Патенты с меткой «полупроводниковых»

Номер патента: 1709431

Опубликовано: 30.01.1992

Авторы: Сорк, Тарс, Хыбемяги, Ярв

МПК: H01L 23/34

Метки: охлаждения, полупроводниковых, приборов

...толщина ленты из-за этого не должна быть менее 0,04 - 0,05 мм. По результатам экспериментальных исследований устройства для охлаждения на базе керамики из окиси бериллия, изготовленного с применением молибденовых термокомпенсационных пластин толщиной 0,02-0,05- 0,10 мм и пленок на базе МОЯ 2 при циклическом испытании при смене температур -60, +120" С, -60,120"С и т.д имело место следующее, При толщине молибденовых пластин 0,02 мм растрескивались 85 из испытанных керамических пластин, соответственно электрическая прочность этих устройств составляла не более 1-2 кВ (требуется 12 кВ). При толщине молибденовых пластин 0,05 и 0,10 мм и с пленкой на базе МоЯр дефекты на керамике не обнаружены, электрическая прочность, устройства 20- 30. кВ,...

Номер патента: 1709566

Опубликовано: 30.01.1992

Автор: Макунин

МПК: H01L 23/34, H05K 7/20

Метки: естественного, конвективного, охлаждения, полупроводниковых, приборов

...нагрев обьема воздуха в вертикальной трубе 3 над радиатором 5 10 15 20 25 30 35 1 электронагревательным элементом 4 позволяет увеличить скорость движения и расход конвектируемого воздуха, что, в свою очередь, обеспечивает большую интенсивность обтекания наружным, более холодным, воздухом поверхности радиатора 1,Таким образом, эффект охлаждения полупроводникового прибора 2 усиливается без увеличения высоты сквозной трубы 3. Улучшение теплоотдачи радиатора 1 дает возможность уменьшить размеры и вес радиатора 1, При этом конструкция радиатора 1 должна быть такой, чтобы не препятствовать прохождению вертикального потока воздуха. Величина зазора между электронагревательным элементом 4, стенками сквозной трубы 3 и горизонтальной...

Номер патента: 1711274

Опубликовано: 07.02.1992

Авторы: Вишневский, Семенюк

МПК: H01L 23/34, H05K 7/20

Метки: охлаждения, полупроводниковых, приборов

...сечении эти выступы имеют форму полусферы или, например, усеченного конуса с углом при вершине Р= 60 с размерами, аналогичными Ч-образными выступам 14, и размещены равномерно по периферии с таким же смещением в противофазе в направлении потока.Выступы 14 и 15 выполнены высотой 0,3-0,6 Н, а вершины и сопряжения со стенками выполнены закругленными с радиусом кривизны в сечении, равным Р= 0,2-0,3 Я, что обеспечивает развитие поверхностей теплостока без увеличения гидравлического сопротивления в устройстве.Охлаждающая среда (воздух или жидкость) поступает в две сообщающиеся полости 12 и 13, где в зоне высокой плотности теплового потока (вблизи приборов 3) поочередно дросселируются поперечными Ч- образными выступами 14 в межреберных...

Номер патента: 1712163

Опубликовано: 15.02.1992

Авторы: Метелев, Шепелев, Шуваев

МПК: B28D 7/00

Метки: пластин, полупроводниковых, резки

...между направляющими и подпятниками подается через отверстия малого диаметра, Аэростаические подпятники 14-17 имеют возможность регулировки.с помощью винтов 18, Конструкция всех подпятников одинаковая,Устройство работает следующим образом,Перед началом работы нэ устройстве производится выставление параллельности плоскости вакуумного стола 5 относительно плоскости поперечных чаправляющих шпинделя 7, что осуществляется следующим образом. С помощью зинтов 18, обеспечивается стопорение кар,ток продольной 3 и поперечной 4 подач на призматических направляющих 10 и 11, после чего, ослабляя давление подпятников 14 и 16, добиваются свободного скольжения кареток 3 и 4 при минимальных зазорах, обеспечивая при этом максимальную жесткость системы...

Номер патента: 1712372

Опубликовано: 15.02.1992

Авторы: Батог, Бейда, Георгица, Негробова, Нестеров, Фирсов, Шологон

МПК: C08K 3/00, C08L 63/00, C08L 63/04 ...

