Патенты с меткой «полупроводниковых»

Страница 38

Способ изготовления межсоединений полупроводниковых приборов

Загрузка...

Номер патента: 1829767

Опубликовано: 27.03.1996

Авторы: Баранцев, Бессонов, Костюк, Пономаренко

МПК: H01L 21/28

Метки: межсоединений, полупроводниковых, приборов

...того, в межсоединениях, изготовленных по способу-прототипу, возникает дополнительный вклад во внутренние напряжения, связанный с различием температурных коэффициентов линейного расширенич материалов окисного и проводящего слоев, В заявляемом способе этот вклад отсутствует, так как межсоединения представляют собой единую монолитную систему.Предлагаемый способ изготовления межсоединений полупроводниковых приборов позволяет, рассчитав предварительно температурный режим испарения, необходимый для реализации оптимальной глубинь фракционирования, данной навески сплава А - В - С, в дальнейшем осуществлять испарение, строго следуя этому режиму. При этом сам процесс испарения становится высокотехнологичным, а параметры получаемых...

Способ изготовления полупроводниковых приборов с пристеночными p-n-переходами

Номер патента: 1178269

Опубликовано: 27.03.1996

Авторы: Казуров, Кокин, Манжа, Патюков, Чистяков, Шурчков

МПК: H01L 21/76

Метки: p-n-переходами, полупроводниковых, приборов, пристеночными

1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ С ПРИСТЕНОЧНЫМИ p-n-ПЕРЕХОДАМИ, включающий формирование боковой диэлектрической изоляции, глубокого коллектора окисления меза-областей, создания активной и пассивной базовой областей, осаждение нитрида кремния, вскрытие контактных окон в диэлектрических слоях, осаждение пленки поликристаллического кремния, ионное легирование донорной примесью областей, вскрытых в диэлектрических слоях, через пленку поликристаллического кремния, одновременный отжиг всех ионолегированных слоев, металлизацию, отличающийся тем, что, с целью увеличения процента выхода годных приборов, после осаждения пленки поликристаллического кремния дополнительно проводят ее ионное подлегирование акцепторной примесью дозой (5...

Способ изготовления полупроводниковых приборов с пристеночными p-n-переходами

Номер патента: 1072666

Опубликовано: 27.03.1996

Авторы: Кокин, Манжа, Патюков, Чистяков

МПК: H01L 21/331

Метки: p-n-переходами, полупроводниковых, приборов, пристеночными

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ С ПРИСТЕНОЧНЫМИ p-n-ПЕРЕХОДАМИ, включающий формирование боковой диэлектрической изоляции, глубокого коллектора, нанесение диэлектрических слоев, вскрытие окон в диэлектрических слоях, осаждение пленки поликристаллического кремния, легирование пассивных, активных базовых и эмиттерных областей и металлизацию, отличающийся тем, что, с целью увеличения процента выхода годных приборов и повышения плотности их компановки, после создания боковой диэлектрической изоляции проводят ионное легирование пассивной базы, осаждают нитрид кремния, осуществляют фотолитографию всех контактных окон, затем наносят пленку поликристаллического кремния, формируют фоторезистивную маску для защиты эмиттерных и...

Устройство для доводки полупроводниковых пластин

Загрузка...

Номер патента: 1829770

Опубликовано: 10.04.1996

Авторы: Заболотская, Рогов, Савушкин, Смирнов

МПК: H01L 21/304

Метки: доводки, пластин, полупроводниковых

...маслом, затем на нем устанавливают зубчатые колеса 2 и 4 (е=З мм, =22, гэ=105), между которыми размещают четыре колеса-сателлита 3 (хг=38), обеспечивая зацепление между ними. В отверстиях 5 ко лес 3 размещают четыре спутника с пластинами, Прижимной диск 8 с прокладкой 11 совмещают с колесом 2, добиваясь размещения шпильки 9 в отверстия 10 колеса, Ось вращения прижимного диска 8 помещают в 30 направляющую штангу корпуса на расстоянии - 150 мм от оси вращения доводочного диска. Посредством кронштейнов 12, сохраняя равномерность перемещения колес- сателлитов 3 между колесами 2 и 4, внешнее 35 колесо 4 жестко закрепляют на корпусе 13устройства.Создают давление на пластины из расчета Р=6,0 кПа. Доводочный диск приводят во вращение с...

