Патенты с меткой «полупроводниковых»

Номер патента: 1624564

Опубликовано: 30.01.1991

Авторы: Илюшкин, Шорохов

МПК: H01L 21/28

Метки: контактов, напыления, омических, полупроводниковых, элементов

...рабочей поверхностью для размещения полупроводникового элемента, маску 2, выступающую относительно рабочей поверхности посадочного гнезда на величину, равную 20 - 500 мкм, и держатель, выполненный в виде радиальных перемычек.Устройство для напыления работает следующим образом,В посадочное гнездо 1 на его рабочей поверхности размещается полупроводниковый элемент, маска 2 плотно прилегает к поверхности полупроводникового элемента эа счет упругих деформаций перемычек держателя 3. возникающих вследствие того, что маска выступает носительно рабочей поверхности посадочного гнезда на величину, равную 20 - 500 мкм.Установлено, что при уменьшении величины выступа маски относительно рабочей поверхности посадочного гнезда менее 20 мкм маска отходит...

Номер патента: 1624566

Опубликовано: 30.01.1991

Авторы: Гвоздев, Наконечный, Савченко

МПК: H01L 23/36, H05K 7/20

Метки: охладитель, полупроводниковых, приборов, силовых

...с пружинящими криволинейными выступами,Вставка 5 может быть изготовлена следующим образом: в пластине выполняютряд параллельных прорезей, участки междукоторыми выгибают поочередно в противо 1624566положные стороны, образуя криволинейные пружинящие выступы 6. За счет того, что выступы 6 расположены с обеих сторон вставки 5 так, что ее посадочный размер превышает размер ширины межреберного пространства, при движении обоих корпусов навстречу друг другу выступы турбулиэирующих вставок 5 входят в плотное соединение с натягом с поверхностью ребер, При этом каждым выступом обеспечивается надежный тепловой контакт по всей длине ребер как между вставками 5 и ребрами 4, так и между ребрами 4 обоих корпусов в местах их стыка. Конструкция...

Номер патента: 1626225

Опубликовано: 07.02.1991

Авторы: Гонов, Куракина, Образцов, Сергиенко

МПК: G01R 31/28

Метки: полупроводниковых, приборов, стабильности, температурной

...фактора, Обьем обучающей выборки М определяется нэ основаниитеоремы Бернули о достаточно большихчслах, Для доверительной вероятностиР=0,95 и относительной ошибки 0,1,К=96,Далее составляется план температурного эксперимента. Г 1 ри этом число температурных точек в зэданногл диапазонедолжо бть не гле е трех, Снимается зависигость пр гно руеглого параметра Унот т 1 РГа т,Г ,Для+ ения е да оператора ,1) порезул, обу люпего эксперимента использ, , регГ. ссвьй анализ, Эта процед;рз ,лзнает следующие этапы: выборвида г г гаи еской глодели (1); определение независимых коэффициентов этой модели; проверка значимости коэффициентови адекгэтности модели, Оценки коэффициентов уравнения регресгии определяют методом наименьших кл;,дратов.Подбор...

Номер патента: 1626474

Опубликовано: 07.02.1991

Авторы: Новик, Хазен

МПК: H01L 23/36, H05K 7/20

Метки: охлаждения, полупроводниковых, приборов

...или электроизоляционен в зависимости от схемы, реализуемой столбом, и обеспечивает равномерную установку охладителей 1 в столб. Применением дистанционеров 8 можно удвоить нагруэочную способность столба по сравнению с фиг,1, если набирать столб поочередной установкой в него первого охладителя, полупроводникового прибора, второго охладителя, дистанционера и т,д.Возможен охладитель (фиг.4), у которого в одной конструкции совмещены охлади- тель 1 для интенсивного охлаждения (часть оребрения 5 выше основания 3) и теплоаккумулятор, Оба охладителя 1 могут быть реализованы и по одну сторону от основания 3. При использовании совмещенного охладителя 1 появляется воэможность компоновать столб с помощью только одного типа (конструкции) охладителя...