Метки: герметизации, полупроводниковых, пресс-композиция, приборов

...в малярном соотношении 0,65-0,06 (продукт 1),Продукт 1 синтезируют по методике, указанной в примере 1.П р и м е р 1. К 192 масч, (065 моля) 3,4-э покси цикл оге ксанспира-(1,3-диокс ан)-2 -спиро,4 -эпоксициклогексана (диэпоксид УП2, ТУ 6-05-241 - 76-79) с эпоксидным числом 28,8 прибавляют 33 мас,ч, (0,06 моля) тетрабромдифенилолпропана и нагревают реакционную смесь при перемешивании при 160 С в течение 4 ч; затем при 180 С 8 ч, Получают 213 мас.ч. (выход 99%) олигомера с температурой размягчения 64 С, содержанием эпоксиднь 1 х групп 18,5%, содержанием бром-иона не более 0,006% содержанием брома 9,0+0,1%.П р и м е р 2, Предварительно сплавляют в реакторе с мешалкой при 130-140 С 100 мас,ч, эпоксиноволачной смолы...

Номер патента: 1712472

Опубликовано: 15.02.1992

Автор: Федоров

МПК: C30B 13/00

Метки: полупроводниковых

...по шагу.,ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМПРИ ГКНТ СССР(54) УСТРОЙСТВО ДЛЯПРОВОДНИКОВЫХ МАТ(57) Изобретение относиполупроводниковых мате Изобретение относится к технологии полупроводниковых материалов и может быть использовано для их высокопроизводительной промышленной очистки.Наиболее близким к изобретению является. устройство, содержащее несколько фоновых нагревателей, каждый из которых снабжен и зонными,нагревателями, закрепленными на общей каретке.Недостаток известного устройства заключается в том, что в начале и в конце каждой-операции изонных нагревателя работают вхолостую.Цел ь изобретения - повы шенив; произвОдительности за счет исключения холосто-, го хода зонных нагревателей,Поставленная цель достигается...

Номер патента: 1713135

Опубликовано: 15.02.1992

Авторы: Крячек, Кузнецов, Шефер

МПК: H05K 13/02

Метки: пластин, плоских, подачи, полупроводниковых, преимущественно

...на пассиках 10 и 11 перемещается к рабочей позиции 24 до упоров 14 и 15, после чего происходит остановка привода устройства перегрузки,Штыри 37, выдвигаясь над рабочей позицией при включении пневмоцилиндра 38немного выше уровня пассиков 10 и 11, принимают пластину 34 на себяМуфта 35 расцепляет звездочки 25 и 30,а тормоз 36 фиксирует положение цилиндрических направляющих.Включается привод устройства, вращающего оси 6 и 7 так, что пары винт - гайка перемещают упоры 14 и 15, а затем и пассики 10 и 11 друг от друга, при этом пассики выходят из-под пластины 34, находящейся на штырях 37,Штыри 37 после раздвижения пассиков и остановки привода перегрузчика опускают пластину 34 на поверхность столика рабочей позиции 24 обработки.По окончании...

Номер патента: 1713448

Опубликовано: 15.02.1992

Авторы: Габор, Дьердь, Каталин, Мария, Янош

МПК: G01B 7/06

Метки: конструкциях, полупроводниковых, слоев, слоистых, толщины

...спонтанно возникающий между раствором, электролитом 2,и полупроводниковой поверхностью образца 6, - это равновесный потенциал раствора, его величину указывают по отношению ккаломельному электроду 4,Для осуществления измерений необходимо выдержать некоторые условия:а) полупроводник относительно графитового электрода 3 независимо от типа проводимости должен иметь положительноенапряжение для тогочтобы могло осуществляться анодное травление;б) при использовании материалов и-типа полупроводник для того, чтобы процесстравления мог протекать, должен освещаться светом большей или такой же по величинеэнергии, что и запрещенная зона полупроводника, для обеспечения образования необходимых для протекания травлениянеосновных носителей заряда...

