Патенты с меткой «полупроводниковых»

Номер патента: 381619

Опубликовано: 01.01.1973

Автор: Авторы

МПК: C03C 3/074

Метки: изоляции, полупроводниковых, стекло

...ПРИБОРОВИзвестное стекло для изоляции полупр никовых приборов, включающее РЬО, %02 и ХпО, имеет высокую температуру мягчения порядка 640 С.Для снижения температуры размяг предлагаемое стекло содержит указанные поненты в следующих количествах, ого по м оплавляют прц темазстава имеет хорошую с коэффициентом теродложек цз ситалла ц ения комвесу: редмет изобретен ц 30 - 40 15 - 25 5 - 10 35 - 42 0 10 В 20 з ЬгОз ХпО ме того Р 205 Уг 10, ения укавах,пол проводггивО, ВОз,ЯОе,целью сницоцо содержитющцх колцчес изоляции гающее РЬ тем. что, с змягченця цты в след о состава ( % по весу): - 22,75; ЯОз - 10; ХпО - учают путем мокрого пошихты в присутствии цзодо образования суспензцц, а подложки. Полученный вают при 140 - 150 С в те 30 - 40 15 -...

Номер патента: 382981

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Блакитный, Камуз

МПК: G01R 31/26

Метки: изделии, параметров, полупроводниковых, слаботочных

...расположены внутри электромагнита неподвижно и отделены от его сердечника прокладкой.На чертеже изображено предлагаемое устройство.Устройство состоит из двух катушек 1, 2 электромагнита. Каждая катушка имеет неподвижный сердечник, состоящий из втулки 3, выполненной из магнитного материала (прижимная часть), контактного стержня 4 из материала с малым удельным сопротивлением (измерительная часть) и прокладки 5 из диэлектрика для устранения токов утечки. Стержни 4 подключены кному прибору 6,При подаче контролируеройству запитываются ка5 магнита и прижимают детчерез которые подается кот электроизмерительногоходит измерение параметрмерения катушки 1, 2 элекО чиваются, и изделие попасортировки. троизмерительмои детали тушки 1, 2 аль к стер...

Номер патента: 415758

Опубликовано: 15.02.1974

Авторы: Колытин, Комиссаров, Кучеров, Новак, Тригуб, Шаталов

МПК: H01L 21/00

Метки: пластин, полупроводниковых, скрайбирования

...7 установлен на валу 8 и кинемати-.чески связан с механизмом перемещения 9, который имеет столик 10 для закрепления полупроводниковой пластины 11, Каретка 12, сна ряженная резцом 13, подпружиненным с помощью пружины 14, перемещается по направляющим 1 б, которые оснащены демйферным устройством 1 б. Привод холостого хода состоит из цепнойпередачи 17 с захватами 18 и ки нематически связан с механизмом 9 перемещения пластины.Устройство работает следующим образом.Обрабатываемая полупроводниковая пластина 11 закрепляется (например, мастикой) З 0 на столике 10. Поршень 3 посредством тяги413б, кулачка б и вала 8 выводится в крайнееле-, вое положение. Привод холостого хода, управляемый валом 8, выводит каретку 12 с помощью одного из захватов...

Номер патента: 417377

Опубликовано: 28.02.1974

Авторы: Ефремов, Житин, Зельвенский, Пеллер, Петрик, Семенов

МПК: C01B 6/06, C01B 9/02

Метки: гидридов, неорганических, полупроводниковых, хлоридов

...материалов и металлов. При этом удаляются органические и элементоорганические примеси с близкими к основному веществу температурами кипения (например, очистки АзСз от СНзАзС 1), а также примеси, лабильные в процессе ректификационной очистки, т. е. изменяющие химическую форму (например, очистка СтеС 1 от примесей ацетилхлоридов). По предлагаемому способу за счет ректификационного концентрирования повышается концентрация примесей в зоне куба колонны термоочистки и осуществляется их многократная циркуляция, что обеспечивает более высокую эффективность процесса в целом,П р и мер 1. А, В ректификационную кварцевую колонну загружают трихлорсилан в количестве 500 мл с примесью диметилхлорсилана (0,05 вес. %), Режим обогрева куба погружным...

