Патенты с меткой «полупроводниковых»

Номер патента: 972422

Опубликовано: 07.11.1982

Авторы: Гордеев, Захаров, Казанцев, Псахис

МПК: H01L 21/66

Метки: полупроводниковых, пробивного

...источник смещающего напряжения, токоограничительный резистор и дополнительный корректирующий зонд, причем источник смещаюгцего напряжения через токоограничительный резистор включен между измерительным и корректирующим зондами в полярности прямого смещения контакта измерительного зонда,На чертеже представлена функциональная схема устройства для измерения пробивного напряжения полупроводниковых материалов.Устройство содержит источник 1 нарастающего напряжения, зондовую головку 2 с токоподающими зондами 3 и 4, измерительным зондом 5 и корректирующим зондом 6, токосъемный резистор 7, осциллограф 8, источник 9 смешающего напряжения и токоограничительный резистор О. ВходХ осциллографа 8 подключен к измерительному зонду 5, а вход У - к точке...

Номер патента: 972617

Опубликовано: 07.11.1982

Авторы: Лубяный, Шиловский

МПК: H01L 21/66

Метки: комплектовщик, полупроводниковых, приборов

...комплектовщик состоит иэ механизма 1 загрузки с барабаном 2, несущим полупроводниковые приборы 3, входящие в соприкосновение с контактами 4 измерительного блока 5, взаимодействующего с блоком 6 управления, управляющим механизмом 7 раскладки, снабженным воронкой 8, в боковой стенке которой размещено прикрытое подвижным щитком 9 сопло 10, и соединенной с укладчиком 11 гибкой трубкой 12. Приемные емкости 13 установ,пены в координатных отверстиях сферической детали 14 и снабжены поворотными заслонками 15 с противовесами 16 Сопло 10 соединено с клапаном 17 трубкой 18. Под приемными емкостями 13 установлен приемник 19 комплектов, оборудованный устройством 20 выдачи комплектов. Комплектовщик работает следующим...

Номер патента: 979935

Опубликовано: 07.12.1982

Авторы: Лифанов, Хлопов, Чернуха

МПК: G01M 7/00

Метки: внутренних, выводов, интегральных, полупроводниковых, прочности, схем

...с противоположной стороныкорпуса 1 по его внешнему контуру. Дляприложения нагрузки в центре корпуса подвижный элемент 7 вибратора 5 делают выпуклым, Путем перемещения вибратора 5 в на.правлении опор 6 корпус 1 изгибают стати 50ческой нагрузкой, создающей в кристалле 2со стороны крепления внутренних выводов 3напряжения растяжения, воздействующие назаделку концов выводов 3, Уровень деформации изгиба корпуса 1 контролируется тензо.датчиком (не изображен), После достижения . 55требуемого уровня статической деформацииизгиба включают вибратор 5 и к корпусу 1прикладывают вибрационную нагрузку, созда 4ющую циклическую деформацию изгиба корпу.са. Амплитуду вибрации поддерживают постоян.ной, а частоту физменяют в...

Номер патента: 980025

Опубликовано: 07.12.1982

Авторы: Бардин, Барнашов, Бартанов

МПК: G01R 31/26

Метки: отбраковки, полупроводниковых, приборов

...цель достигаетсятем, цто в устройство, содержащееблок преобразования обратного тока,реле времени, соединенное с первымвходом ключа, выход которого соединен с неинвертирующим входом операционного усилителя, выход которогочерез фильтр низких частот соединен 1 Ос первой схемой сравнения, блок опорных напряжений, выходы которого соединены с входами первой и второйсхем сравнения, выходы которых соединены с первым и вторым входами 15блока индикации, третий вход которого соединен с реле времени, схемууправления, выход которой соединенс входом реле времени, и элементпамяти, введен решающий блок, выход 20которого соединен с четвертым входом блока индикации, первый вход - свыходом фильтра низких частот, второйвход соединен с выходом...