Способ изготовления полупроводниковых приборов с пристеночными p-n-переходами

Номер патента: 1215550

Опубликовано: 20.04.1996

Авторы: Казуров, Манжа, Патюков, Попов, Чистяков, Шурчков

МПК: H01L 21/265

Метки: p-n-переходами, полупроводниковых, приборов, пристеночными

1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ С ПРИСТЕНОЧНЫМИ P-N-ПЕРЕХОДАМИ, включающий формирование боковой диэлектрической изоляции, формирование глубокого коллектора, окисление меза-областей, создание базовой области, осаждение нитрида кремния, вскрытие окон в диэлектрических слоях к коллектору, активной и пассивной части базовой области, осаждение пленки поликристаллического кремния, ионное легирование вскрытых в диэлектрических слоях областей через пленку поликристаллического кремния, одновременный отжиг ионнолегированных слоев и формирование металлизации, отличающийся тем, что, с целью увеличения процента выхода годных приборов, после вскрытия окон в диэлектрических слоях проводят ионное подлегирование активной части базовой...

Способ изготовления полупроводниковых приборов

Номер патента: 758971

Опубликовано: 27.04.1996

Авторы: Коваленко, Кокин, Манжа, Назарьян, Одиноков, Сулимин

МПК: H01L 21/822

Метки: полупроводниковых, приборов

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ с боковой диэлектрической изоляцией, включающий операции термического окисления, нанесение диэлектрического слоя, селективное травление по отношению к окислу кремния, вскрытие окон в диэлектрических слоях, легирование для формирования базовой и эмиттерной областей, металлизацию, отличающийся тем, что, с целью повышения качества изготавливаемых приборов и процента выхода годных, после операции термического окисления и вскрытия окон в окисле формируют базовую область, наносят диэлектрический слой и проводят вскрытие в нем окон под эмиттер так, что окна в термическом окисле и диэлектрическом слое перекрещиваются, после чего осуществляют легирование для формирования эмиттерной области.

Способ очистки поверхности полупроводниковых пластин

Номер патента: 1217185

Опубликовано: 10.05.1996

Автор: Чесноков

МПК: H01L 21/268

Метки: пластин, поверхности, полупроводниковых

1. СПОСОБ ОЧИСТКИ ПОВЕРХНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН, включающий их помещение в нейтральную среду или вакуум и последующее испарение загрязняющих частиц путем облучения поверхности лазерным излучением, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности очистки, используют излучение с длиной волны, меньшей среднего размера поперечника удаляемых частиц.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что используют излучение с длительностью импульсов не более 10-10с.3. Способ по пп.1 и 2, отличающийся тем, что лазерный луч направляют на поверхность наклонно к ней.

Композиция для защиты поверхности полупроводниковых приборов

Номер патента: 1582625

Опубликовано: 20.05.1996

Авторы: Голубева, Сергиенко, Шевлякова

МПК: C09D 143/04

Метки: защиты, композиция, поверхности, полупроводниковых, приборов

Композиция для защиты поверхности полупроводниковых приборов, включающая низкомолекулярный диметилсилоксановый каучук, трис-(ацетоксимокси) винилсилан и 1,1 -бис-[диметил(изооктокси) силил]ферроцен, отличающаяся тем, что, с целью увеличения срока хранения композиции, уменьшения ее коррозионной активности и снижения внутренних механических напряжений в покрытиях на ее основе, в качестве низкомолекулярного диметилсилоксанового каучука композиция содержит низкомолекулярный полидиметилдифенилсилоксановый каучук и дополнительно содержит -эпоксипропоксипропилтриэтоксисилан при следующем соотношении компонентов,...