Номер патента: 419400

Опубликовано: 15.03.1974

Авторы: Инструмента, Скрипко, Таланцев, Трембовецкий

МПК: B28D 1/04, B28D 5/02

Метки: бffgt, заготовок, материаловв, о4-ue4, полупроводниковых, разрезания

...процент брака при разрезании хрупких материалов из-за сколов на выходе режущей кромки инструмента, обусловленных недостаточной поперечной устойчивостью его.Целью изобретения я повышение производительности и у ние сколов ца кромках пластин. Для этого по предложенному способу товки подают по спирали относительно вращения круга, перемещая их непрер одну за другоц. з Предложенный способ иллюстрируется чер тежом. Режущую кромку 1 алмазного отрезного круга вращают со скоростью , а заготов ки 2 перемещают по спирали 3 относительно 10 оси врашеш(я круга с заданной скоростью Г,которая обеспечивает необходимую пода чу ца врезание 5 = сопз 1. При этом в контак те с режущей кромкой инструмента находится несколько заготовок одновременно, и...

Номер патента: 419817

Опубликовано: 15.03.1974

Авторы: Медведев, Петров, Сибирский, Уюеренко

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: 113лерения, полупроводниковых, свойств, электрически4

...с помощь 1 о пстли связи 17, а с СВЧ свин-генератором - с помощью петли связи 5 18. Емкость, образованная полупрозрачнымконтактом 15, волноводом 11 н пластинкой слюды, выбирается таким образом, чтобы сопротивлени 1 с этой емкости на СВЧ было низким, а на частоте генератора 8 - высоким. О Электрическое поле резонатора 4 практически сосредоточено в зазоре между полупрозрачным электродом 15 и торцом штыря 12, таким образом исследуемый образец оказывается вкл 1 оченнь 1 м в СВЧ поле резонатора.5 Устройство работает следующим образом.СВЧ мощность от свип-генератора 1 черезаттенюатор 2, вентиль 3 подастся на резонатор 4. Прошедшая через резонатор мощность регистрируется дстектором. ПродстсктировянО 11 ый сигнал подается на усплп тель...

Номер патента: 421073

Опубликовано: 25.03.1974

Авторы: Артынов, Бичев, Золотаревский

МПК: H01L 21/00

Метки: загрузки, кассету, кристаллов, полупроводниковых, приборов

...ца цих для повторения цикла. вакуумцые присосы каждой из рабочих поверхцостей лотка выполцецы автоцомцыми,На чертежике изображена предлагаемое устройство.5 На столе 1 устройства расположены направляющие решетки 2 с отверстиями и прцемциком для кассет 3. Между решетками ца оси 4 укреплен вибролоток 5, с двух стороц которого имеются канавки с гнездами 6, че рез отверстия в которых происходит вакуумцый присос кристаллов. К корпусу вцбролотка через гибкие штапгц 7 ц трехпозцциоццый распределитель 8 присоедццец форвакуумцый цасос 9. Кристаллы насыпаются ца верхшою 15 сторону вибролотка 5. Вибратор включается,ц детали начинают двигаться по поверхности лотка, заполнял гнезда 6. Как только все гнезда заполнятся деталями, распределителем...

Номер патента: 421957

Опубликовано: 30.03.1974

Автор: Тверезовский

МПК: G01R 31/26

Метки: многоканальное, параметров, полупроводниковых, приборов

...на двацикла. Прп первом цикле происходит преобразование контролируемого сигнала в цифро вую форму и запоминание кода. При втором3цикле производится контроль нестабильности контролируемых параметров.При первом цикле напряжение, которое подается на вход аналого-цифрового преобразователя, преобразуется в цифровую форму, и по команде, поступающей от схемы управления, код записывается в МЗУ по адресу, определяемому регистром адреса 2. Каждому контролируемому прибору соответствует свой адрес в МЗУ. После преобразования всех напряжений, пропорциональных контролируемым параметрам диодов, и записи кодов в МЗУ наступает второй цикл работы устройства.При втором цикле измерительные цепи через нормирующий элемент подключаются к измерительному блоку...