Номер патента: 982935

Опубликовано: 23.12.1982

Автор: Кривошлыков

МПК: B28D 5/02

Метки: алмазным, закрепления, кругом, отрезным, подачи, полупроводниковых, резке, слитков

...3. С помощью четырех упругих 15стержней круглого сечения М планшайба соединена с плитой 5, на которойзакреплен замкнутый магнитопровод 6,имеющий четыре полюса и четыре катушки 7-10, соосно с валом в. центре щмагнитопровода Расположен сердеч-.ник 1 1, жестко закрепленный на планшайбе 2, Начала обмоток катушек 7, 8,9 и 10 соединены вместе и подключены к одному зажиму источника 12 пере- хьменного тока. Концы обмоток 7 и 9подключены через встречно включенныедиоды 13 и 1 М к другому зажиму источника, а концы обмоток 8 и 10 подключены к нему через встречно включенные диоды 15 и 16 и фазосдвигающуюцепочку 17.Устройство работает следующим образом.Плита 5 закрепляется на столе станка резки. При включении источникапеременного тока через обмотки...

Номер патента: 983595

Опубликовано: 23.12.1982

Авторы: Гостищев, Любивый

МПК: G01R 31/27, H01L 21/66

Метки: времени, жизни, заряда, материалах, неосновных, носителей, полупроводниковых

...усилитель 7, измеритель 8 временных интервалов, генератор 9 импульсов, светоиэлучающийэлемент 10, запредельное отверстие11. Светоиэлучающий элемент 10 соединен оптически с образцом 4 череззапредельное отверстие 11 в волноводном тракте направленного ответвителя 3,Устройство работает следующимобразом. 10Поток мощности СВЧ электромагнитной волны с генератора 1 через вентиль 2, предназначенный для пропусканин мощности только в сторону измеряемого образца, т.е. для развязки генератора и измерительной цепи,направленный ответвитель (НО) падает на образец 4. Согласующий элементв виде короткоэаьыкающего подвижногоплунжера 5, включенного после образца 4, увеличивает дифференциальныйотклик системы путем настройки наминимальный отраженный...

Номер патента: 983776

Опубликовано: 23.12.1982

Авторы: Бочарова, Гельперин, Дубрава, Евсеева, Зегжда, Нестеровский, Салитра

МПК: H01G 9/04

Метки: анодов, выводов, конденсаторов, оксидно, полупроводниковых

...с пазами для фиксации выводов, используемая при про-, ведении операций приваривания выводов к ленте, выдавливании пуклевок на ленте и разрезке металлической ленты из тантала, причем пазы в скобе также расположены в шахматном порядке, разрез Б-Б.Предлагаемый способ изготовления выводов анодов можно продемонстрировать при помощи следующих операций, выполняемых в бпределенйой последо" вательности,К металлической планке 1 присоединяют танталовые выводы 2, например, с помощью контактной точечной сварки с шагом, равным двойной шири" не вывода анода 5. Концы выводов 2 отрезают до длины 1 и одновременно расплющивают до заданной толщины (фиг. 1 и 2)4При этом инструмент для отрезки и расплющивания располагают строго параллельно базовому торцу а...

Номер патента: 983834

Опубликовано: 23.12.1982

Авторы: Булахов, Тимофеев, Шавель

МПК: H01L 21/00

Метки: полупроводниковых, приборов, сортировки

...35 уста- зО , новлены трубы 37 из винипласта с отверстиями 38 и коллектором 39 для сжатоговоздуха. Коллектор 39 соединен шалнгом40 с электромагнитным клапаном 33.Напротив трубы 37 под плитой 35 уста 35новлены приемные лотки 41.Устройство работает следующим образом.Тиристоры 2, загруженные наводом вчашу вибробункера 1, под действием виб 40рацни двигаются по дорожке выводами вверх и через окно 10 в обойме 9 поступают в приемное гнездо 4 неподвижного транспортного ротора 3. Транспортный ротор 3 получает прерывистое вращение с остановами от привода 7 с мальтийским крестом, В момент останова транспортного ротора 3 срабатывает один из электромагнитных клапанов 33 по сигналу с электронного блока 36, и подается скатый 5 воздух в пневмокамеры 13,...