Способ одностороннего травления пластин полупроводниковых материалов

Номер патента: 1086997

Опубликовано: 10.08.1996

Авторы: Нечаев, Романов, Чернявский

МПК: H01L 21/306

Метки: одностороннего, пластин, полупроводниковых, травления

1. Способ одностороннего травления пластин полупроводниковых материалов, включающий нанесение защитного покрытия на рабочую сторону пластины, утоньшение химической или механической обработкой, удаление защитного покрытия, отличающийся тем, что, с целью исключения возможности разрушения пластин и увеличения процента выхода годных, защитное покрытие наносят тремя слоями, первый из которых состоит из полимерного материала, растворимого в органических растворителях, второй из металла и третий из другого полимерного материала, который химически стоек к растворителям первого, а удаление покрытия осуществляют растворителем первого полимерного материала.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве первого слоя используют пленку...

Способ палладирования поверхности полупроводниковых соединений типа aiiibv

Номер патента: 1335062

Опубликовано: 10.08.1996

Авторы: Анисимова, Лазарев, Филипченко, Якорев

МПК: H01L 21/445

Метки: aiiibv, палладирования, поверхности, полупроводниковых, соединений, типа

Способ палладирования поверхности полупроводниковых соединений типа AIIIBV, включающий очистку поверхности, осаждение палладия из водного раствора двуххлористого палладия, отмывку и сушку поверхности, отличающийся тем, что, с целью повышения качества метал- лизации и снижения расхода палладия, осаждение пленки палладия ведут из раствора с концентрацией двуххлористого палладия от 0,005 до 0,01 мас. содержащего 1-1000 кг/м3 соляной кислоты, при температуре 293-298 К.

Способ изготовления полупроводниковых структур со ступенчатым профилем островков поликристаллического кремния

Загрузка...

Номер патента: 1814445

Опубликовано: 10.09.1996

Авторы: Балбуцкий, Гайдук, Сасновский, Чаусов

МПК: H01L 21/308

Метки: кремния, островков, поликристаллического, полупроводниковых, профилем, структур, ступенчатым

...следующее ограничение на ширину уступа:уст. - крит.раза, (8)где Ьу - ширина уступа фоторезистивной маски относительно края островков поликристаллического кремния,Добавив в правую часть соотношения (8) величину (Ь-Ь,), которая всегда больше нуля, ибо в противном случае проблем с обрывами межкомпонентной разводки на островках поликристаллического кремния не возникало бы, мы еще более уменьшим вероятность появления несплошной пленки межкомпонентной разводки на ступеньке:уст, - крит.раза. ("пкк. раза,) з (9)Перепишем (9) следующим образом:пкк. раза. крит.раза. - 1 уст. (1 О)Сравнивая (10) и левую часть (7), получаем, что глубина несквозного травления слоя поликристаллического кремния и ширина уступа фоторезистивной маски относительно края...

Способ сухого травления слоев на поверхности полупроводниковых структур

Загрузка...

Номер патента: 1817617

Опубликовано: 20.09.1996

Авторы: Базыленко, Гулевич, Державская, Родин

МПК: H01L 21/306

Метки: поверхности, полупроводниковых, слоев, структур, сухого, травления

...(по абсолютной величине), соответствует моменту начала вскрытия поверхности, находящейся под слоем (нижележащей) структуры. При вскрытии всей немаскированной поверхности нижележащей структуры сигнал стабилизируется, что соответствует моменту окончания травления, Очевидно, отрезок времени между началом роста первой производной сигнала и моментом окончания травления слоя равен времени вскрытия поверхности нижележащей структуры. Это время может быть получено следующим образом. К моменту вскрытия поверхности нижележащей структуры в месте на пластине с максимальной скоростью травления в месте с минимальной скоростью травления толщина остатка слоя составляетЛЬ = (Ч.-Ч.) 1. (1) где Ч, Ч, - максимальная и минимальная скорости травления...

