Патенты с меткой «полупроводниковых»

Номер патента: 789256

Опубликовано: 23.12.1980

Авторы: Алпатов, Бобровник, Ваус, Иоспа, Коост, Легостаев, Пентегов, Стемковский, Шейковский, Шульман

МПК: B23K 11/10

Метки: герметизации, конденсаторная, контактная, корпусов, полупроводниковых, приборов, сварочная

...приборов содержит источник 1 питания, сварочный трансформатор 2 и сварочный контур, образованный вторичным витком 3 сварочного трансформатора, токопроводом 4, выполненным в виде перевернутого стакана, в центре дна которого закреплен верхний электрод 5, вторым токопроводом 6, вставленным внутрь стакана коаксиально емуи закрепленным на токопроводе 6 нижним электродом 7. Между электро дами 5 и 7 находится свариваемый по отбортованным фланцам корпусных деталей корпус 8 полупроводникового прибо - ра. При этом воэможность относительного продольного перемещения токопроводов 4 и Л, необходимого для смены свариваемых деталей, обеспечивается например гибкими вставками 9. Для удобства загрузки в машину свариваемых изделий в наружном токопроводе 4...

Номер патента: 789918

Опубликовано: 23.12.1980

Авторы: Беглов, Каратыгин, Ликальтер

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: испытания, полупроводниковых

...функциональная схема устройства; на фиг.2конструкция крепления емкостногодатчика на корпусе, фиг. 3 - вид Ана фиг. 2,Устройство содержит источник 1инжектирующих импульсов света, состоящий из импульсного генератора 2и светодиода 3, высокочастотный генератор 4, широкополосный усилитель5, детектор б, осциллограф 7 и емкостный датчик 8, содержащий электропроводящие пластины 9 и 10,Каждая из электропроводящих пластин 9 и 10 емкостного датчика 8размещается между двумя замкнутымиэластичными электроизоляционными ЗОлентами 11 и 12, расположенными нанатяжных роликах 13, 14, 15 соответствующих пар рычагов 16 и 17,установленных на корпусе 18, установленном на направляющих 19 и 20 с возможностью перемещения по вертикалинад электроизоляционной...

Номер патента: 790038

Опубликовано: 23.12.1980

Авторы: Алексеева, Альперович, Бекренев, Герасименко

МПК: H01L 21/306

Метки: групповой, полупроводниковых, элементов

...полупроводниковых элементов, причем разность диаметров отверстия и полупроводникового элемента находится в пределах 1-3 мм.На Фиг. 1 изображено устройство для групповой обработки полупроводниковых элементов, разрез на Фиг.2 то же, вид сверху.Кассета 1 с загруженными в ее отверстия полупроводниковыми элементами 2 помещена между двумя герметично соединенными симметричными конусообразными полостями, образуемыми полукорпусами 3, герметично соединенными через прокладку 4 зажимами 5. Таким образом обрабатывающий реагент агрессивный жидкий или газообразный травитель, деионизированная вода, горячий воздух) попадает в полость б, затем через отверстия 7, в которых размещены полупроводниковые элементы 2, в полость 8.Симметричное расположение...

Номер патента: 606430

Опубликовано: 23.03.1981

Авторы: Котина, Пирожкова

МПК: H01L 21/66

Метки: материалах, параметров, полупроводниковых, примесейцентров

...ОК;Ппгг 1 - амплитУДа пРЯмого смеЩениЯ;Ч - контактная разность потенциалов.По истечении времени т.пр переходят.к первоначальной полярйости прежней амплитуды и измеряют зависимость генерационного, тока слоя объем-. ного заряда от времени при различных значениях амплитуды импульса прямого смещения. Время, в течение которого прикладывают прямое смещение 1 пР, выбирают таким образом, чтобы удлинение прямого импульса не вызывало изменения величины генерационного тока слоя объемного заряда.Величины М, ЕС п, )Г р определяют из следующих соотношений:а) монополярная термическая генерация2 ) г.т 1 ОЛ оьро Ч) -д о)60 б 430 су и 1 щ СТ Формула изобретения Еактз Ги Юр 1 з,где рРчм Ми П) ) пр Где Э (О) - плотность генерационео-г,тго тока в...