Номер патента: 1713666

Опубликовано: 23.02.1992

Автор: Шутеев

МПК: B05C 5/02

Метки: нанесения, покрытий, полупроводниковых, приборов

...в сторону от направляющей, а краскосъемник выполнен в форме полукруга. 4 ил,ноелено сопла 10 с пазом для ориентации приборов, воронка 11 с краскосъемником, а 12. Острый угол а предусмотрен с целью максимального приближения сопла 10 к направляющей 8 для ориентации приборов в момент покраски. Для заправки резервуара 1 краской и ее последующего слива предусмотрены горловина 13 и кран О 14, Приборы 15 находятся в кассете 16. ОУстройство нанесения покрытий полупроводниковых приборов работает следующим образом,В резервуар 1 через горловину 13 заливается краска. После чего приводится во вращение шнек 2, который подает краску по каналу 4 и соплу 10 на высоту, необходимую для полного нанесения покрытия на полупроводниковые приборы, Высот; подачи...

Номер патента: 1714541

Опубликовано: 23.02.1992

Авторы: Архипов, Ермолаев, Знаменская, Кавешников, Кумиров, Малков

МПК: G01R 31/26, G01R 31/28

Метки: микросхем, полупроводниковых, приборов, разбраковки

...графикам, приведенным в ряде источников, можно установить, что при дивергенции, равной нулю, вероятность ошибки 40 распознавания равна 0,5, а при 12= 39,2 она составит 0,15. Таким образом, использование предлагаемого признака для рассмотренного примера снижает вероятность ошибки классификации на 0,35. 45Поскольку реальные распределения шу-,мов надежных и потенциально-дефектных элементов различаются в меньшей степени, чем распределение сигналов в рассмотренном примере, то практически вероятность 50 ошибки классификации может снизиться на величину 0,1 - 0,2, что и подтверждается экспериментом.Способ может быть реализован с помощью устройства, структурная схема кото рого приведена на фиг.3. Устройство содержит датчик 1 с...

Номер патента: 1721665

Опубликовано: 23.03.1992

Авторы: Мирошкина, Петрович

МПК: H01L 21/66

Метки: балочными, выводами, полупроводниковых, преимущественно, свч-приборов

...приборов с балочными выводами, общий вид; на фиг, 2 - узелна фиг, 1 (полупроводниковый СВЧ- прибор с балочными выводами, контактные элементы СВЧ-тракта и упругая тонкостенная прозрачная оболочка в момент контакти рова ния).Устройство для контроля полупроводниковых приборов содержит основание 1 с контактными элементами микрополосковой линии 2, эластичный прозрачный прижимной элемент, выполненный в виде тонкостенной оболочки 3, внутренняя полость которой соединена с источником 4 избыточного давления Р через штуцер 5 пневмо- или гидропривода. Устройство снабжено ограничителем перемещений тонкостенной оболочки 3, выполненным в виде кольца б, плоскость которого параллельна плоскостиконтактных элементов микрополосковой ли 5...

Номер патента: 1725293

Опубликовано: 07.04.1992

Авторы: Богданов, Вялый, Живов, Иванчик, Любак

МПК: H01L 21/302

Метки: клеящий, крепления, пластин, полировании, полупроводниковых, состав

...и клин пластинпосле полирования увелич,1 вается.При массовом содержании смеситрихлорэтилена с изопропаноломболее 500 мас,ч, например 530 мас.ч.,из-за малой вязкости толщина наносимого на столик состава не првышает 1-2 мкм. В этом случае снижается прочность крепления пластин настолике, что приводит к срыву пластин со столика при полировании.При массовом содер нании канифолименее 80 мас.ч например 75 мас.ч,и церезина более 18 мас.ч., например 20 мас.ч., клеящий состав характе.ризуется низкой прочностью крепления пластин на столике в начальныйпериод полирования, когда температура полировальника находится впределах 293-298 К в результатепроисходит самопроизвольный срывпластин со столика и их бой.При массовом содержании канифоли более...