Номер патента: 1628011

Опубликовано: 15.02.1991

Авторы: Каменев, Федонин, Финк

МПК: G01R 27/08

Метки: полупроводниковых, сопротивления, удельного

...339 Тираж 409 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул,Гагарина, 101 На чертеже приведена структурная электрическая схема устройства для измерения удельного сопротивления полупроводниковых материалов.Устройство для измерения удельного сопротивления полупроводниковых материалов содержит первый 1 и второй 2 токовые, третий 3 и четвертый 4 потенциальные зонды, подключенные к контролируемому полупроводниковому материалу 5, источник 6 тока, операционный усилитель 7, первый и второй буферные усилители 8 и 9, дифференциальный усилитель 10, вольтметр 11, а также первый и второй резисторы 12 и 13,...

Номер патента: 1018550

Опубликовано: 15.02.1991

Авторы: Зубарев, Кононов

МПК: H01L 21/66

Метки: испытаний, климатических, полупроводниковых, приборов

...в спутниках малых размеровпопадают из паза 40 магазипа загрузки 17 в паз 3 барабана 2, ИС в спутниках средних размеров иэ паза 41 магазина загрузки 1 в паэ 4 барабана2; ИС в спутниках больших размеровпопадают иэ и;.за 42 магазина загрузки 17 в паз 5 барабана:2,После заполнения на позиции за.грузки одного из пазов 3-5 барабана 2 приборами определенного типоразмера происходит поворот барабанана один шаг при помощи привода шагового вращения 54, и на позицию загрузки приходят следующие свободныепазы. Таким образом, по мере поворота, барабана 2 загруженные в его пазы 3-5 приборы перемещаются в зонуконтактирования, Время с момента загрузки прибора до подачи его на пози"цию контактирования равно времени выдержки приборов в устройстве для...

Номер патента: 1629932

Опубликовано: 23.02.1991

Авторы: Головко, Пименов

МПК: H01L 23/34

Метки: охладитель, полупроводниковых, приборов

...охлаждающим устройством тепла, выделенного полупроводниковым прибором, последний плоской поверхностью прижимается к токопро водной пластине 7 с усилием Р, необходимым для сжатия прибора. Тепловой поток от рабочей поверхности прибора к охлаждающей жидкости проходит через токопроводящую пластину 7 и токоизо лирующую подвижную стенку 5. Для улучшения теплопередачи граничный переход между поверхностями пластины 7 и стенки 5 выполнен из тонкого слоя теплопроводного припоя типа 30 ПОС. Давление на охлаждающее устройство от усилия Р воспринимается частично сжимающей пружиной 10 через подвижную стенку 5, а остальная часть давления - опорной кольцевой поверх 35 ностью корпуса 1. При этом давление на подвижную стенку 5 не зависит от внешней...

Номер патента: 1630985

Опубликовано: 28.02.1991

Автор: Михалькевич

МПК: B65D 85/00

Метки: кассета, полупроводниковых

...в виде прутка с двумя буртиками 11. Со стороны изделий подвижная плита 5 может быть снабжена упругой прокладкой 12. В качестве пружинного элемента 6 может быть использована пружина растяже,ния, пневмо-или гидродилиндр. В местах изгиба гибких связей 7 могут быть установлены блоки (не показано).Тару для полупроводниковых изделий используют следующим образом.Стопоры 8 освобождают от выточек 10 и они опускаются под действием пружинного элемента 6. Одновременно с этим подвижная плита 5 поднимается на максимальную высоту. В этом положении кассета готова к загрузке полупроводниковых изделий, Затем кассету загружают, после чего стопоры 8 устанавливают в верхние выточки 10 накладок 9, гибкие связи 7 при этом позволяют подвижной плите 5 под...

Номер патента: 1633032

Опубликовано: 07.03.1991

Авторы: Лаворик, Нечипорук, Новоселецкий, Филоненко, Шахрайчук

МПК: C30B 29/10, C30B 31/06

Метки: гетероструктур, полупроводниковых

...7 ч, затем производятснижение температуры до комнатной эа5 ч.Рентгеновские исследования, приведенные иа дифрактометре ДРОН-З, показывают наличие слоев СдхЕп, хСеР наповерхности обоих монокристалловСс 1 СеР и ЕпСеР, Это значит, что. одновременно получают две гетерострукту 45ры:Сдк 7 п, хбеРг - СЙСеРг ,Сйх Еп, хСеРг - ЕпСеР,причем последнюю гетероструктуру по 50 лучить по известному способу не представляется возможным.Монокристаллы, используемые для получения гетероструктур, получают следующими методами и имеют следующре характеристики: ЕпсеР методом5 Бриджмена, р-тип проводимости, поверхностное сопротивление 1 О Ом.см;СЙСеР методом химических транспортных реакций, и-тип проводимости, поверхностное сопротивление более О Ом.см. Слои...