Номер патента: 819855

Опубликовано: 07.04.1981

Авторы: Барышникова, Малкин, Щербакова

МПК: H01L 21/00

Метки: пластин, полупроводниковых, электрохимическойобработки

...диска. В этом случае величина средней линейной скорости движения электролита (т,е. катода относительно анода)Чд +МвУср -= СОЙМ = Чс =а 5 у где 1 д,Чв,Ч, -линейные скорости движенияэлектролита относительно анодного диска соответственно вточках А и В и С; 20а -угловая скорость движения катодного диска;гз -расстояние между центрами катодного и анодного дисков.Постоянство Ър вдоль линии ВСА обеспечивает равномерное удаление слоев в про 25 цессе травления.Использование диэлектрического экрана с таким расположением профилированного отверстия уменьшает время- прохождения тока через полупроводниковую пластину во столько раз, во сколько раз площадь открытой поверхности анодного диска Ььменьше всей поверхности анодного диска ЬА.Для получения...

Номер патента: 841826

Опубликовано: 30.06.1981

Авторы: Иваш, Крошинский, Лепетило, Филиппов

МПК: B23K 3/00

Метки: коснованиям, кристаллов, полупроводниковых, приборов, припайки

...2 подачи (Фиг.1) с шагом, кратным шагу перемещения оснований полупроводниковых приборов перед позицией присоединения кристаллов, устройство подачи проволочного припоя состоит из привода 11 шаговых перемещений нагревателя 12 предварительного нагрева, который имеет отверстие 13 для прохода проволоки 14 припоя. Проволока припоя имеет воэможность перемещения на шаг с помощью привода 11 щаговых . перемещений, включающего в себя ролики 15 и 16, установленные с возможностью реверсивного вращения, при этом ролик 15 установлен на валу 17 двигателя шаговых перемещенийа ролик 16 подпружинен к ролику 15 с помощью пружины 18.Установка работает следующим образом.Механизм 2 подачи (Фиг.1) оснований перемещает кассету с основаниями 10 на шаг соГласно...

Номер патента: 847405

Опубликовано: 15.07.1981

Авторы: Волкова, Крынин

МПК: H01L 23/00

Метки: крепления, полупроводниковых, преимущест-behho, приборов, теп-лоотводами

...положение. 20Устройство для крепления преимущественно полупроводниковых приборов с теплоотводами содержит основание 1, выполняющее функции радиатора, с гнез - дом 2 для раэмещения полупроводникового прибора 3 с теплоотводами 4,например, интегральной микросхемы, В теплоотводах 4 выполнены отверстия 5, а на основании 1 установлены Фиксаторы б, выполненные в виде размещенных в отверстиях 5 штифтов, и держатель 7 осей 8 и 9. На оси 8 шарнирно установлена Фигурная защелка 10, имеющая два прижимных пружинных элемента 11, каждый иэ которых выполнен в виде Г- образного лепестка с отверстием 12 на З его горизонтальной полке 13, причем фиксаторы б размещены в отверстиях 12, а на фигурной защелке 10 выполнено окно 14 для доступа к испытываемому...

Номер патента: 855791

Опубликовано: 15.08.1981

Авторы: Ващук, Комаров, Масленников, Никулин, Портянников

МПК: H01L 21/00

Метки: пластин, плоских, подачи, полупроводниковых, преимушественно

.... Каретка 2 осуществляет поштучную загрузку деталей на механизм обработки, напримерцентрифугу . Внутри кожуха центриФуги 7 расположен подвижный упор 8,который жестко закреплен на Г-образной рамке 9. Г-образная р мка 9смонтирована на станине 1 с возможностью качания относительно горизонтальной оси 10, перпендикулярнойнаправлению движения каретки 2. Напротивоположных концах оси 10 шарнирно закреплены грузы 11, которыевзаимодействуют с толкателями 12 и13, и при этом подвижный упор 8может находиться в нижнем (утопленном) или верхнем (приподнятом) положении относительно рабочей поверхности гнезда 3 для обрабатываемойдетали 14, Центрифуга 7 снабжена ротором 15 и подвижным столиком 16,Для подъема упора 8 служит сопла 17,соединяемое...