Номер патента: 1727178

Опубликовано: 15.04.1992

Авторы: Богданов, Живов

МПК: H01L 21/302

Метки: пластин, полировки, полупроводниковых, финишной

...химического травления кремния, что приводит к появлению на рабочей поверхности пластин дополнительного количества рисок и царапин. Поддержание давления на пластины меньшего, чем 0,05 10 Па, например 0,0410 Па, затрудняется по техническим причинам, связанным с конструктивными особенностями установок для химико-механической полировки. При продолжительности третьей стадии полировки меньшей, чем 2 мин, например 1,5 мин, съема кремния оказывается недостаточно для удаления матовости рабочей поверхности пластин, а при продолжительности третьей стадии большей, чем 5 мин,например 5;5 мин, появляются дефекты в виде рисок и царапин,Необходимость проведения второй и третьей стадий обработки на одном полировальнике имеет следующее...

Номер патента: 1727540

Опубликовано: 15.04.1992

Автор: Хейнрих

МПК: H01L 21/68

Метки: пластин, полупроводниковых, термической

...с ним нагреватель Ю, заполняющий патрубок по всему поперечному сечению со стороны загрузки. Остающаяся полость заполнена кварцевой ватой 22. Стакан 19 зафиксирован с помощью металлической или керамической пластины 23 и стопорного кольца 24, Для предотвращения возможной термической перегрузки пластина 23 соединена с помощью установленного с геометрическим замыканием патрубка 25 с уплотняющим элементом с кольцом 26 круглого сечения и одно,".ременно зафиксирована в своем положении на лопате 21, Другой регулируемый нагреватель 27 неподвижно установлен в кварцевом патрубке в блоке 3, При этом остающаяся полость также заполнена кварцевой ватой 22. Посредством нагревателя 27 достигается изотермический режим со стороны выхода газа.Механизм...

Номер патента: 1729764

Опубликовано: 30.04.1992

Авторы: Запорожский, Петасюк

МПК: B28D 1/00, H01L 21/461

Метки: пластины, полупроводниковых, поперечной, резки

...пластины или частично. Во втором случае подача возобновляется после вывода слитка в исходное положение и.последующего его поворота вокруг продольной оси О. При схеме с вращающимся слитком резка, а следовательнои радиальная подача, заканчивается по достижении режущей кромкой круга продольной оси слитка. В соответствии с требованиями технологического процесса резки отрезными кругами с внутренней режущей кромкой при любой ее схеме в зону контакта инструмента с разрезаемым слитком подается СОЖ. Для реализации предлагаемого технического решения СОЖ следует подавать предварительно подогретой, благодаря чему будет происходить нагрев режущей кромки и создаваться тем самым требуемый перепад температур между ней и периферией круга. Подогрев СОЖ,...

Номер патента: 1730218

Опубликовано: 30.04.1992

Авторы: Конников, Улин, Шайович

МПК: C30B 23/08, C30B 25/02, C30B 29/08 ...

Метки: монокристаллических, пленок, полупроводниковых

...превышения (сфалерит- вюртцит) а = а р/3, где р - наблюдаемая линейная плотность дефектов упаковки относительно кубической фазы, в обратных нм,Вторым необходимым условием реализации предлагаемого способа является выбор подложки, ее ориентации, Этот выбор должен обеспечить на поверхности кристалла - подложки высокую плотность центров адсорбции с максимальной глубиной потенциальной ямы для адатомов (адмолекул) кристаллизируемого вещества, и, главное, - отсутствие к нее подобия по потенциальному рисунку плоским сеткам кубического кристалла. Это обуславливает необходимость использования в качестве подложки монокристалла гексагональной симметрии со структурным типом вюртцита, а выбор ориентации подложки в соответствии с приведенными выше...

Номер патента: 1732398

Опубликовано: 07.05.1992

Авторы: Куркалов, Сика

МПК: H01L 21/68

Метки: контроле, пластин, подачи, позиционирования, полупроводниковых, свойств

...параллельные неправ- элементов 10 и имеет возможность вертиляющие с внутренними рабочими сторона кального перемещения с помощью электроми, держатель пластин, включающий магнита 11. На направляющих 2 надограничитель горизонтального перемеще- измерителем 5 установлен прижим 12,ния и поддерживающие опоры пластин,участок позиционирования и привод, ус- Поддерживающие опоры для пластин мотановленный на корпусе, причем направ гут быть выполнены в виде горизонтальнойляющие установлены на корпусе, полки направляющих 2, имеющих :образдополнительно содержит пару приводных ный профиль (фиг,1, 2),роликов, имеющих вертикальные оси вра- Устройство может содержать по крайщения и касающихся внутреннихсторон на- ней мере два дополнительных...