Номер патента: 1637046

Опубликовано: 23.03.1991

Автор: Буткевич

МПК: H01L 23/34, H05K 7/20

Метки: охлаждения, полупроводниковых, приборов, радиатор

...цилиндрической формы, секции 1 и 2 соединены одна с другой путем вдвижения их цилиндрических выступов 10 в пазы 13 цилиндрической формы на полную длину. В результате этого образовано установочное основание радиатора, у которого высота внешних продольных ребер равна А + В (фиг. 2), внешние продольные ребра 4 и 7 секций 1 и 2 совмещены, а канал 16 охлаждения между обращенными одна к другой поверхностями прямоугольных профилей 3 обеих секций 1 и 2 выполнен в виде открытого с противоположных сторон четырехугольного короба, а также образован внутренними боковыми поверхностями продольных ребер 10,Полупроводниковый прибор 17 может быть закреплен на установочной площадке 18 с помощью винта 19 (фиг, 2), для чего в секциях 1 и 2 выполнены...

Номер патента: 1637049

Опубликовано: 23.03.1991

Авторы: Вексин, Желтухина, Шестоперов

МПК: H01L 23/34, H05K 7/20

Метки: охладитель, полупроводниковых, приборов, силовых

...охлаждающего воз 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 духа и имеют углы раскрытия равные углам наклона а 1 и а 2 горизонтальных полок 7 П- образных скоб дефлекторов 3 и 4 соответственно.Охладитель работает следующим обра зом,Для обеспечения допустимой степени нагрева полупроводникового прибора 12 от нагнетателя подается поток теплоносителя, как показано стрелками на фиг. 2, Дефлекторы 3 и 4 отклоняют все возрастающую часть теплоносителя от прямолинейного движения и направляют поток к основанию 1 охладителя, что способствует интенсификации теплообмена.Дефлектор 3 отсекает и направляет поток охлаждающего теплоносителя - воздуха для охлаждения. ограниченной его П-образной скобой части охладителя, дефлектор 4 обеспечивает забор новой...

Номер патента: 1637965

Опубликовано: 30.03.1991

Авторы: Баронин, Гононов, Фальков, Хмелев, Шмиткин

МПК: B23K 1/00

Метки: высоковольтных, диодов, пластин, полупроводниковых, соединения, стопу

...погружают во флюс для пропитки и вертикально загружают по три стопы одновременно между сжимающими обкладками приспособления, зазор между обкладками и стопой составляет.1,75 мм, Зазор 1,75 (0,25 мм от толщины стопы, смоченной флюсом) принят для разного количества полупроводниковых пластин в стопе, где критерием служит условие исключения распадания собранной стопы в процессе погружения в припой на отдельные группы, Толщина стопы из 26 полупроводниковых пластин в среднем составляет 6,54 мм. Толщина пластин после пропитки флюсом 6,93 мм, зазор между плоскостями полупроводниковых пластин составил 0,015 мм.Собранный пакет со стопами погружают в ванну с расплавленным свинцом при 380-400 С под воздействием колебаний с амплитудой 0,04-0,08...

Номер патента: 1637984

Опубликовано: 30.03.1991

Авторы: Алексеев, Береснев, Кузьмин, Осипов, Сорокин

МПК: B23K 31/02

Метки: автоматизированная, выводов, микросхем, объемных, полупроводниковых, приборов, присоединения

...ножа определяется требуемой высотой формируемого объемного вывода 28 и равна обычно 30 - 40 мкм, В исходном положении сварочная головка находится в крайнем вертикальном положении, губки 7 зажимают проволоку, Нож 9 находится в крайнем верхнем вертикальном положении и правом положении. Горизонтальная режущая кромка ножа внизу инструмента, установленного наклонно под углом а = 25 - 30 к оси проволоки, рас положена перед проволоковой,С помощью оптического устройства подводят необходимую точку сварки на приборе, расположенную на координатном столе 26 под сварочной инструмент с пропущенной через его отверстие проволокой. Коммутатор выдает сигнал на запуск механизма образования шарика, который обычно представляет электроискровой генератор....