Номер патента: 855793

Опубликовано: 15.08.1981

Авторы: Ноздрина, Паскаль, Потапенко, Преснов, Ротнер

МПК: H01L 23/34

Метки: полупроводниковых, приборов, теплоотвода

...О.СтручеваРедактор Л.Копецкая Техред А. Ач Корректор Л, Иван Заказ 6943/76 Тираж 784 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, ЖРаушская наб., д. 4/5 Филиал ППП фПатент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 эой конус от сверла в медном основании убирается, т.е, образуется цилиицрическое углубление диаметром 1,5 мм и глубиной 1,5 мм. В него помещается навеска серебра, подобранная экспериментально по весуМедное основание с навеской помещается в вакуумную камеру. В вакууме не ниже 10 Торр навеска серебра вплавляется в отверстие медного основанияКристалл алмаза с наибольшим геометрическим размером не более 1,5 мм подвергается химической очистке и металлиэации со всех сторон катодным...

Номер патента: 859973

Опубликовано: 30.08.1981

Авторы: Веревкин, Мизев, Шевцов

МПК: G01R 31/26

Метки: допустимого, полупроводниковых, приборов

...вторичной обмотки включены последовательно соединенные высоковольтный ключ, испытуемый прибор и токосъемныи резистор.На чертеже изображена блок-схема 4 ф устройства.Устройство содержит источник 1 напряжений, параллельно которому подключены входы устройства 2 синхронизации, Первичная обмотка повышающего 4 трансформатора 3 подключена к источнику 1 напряжения через регулирующий элемент 4, управляющий вход которого соединен с выходом схемы 5 срав" нения. Б цепь вторичной обмотки по- Я вышакщего трансформатора 3 последовательно включены испытуемый. прибор 6, токосъемный резистор 7 и высоковольтный ключ 8, управляющий вход которого соединен с одним из выходов устройства 2 синхронизации, второй выход которого соединен с синхронизирующим входом...

Номер патента: 860176

Опубликовано: 30.08.1981

Авторы: Гохман, Наконечный

МПК: H01L 23/36

Метки: охладитель, охлаждения, полупроводниковых, преимущественно, приборов

...в объеме оребренной поверхности при одновременном снижении динамического сопротивления и увеличении поверхности охлаждения вследствие того, что взаимно перекрывающиеся охлаждающие каналы образуют развитую па площади охлаждающую поверхность в виде большого количества охлаждаемых ребер, выполненных в форме ромба, установленных острым углом в направлении движения охлаждающего потока, что позволяет легко рассекать струи набегающего потока на большое количество элементарных струй, не создавая при обтекании ребер этими струями больших тормозящих завихрений. При этом увеличение числа охлаждающих каналов приводит к увеличению числа ребер, что увеличивает поверхность ахль дения, усиливает турбулентнный режим потока, а также за счет...

Номер патента: 860202

Опубликовано: 30.08.1981

Авторы: Иоспа, Каяри, Лийв, Феоктистов, Чаусов

МПК: H02H 7/10

Метки: групп, полупроводниковых, приборов

...включается маломощный блокконтакт 11-20, тем самым включая одно из реле 21-30.Срабатывание одного любого предохранителя вызывает срабатывание органа 46 предупредительной сигнализации, при срабатывании двух любыхпредохранителей срабатывает орган 47предупредительной сигнализации, при10 срабатывании трех любых предохранителей срабатывает основной реагирующий орган 45. Формула изобретения 3На фиг. 1 показан вариант с выходными контактными элементами. Их контакты, обозначенные теми же номерами что и датчики 9-16, включены в семь параллельных ветвей по две пары контактов (и) = 2) в каждой ветви, Между одноименными точками ветвей выполнены разделительные диоды 17-23. Реагирующий орган 24 сра 6 атываетпри срабатывании любых двух датчиков...

Номер патента: 861894

Опубликовано: 07.09.1981

Авторы: Аракелов, Зиновьев

МПК: F25B 21/02

Метки: охлаждения, полупроводниковых, приборов, термоэлектрическое

...приборов, преимущественно ИК-приемников, содержащее термоэлектрическую батарею, на холодных спаях которой установлен объектохлаждения, а горячие спаи снабженырадиатором и теплопроводным элемен 4Цель достигается тем, что теплопроводный элемент выполнен в виде пластины, установленной между горячими спаями и радиатором и жестко присоединенной к ним.На чертеже изображено описываемое термоэлектрическое устройство.Устройство содержит термоэлектрическую батарею 1, имеющую холодные спаи 2 и горячие спаи 3, радиатор 4,объект 5 охлаждения, теплопроводный элемент, выполненный в виде пластины 6.Охлаждаемый объект 5, который представляет собой фоточувствительный элемент, одной стороной через диэлектрическую подложку 7 с нанесенным на ней раствором...