Номер патента: 421959

Опубликовано: 30.03.1974

Авторы: Борисов, Шамов, Экслер

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: лавинным, механизмом, п-переходов, полупроводниковых, приборов, пробивного, пробоя

...полупроводникового прибора. Цель изобретения - повышение точностиизмерений.Цель достигается тем, что по предлагаемому способу ца импульсы низкочастотного на 5 пряжения. подаваемые на контролируемыйр - и-переход, накладывают высокочастотныйсигнал и в момент прохождения через нульвысокочастотной фазовой характеристикир - и-перехода измеряют текущее значение амО плитуды на р - гг-переходе, равное напряженио пробоя,Блок-схеха устройства, рпредлагаемый способ, представ,теже.15 Пробивное напряжение измеряют следуощим образом.Генератор 1 нарастающего ццзкочдстотцо.го напряжения вырабатывает импульсы, цакоторые цакладыва 10 тся импульсы Высокоча 2 О стотного напряжения от генератора 2, частотукоторого выбирают цз условия...

Номер патента: 423205

Опубликовано: 05.04.1974

Авторы: Куракова, Курносов, Мозгалев

МПК: H01L 23/06

Метки: корпусов, полупроводниковых, приборов

...заключается в том, что на поверхность кварце вых конструктивных элементов наносят слой смеси из трехокиси молибдена и окиси никеля, например, в соотношении 5: 1, а затем припаивают к нему металлические детали мягким припоем. 25Кварцевые конструктивные элементы предварительно обрабатывают в бо 1 О-ном растворе перекиси водорода в течение 20 - 30 мин и промыва 1 от в проточной деионизованной воде, имеющей уд, сопротивление 10 Мом, После З 0 этого обрабатыва 1 от кварцевые элементы в разбавленной плавиковой кислоте для удаления поверхностного слоя кварца и придания ему шероховатости и промывают в деионизованной воде.На поверхность (торцовую или боковую в зависимости от вида корпуса) кварцевых элементов любым способом наносят слой водной...

Номер патента: 423662

Опубликовано: 15.04.1974

Авторы: Инструмента, Научно, Скрипко, Таланцев, Трембовецкий, Украинский

МПК: B23D 45/08, B28D 5/02

Метки: алмазным, закрепления, кругом, материаловна, отрезным, пластины, подачислитков, полупроводниковых, резке

...т. е. подачу с постоянным усилием резания.Иавестиое устройство имеет следующпе недостатки, которые ограничивают его при ние 1 в промышленности:- при резке вращающегося вокруг своей оси слитка наблюдается большой процент брака из-за сколов,в центре отрезаемой пластины, которые при даиной схеме резания практически неизбежны;- необходимость предварительной калибровкии слитков для точного центрирования;- ,неполное использование слитка, так как часть его служит для зажима в устройстве;- недостаточная производительность, так как устройство позволяет отрезать не более одной пластины за один проход, а также невозможность использования известных устройств одновременно для закрепления и подачи слитков.Цель изобретения - уменьшение брака и...

Номер патента: 426207

Опубликовано: 30.04.1974

Авторы: Тислер, Унт

МПК: G01R 31/26

Метки: вентилях, падения, полупроводниковых

...обмот ка 9 которого подключена через ненасыщающийся дроссель 10 к источнику 11 стабилизированного тока. Испытуемый вентиль 5 соединен с амплитудным вольтметром 12.Устройство работает следующим образом.10 В исходном состоянии конденсатор 1 заряжен через резистор 3 до напряжения источника 4. Сердечник дросселя 8 насыщен благодаря протеканию тока в подмагничивающей обмотке 9 от источника стабилизированного 15 тока. При отпирании тиристора 2 конденсаторразряжается через обмотку 7 дросселя насыщения и первичную обмотку трансформатора 6 тока.Дроссель насыщения включен в схему та ким образом, что намагничивающая сила разрядного тока конденсатора противоположна намагничивающей силе, возникающей под действием источника 11 тока,...