Номер патента: 1638219

Опубликовано: 30.03.1991

Авторы: Барисс, Силамикелис

МПК: C30B 19/06

Метки: многослойных, полупроводниковых, структур

...отработанного расплава. Корснабжен крьппкой 1 со сем. Перемещение контейнвляют штоком 18.Устройство работает сл углубление й 9, совмеи углубле; сатор 8. Наконтейнер 1 щают исход- в-р асппавов, 3. Устройверху размещают поршни1638219 10 1 Э ство закрывают крьппкой 17, помещают в реактор и выдерживают при заданной температуре для получения растворарасппава 11. Затем температуру пош- жают и приступают к выращиванию эпи 5 таксиапьных слоев. Для этого штоком 18 контейнер 1 перемещают, Крышка 17 контактирует с поршнем 3 первой емкости 2. Раствор-расплав 11 через от верстие 10 поступает в камеру 19 роста, размещенную над подложкой 6. Избыток расплава 11 поступает в емкость 16. После выращивания первого слоя контейнер 1 перемещают до...

Номер патента: 1638577

Опубликовано: 30.03.1991

Авторы: Голод, Кальпус, Осинцева

МПК: G01L 9/04

Метки: давления, полупроводниковых, преобразователей

...с помощью процесса фотолитографии открывают окна под контакты 6 и осуществляют металлизацию поверхности пластин- заготовок с тензорезистивными схемами путем вакуумного, например термического, распыления алюминия. С помощью процес 1638577са фотолитографии формируют омические контакты и электрическую разводку тензорезистивных схем, Затем осуществляют металлизацию противоположной поверхности пластин-заготовок путем вакуумного нэпы ления алюминия 7. Режим металлизации противоположной поверхности пластин-заготовок аналогичен режиму напыления алюминия для создания омических контактов и электрической разводки тензорезистивных 10 схем чувствительного элемента, Для осущесгвления атомарной связи металлического слоя с поверхностью кремния и с его...

Номер патента: 1638818

Опубликовано: 30.03.1991

Авторы: Белик, Коноваленко, Огонькова, Серов

МПК: H01L 23/34, H05K 7/20

Метки: полупроводниковых, приборов, теплоотвод

...раздельноеобезжиривание порошка и основания 1в органическом растворителе, высушивают порошок и основание 1. Наносят порошок на основание 1- будущего теплоотвода и воздействуют на него магнитной системой, обеспечивающей перпендикулярность силовых линии основанию 1, В качестве магнитной системы используют набор постоянных магнитов 9, которые устанавливают со стороны основания 1, предусмотренной для подвода тепла. Пос" тоянные магниты 9 устанавливают так, что они образуют сплошную поверхность.В качестве постоянных магнитов 9 используют магниты, линия соединения полюсов которых перпендикулярна од" . ной из плоскостей магнита. Этой плоскостью магнитная плита 8 устанавливается на основание 1, в сечении эта плоскость представляет собой...

Номер патента: 1639932

Опубликовано: 07.04.1991

Авторы: Оладышкин, Сизов, Славинский

МПК: B23K 31/02

Метки: монтажа, полупроводниковых, приборов

...координатного стола 2 три)5контактные площадки: площадки 8 и 9,лежащие по диагонали на одной прямойи площадку 11, не лежащую на этойпрямой. Затем вертикальным перемещением сварочного инструмента по оси Е касаются его торцом каждой из указанных контактных площадок и определяютих положение. Определив положение трех, не лежащих на одной прямой, контактных площадок, автоматически рассчитывают по ним положения остальных контактных площадок кристалла 4 относительно фокальной плоскости оптического устройства 6. Затем перемещают. первую контактную площадку 8 вертикально по оси Е и размещают ее в фокальной плоскости оптического устройства б, после чего осуществляют вторично аналогично первой корректировку ее положения только в горизонтальной...