Номер патента: 864193

Опубликовано: 15.09.1981

Автор: Курихин

МПК: H01L 21/66

Метки: полупроводниковых, фотослоев

...работа протекает автоматически по сигналам синхронизатора 5, при этом контролирующая р. , р и у, причем на схемы И из синхронизатора 5 подаются управляющие сигналы обеспечивающие запоминание сигналов О 1., О , О в, соответственно, первой, второй и третьей ячейках памяти запоминающего устройства 12. Сигналы О, О, О появляются на выходе масштабйого устройства 9,если фотослой находится, соответственно, в темноте, при освещенности Е или при освещенности Е,1. После этого осуществляется контроль бср следующим образом. Сигналы из синхронизатора 5 воздействуют на электроуправляемый Фото- затвор 2, засвечивая фотослой, на привод 4, устанавливая освещейность Е 1, на масштабное устройство 9, устанавливая требуемый коэффициент усиления, на...

Номер патента: 864380

Опубликовано: 15.09.1981

Авторы: Григорьев, Нишанов

МПК: H01L 21/00

Метки: полупроводниковых, приборов, прижимное, силовых, таблеточного, типа

...для подвода ра8643804происходит самоустанавливание их, благодаря гибкости мембраны 2. При этом контроль усилия прижатия в процессе эксплуатации устройства производится по показаниям манометра гидросистемы. Замена поврежденной таблетки осуществляет- а ся снятием давления в гидросистеме, посиз ле чего мембрана 2 возвращается в исходное состояние и усилие прижатия снимается. бочей среды размещен по центру мембраНа фиг. 1 изображено устройство, общий вищ на фиг. 2 - фрагмент корпусаустройства с мембраной.Предложенное устройство содержитстальной корпус 1, в который завальцовна мембрана 2, выполненная, например,пружинной ленточной стали толщиной0,25-0,40 мм. Корпус 1 узла имеет кони ческую расточку (см. фиг. 1) для того,чтобы придать...

Номер патента: 864381

Опубликовано: 15.09.1981

Авторы: Барышев, Лебедев, Мягков, Овечкин, Стекачев

МПК: H01L 21/00

Метки: держатель, пластин, полупроводниковых

...концом упругой пластины.На фиг. 1 .изображен держатель для полупроводниковых пластин, вид сверху; на фиг. 2 - разрез А-А на фиг. 1; на фнг. 3- варна ты исполнения; на иг. 4 - разрез Е Б на фиг. 1; на фнг.5 - варианты исполнения.На основании 1 закреплены прижимные элементы в виде упругих пластин 2; под ними в основании 1 выполнены отверстия, в которых расположены штыри Э и 4. Упругие пластины 2 жестко закреплены на основании одним концом.Загрузка держателя происходит следующим образом.Основание 1 располагают на плоскости поверхностью, свободной от прижимных элементов (при варианте исполнения Фиг, 3 необходим шаблон с выступами). При этом выступающие из основания 1 штыри 3 и 4 утапливаются и верхним концом поднимают упругие...

Номер патента: 864384

Опубликовано: 15.09.1981

Авторы: Боргаков, Гельперин

МПК: H01L 31/18

Метки: полупроводниковых, приборов

...нагревателем чувствительногоэлемента 24 и контактом при измерении толщины иммерсионного слоя между чувствительным элементом 24 и линзой 10. Величина вертикального давления стержня 16 на чувствительныйэлемент 24 при спекании его с линзойрегулируется грузом 25, который можно передвигать вдоль рычага 26, одинконец которого может поворачиватьсяна оси 27, а другой - опирается наверхнюю плоскость стержня 16, Нагревательная головка 4 установлена соосно с оптической осью микроскопа 3 и может перемещаться э вертикальном и горизонтальном направлениях. С этой целью поворотная ось 23 закреп-, лена в подшипниках на вертикальной каретке 28, а сидящая на нижнем конце оси 23 вилка 29 охватывает рычаг 30 и опирается на регулировочный,винт 31 на конце...