Номер патента: 428314

Опубликовано: 15.05.1974

Авторы: Конов, Смоленский

МПК: G01R 31/26

Метки: параметров, полупроводниковых, приборов, с-образной, характеристикой

...значении емкости С включение прибора происходитточно при напряжении ЬБк,а выключение -15при напряжении 0 Траектория движениярабочей точки показана стрелками,Амплитудный вольтметр с закрытым входом (конденсатор 4 и диод 5) измеряет амплитуду пилообразного напряжения, т, е. разноСт (Увкб - т 18 ыы). Эта ВЕЛИЧИНа ПОкаэывается обычным высокоомным вольтметром б.Амплитудный вольтметр с открытым входом (диод 7 и конденсатор 8) измеряет максимальное мгнсвеиное значение выходногонапряжения т 1, релаксатора (конденсатор8 заряжается до уровня (1). Следовательно, Вольтътетр 8 показывает напряжение ИВольтметр 10 измеряет разницу напряжений амплитудных вольтметров, которая равна428314 Предлагаемое устройство может быть применено для измерения,...

Номер патента: 428498

Опубликовано: 15.05.1974

Авторы: Андрюшин, Изобрете, Кущ, Морозов, Соколов

МПК: G05F 1/569, H02H 7/10

Метки: включенных, защиты, параллельно, полупроводниковых, триодов12

...всех предо хранителей, а база через диодную сборку - к коллекторам контролируемых триодов.На чертеже дана принципиальная электрическая схема описываемого устройства.Устройство содержит плавкие предохрани тели 1, включенные в цепи коллекторов полупроводниковых триодов 2, диоды З,схемы ИЛИ и сигнализирующий элемент 4, выполненный в виде триода типа и-р-и с индикатором в цепи коллектора.25В исправном состоянии сигнализирующий элемент 4 нормально закрыт, поскольку участок база-эмиттер его триода замкнут через сопротивление небольшой, величины (плавкий предохранитель, диоды сборки и резистор, включенный параллельно этому участку).При неисправности любого из триодов 2 возникает коротко замыкание или ток возрастает сверх нормы, плавкий...

Номер патента: 429374

Опубликовано: 25.05.1974

Автор: Гриша

МПК: G01R 27/26

Метки: бесконтактных, высокой, измерений, параметров, полупроводниковых, слоев, частоте

...1 с плавной перестройкой частоты, элемент связи 2, имеющий малое (менее чем в 10 раз) реактивное сопротивление по сравнению с последовательным реактивным (емкостным) сопротивлением кварцевого резонатора 3, пер вичпую обмотку 4 трансформатора с емкостным зондом 5, Индуктивное сопротивление первичной обмотки 4 трансформатора должнО быть во много раз (более 10) менее эквивалентной индуктивности кварцевого резонато ра 3, а емкость зонда 5 должна быть большой(более 10 раз) по сравнению с эквивалентной последовательной емкостью кварцевого резонатора 3.-а некотором расстоянии от зонда 5 15 (0,1 мм) находится испытуемый слой 6, нанесенный на проводящую подложку 7 стеклянной пластины 8. Вторичная обмотка 9 трансформатора подключена к...

Номер патента: 429375

Опубликовано: 25.05.1974

Автор: Свирид

МПК: G01R 27/26

Метки: добротности, елкости, измеритель, полупроводниковых, приборов

...сравнения45 13, отрегулирова 1 нной таким образом, чтобы,врабочем диапазоне изменения сопротивлениялинейного управляемого полного сопротивления б опорное напряжение, превышало управляющее,50 Полученное в результате сравнения напряжение усиливают в усилителе 14 и воздействуют цм ца линейное управляемое полное сопротивление б, которое изменяет свою величину в соответствии с изменением вносимых потерь в измерительном контуре 1. Изменениянапряжения, воздействующие,на линейноеуправляемое полное сопротивление б, измеряют измерительным прибором 7, шкалу кс:орого градуируют в единицах измеряемой добротностии его коэффициент передачи автоматически изменяют в соответствии с емкостьюварикапа С. согласно выраженшо для,добротиссти Я, одним из...

Номер патента: 432999

Опубликовано: 25.06.1974

Авторы: Тышев, Филоненко, Янска

МПК: B23K 35/30, C22C 5/02

Метки: пайки, полупроводниковых, приборов, припой, элементов

...(золоченой) ке ов и, в ст алло ремния балок амике. дмет изобретен Припой для пайки элементов пол 10 ковых приборов, содержащий золот ний, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что повышения смачиваемости неметал. ных кристаллов, в его состав введ в количестве 25 - 30%, а остальные 15 ты взяты в следующем соотношени Германий 10 - 1 Золото Осталупроводнио и гермас целью сизированена сурьма компонени, %;5 но Известен припойпроводниковых пргерманий и олово.Для повышения смачиваемости неметаллизированных кристаллов в его состав вместо олова введена сурьма в количестве 25 - 30%, а остальные компоненты взяты в следующем соотношении, %:Германий 10 - 15Золото ОстальноеПредложеннын припой является трехкомпонентной эвтектикой и плавится при...