Номер патента: 1642410

Опубликовано: 15.04.1991

Авторы: Ануфриев, Кожухарь, Костишин, Летюк, Титов

МПК: G01R 27/02

Метки: бесконтактного, пленок, полупроводниковых, удельного, электросопротивления

...при площадях образца, меньшихплощади контура); на фиг. 6 - график зависимости точности измерения Т (Оь) удельного электросопротивления четырех образцовКНС с различными р и толщиной П от частоты измерения (в качестве контрольного использовали четырехзондовый метод), изграфика видно, что наибольшая точность измерения достигается в диапазоне частот135 - 155 мГц,1642410 05 1 ОО 110 1 га 1 ЗО ЮО 15 а 1 бп 170 И 71.р Им см; бмкм; Р-рф 160 и.см 1 Кбмки3-р 11 юм сн;Ь ЗОвм;4-Р" 1 Я 10 м см;Ь=40 юм Способ осуществляют следующим образом,Колебательный контур измерительного устройства с помощью переменного конденсатора (не показан) настраивают в диапазоне частот 135-155 мГц в резонанс при настройке переменного конденсатора на...

Номер патента: 1499631

Опубликовано: 23.04.1991

Авторы: Борунова, Резников, Рыскин

МПК: H01L 21/66

Метки: зарядовой, полупроводниковых, стабильности, структур

...заряда. При этомряда,на пластине оценивСоставитель К.БеленоТехред А.Кравчук едакт Корректор Н.Борисова монин Подписи Заказ 1900 ж 377 и ГКНТ СССР открытиям д. 4/5ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям 113035, Москва, Ж, Раушская ннно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул. Гагарина,оизво 3 149963 чине падения напряжения на токосъемном резисторе 6, затем по сигналу "измерение", подаваемому с управляющего выхода измерителя электрических параметров на управляющие входы переключателя 5 и элемента 7 памяти, переключатель 5 переходит в положение, при котором основание 3 соединяется со вторым входом измерителя 4 10 электрических параметров, а элемент памяти 7 запоминает величину напряжения на токосъемном резисторе б,...

Номер патента: 1574118

Опубликовано: 15.05.1991

Авторы: Заргарьянц, Курносов, Мезин, Шарипов

МПК: H01L 21/324

Метки: остаточной, полупроводниковых, примеси, слоев

...силового поля деформации, но неокисла обычно составляет несколько позволяет получить достаточную скосотен ионослоев (200-300). Рость диффузии, позтоиу эффект очист В р и и, е р. способ бцп .опробован кк - минимальный и даже после 24 чв лабораторны условиях. предприятия- вьдержки увеличение интенсивности :.заявителя для очистки от цинка эпи Фотолюминесценции незначительно.тасвальных слоев и-Еп з Сазт,Ав со Увеличение температуры прогрева,стекекь 3 в компенсации цйнка а, следовательно, и скорости диффуэииь ускоряет процесс очистки и приЮ /Я0,5,. . . 450 С достаточно. полная, очистка достигается йрнмерно за 20 иин.. ГдеМ - концентрация акцепториой Подобнце закономерности наблюдапримеси; ются .и в процессе очистки других.мно Н -...

Номер патента: 1650799

Опубликовано: 23.05.1991

Авторы: Алексеев, Алесковский, Губайдуллин, Дрозд, Румянцева, Щекочихин

МПК: C30B 25/00

Метки: полупроводниковых, структур

...загрузки реактора 1 производят откачку из него аргона с помощью форвакуумного насоса 11, открыв при этом вентили 12, 13, 14. Затем реактор вакуумируют припомощи диффузионного насоса 15 до давления не выше 10 Па, при этом закрывают вентиль 14 при открытых вентилях 12, 13 и 16, Отключают форвакуумный насос 11 и напуск в него воздуха, открывают вентиль 14 при закрытом вентиле 16, Синтез многослойной периодически чередующейся структуры на поверхности партии образцов с толщиной каждого слоя по 10 нм и общей их толщиной 100 нм на основе соединений селенида цинка и селенида кадмия начинают с напуска металлоорганического соединения цинка, открывая вентиль 17, закрывают его и открывают вентиль 16. Затем подают селенистый водород, Для этого...

Номер патента: 1657386

Опубликовано: 23.06.1991

Авторы: Ерошин, Каширина, Петров, Приходько, Сацукевич, Сердюк, Торба

МПК: B28D 5/00

Метки: полупроводниковых, резки

...срыва пластин или загрязнения отрезного барабана, требующих останова устройства после завершения цикла резки для очистки или балансироаки барабана. В ПУ 40, 42, 44 и 45 устанавливают максимально допустимые значения параметров процесса, превышение которых требует коррекции режимов или правки отрезного круга, Так, в ПУ 40 устанавливают значения максимально допустимой деформации режущей кромки отрезного круга, в ПУ 42 - максимально допустимое усилие резания, в ПУ 44 - максимально допустимую вибрацию и в ПУ 45- максимально допустимую неплоскостность пластин, В ПУ 46 и 47 устанавливают максимально и минимально допустимые значения толщины пластины. В ПУ 48 и 49 устанавливают допустимые границы изменения скорости вращения отрезного круга, а в...