Номер патента: 864609

Опубликовано: 15.09.1981

Авторы: Батенев, Нечипоренко, Хабибулин

МПК: H05K 13/00

Метки: выводами, гибкими, ориентированной, подачи, полупроводниковых, преимущественно, приборов

...закрепленной на плите 1, и пружины 17,один конец которой закреплен нафлажке 15, а второй на оси 18, установленной на плите 1. Для обеспечения ориентации приборов на каретке4 закреплены две Г-образные опоры 19,на которых установлена с воэможностьюрегулирования перемещения по высотеотносительно транспортирующего лоткаориентирующая линейка 20, выполненнаяв виде рамки, Рамка может быть выполнена прямоугольной, треугольной,трапецеидальной Формы, при этомв сечении стороны рамки представляютромб со скругленными вершинами илиэллипс. Высота рамки больше длиныгибких выводов полупроводниковых Щприборов.Устройство работает следующим образом,Иэ вибробункера (не показан) полу.проводниковые приборы поступают натранспортирующий лоток 2, приборскользит...

Номер патента: 866186

Опубликовано: 23.09.1981

Авторы: Зиновьев, Семкин

МПК: E21C 37/18

Метки: диэлектрических, полупроводниковых, разрушения

...12 пропорциональный падениюнапряжения 0 в канале пробоя, поступают в блок 4 умножения (".01"), гдепроисходит определение электрической 55 мощности, развиваемой в канале пробоя, далее в блоке 5 дифференцировайия йроисходит дифференцированиесигнала мощности, затем в блоке 6 Такой критерий содержит требования к амплитуде, но не содержит требований к временным параметрам электрического сигнала, а стало быть к форме разряДного тока, и к форме возбуждаемого разрядным током поля механических напряжений. Это не позвОляет достичь эффективного использования введенной энергии, иметь высо кий КПД по превращению электрической энергии, введенной в канал пробоя в механическую работу, совершаемую расширяющимся каналом пробоя над окружающим...

Номер патента: 868512

Опубликовано: 30.09.1981

Авторы: Лапушков, Романов

МПК: G01N 25/32

Метки: минералов, полупроводниковых, проводимости, типа

...ударе зонда о минерал частьэнергии удара переходит в тепловую и разогревает приконгактную область минервла, Градиент температур, в свою очередь,вызывает появление термо-Экоторой определяется типом проТаким образом, ударно-спускнизм заменяет энергоемкий наобеспечивая градиент температу . ерале только в момент удара,На чертеже схематически изображенопредлагаемое устройство для определенияпроводимости минералов по знатсуМеньщени Составитель Н, наРедактор Т. Мермелштайн Техред С.Мигунова Корректор С. Шекмар 8310/59 0 Подписноенного комитета СССРений и открытий, Раушская наб., д. 4/ Тираж 91Государствелам изобретосква, Ж 3 ВНИИ 1303 илиад ППП "Патент", г, Ужгород, ул. Проектная,з 8685Устройство включает в себя зойды 1 и 2,...

Номер патента: 868525

Опубликовано: 30.09.1981

Автор: Пронин

МПК: G01N 27/24

Метки: дефектов, диэлектриков, полупроводниковых, слоев

...подключенного к отрицательному полюсу источника 4, заряд нейтрализуется и слой подготавливается для проведения следующего цикла. 1 ОПри непрерывном сканировании поверхности индикатор 8 регистрирует последовательность импульсов, возникающих в результате электростатической индукции заряда в цепи электрода 6. За счет выбора 15 длительности импульсов генератора 5 при постоянной скорости сканирования слоя 1 размеры заряженных участков выбирают сравнимыми с линейными размерами обнаруживаемых дефектов, поскольку при О этом обеспечиваются оптимальные условия для контроля всего слоя, выражающиеся в том, что необходимо осуществить минимум циклов для точного установления места расположения дефекта (в пределах 25 смещения, равного линейному размеру...

