 30.01.1982

Авторы: Кургин, Межерицкий, Рабинович, Терентьев

МПК: H01L 21/66

Метки: параметров, полупроводниковых, приборов

...торцовые контакты,установлены в плате, жестко связанной с прижимной платой, и соосны отверстиям контакта-радиатора и прижимной платы. 10На.фиг. 1 изображено устройство для контроля параметров полупроводниковых приборов, исходное положение; на фиг. 2- то же, рабочее положение.Устройство цля контроля параметров 1 полупроводниковых приборов содержит основание 1 с запрессованными в него направляющими 2, проходящими через прижим 3, с нижней металлической прижимной платой 4 и жестко связанной с щ ней верхней изоляционной платой 5. В отверстиях прижимной платы установлены компенсационные втулки 6, а в отверстиях верхней - торцовые подпружиненные контакты 7, опирающиеся своими головками на пружины 8. Платы 4 и 5 жестко соединены при помощи...

Номер патента: 902110

Опубликовано: 30.01.1982

Авторы: Антонов, Белавин, Гоголев, Грин, Рассохин

МПК: H01L 21/66

Метки: полупроводниковых, приборов, сортировки

...с блоком 15 памяти. Подвижные контакты 12 связаны электричес:-.ки с измерительным блоком 16. Механизм 17 отделения группового держателяприборов 5 выполнен в виде горизонтально расположенных ножниц и содержитподвижный 18 и неподвижный 19 ножи,связанные через систему рычагов 20 сэлектромагнитом 21, который электрически подключен к блоку 15 памяти,Механизм 22 рассортировки по группам содержит лотки 23, перекрываемые заслонками 24, связанными с электро 45 магнитом 25, который электрически подключен к блоку 15 памяти. Для рассортировкн приборов 5 имеются ящики 26. Загрузочный транспортер 2 расположен над направляющим каналом 27 с отверстием 28.0Предлагаемое устройство работает следующим образом.Кассеты 3 с полупроводниковыми...

Номер патента: 907640

Опубликовано: 23.02.1982

Автор: Павленко

МПК: H01L 21/463

Метки: выпрямления, полупроводниковых, структур

...напряжений в структуре в основном определяется дефектностью и толщиной моно"слоя и устанавливается опытным путем. После полного выпрямления структуры величина прилагаемого давленияможет возрастать до предела прочности на снятие прокладки, котораяспособствует равномерному распределению нагрузки по всей площади, Приснятии структуры с оправки рсль замедлителя изменения напряжения вструктуре играет медленно разогреваемый воск, которым приклеиваетсяструктура,Способ позволяет учесть динамику 35прила гаемо го у силия, котора я от рицательно влияет на процесс,П р и м е р . На подложку монокристаллического кремния с разделительными канавками диаметром 40 мм 40и толщиной 400 мкм из кремния маркиКЭ 4 Л,5 - 3 А наносят слой...

Номер патента: 907672

Опубликовано: 23.02.1982

Авторы: Данилевич, Паркулаб

МПК: H02H 7/10

Метки: включенных, защиты, параллельно, полупроводниковых, триодов

...в цепи коллектора,эмиттер которого подключен к общей точке всех предохранителей, а база через диодную сборку - к коллекто. рам контролируемых триодов 1 1. ру р ро лите ыхоматицеских линий Цель изобретения - расширениефункциональных возможностей. Этацель достигается тем, что устройство снабжено резистором, включенным в цепь базытриода типа п-р-п,а диодная сборка выполнена на светодиодах.На чертеже предст лена схемаустройства защиты.Устройство содержит плавкиепредохранители 1, включенные в цепи коллекторов контролируемых триодов 2, диодную сборку (схему ИЛИ)на светодиодах 3, сигнализирующийэлемент 4, выполненный в виде триода типа д-р-и с индикатором в цепи коллектора, резистор 5,В исправном состоянии сигнализирующий элемент 4 нормально...