Номер патента: 1732399

Опубликовано: 07.05.1992

Авторы: Куркалов, Сика

МПК: H01L 21/68

Метки: автомат, пластин, полупроводниковых, разбраковки

...измерителем в контрольных точках фиг.7, представлены в таблице,Подача пластин.1 к измерителю 9 осу ществляется следующим образом.В исходном положении толкатели 3 и 4занимают положение по обе стороны от кассеты 5 подачи пластин, и после включения линейного шагового двигателя 23 связан ный с его плунжером 24 ролик 18 перемещает пластину 1 в зону контроля, После завершения цикла кОнтроля автомат в зависимости от результатов контроля сбрасывает пластину 1 в контейнер 11 брака или 55 перемещает ее в одну из кассет (позиция ана фиг,8).После того, как достигнуто симметричное расположение роликов 18 и 19 относительно выбранной кассеты, линейный шаговый двигатель 23 останавливается и путем поворота стопора 15 с помощью электромагнита 13 (фиг.3)...

Номер патента: 1734250

Опубликовано: 15.05.1992

Автор: Тепман

МПК: H01L 23/34, H01L 23/46, H05K 7/20 ...

Метки: охлаждения, полупроводниковых, приборов, силовых

...45 50 55 конденсации 4 снабжен пустотелыми ребрами 5 с внутренними перегородками 6. Токоподводы 7 с испарителями 3 жестко закреплены с внутренней стороны тонкостенной оболочки с возможностью образования между испарителями 8 зазора для размещения полупроводникового прибора 9,Сборка устройства для охлаждения силовых полупроводниковых приборов осуществляется следующим образом,Из изоляционного материала методом прессования (литья) изготовляют две части тонкостенной оболочки с пустотелыми ребрами, вставив в оболочку токоподводы 7, затем при горизонтальном положении охладителя помещают в него полупроводниковые приборы 9 и заполняют полость изолирующей жидкостью 3, устанавливают вторую часть оболочки, Устройство помещают в закрытую камеру....

Номер патента: 1735023

Опубликовано: 23.05.1992

Автор: Полков

МПК: B28D 1/00

Метки: кристаллы, пластин, полупроводниковых, разделения, резец

...профиль рабочей части, с помощью которого на полупроводниковой пластине прорезаются на глубине, меньшей ее толщины, лунки в двух взаимно перпендикулярных направлениях. Для окончательного разделения пластин на кристаллы используется струнная резка по центрам лунок пластины,Известен также профильный резец для изготовления кристаллов полупроводниковых приборов, в котором режущая кромка имеет клиновидную форму, Резец прорезает пластину на всю глубину.Недостатками применения данных резцов являются в первом случае наличие двух операций и смещение контактных поверхностей, а во втором - образование острых кромок у основания кристаллов, что приводит вследствие хрупкости материала к нарушению их целостности, а это снижает качество...

Номер патента: 1623498

Опубликовано: 30.05.1992

Авторы: Журавлев, Микертумянц, Сазонов, Северцев

МПК: H01L 21/306

Метки: загрязнения, ионов, поверхности, полупроводниковых, структур, удаления

...предварительно заменив катионоселективные мембраны анионоселективными и осуществив переплюсовку, т. е. приложив к структуре отрицательный потенциал, а на электроды - положительный.В устройстве достигается значительная экономия воды эа счет того, что один и тот же объем деионизованной воды можно использовать многократно при сохранениивысокого качества очистки полупроводниковой структуры, так как ионы загрязнения в процессе очистки непрерывно выводятся из отмывочного раствора и его чистота в процессе очистки не ухудшается,Одновременно в устройстве обеспечивается и экономия электроэнергии, так как наличие мембраны между электродами позволяет приблизить их друг к другу. Воэможность уменьшить расстояние между электродами в устройстве...