Номер патента: 868890

Опубликовано: 30.09.1981

Авторы: Погадаева, Потапов, Смирнов

МПК: H01L 21/00

Метки: герметизации, кассета, лазера, лучом, полупроводниковых, преимущественно, приборов

...является кассета для герметизации полупроводниковых приборов, .содержащая корпус с гнездом для полупроводникового прибора, съемную крышку-прижим в виде пластины и фиксатор 2.Однако при герметизации в этом устройстве происходит разогрев по всей поверхности прибора, что влияет на качество его параметров. агаемая каспластину жимну 4, толка тор с полупроводн р бо-кой 7.В исходном положении Фиксатор 6 вернут на 90 о относительно полония, показанного на чертеже,толтель 5 с пружиной 4 при этом отвены пластиной 2 вниз, упор крьхакаижим снята. Крышку-прижим 3 иэго868890 Формула изобретения 2 О Составитель Л. ГришковаТехред А.Ач Корректор Г. Решетни Редактор Н. Безродная Подписнокомитета СССРи открытийкая наб., д. 4 Тираж 787 ВНИИПИ...

Номер патента: 868916

Опубликовано: 30.09.1981

Авторы: Бобров, Добровольскис, Соболев, Соколов

МПК: H02H 7/10

Метки: вентилей, защиты, полупроводниковых, тепловой, штыревых

...3, стабилитрона 4, параллельно которому включен резистор 5, одну цепоч- ку из последовательно включенного переменного резистора 6 и термореэистора 7, находящегося в тепловом контакте с основанием корпуса вентиля, параллельно которому включен подстроечный резистор 8, диод 9, динистор 10, диод 11, динистор 12, вторую цепочку из термореэистора 13, находящегося в тепловом контакте с силовым выводом вентиля переменного резистора 14, и подстроечного резистора 15, включенную параллельно первой.Пороговый элемент состоит из двух последовательно включенных динисторов 10 и 12. Катодный вывод порогового элемента соединен с общей точкой переменных резисторов 6 и 14, анодный вывод порогового элемента соединен с общей точкой терморезисторов 7 и...

Номер патента: 871103

Опубликовано: 07.10.1981

Автор: Рожков

МПК: G01R 31/26

Метки: диодов, полупроводниковых, прямых, термокомпенсации, характеристик

...диоду,На фиг. 1 представлена функциональная схема предлагаемого устройствана фиг. 2 - вариант принципиальнойсхемы устройства с элементами заданиярежимов опорного диода и вычитающегоустройства, в качестве которого может 1 обыть использована схема на основе операционного усилителя с дифференциальным входом.Предлагаемое устройство (фиг. 1):соцержит генератор тока 1, опорный 15диод 2, вычитающее устройство 3 итермокомпенсируемый диод 4Ток генератора 1 проходит практически полностью через опорный диод 2, создавая опорное напряжение, поступающее2 оНа первый вход вычитающего устройства3, на второй вход которого подаетсянапряжение смещения О смС выхода вычитающего устройствана вход термокомпенсируемого диода 4поступает напряжение 0 В =(.1 о-...

Номер патента: 871104

Опубликовано: 07.10.1981

Авторы: Букевич, Железняков, Молчанов

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: отбраковки, полупроводниковых, приборов

...эффективности,Поставленная цель достигается тем,что по способу отбраковки полупроводниковых приборов, включающему измерение электрических параметров испытуемых приборов и разбраковку по ним при-.боров на годные и дефектные, передизмерением параметров пластину выдерживают в высокочастотном электромагнитном поле.Предлагаемый способ осуществляетсяследующим образом.Полупроводниковые пластины послеформирования на них структур полупро,водниковых приборов или интегральных схем до скрайбирования на кристап лы помещают в высокочастотное электромагнитное поле, создаваемое генератором. За счет воздействия вихревых токов, вазникающих в структуре проводящих элементов, приборов, создается повышенная температура. Кроме того,воздействие...

Номер патента: 871243

Опубликовано: 07.10.1981

Авторы: Каган, Корсун, Манченко, Шинянская

МПК: H01G 9/00

Метки: конденсаторов, ниобиевых, оксидно, полупроводниковых, танталовых

...240-290 С поднапряжением совмещенную с монтажомсекций, герметизацию, разбраковкупо электропараметрам и повторную термообработку под напряжением, последнюю проводят при температуре, состав-ляющей О,б 5-0,9 температуры термообработки секций. 10Ниже приведен пример реализациипредлагаемого способа.Из 1537 ниобиевых оксидно-полупроводниковых конденсаторов типономинала 20 Вх 47 мкф, монтаж секций которых 15в корпуса был совмещен с термообработкой (240 фС) под напряжением, былоотделено 103 конденсатора с дефектами внешнего вида, дефектами герметизации и конденсаторы, на которые во 2 Овремя пайки не подавалось напряжение.После исправления дефектов проводилась повторная термообработка при200+10 С под напряжением 17,5 В длительностью 90 сек....