Способ полирования полупроводниковых пластин

Номер патента: 1725704

Опубликовано: 20.09.1996

Авторы: Башевская, Белов, Заказнова, Колмакова, Рогов, Тюнькова

МПК: H01L 21/302

Метки: пластин, полирования, полупроводниковых

Способ полирования полупроводниковых пластин, включающий наклейку на каждый спутник трех пластин, размещение спутников в гнездах кассеты на полировальнике, воздействие на пластины вращающегося полировальника и абразивного состава при нагружении пластины, отличающийся тем, что, с целью повышения точности обработки, обработку пластин ведут при линейной скорости точки полировальника, совпадающей с положением центра кассеты, от 1,4 до 2,4 м/с и давлении от 5 до 7 кПа, причем используют абразивный состав динамической вязкостью 4 8 сП.

Способ создания фотоприемников на основе мдп-структур на полупроводниковых подложках

Загрузка...

Номер патента: 1809708

Опубликовано: 10.10.1996

Авторы: Васильев, Мищенко, Нальникова

МПК: H01L 31/18

Метки: мдп-структур, основе, подложках, полупроводниковых, создания, фотоприемников

...состава при температуре отжига Т, 11 - время отжига при температуре Т;, 1 - количество отжигов,Наконец, проводят операции по созданию конкретного ИК-фотоприемника на основе МДП-структур по одной из известных технологий, включающих нанесение диэлектриков и формирование электродов регистрации и обработки информации.На фиг.1 показана зависимость концентрации электрически активных центров в приповерхностной области от времени отжига структуры; на фиг,2 - зависимость обнаружительной способности МДП-фотоприемника от концентрации легируюшей примеси при различных значениях поверхностного потен. циала.Конкретный пример применения данного способа к ИК фотоприемникам, создаваемым на основе МДП-структур из КРТ р-типа с х = 0,22 и концентрацией...

Способ получения монокристаллических полупроводниковых соединений

Загрузка...

Номер патента: 1621562

Опубликовано: 27.10.1996

Автор: Губенко

МПК: C30B 15/04, C30B 29/40

Метки: монокристаллических, полупроводниковых, соединений

...ОаАз легируют 1 п с концентрацией 210 см . В раствор дополнительно19 -3вводят Сд и 1 п в концентрациях соответственно 510 , 10 см и 610 , 510 см18 19 -3 19 20 -3 В таких же условиях выращивают пленки ОаАз из растворов, содержащих Сй - 5 1017 и 1 п - 410 см (запредельная концент 2 -3рация). Соотношения концентрации Сб и 1 п в предыдущем случае 1:12 и 1:15.П р и м е р 4. Выращивают эпитаксиальные пленки баАз из раствора Оа с растворенным баАз (Аз - 5 ат,о/,) и Бе с концентрацией 1,210 см . В раствор до 19 -3полнительно вводят РЬ с концентрациями 610 , 5 а 10 см и и: 910 , 2,510 см (соотношение концентраций РЬ:и = 1:15 и 1:12). Выращивают в идентичных условиях, но с концентрациями дополнительных элементов РЬ и п 10 и 810 см18 20 -3...

Способ эпитаксиального наращивания полупроводниковых твердых растворов

Номер патента: 1559970

Опубликовано: 27.11.1996

Авторы: Абрамов, Дерягин, Долганов, Мизеров, Селиверстов, Третьяков

МПК: H01L 21/208

Метки: наращивания, полупроводниковых, растворов, твердых, эпитаксиального

Способ эпитаксиального наращивания полупроводниковых твердых растворов путем приведения в контакт подложки с температурой Tn и раствора-расплава с температурой Tp при соотношении температур 100oC Tp Tn 800oC, отличающийся тем, что, с целью получения непрерывного ряда твердых растворов (Si2)x GaAs4-x на кремниевой подложке, предварительно наносят на поверхность подложки насыщенный при температуре Tn раствор-расплав мышьяка в олове слоем толщиной 100-300 мкм, после чего приводят его в контакт с...

Способ изготовления полупроводниковых оптоэлектронных приборов

Загрузка...