Номер патента: 1737261

Опубликовано: 30.05.1992

Авторы: Арешкин, Иванов, Федорцов, Федотова

МПК: G01B 11/06

Метки: бесконтактного, полупроводниковых, слоев, толщины, эпитаксиальных

...слое или в подложке вследствие различия их электрофизических свойств. Область генерации неравновесных носителей зависит от глубины проникновения инжектирующего излучения в структуру, т. е, от его длины волны. Снимают спектральную зависимость изменения интенсивности прошедшего через структуру или отраженного ею зондирующего излучения от длины волны дополнительногоизлучения, фиксируют длины волны1 определяющую спектральное положение перехода величины изменения интенсивности от значения, характерного для подложки, к значению, характерному для эпитаксиального слоя, и по заранее построенной градуировочной кривой определяют толщину эпитаксиального слоя И/.На фиг. 1 изображена эпитаксиальная структура; на фиг. 2 - зависимость...

Номер патента: 1743771

Опубликовано: 30.06.1992

Авторы: Белкин, Огер, Твердов, Черкасов

МПК: B23K 11/11, B23K 31/00

Метки: автомат, монтажа, полупроводниковых, приборов, проволочного

...кареток 11, несущих устройство 6 и оптико- телевизионное устройство 9, осуществляется поиск реперных участков изображений топологии, распознавание и вычисление координат взаимного расположения контактных площадок кристалла и корпуса, одновременно с этим на правое устройство 7 в позиции загрузки "г" (фиг. 2) устанавливается полуфабрикат следующего (второго) полупроводникового прибора и в момент окончания работы систем технического зрения, если второй полуфабрикат зафиксирован в правом устройстве 7, оба устройства 6 и 7 начинают параллельно-встречное движение по отношению друг к другу, одновременно оптико-телевизионное устройство 9 на своей каретке 11 по приводу 10 совершает поперечно-встречное движение по отношению к правому устройству 7...

Номер патента: 1746264

Опубликовано: 07.07.1992

Авторы: Гамарц, Дернятин, Добромыслов, Крылов, Курняев, Трошин

МПК: G01N 21/23

Метки: полупроводниковых

...с выхода ФНЧ 19 анализатора 9 возникает также модуляция поступает на сигнальный вход АЦП 20, в на частоте в 1, Прошедшее вращающийся котором преобразуется в цифровой код в анализатор 9 излучениелинейнополяризова- моменты прихода импульсов на вход запуно, причем плоскость поляризации враща ска АЦП 20. Эти импульсы вырабатываются ется с частотой 2 в 1, Оптические элементы формирователем 11 и 12 опорного сигнала устройства, расположенные на оптической и жестко связаны с угловым положением оси после вращающегося анализатора, мо- анализатора. Таким образом, на вход регигут быть чувствительны к направлению по-стрирующего устройства 21 поступает поляризации проходящего через них света. В 55 следовательность цифровых кодов,особенности это...

Номер патента: 1746337

Опубликовано: 07.07.1992

Авторы: Григулис, Пориньш, Сидорин

МПК: G01R 31/28, H01L 21/66

Метки: параметров, полупроводниковых

...или полосковой линии передачи при открытой излучающей щели в ограничивающей их металлической поверхности, закрытой эталонным материалом и последовательно обеими сторонами контролируемой структуры, Значения толщин слоев и их удельных сопротивлений вычисляют по расчетным соотношениям или по номограммам, полученным с помощью эталонов. измерительнои характеристике - импедан су. Это обусловлено особенностью многопа- фь, раметровцх по своей сути измерений, (, заключающихся в необходимости априор-р ной информации о толщинах слоев при измерении их удельных сопротивлений и о удельных сопротивлениях при измерении толщин слоев, и не позволяющей вследствие этого осуществлять раздельное измерение как удельных сопротивлений, так и толщин каждого из...

Номер патента: 1746555

Опубликовано: 07.07.1992

Авторы: Детинов, Златковская, Зусмановский

МПК: H01L 23/34, H05K 7/20

Метки: охлаждения, полупроводниковых, приборов, радиатор

...со скосами клинообразных сухариков 10 при наворачивании гайки 12 на резьбовую поверхность 6 цилиндра 4, Шлиц 14 не дает втулке 13 проворачиваться, что исключает неупорядоченное расположение клинообразных сухариков10, их перекос, обеспечивает равномерноераспределение пучков гибких проволок 3 и их. равномерное обжатие, уменьшает необходимое усилие затяжки нажимной гайки 12;.Выполнены сухарики 10 из материала скоэффициентом теплового линейного рас-.ширения, превышающим коэффициент теплового линейного расширения материалаосйования 1, что создает дополнительноеобжатие пучков 3 гибких проволок при нагреве всего устройства, улучшает теплоотдачу, На дне основания 1 установленполупроводниковый прибор 16.Радиатор работает следующим образом,В....