Номер патента: 907723

Опубликовано: 23.02.1982

Авторы: Калитин, Офицеров, Саутов, Щуцкий

МПК: H02M 1/18

Метки: вентилей, включенных, защиты, перегрузок, полупроводниковых, последовательно-параллельно

...- 36 задержкисвязаны с первыми входами дополнительныхсхем И 37 - 39. Вторые входы дополнительных схем И 37 - 39 соединены с выходомпервых элементов 26-28 задержки, а их выаоходы подключены через последовательносоединенные схему ИЛИ 40, основные элемент 41 памяти и схему НЕ 42 к включающему входу 43 исполнительного блока.Дополнительная схема НЕ 44 подсоеди миена своим входом к отключающему входу 30исполнительного блока, а выходом черезосновную схему И 45 к стирающим входамэлементов 31 - 33 памяти. Третья схемаИЛИ 46, подключенная своими входамик выходам вторых элементов 34 - 36 задерж 50ки, через схему НЕ 47 соединена с вторымвходом основной схемы И 45, а через другуюсхему НЕ 48 - с стирающим входом основного элемента памяти...

Номер патента: 911249

Опубликовано: 07.03.1982

Автор: Коротченков

МПК: G01N 21/17

Метки: запрещенной, зоны, полупроводниковых, ширины

...в вице измерителя временных интервалов.На чертеже изображена схема устройства для измерения и разбраковки пластин полупроводниковых материалов по ширине запрещенной зоны.Устройдтво содержит источник 1 ,излучения, оптическую систему 2, сканирующий монохроматор, включающий в себя дифракционную решетку 3 и механизм 4 кругового вращения, полу прозрачное зеркало 5, кристаллодержатели с исследуемым 6 и эталонным 7 кристаллами, усилители 8 и 9 и измеритель 10. временных интервалов.Источник 1 излучения и оптическая 15 система 2 устанавливаются перед дифракционной решеткой 3, связанной с ,механизмом 4 кругового вращения.Полупрозрачное зеркало 5 устанавливается перед исследуемым б и эталонным 7 кристалламиКонтакты исследуемого кристалла...

Номер патента: 911654

Опубликовано: 07.03.1982

Авторы: Горобец, Нехамкин, Сальников, Яхимович

МПК: H01L 21/50

Метки: полупроводниковых, приборов

...ограничения ,перемещения ползуна 5. Над транспор 3тирующим ротором 2 расположен дополнительный механизм загрузки в виде закрепленного к основанию 19 лотка 25 фиг.1). Он наклонен к горизонтали и в плане располагается перпендику40 лярно радиусу транспортирующего ротора 2. К лотку 25 присоединен лоток26, который соединяется с лотком 25 с помощью оси 27. Роток 27 снабжен накладками 28, удерживающими крышки4529 изделий, собираемые с корпусами 7, от выпадения с лотка 26. На конце лотка 26 имеются две пружинные пластины 30 Гфиг.5). 20 50Над позицией сборки находится механизм сборки в виде фасонного ролика 31, который посредством подшипника 32 установлен на оси 33, закрепленной на кронштейне 34. Кронштейн 31 укреплен на балке 35, которая...

Номер патента: 911655

Опубликовано: 07.03.1982

Авторы: Брикман, Евграфов, Мигиренко, Песоцкий

МПК: H01L 21/66

Метки: испытаний, механических, полупроводниковых, приборов, разбраковки

...спиралямподнимаясь по ним вверх и ориентируясь в горизонтальной плоскости.7 91165 Затем транзисторы 7 падают в вертикально установлены накопители, которые имеют ориентирующие ножки транзисторов 7 продольные пары, а в нижней части переход в горизонтальную 5 плоскость. Перемещаясь в накопителях, транзисторы попадают в магазин 13 укладчиков приборов по три штуки. Включается механизм 14 возвратно- поступательного движения (фиг.2), 10 толкатель 11 делает .ход внутрь кор-. пуса 8. При входе толкателя 11 в корпус 8 гребенки захваты 12 захлопываются, захватывая головку прибора, а гребенки 10 под. воздействием толка-теля 11 смыкаются у основания гибких ножек транзисторов 7. Так как гребенки 12 размещены на толкателях 11, то при движении...