Номер патента: 1829804

Опубликовано: 27.11.1996

Авторы: Васильев, Швейкин, Шелякин

МПК: H01L 31/18

Метки: оптоэлектронных, полупроводниковых, приборов

...7 мм рт,ст. выращивали пленки с еленида цинка при температуре подложки (гетер о структуры с мезой) 70 С,В первом случае используют в качестве источника нелегированный, поликристаллический сел енид цинка. Это позволило получать напыляемые пленки селенида цинка с удельным электросопротивлением р = 10 Омфсм.Во втором случае используют в качестве источника с еленид цинка, легированный примесью Ма до концентрации 810ат. Это позволило получить удельное электро- сопротивление напыляемых слоев селенида цинка 10 Омфсм,В третьем случае используют в качестве источника селенид цинка, легированный примесью Са до концентрации 810ат.0, что приводит к удельному сопротивлению напыляемых слоев сел енида цинка 10 Омфсм.П р и м е р 2. Мезаполосковые...

Способ получения эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений типа aiibvi

Номер патента: 766418

Опубликовано: 10.12.1996

Авторы: Буттаев, Гасанов, Магомедов

МПК: H01L 21/205

Метки: aiibvi, полупроводниковых, слоев, соединений, типа, эпитаксиальных

Способ получения эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений типа AIIBVI, включающий вакуумирование рабочей камеры до 1 10-1 1 10-2 мм рт. ст. продувку водородом, создание давления водорода 90 110 мм рт. ст. нагрев зоны источника до 750 800oC и зоны подложек до 600 620oC, эпитаксиальное наращивание, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических параметров слоев за счет изменения полярности ориентации, предварительно перед нагревом зон источника и подложек проводят их отжиг в течение 2 3 мин при давлении 1

Способ закрепления полупроводниковых пластин, преимущественно при механической обработке их поверхности

Номер патента: 1586466

Опубликовано: 27.12.1996

Авторы: Абраров, Кондратьев, Лисин, Поздняков, Рассохин, Хохлов

МПК: H01L 21/58, H01L 21/68

Метки: закрепления, механической, обработке, пластин, поверхности, полупроводниковых, преимущественно

Способ закрепления полупроводниковых пластин преимущественно при механической обработке их поверхности, включающий размещение полупроводниковых пластин на подложке с электродами, покрытой полимерной пленкой, осуществление прижима пластины к подложке путем подачи напряжения на электроды, расположенные попарно коаксиально один относительно другого, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности закрепления путем увеличения равномерности прижима пластины к подложке, при размещении полупроводниковых пластин на подложке каждую пластину устанавливают соосно с электродами таким образом, чтобы контур пластины находился на поверхности, ограниченной внешним диаметром наружного электрода.

Кассета-спутник преимущественно для полупроводниковых приборов

Номер патента: 1780463

Опубликовано: 10.01.1997

Авторы: Грудин, Ильин, Сурков

МПК: H01L 21/68, H05K 13/02

Метки: кассета-спутник, полупроводниковых, преимущественно, приборов

1. Кассета-спутник преимущественно для полупроводниковых приборов, содержащая основание с гнездом для корпуса полупроводникового прибора и средства фиксации выводов прибора, отличающаяся тем, что, с целью увеличения эксплуатационных возможностей, средства фиксации выводов полупроводникового прибора выполнены в виде спиральной пружины, закрепленной на дугообразной поверхности опоры, размещенной на основании.2. Кассета-спутник по п. 1, отличающаяся тем, что, с целью повышения надежности фиксации выводов, она снабжена плоской пружиной, закрепленной на дугообразной поверхности опоры с возможностью изменения ее прогиба, а спиральная пружина расположена на плоской пружине.3. Кассета-спутник по п. 2, отличающаяся тем, что она снабжена...