Номер патента: 1659536

Опубликовано: 30.06.1991

Авторы: Бестаев, Жуков, Томаев

МПК: C30B 19/00, C30B 29/46

Метки: основе, полупроводниковых, соединений, структур

...нарващивание слоев на основе соединений А В в защитной атмосфере. Получают стрктуры с плотностью дефектов менее 10 см гомогенизации раствора-расплава. Использование чистого водорода способствует удалению окисной пленки с поверхности раствора-расплава и подложки, Затем прекращают подачу водорода и в системе создают вакуум. При достижении вакуума 10 -10 мм рт.ст. раствор-расплав приво.4дят в контакт с подложкой. После этого в системе вновь восстанавливают поток водорода и снижают температуру со скоростью 0,05 С/мин.В результате получены структуры РЬТеРЬо,ваяло,2 Те, у которых высота микронеровностей границы раздела не превышала 0,3 мкм, на границе раздела не было включений в виде пузырей и пустот, а плотность дефектов составляла...

Номер патента: 1661600

Опубликовано: 07.07.1991

Авторы: Белозубов, Козин, Марин, Михайлов

МПК: G01L 27/00

Метки: давления, датчиков, испытания, полупроводниковых, чувствительных, элементов

...диапазон работы датчика, Отклик с испытываемых тензочувствительных и термочувствительных элементов кристалла через зонды 27 поступает на регистрирующую аппаратуру, По результатам испытаний кристалла судят о его эксплуатационных характеристиках. Таким образом в предложенном решении расширяются эксплуатационные возможности устройства за счет обеспечения возможности испытания кристаллов при температурах ниже комнатной, так и при минусовых температурах. Кроме. того кристалл в предлагаемом устройстве можно испытывать на воздействие термоциклов,Использование устройства для испытания чувствительных элементов датчиков позволяет обеспечить следующие преимущества: повысить достоверность результатов испытаний за счет расширения диапазона...

Номер патента: 1661876

Опубликовано: 07.07.1991

Авторы: Головнин, Нуридинов, Рифтин, Церфас

МПК: H01L 23/31

Метки: каплевидной, корпусах, пластмассовых, полупроводниковых, приборов, формы

...офсетного нанесения жидкогокомпаунда на арматуру (фиг. 3) имеет дискдиаметром Оо= 5,5 см, вращающийся с частотой 5 - 80 об/мин, С помощью этой машинки наносился слой компаунда типа 5ЭКЛБ, в котором в качестве основы используется эпоксидная смола ЭД.После нанесения компаунда рамки с арматурами помещают в термошкаф с температурой 160.ф 15 С и вращают соосно с 10частотой 30 об/мин в. течение 15 - 20 мин дозагустевания слоя.Выполнение габаритов каплевидногокорпуса приборов КД 209, КД 221 требуеттрехкратного нанесения слоев эпоксидного 15компаунда с последующей полимериэациейего при 160.ф.10 С не менее 12 ч, Затемнесущие части рамки или гребенки отрезают и на отдельных приборах измеряют электрические параметры и проводят...

Номер патента: 1661877

Опубликовано: 07.07.1991

Авторы: Бочек, Зильберберг, Киркун, Мамыкин, Павленко, Рутковский

МПК: C04B 35/10, C22C 29/12, C23C 4/10 ...

Метки: алюминия, материал, напыления, окиси, основе, плазменного, полупроводниковых, порошковый, приборов, теплостоков

...основе окисидля плазменного напыленияполупроводниковых прибороэлектроизолирующих теплослоев на теплопередающих илдящих поверхностях полупроприборов.Целью изобретения являение электрического сопротивлепроводности и снижениематериала,Порошковмас, : окись карид алюминиятальное,В качезуют поро(ГОСТ 6912магния (ТУриллия маралюминиячастиц 30 зованием ипри 120 вчерез ситовают навес е р . Для экспериментальной путем смешения в конусном готовят составы предлагаемоного порошковых материалов ым соотношением компоненУдельное Удельн алектринеское солрстналенне,1 Ом ся онентоа, час.Окись ал миння алю- Окись оери з В 7 Т8 10 льное 1,2 101,1,0 а1,7 10 а1,25 10"-35, Раушская наб 4/5 роизводственно-издательский комбинат "Патент", г. Уж ул Гагарина 10...