Номер патента: 434516

Опубликовано: 30.06.1974

МПК: H01L 21/04

Метки: локального, перехода, полупроводниковых, приборов, р.п

...битум.Способ заключается в следующем. На промытую и обезжиренную после шлифовки пластину с помощью маски из металла на участ чи, где не должна пройти диффузия, наносят слой битума, например БН, хорошо растворимого в органических растворителях, например в толуоле или четыреххлористом углероде, 3 2Далее любым известным способом наносят раствор солей, содержащий диффузант (алюминий). Пластину сушат до полного высыхания раствора (температура сушки не выше температуры растекания битума - около 40 С). После этого битум снимают кипячением в четыреххлористом углероде или толуоле, при этом соли остаются на пластине. Затем производится диффузия. Алюминий диффундирует только в месте его нанесения,Диффузант с большим давлением паров можно...

Номер патента: 434518

Опубликовано: 30.06.1974

Авторы: Кулешов, Мистейко, Панчев

МПК: H01L 21/60

Метки: выводов, полупроводниковых, приборов, присоединения

...одновременно со скольжением. Однако скольжение инструмента относительно прибора ведет к смещению выводов относительно контактных площадок и к ухудшению качества сварки; кроме того, известное устройство не позволяет производить присоединение выводов при круговом расположении контактных площадок корпуса.Цель изобретения - устранение скольжения инструмента относительно прибора,Цель достигается тем, что предлагаемая установка содержит механизм стабилизации обкатки, выполненный в виде кронштейна, имеющего выступы с установленной в них рамкой, в средней части которой имеется паз с расположенным в нем цилиндром, жестко закрепленным на хвостовике инструмента сварочной головки, расположенной в кронштейне с возможностью вращения вокруг...

Номер патента: 437594

Опубликовано: 30.07.1974

Авторы: Пинчук, Рюмшин

МПК: B23K 35/26

Метки: пайки, полупроводниковых, приборов, припой, силовых, элементов

...приведены в таблице. 0,5 - 1,5стальное л и к а з а Припой химический состав)азовыи состав припоя 25 чистоты) дно азныи ухфазная, освичные кри,5 - 1,7% 327 - 43 а припоярупные Струкнова РЬсталлы Структура двухфазная, основа а- раствор олова в свинце, вторая фаза - мелкие первичные кристаллы РЬ+ 0,5 - 1,5%Гасударственный комит Совета Министров ССС По делам изобретений и открытийДля повышенияфлюсующих свойсвведено олово в коные компоненты вшении, %:ГерманийСвинец я припо лагаемый ,5 - 3%, а дующем 441(30),больш 5 над т также мерное вок олпредлагаемыи кристаллизации ойства (за счет ературе пайки сплавления), а и более равноя за счет доба437594 Предмет изобретения Составитель В. Плахтий Техред Г Васильева Корректор Н, Учакина Редактор Н....

Номер патента: 438944

Опубликовано: 05.08.1974

Автор: Грибачев

МПК: G01R 31/26

Метки: импульсным, параметрам, полупроводниковых, приборов, разбраковки

...заданной длительности фронта, на дешифратор 7 подается сигнал о годности данного транзистора по т,С выхода дифференцирующей цепи 3 импульсы, амплитуда которых пропорциональна 1 у, инвертируются и поступают на усилитель 8, а затем на квазиселектор 9. Если 1 О 1 соответствует заданной длительности спада, на дешифратор подается сигнал о годности данного транзистора по ,о.При разбраковке транзисторов по 1, трапециевидные импульсы ограничиваются снизу на уровне 0,9 0 ограничителем 4. С выхода ограничителя 4 трапециевидные импульсы, длительность которых равна 1, подаются на триггер Шмидта 10 для преобразования в прямоугольные импульсы длительностью Эти импульсы управляют генератором пилообразного напряжения 11. Для увеличения разрешающей...