Номер патента: 871258

Опубликовано: 07.10.1981

Авторы: Кузнецов, Равин, Рогов

МПК: H01L 21/00

Метки: выводов, полупроводниковых, правки, приборов

...служащий в качестве опоры для их концов при обратном ходе зубьев после окончания формовки. С противоположной стороны выводов установлен дополнительный упор 12, выполненный с возможностью возвратно-поступательного перемещения в направляющих 13 посредством копира 14, профиль 15 которого, воздействующий на перемычку 16 упора, согласован по форме с заходным скосом 9 зубьев 8.Устройство работает следующим образом, о В начале движения вилки 7 вниз совместно с копиром 14 боковые направляющие выступы 10 с обеих сторон все более ограничивают и образовывают в непосредственной близости от корпуса прибора замкнутый контур вокруг боковых выводов 3, перемыкаемый снизу дополнительным упором 12. Далее два центральных зуба своими острыми концами входят...

Номер патента: 875507

Опубликовано: 23.10.1981

Авторы: Бураго, Ермаков, Темкин, Цыпкин

МПК: H01L 21/00

Метки: жидкостной, кассета, пластин, полупроводниковых

...пластин; на фиг, 2 - разрез А-А нафиг. 1; на фиг, 3 - разрез Б-Б на фиг. 2,Кассета для жидкостной обработки полупроводниковых пластин содержит корпус 1, выпол.пенный в виде перфорированного полуцилиндра,внутри которого по образующей профрезерованы трапецеидального сечения пазы 2 переменной,высоты, наклоненные под углом 70 - 75" к образующей цилиндрической поверхности корпуса.К торцам корпуса винтами крепятся фланцы 3,в которые запрессованы держатели 4, Сверхуна направляющие фланцев 3 устанавливаетсяперфорированная крышка 5, повторяющая форму корпуса, которая от поворота вокруг осификсируется штифтом, Крышка удерживаетсясьемными фиксаторами 6, навинчивающимисяна держатели 4,После сборки кассета принимает форму перфорированного цилиндра,...

Номер патента: 876340

Опубликовано: 30.10.1981

Авторы: Герман, Иваш, Лепетило

МПК: B23K 3/00

Метки: группового, кристаллов, основаниям, полупроводниковых, приборов, присоединения

...под губками 16 многопоэиционного ориентатора 17. Механизм 8 загрузки кристаллов в накопитель б выполнен в виде кронштейна 18 с присоской 19 на его конце, который имеет возможность поворота и спускания на каждую площадку 11 накопителя б. В качестве привода поворота применен четырехзвенный кривошипно-короьнсловый механизм, Механизм 7 присоединения кристаллов содержит несколько независиьих друг от друга инструментов 20, число и взаимное расположен ние которых соответствует числу и взаимному расположению площадок 11 накопителя 6. Инструменты 20 закреплены в держателях 21, которые прикреплены к кареткам 22, установ- у ленным с воэможностью вертикальногоперемещения на каретке 23,Установка работает следующимобразом.Механизм 2 подачи...

Номер патента: 879679

Опубликовано: 07.11.1981

Автор: Мамаев

МПК: H01L 21/00

Метки: ориентирования, полупроводниковых, приборов

...с подпружиненнымФиксатором 5, а на другом конце рабочая поверхность имеет скос С, соответствующий линии ориентации.(нафиг. 3 линия ориентации проходит порадиусу ротора 1). Скос С может бытьвыполнен в любом направлении в состветствии с выбранным положениемориентации полупроводникового прибора в пределах сектора, ограниченногопунктирными линиямина фиг. 3.Копир б имеет две рабочие пРофилированные поверхности для взаимодействия с подпружиненным фиксатором 5 ироликом 11,Устройство работает следующимобразом,55При загрузке полупроводниковогоприбора 12 в паз транспортирующегоротора 1 подпружиненный фиксатор 5находится в выемке копира б, а запирающая планка 10 прижимается пружиной7 через рычаг 8 своей поверхностью 60к части...