Номер патента: 983836

Опубликовано: 23.12.1982

Авторы: Белов, Кононов, Назаров

МПК: H01L 21/66

Метки: автоматической, полупроводниковых, приборов, сортировки

...спутников.На фиг. 1 показано устройство для автоматической сортировки полупроводниковых приборов, общий вид; на Фиг. 2 - блок сортировки. 2530 4Предлагаемое устройство для автоматической сортировки содержит механизм 1 загрузки полупроводниковых приборов, например больших интегральных схем, закрепленных в технологических спутниках 2, механизм 3 транспортирования, блок 4 контактирования, блок 5 сортировки, канал 6 подачи спутников. Механизм 1 загрузки приборов предназначен для циклицной подачи приборов, закрепленных в спутниках 2 из пенала 7 загрузки в механизм 3 транспортирования, которым осуществляется подключение приборов к измерительной системе не показано) посредством блока 4 контактирования., Блок 5 сортировки предназнацен для...

Номер патента: 983838

Опубликовано: 23.12.1982

Автор: Климов

МПК: H01L 23/36

Метки: охладитель, полупроводниковых, приборов

...эффективности охлаждения.Поставленная цель достигается тем,что в охладителе для полупроводниковыхприборов, содержащем радиатор с вертикальными полыми цилиндрическими ребрами, между вертикальными попыми цилиндрическими ребрами расположены закрытыекамеры, заполненные охлвдителем,На чертеже изображен предлагаемыйохлади тель,Полупроводниковый прибор, включаюший корпус 1 и основание 2, установлен в охлвдителе, который состоит из открытых камер 3 и закрытых трехгранных камер 4. Камеры 4 заполнены охладителем.Охладитель работает следующим образом.Охладитель устанавливают на корпус 1 полупроводникового прибора с зазором между основанием 2 и теплоотводом, которыйЗаказ 9939/65 Тираж 761 Подписное ул. Проектная,Патент", г. Уж го лиал 3 98383...

Номер патента: 987539

Опубликовано: 07.01.1983

Авторы: Конин, Приходько

МПК: G01R 29/26

Метки: образцов, параметров, полупроводниковых, шумовых

...изолирующая проклад.ка 14, внутри оТрезка 1 волновода расположены концентраторы 8 и 15,4Устройство работает следующим образом.Сверхвысокочастотный шум, возникающий в полупроводниковом образце 4 например при протекании через него электрического тока), создает элнктрическое поле в поперечной щели 3, причем основная мода ТЕ возбуждается в отрезке 1 волновода составляющей электрического поля, направленной вдоль оси ОХ отрезка 1 волновода (фиг. 3), Этим обусловлена возможность измерения продольной (вдоль линий тока) и поперечной перпендикулярно им) составляющих шумовой мощности. При угле с между осью ОХ и вектором плотности, тока в полупроводниковом об-, разце 4от 0 до 90 можно измерять угловое распределение шумовой мощности (фиг. 3), а...

Номер патента: 990616

Опубликовано: 23.01.1983

Авторы: Белина, Зайцев, Пожаров, Рогов

МПК: B65G 59/06

Метки: выводами, гибкими, подачи, полупроводниковых, поштучной

...при этом в боковой стенке направляющего лотка 1 выполнено окно для прохождения подпружиненного ограничитео ля 9 перемещения, установленного на отсе кателе 2, на валу 10 привода которого смонтирован кулачок 11, связанный с рычагом 12, закрепленным на отсекателе 2, и кулачок 13, взаимодействующий с толкателем.990616 Формула изобретения СоставТехредТираж 9ВНИИПИ Госудапо делам и113035, Москва,илиал ППП Патент Костяковас КорректорПодписное ого комитета ССС ний и открытий Раушская наб., д. жгород, ул. Проек тель О И. Вере 47 рственн обрете Ж - 35, э, г. У Редактор Н. ГунькоЗаказ 11095/27 4/5 тнаяПри нахождении рычага 12 во время работы в крайнем левом положении отсека- тель 2 закрывает канал лотка 1, а ограничитель 9, перемещения выведен из...