Номер патента: 438947

Опубликовано: 05.08.1974

Автор: Модель

МПК: G01R 31/26

Метки: качества, полупроводниковых, приборов

...поля может явиться дополнительным фактором, ускоряющим выявление скрытого брака на холоде). редмет изобретен роля качества полупроводникос помощью климатических ислодо- и теплостойкость, о т л нем, что, с целью повышения прогнозирования отказов, клипытания начинают с испытаний кость, причем приборы выдертемпературе - 60 С в течение сов, после чего измеряют их параметры при этой темпераСпособ конт вых приборов пытаний на хо чающийся т эффективности матические ис на холодостой жив ают при нескольких ча электрические туре. Изобретени спля качества олу р д х приборов,Известны способы контроля качества полупроводниковых приборов с помощью климатических испытаний,Известные способы не позволяют точно прогнозировать параметрические отказы...

Номер патента: 438948

Опубликовано: 05.08.1974

Авторы: Гофман, Новиков, Яцкевич

МПК: G01R 31/26

Метки: полупроводниковых, приборов, разбраковки

...известного устройства следующие: невозможность механизации процесса и субъективизм в оценке результатов испытаний.Целью изобретения является повышение точности и производительности процесса разбраковки полупроводниковых приборов по изменению сопротивления р-а-перехода при воздействии на него разогревающего импульса.Поставленная цель достигается благодаря тому, что параллельно измерительному сопротивлению подключен электронный ключ, вход которого соединен с генератором импульсов,и пороговое запоминающее устроиство, выходкоторого соединен с индикатором.На чертеже приведена блок-схема предложенного устройства для разбраковки полупро 5 водниковых приборов.Генератор 1 подает на испытуемый прибор 2серию импульсов. В момент...

Номер патента: 438949

Опубликовано: 05.08.1974

Авторы: Сапожникова, Тайманов

МПК: G01R 31/26

Метки: надежности, переключающих, полупроводниковых, приборов

...характеристик.Способ реализуется следующим образом.Испытуемый прибор подключают к элемен 15 там колебательного контура, например кЯС-цепочке, и вводят в режим автоколебаний.Определяют с высокой точностью (10 --10 - ) скорость изменения частоты колебанийи производные от ее значения величины, на 20 пример вариации или дисперсию скорости изменения частоты. По измеренным значениямвеличин вычисляют ожидаемое время сохранения прибором его метрологических характеристик.25 Современные способы дают возможност ьизмерять скорость изменения частоты с точностью 10 вв 10 в " в секунду. Зная связьмежду скоростью изменения частоты колебаний или производными от ее значения вели 30 чинами и временем безотказной работы при438949 Ю Ы кг г бора,...

Номер патента: 438950

Опубликовано: 05.08.1974

Авторы: Гельман, Дубовицкий, Шипков

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: вентилей, испытания, полупроводниковых

...амплитуды испытательного напряжения от напряжения класса испытуемого вентиля со сравнивающего устройства 22 выдается сигнал, пропорциональный величине рассогласования, на усилитель 24, который подает усиленный сигнал рассогласования на вход блока управления 7 защитным тиристором для изменения угла задержки включения тиристора 2. При этом напряжение на конденсаторе 1 изменится до величины, при которой амплитуда вторичного испытательного напряжения будет равна напряжению класса испытуемого вентиля.После прохождения однополярного испытательного импульса конденсатор 1 перезаряжается через диод 6, индуктивность 4 и первичную обмотку согласующего трансформатора 10, вызывая перемагничивание сердечника трансформатора в обратном...

Номер патента: 441152

Опубликовано: 30.08.1974

Авторы: Демихов, Кучеров

МПК: B28D 5/02

Метки: полупроводниковых, резки

...на 15 диске пленки охлаждающей жидкости.Под действием центробежных сил отрезанные пластины отбрасываются на вращающийся диск, минуя приемное устройство. Это приводит к раскалыванию пластин и, следова тельно, снижает процент выхода годных изделий.Цель изобретения - исключенческих повреждений отрезанныхсбрасывании их в улавливатель. 25Для этого устройство снабжено кольцеобразным захватом, выполненным из неметаллического материала, например текстолита, и установленным на суппорте поперечной подачи, 30 На фиг. 1 схематично показавное устройство; на фиг. 2 - тонии при окончании резки.Устройство включает приемное устройство 1 для отрезания пластин, вращающуюся головку 2, в которой закреплен режущий диск 3, суппорт 4, к которому прикреплен...