Способ изготовления кремниевых полупроводниковых приборов и интегральных схем

Номер патента: 965239

Опубликовано: 10.01.1997

Авторы: Больших, Диковский, Каусова

МПК: H01L 21/306

Метки: интегральных, кремниевых, полупроводниковых, приборов, схем

Способ изготовления кремниевых полупроводниковых приборов и интегральных схем, включающий создание контактных окон в диэлектрике с помощью фотогравировки, очистку поверхности сильнолегированного кремния в окнах травлением в травителях, содержащих плавиковую кислоту, и создание контактно-металлизационной системы, отличающийся тем, что, с целью улучшения воспроизводимости электрических параметров приборов и повышения выхода годных структур, перед очисткой поверхность кремния в окнах дополнительно окисляют в атмосфере увлажненного кислорода при температуре 873 973К в течение 10 30 мин и очистку травлением поверхности кремния в окнах проводят при освещенности 1 10 лк.

Устройство для импульсного отжига полупроводниковых пластин

Номер патента: 1512397

Опубликовано: 10.11.1997

Авторы: Годник, Двуреченский, Кашников, Кучерявый, Потемкин

МПК: H01J 3/04

Метки: импульсного, отжига, пластин, полупроводниковых

Устройство для импульсного отжига полупроводниковых пластин, содержащее установленные в вакуумной камере катод с размещенными на нем искровыми источниками плазмы, сетку и анод, генератор высоковольтных импульсов и конденсаторную батарею, отличающееся тем, что, с целью повышения качества при отжиге пластин большого диаметра, оно содержит высоковольтный переключатель с системой фотоконтроля, выполненный в виде одного или нескольких неподвижных дисков с установленными на них контактами и соосных с ними подвижных дисков с выполненными в них радиальными пазами и снабженных пружинными контактами, причем число контактов неподвижного диска равно числу радиальных пазов подвижного диска, а каждый источник плазмы подключен к высоковольтному...

Способ изготовления полупроводниковых пластин

Номер патента: 1566814

Опубликовано: 27.11.1998

Авторы: Константинов, Новиков, Тюнькова, Шуляковский

МПК: C30B 29/40, C30B 33/04

Метки: пластин, полупроводниковых

Способ изготовления полупроводниковых пластин, включающий механическую обработку слитка, обработку лазерным излучением и резку, отличающийся тем, что, с целью повышения процента выхода годных пластин из арсенида индия за счет снижения количества дефектов кроя пластин, обработке излучением подвергают всю внешнюю поверхность слитка при следующих параметрах излучения:Мощность излучения, Вт - 3,40 - 3,90Длительность импульса, с - 0,004 - 0,006Коэффициент перекрытия луча - 0,4 - 0,5д

Способ измерения тепловой постоянной времени переход-корпус полупроводниковых приборов

Номер патента: 845563

Опубликовано: 20.05.1999

Авторы: Горюнов, Дулов, Сергеев, Широков

МПК: G01J 5/26

Метки: времени, переход-корпус, полупроводниковых, постоянной, приборов, тепловой

Способ измерения тепловой постоянной времени переход-корпус полупроводниковых приборов, заключающийся в регистрации потока ИК-излучения с поверхности структуры полупроводникового прибора при подаче на него разогревающей мощности, изменяющейся по гармоническому закону с частотой, близкой к величине обратной тепловой постоянной времени переход-корпус, отличающийся тем, что, с целью уменьшения времени измерения, измеряют сдвиг фаз между разогревающей мощностью и регистрируемым потоком ИК-излучения и по величине этого сдвига фаз определяют тепловую постоянную времени переход-корпус.

Способ очистки полупроводниковых кремниевых пластин

Номер патента: 1190857

Опубликовано: 20.06.1999

Авторы: Верходанов, Герасименко, Мясников, Ободников

МПК: H01L 21/268

Метки: кремниевых, пластин, полупроводниковых

Способ очистки полупроводниковых кремниевых пластин путем воздействия на поверхность лазерным излучением, отличающийся тем, что, с целью обеспечения очистки поверхности пластин от механических загрязнений, кремниевые пластины подвергают воздействию лазерного излучения с длиной волны 1,06 0,000365 мкм, удельной мощностью 318 Вт/см2 - 15 кВт/см2 и длительностью воздействия 50 - 200 мс.