Номер патента: 911756

Опубликовано: 07.03.1982

Авторы: Громов, Кирдяшов, Новиков, Семенов

МПК: H05K 7/20

Метки: охлаждения, полупроводниковых, преимущественно, приборов

...прижата к основаниютеплоотвода и прижата к торцу канала 2. В этот период со сравнительнонебольшой интенсивностью проходитотбор тепла от полупроводниковогоприбора 1 в основание и от пластиныв окружающую среду. На этом этапеработы системы охлаждения основаниеустройства, мембрана 3 и полупровод-никовый прибор 1 постепенно нагреваются и их температура достигает значений, близких к оптимальной критической. температуре для работы полу проводникового прибора.Дальнейшее нагревание системы ох"лаждения приводит к тому, что термочувствительная мембрана 3 быстро,меняет свое положение и занимает положение, изображенное на среднейчасти чертежа.Мембрана 3 выполнена из бипластмассы с высоким коэффициентом термо-чувствительности и поэтому придостижении...

Номер патента: 912065

Опубликовано: 07.03.1982

Авторы: Зигфрид, Хорст

МПК: H01L 21/8222

Метки: интегральных, полупроводниковых, схем

...маскирующем покрытии.1 я П р и м е р, На кремниевой подложке 1(фиг, 1) с эпитаксиальной пленкой 2 наносятпервое диэлектричесКое покрытие 3, напримериз двуокиси кремния толщиной 0,5 мкм,Затем проводят вскрытие всех окон 4 яц (фиг, 2) методом фотолитографии дпя созда.ния областей базы, областей управления базойи областей подключения базовых областей, т.е.инжекторы, вторичные инжекторы. Далее про.водят легирование примесью р-типа, например 2 Ь бором 5 .(фиг. 3) методом диффузии или1 Н 1 И 111 :Мкад 1 379/54 Гираж 758 одпигное 1 фичнаи 11 ПЦ "1 Ьфсни", г. Ужгород, ул. Проектная,з 9120ионного легирования, создавая области Р 1, Р 2и РЗ, оследующим окислением выращиваютокиссл 6 в окнах толщиной порядка 0,1 мкм,вновь наносят изолирующее...

Номер патента: 704396

Опубликовано: 15.03.1982

Авторы: Ганин, Коломиец, Любин, Федоров

МПК: H01L 31/18

Метки: основе, пленок, полупроводниковых

...НОГИЕЭ,ГЕС(РОи:ЗИ)СеСГе Ц Г ЦЧССКЦС СОЙСТДслосц Оц рсдсл 5110 с 5 Пс ТОл 0 еосд О 3(ио,)Гс 1 с)100 ХСП, НО и состсоы стГсмрои пленки, тдк степень уцязкц полцмсрцоГО КДРКаСс 1 СЛОСВ СУЦСС 1 СППО ЕЗЫШС Цос 1)авнс 110 сО е.1051)(ц, НРПГ 010,спи)11обычными методами. Подобцос обстс)ятсльстВО также Определяет р 5 д -)лсктрофГзц)ГСских ц оптических свойств.Предложенный способ эссисри)ГСГт;(г 1 по ировсрсе. В качссевс исходого зспСсВдвыбран ЛзЯ., а качестве дополиитслыого магсриала Гп, ГтсклообразЕый ЛВ 5,;рдзмсль)ался ц иомсщдлс 51 13 цсиарЕГТС;,ь.Доносительный материал 1(аходилсядцспсрсной форме, иозволяюисй достатоэффсстцеЗПО ироникаь парам еспарясМОГО ВСЦССТсГ, Ц ИОМС 1(Д;С 51 С(сГРЦТС:ЕСповерх исходного всщсста. Испарпельнагрсвался в...

Номер патента: 912446

Опубликовано: 15.03.1982

Авторы: Виноградов, Колешко, Сунка

МПК: B23K 20/10

Метки: выводов, интегральных, микросхем, полупроводниковых, приборов, присоединения

...14 через усилитель 15 мощности, блок 16 фазовращателей и блок 17 управления напряжение ультразвуковой частоты подается на преобразователи 12 соответствующей пары ультразвуковых механизмов микроперемещений, например, для перемещения по оси Ч.Конец выпуклой части Ч-образного волновода начинает совершать эллипсообразное912446 10 15 20 5 30 Формула изобретения движение, в результате чего мнкрошаговые устройства движущихся по направляющи.д 6 увлекая за собой с помощью тяг 5 сборочный столик 3. Последний свободно скользит по тягам перпендикулярно расположенной пары ультразвуковых микрошаговых устройств. При работе обеих пар одновременно сборочный столик может совершать сложное движение и кратчайшим путем выходить в точку совмещения...