Номер патента: 1747877

Опубликовано: 15.07.1992

Авторы: Торчинский, Федорцов, Чуркин

МПК: G01B 11/06

Метки: интерференционный, полупроводниковых, слоев, толщины

...всему спектру составляет от единиц до десятков минут. Это приводит к большой длительности процесса измерений и делает способ неприменимым при массовом контроле полупроводниковых слоев впроизводственных условиях.Цель изобретения - повышение производительности измерения.Поставленнаяцель достигается тем, чтона измеряемый слой направляют монохроматическое излучение, а затем регистрируют отраженное от слоя (или прошедшее через него) излучение и путем измерения угла падения излучения на измеряемый слой получают угловую зависимость интен. сивности отраженного слоем (или проведшего через него) излучения, а по угловому расстоянию между экстремумами полученной зависимости определяют толщину слоя,Согласно общей теории интерференциикоэффициент...

Номер патента: 1749782

Опубликовано: 23.07.1992

Авторы: Асалханов, Дарибазарон, Домбровский

МПК: G01N 21/21

Метки: адсорбированного, времени, молекул, поверхности, полупроводниковых, равновесного, слоя, состояния, установления

...близким по технической сущ- полируют, затем помещают в вакуумную каности к предлагаемому является способ оп- меру 9 и устанавливают на юстировочную ределения выхода на равновесное площадку, Череэвходноеокно 10 камеры на состояние методом нуль-эллипсометрии, 35 образец 8 направляют луч линейно полярио предусматривающий помещение исследу- зованного света под углом на 1 - 2 меньше емого полупроводникового материала в главногоуглападениядля поверхностиисвакуум, облучение его поверхности поляри- следуемого материала относительно нормаэовэнным излучением и определение рав- ли к его поверхности. Азимут поляризациио новесного состояния адсорбированного 40 луча может изменяться в пределах 0-360 слоя молекул методом гашения...

Номер патента: 1749847

Опубликовано: 23.07.1992

Авторы: Аверьянов, Горбунов, Павлов

МПК: G01R 27/02

Метки: полупроводниковых, слоев, сопротивления, удельного

...а таке прй менение в качестве эталонного образц проводящего слоя с йэоЛирующей границеи дает возможность с достаточной точностью измерять величину удельного сгопротивле ния полупроводниковых слоев пройзволь ной формы с проводящей границей.Дополнительные измерения на эталонном образце позволяют учесть шунтирующее влияние проводящей гРаницы на величину напряжений, измеряемых на исследуемом образце, и таким образом исключить погрешность в определении величины р, связанную с влиянием проводящей границьслоя.В известных способах учет влйяния про- водящей границы слоя проводился с помощью измерений на эталонныхобразцгах, имеющих также проводящую границу. В предлагаемом способе дляэтой цели впервые используется эталонный образец с...

Номер патента: 1750076

Опубликовано: 23.07.1992

Автор: Детинов

МПК: H01L 23/34, H05K 7/20

Метки: охлаждения, полупроводниковых, преимущественно, приборов, радиатор

...с его дном ре- наружного воздуха через зазоры между пучбрами 7.ками проволок 3 над ребрами 7 (в районеНа вйутренней поверхнбсти 8 стенки 5 ребер), что повышает эффективность тепловыполнены клинообразные выступы 9, Меж- . обмена и расширяет эксплуатационные возду стенкой 5 и цилиндром 4 установлены 30 можности радиатора.клинообразные сухарики 10, размещенныемежду ребрами 7, и пучки гибкйх проволок Формулаизобретен ия3, размещенные в окнах 6 симметрично от- Радиатор для охлаждения. преимущестносительно торцов стенки 5, по обе стороны венно полупроводнйковых приборов, содна стакана, Со стороны вершин 11 сухари держащий теплоотводящее основание,ков 10 на резьбе цилиндра 4 установлена выполненное в виде "стакана и вставки...