Номер патента: 1665879

Опубликовано: 23.07.1991

Авторы: Духновский, Крысов, Кузнецов

МПК: C30B 33/00

Метки: пластин, полупроводниковых, термообработки

...0 ь, трубки 6 с общим расходом охлаждающей 0 воды 80 л/мин. Герметичная емкость 10 у представляет собой сильон из полиэтилена и имеет объем 150 см, Нэ держатель 2 загружают кремниевую пластину 3; держатель 2 перемещают в реакционную камеру 1 0 и закрывают ее запорным устройством 12. Через трубки 6 подают охлаждающую воду, а через патрубок 8 подают смесь газов С 02 ( ) и Н 2 до давления 30 ати. Время процесса составляет 100 с, температура 1200 С. В конце процесса температура дистиллированной воды составляет 48 С. Расширение 3000 см воды при нагреве ее на 30 С со 3 ставляет приблизительно 30 см, т. е. мень1 бб 5879 3 ше объема герметичной емкости 10, что позволяет скомпенсировать изменение ее объема при нагреве или откачке внутреннего...

Номер патента: 1668043

Опубликовано: 07.08.1991

Авторы: Брусенцов, Минаев, Умрихин

МПК: B22F 3/24

Метки: оксидных, полупроводниковых, порошков

...эффект. обусловленный нелинейностью кон1668043 Формула изобретения Способ получения полупроводниковых иэделий из оксидных порошков, включающий спекание и формирование поверхностного контактного слоя, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью удешевления процесса, улучшения качества и стабильности параметров изделий, формирование поверхностного контактного слоя осуществляют термообработкой в среде водорода при 650 - 670 С в течение 8 - 10 мин с последующим охлаждением с печью до 100 - 80 С и далее на воздухе,Составитель С.ДеркачеваРедактор М Стрельникова Техред М.Моргентал Корректор Т.Колб Заказ 2608 Тираж 489 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Рачшская наб., 4/5...

Номер патента: 1669407

Опубликовано: 07.08.1991

Авторы: Вольфгант, Дьердь

МПК: G01N 22/00

Метки: активных, п-переходом, полупроводниковых, примесей, структурах, электрически

...детектор 20, первый усилитель 55 21, блок 22 автоматической настройки частоты, второй усилитель 23, линию передачи 24, первый генератор 25 импульсов, второй генератор 26 импульсов, блок 27 обработки сигнала, ЭВИ28 и образец 29.Устройство (фнг. 3) содержит генератор 30, резонатор 31, СВЧ-детектор 32, генератор 33 импульсов, предусилитель 34, контур 35 удерживания,синхронный детектор 36, ЭВМ 37, блок38 регулирования температуры. Вместорезонатора можно использовать СВЧ-рефлектометр. В этом случае образец устанавливается в торцовой части волновода, а позади образца на регулируемом интервале располагается отражательсоответствующего размера,Устройство (фиг. 1) работает следующим образом.Излучение носителей из глубокихуровней, которые и...

Номер патента: 1137898

Опубликовано: 15.08.1991

Автор: Рыскин

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: нагрева, полупроводниковых, приборов, структур

...Одциковых приборов, Обусловленная тем, что у теплоемких прибороводного типа, имеющих разброс теплового сопротивления, импульс греющей5мощности определенной формы и длительности будет вызывать различныйнагрев,Наиболее близким по своей технической сущности является способ нагрева структур теплоемких полупрово 1 никовых приборов, заключающийся вподаче на прибор серии импульсовпостоянной мощности с контролем величины нагрева структуры в паузах между импульсами и прекращение подачиимпульсов в момент достижения температурой нагрева структуры заданнойвеличины.20Недостатком этого способа являет-.ся низкая производительность нагрева,т.к. при нагреве структур полупроводниковых приборов импульсами постоянной мощности, нагрев приборов одноготипа,...