Номер патента: 443234

Опубликовано: 15.09.1974

Авторы: Васильев, Прохоров, Хорина

МПК: F26B 25/12

Метки: пластин, полупроводниковых, термической

...общий вид; на фиг, 2 - разрез по А - А на фпг. 1.Устройство для термической обработки полупроводниковых пластин состоит из отража тельного экрана 1 с водоохлаждаемой рубашкой 2, в верхней части которого, над отражательным экраном 1, установлена горизонтальная плоская пластина 3 со шлифованной направляющей дорожкой (несущей плоско стью 4), выполненная из прозрачного термостойкого материала, например из кварцевого стекла, На несущей плоскости 4 выполнены сквозные наклонные отверстия 5, служащиедля прохода газа.20443234 11 Для проведения термической обработки изделий, например сушки фоторезистивных пленок на полупроводниковых пластинах, на источник 8 инфракрасного излучения подают напряжение питания, соответствующее требуемой...

Номер патента: 443340

Опубликовано: 15.09.1974

Авторы: Божко, Лубяный, Маслов, Тверезовский

МПК: G01R 31/26

Метки: диодов, классификации, полупроводниковых

...информации о положении диода.С приходом диода 15 на первую измерительную позицию (клеммы 16 и 17) с генератора импульсов 1 по команде со схем управления 2 на диод 15 поступает импульс положительной полярности. В случае, когда диод оказывается включенным в прямом направлении, на резисторе 14 выделяется импульс, Если же диод оказывается включенным в цепь в обратном направлении, на резисторе 14 импульс не выделяется. Информация о положении диода на первой группе измерительных контактов, полученная с резистора 14, подается на вход схемы ориентации 3, Количество триггеров (на чертеже не показано) в регистре сдвига схемы ориентации равно числу измерительных позиций плюс триггер, вход которого соединен с резистором 14 и который стоит первым...

Номер патента: 443432

Опубликовано: 15.09.1974

Авторы: Кирилюк, Коваленко, Тихий, Фрумкин

МПК: H01L 7/68

Метки: влагопоглотительной, заполнения, колпаков, полупроводниковых, приборов, смесью

...выполнены пазы. В основайиз траФарзта 8 крепятся штыри У, которые оканчиваются яластичными чашзобразными алзментами 10. Трафарзт помещается в ван443432 с3ну 11, в котороИ находится вязкая основания стеноа. Выдавленная дозалощающая смзсь уровень смеси удерживается в колпаке заш" чашэоб азных эластич- счет сил сцепления.При движении вниз рамка 5 нажи ных элементов 10.Кассета 12 с колпаками полупромает на концевоИ выключатель, элвкволниковых приборов установлзна в тричзская цепь электродвигателя 1 основании 15, имеющем рукоятку 1. обзсточивается. Рамка 5 останавлиКрышка 15 прй опускании Фиксирузтвазтся в крайнем нижнем положении. положвниз кассету в основании, ОсьПоворотом рукоятки ТФ на 180 16 основания и крышки установлена 1 о -основание...

Номер патента: 444132

Опубликовано: 25.09.1974

Автор: Наливайко

МПК: G01R 27/00

Метки: полупроводниковых, сопротивления, удельного

...уменьшить его габариты и вес.Для этого измерительный резонатор совмещают с резонатором СВЧ-генератора.На чертеже представлена блок-схема предлагаемого устройства с помещенным в него исследуемым образцом,Устройство содержит СВЧ-генератор 1, полупроводниковый диод 2, блок питания 3, емкостный зазор 4, резонатор 5, видеодетектор 6, измерительный блок 7, сопротивление нагрузки 8, световой зонд 9, формирующее устроиство 10. В резонатор помещен исследуемый образец 11,Устройство работает следующим образС помощью светового зонда 9 в учас5 образца 11 возбуждается неравновесная пводимость, что приводит к изменению добротности и резонансной частоты резонатора 5.Поскольку мощность и частота генерации генератора 1 определяются добротностью и ре...