Устройство для получения полупроводниковых соединений

Номер патента: 1730871

Опубликовано: 10.07.1999

Авторы: Белецкий, Денисов, Лисиченок, Пастухов

МПК: C30B 11/00

Метки: полупроводниковых, соединений

Устройство для получения полупроводниковых соединений, содержащее вертикально установленную кварцевую ампулу с гидрозатвором в верхней части размещенный в ней графитовый тигель и независимые нагреватели, отличающееся тем, что, с целью повышения качества получаемых соединений халькогенидов за счет уменьшения внутренних напряжений, тигель имеет форму, подобную форме ампулы, а на его боковой поверхности выполнены вертикальные сквозные прорези.

Реактор для проведения диффузии в производстве полупроводниковых приборов

Номер патента: 1634050

Опубликовано: 27.10.1999

Авторы: Волков, Кондрашов, Мурзин

МПК: H01L 21/223

Метки: диффузии, полупроводниковых, приборов, проведения, производстве, реактор

Реактор для проведения диффузии в производстве полупроводниковых приборов, включающий кварцевую трубу диаметром D с отверстием для ввода газов на одном конце и отверстием для загрузки и выгрузки полупроводниковых пластин на другом, съемную кварцевую крышку с отверстием для вывода газов, цилиндрическая часть которой коаксиально входит в отверстие трубы для загрузки и выгрузки полупроводниковых пластин, отличающийся тем, что, с целью повышения процента выхода годных полупроводниковых приборов и продления срока службы реактора, цилиндрическая часть съемной крышки установлена с постоянным зазором величиной g = 0,05D по отношению к стенке трубы, а со стороны отверстия для вывода газов в...

Травитель для полупроводниковых соединений

Номер патента: 670005

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Аграфенин, Аграфенина

МПК: H01L 21/302

Метки: полупроводниковых, соединений, травитель

Травитель для полупроводниковых соединений, содержащий трехокись хрома и соляную кислоту, отличающийся тем, что, с целью получения зеркально-гладкой поверхности пластин кристаллов и пленок полупроводниковых соединений типа А4В4С6 и А4В6С6, он дополнительно содержит уксусную кислоту и воду при следующем соотношении компонентов, вес.%:Трехокись хрома - 2,5 - 10Соляная кислота - 2,6 - 18Уксусная кислота - 1,86 - 12,65Вода - Остальное

Способ селективного травления полупроводниковых соединений типа aiiibv

Номер патента: 797459

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Золотухин, Максимов, Марончук

МПК: H01L 21/302

Метки: aiiibv, полупроводниковых, селективного, соединений, типа, травления

Способ селективного травления полупроводниковых соединений типа AIII BV, включающий нанесение металла на поверхность полупроводникового соединения с последующей термообработкой, отличающийся тем, что, с целью упрощения селективного травления и увеличения глубины травления, металл, преимущественно индий или галлий, наносят в виде пленки толщиной 0,1-10 мкм на участки полупроводника, подлежащие травлению а термообработку проводят при температуре, превышающей температуру диссоциации полупроводника на 20-200oC в потоке инертного газа.

Травитель для полупроводниковых соединений типа aiiibv

Номер патента: 673083

Опубликовано: 10.11.1999

Автор: Аграфенина

МПК: H01L 21/48

Метки: aiiibv, полупроводниковых, соединений, типа, травитель

Травитель для полупроводниковых соединений типа AIIIBV, преимущественно для антимонида индия, содержащий водорастворимые органические кислоты, преимущественно винную и этилендиаминтетрауксусную, окислитель и воду, отличающийся тем, что, с целью получения зеркально-гладкой поверхности травления при малых толщинах съема материала и улучшения эксплуатационных свойств травления, он дополнительно содержит соляную кислоту и кислородхлорсодержащий окислитель, преимущественно хлорноватистую кислоту, при следующем соотношении компонентов мас.%:Водорастворимые органические кислоты, преимущественно винная и этилендиаминтетрауксусная - 0,4 - 0,5Соляная кислота (37%) -...