Номер патента: 917141

Опубликовано: 30.03.1982

Авторы: Веревкин, Ершов, Луценко, Щевцов

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: выпрямительных, полупроводниковых, элементов

...Уровни опорных постоянных напряжений формируются блоком 5 опорных сигналов, а значения опорных напряжений, тока и динамического сопротивления выбраны, исходя из требований технологии производства данного типа полупроводниковых приборов, и могут меняться при контроле качества выпрямительных элементов различных типов. При линейном нарастании напряжения на испытуемом выпрямительном элементе напряжение на выходе датчика 4 напряжения также растет линейно. При этом оно по очереди превышает значения опорных сигналов, поступающих на вторые входы компараторов 7 - 9 по напряжению.Пока сигнал на первом входе каждого компаратора 7 - 9 по напряжению меньше опорного, на выходе сигнал отсутствует, Как только сигнал от датчика 4 напряжения становится...

Номер патента: 774464

Опубликовано: 30.03.1982

Авторы: Грехов, Делимова

МПК: H01L 21/26

Метки: быстродействия, кремниевых, мощных, повышения, полупроводниковых, приборов

...бинапия .носителей заряда идут через различные радиационные центры: Е,. - 0,5 эВ и Е, - 0,17 эВ соответственко, Это обстоятельство делает возможным независимое влияние на такие ка)рактеристкии приборов, как генерационный ток и время жизни не,равновесных носителей заряда. В 1 процессе предлагаемой термической обработки РЦ с уровнем Е, - 0,5 1 эВ отжигаются, что проводит к уменьшению генерационных токов, а рекомбинационные РЦ с уровнем Е, - 0,17 эВ сохраняются.На фиг, 1 изображены,завидимости генерационного тока (иривая 1) и времени жизни неравновесных 1 носителей заряда (кривая 2) от температуры при изохронном отжиге длительностью 3 ч; на фиг, 2 - зависимости тех же параметров от длительности отжвга при изотермичесыом отжипе при 260 С....

Номер патента: 918901

Опубликовано: 07.04.1982

Авторы: Богушевич, Добровольскис, Кутьин, Соколов, Шевейко

МПК: G01R 31/26

Метки: агрегатов, вентилей, диагностики, полупроводниковых, преобразовательных

...несколь ко периодов питающего напряжения тиристора 18 и на выходе генератора 25 формируется прямоугольный импульс измерительного тока 1 25, проходящий через контролируемый вентиль 11 1 , а на выходе блока синхронизации 15 импульс Ц (фиг. 2), запускающий цифровой вепьтметр 14, на экране которого высвечивается начальное значение падения напряжения от измерительного тока 13 на не нагретом контролируемом вентиле 11 - 13 .Замыкая выключатель силового тока 8, контролируемый вентиль 11 прогревается однополупериодными импульсами тока 14 требуемое время, определяемое с помощью электромеханического секундомера 3, запускающегося через контакт 9, В этот же момент времени от контакта 9 срабатывает и реле 2 с регулируемым временем замедления при...

Номер патента: 920586

Опубликовано: 15.04.1982

Авторы: Беспалов, Мускатиньев, Петров

МПК: G01R 31/26

Метки: вентилей, параметров, полупроводниковых

...генератор 19 линейно нарастающего напряжения, второй компаратор 20 и сумматор 21.Устройство работает следующим образом,Величина опорного напрякения источника 16 устанавливается пропорционально значению тока уставки.При измерении величины. тока утечки уили обратного тока ай по сигналу "Пускфна первом выходе блока 17 управленияФормируется управляющий прямоугольныйимпульс, длительность которого пропорциональна амплитуде напряжения наиспытуемом приборе, при которой необходимо произвести измерение тока,При этом запускается генератор 19,выходное напряжение которого нарастает пб линейному закону с заданнойскоростью, это напряжение поступаетйа первый вход второго комаратора 20и через сумматор 21 подается на аналоговый вход балансного...

Номер патента: 922662

Опубликовано: 23.04.1982

Авторы: Левина, Любельский, Пашенцев, Смирнов

МПК: G01R 31/26

Метки: полупроводниковых, приборов, сопротивления, теплового

...тока к клемме 12 при испытании тиристо а или к клемме 10 при испытании диода.Испытания диода и тиристора проводятся не одновременно, генератор н динамике ныполняет разные функции. При испытании тиристора термочувствительным параметром является разностьпотенциалов анод-кода при пропускании управляющего, тока, которая далее 40 поступает н дифференцирующий блок 3. В этот момент других напряженйй к 30 прибору не прикладывается, т,е. внеш 55 60 65 М 340984,кл.С 01 К 31/26,1970 (прототип),ного напряжения, и дешифратор, выход которого соединен с индикатором,введены дифференцирующий блок и блок измерения интервалов времени, причем клемма для подключения анода исследуемого полупроводникового прибора соединена с входом дифференцирую" нее Пд...

Номер патента: 924776

Опубликовано: 30.04.1982

Авторы: Гордеев, Канищев, Куксо, Лытко, Румак, Туманов, Черных

МПК: H01L 21/00

Метки: кремния, монокристаллического, основе, полупроводниковых, преимущественно, приборов

...мин, отмывают в проточнойдеионизованной воде, обрабатываютгидромеханическим способом с помощьюмягких беличьих флейц и сушат нацентрифуге, Отмытые пластины кремнияпомещают в кассету-лодочку и загружают в зону кварцевой трубы с температурой процесса первого окисления,равной (1000 С 11 ), При данной температуре пластины кремния выдерживаютв потоке пара в течение 10 мин. Предварительно 303-ный раствор солянойкислоты заливают в парогенератор, который нагревают с помощью ИК нагреваи доводят данный раствор до температуры 40 С. Образующийся при этом парзахватывают инертным газом (путемпродувки через парогенератор, инертным газом служит аргон) и поступаетв зону реакции кварцевой трубы с находящимися в ней кремниевыми пластинами. За это время...

Номер патента: 924777

Опубликовано: 30.04.1982

Авторы: Гизунтерман, Доманцевич

МПК: H01L 21/00

Метки: ориентации, полупроводниковых, приборов

...подпружиненный рычаг 6, при этом опорный ко- .нец подпружиненного рычага 6 расположен в угловом вырезе 4. В подпружиненном рычаге 6 со стороны углового выреза 4 выполнен паз 7, соответствующий профилю продольного паза 2. Подпружиненный рычаг 6, снабжен приводом,состоящим из электромагнита8 и тяги 9, соединяющий электромагнит 8 с подпружиненным рычагом 6.Рычаг 10, соединенный тягой 11 с подпружиненным рычагом 6, установлен вугловом вырезе 4 продольного паза2 вибролотка 1 параллельно опорномуконцу подпружиненного рычага 6,Устройство работает следующим образом.Подпружиненный рычаг 6 находитсяв исходном состоянии в левом положении (фиг, 1), Если полупроводниковый прибор 3 ориентирован правильно, то поворота его на 180 не про 1 Рисходит....

Номер патента: 927458

Опубликовано: 15.05.1982

Авторы: Мазуренко, Меткин, Мороз, Помазанов, Рачков

МПК: B23K 31/02

Метки: коммутационными, пайки, пластин, полупроводниковых, шинами

...шины, состоящие из двух частей - основных и дополнительных. Иэ-за этого способ проиллюстрирован применительно к термозлементам такого типа, однако он применим и для обычных термоэлементов.Пайку термоэлементов производят на нагревательной плите, один из возможных вариентов конструкции которой изображен на Фиг. 1, Рабоцая поверхность плиты 1 разделена на три зоны 2,3 и 4. Зоны 2 и 4 не смачиваются припоем например, выполнены в виде покрытия части плиты керамикой или теФлоном 5), а зона 3 смачивается7458 ф 5 16 15 ге 25 36 35 4 О 45 50 припоем. Для осуществления нагреваплита содержит внутренние электронагреватели 6,Способ пайки реализуется следующимспособом.Полупроводниковые пластины 7 одной полярности, например, типа - Рвводят в размер...