Номер патента: 991336

Опубликовано: 23.01.1983

Автор: Пецюх

МПК: G01R 31/26, G01R 31/28

Метки: параметров, полупроводниковых, приборов

...клеммы, к которым подключены выводы испытуемого прибора, эадают,и измеряют токи и напряжения.Для задания тока к клеммеподается команда У 1 от блока 22, котораявключает управляемый генератор 5 тока.Для измерения тока на клеммах подается команда У 2, по которой в цепь отрицательной обратной связи операционного усилителя 15 включается резистор цепочки 21, так как на входе усилителя 16 потенциал равен потенциалу общей шины, то неинвертирующий вход уси. лителя 15 будет иметь потенциал, равный потенциалу общей шины, а на выходе усилителя 15 будет потенциал относительно общей вины пропорциональный току от клеммы 2 и таким образом организована схема преобразования тока от клеммы 2 в напряжение (выходное напряжение операционного усилителя 15...

Номер патента: 993174

Опубликовано: 30.01.1983

Авторы: Байдоха, Корсунская, Маркевич, Мирзажанов, Торчинская, Шейнкман

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: качества, полупроводниковых, приборов

...процессов) .Поэтому предложенный способ содержит нагрев и охлаждение в темноте, чтобы разрушить протекающие в результате случайных эасветок Фотостимулированные процессы и получить исходное состояние полупроводника.Температуру Т, до которой нужнопрогреть полупроводник, выбирают такчтобы за время выдерживания приборапри этой температуре Фотостимулированный процесс успел разрушиться. Этовремя определяется скоростью нагрева и инерционностью печи и представляет собой время, в течение которого образец сохраняет заданную температуру после выключения печи. Скорость разрушения Фотостимулированных процессов возрастает с ростомтемпературы, при которой образецвыдерживается в темноте. Следовательно, температура до которой нужнопрогреть...

Номер патента: 995016

Опубликовано: 07.02.1983

Автор: Пронин

МПК: G01R 27/26

Метки: диэлектрических, диэлектрической, локальной, области, пленок, полупроводниковых, проницаемости

...расположены над исследуемой пленкой б на подложке 7,Устройство работает следующим образом.В исследуемой области пленки из,вестной толщины наносится локальныйзаряд Чр с помощью коронирующегоэлектрода 2 и блока 1. Заряженнаяобласть транспЬртируется под измери.тельным электродом 3, размеры которого боЛьше расстояния до заземленной подложки 7, так, что справедливо приближение плоскопараллельногослоя,Далее измеряются индуцированныена электроде 3 заряды при расстояниях от него до поверхности пленкиЬ и Ь 2 соответственно и вычисляется значение диэлектрической проницаемости в области, расположенноймежду локализованным зарядом и подложкой.В общем случае заряд, индуцирован,ный на измерительном электроде, определяется соотношением1 (х у )(фх у...

Номер патента: 995160

Опубликовано: 07.02.1983

Авторы: Речкин, Симонов

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: классификатор, полупроводниковых, приборов

...как элемент фиксации может быть также образован либо перегородкой, расположенной поперек лотка 8, либо выемкой, образующей на нем ступень.Щечки 19 захвата 11 имеют призмообразные выемки 20 и охватывают лоток 8 в месте расположения элемента фиксации - уступа 18, а контактный блок, закрепленный неподвижно, и подвижный съемник смонтирован над уступом 18. Щечки 19 могут быть выполнены из токопроводящего материала.Уступом8 лотка 8 могут служить боковые грани 21 выемок 20 у щечек 19, расположенные на пути движения прибора по лотку 8.Выполнение захвата из изоляционного материала, а его щечек из токопроводящего позволяет осуществить четырехконтактную схему подключения прибора на измерительной позиции: подключение питания к прибору через щечки...

Номер патента: 998582

Опубликовано: 23.02.1983

Авторы: Долгополов, Иванов, Кохан, Рогачев, Сологуб, Хайнацкий

МПК: C23F 1/00

Метки: плазмохимической, пластин, полупроводниковых, процессом

...(5) следует, что й й пропорционально скорости изменения напряжения И, а следовательно и скорости изменения интенсивности свечения про 25 дуктов,реакции.В соответствии с выражением (3)предлагаемое устройство сформирует сигнал окончания процесса обработки О 1 после прохождения максимума на зависиЗф мости 0 (1 ) и уменьшения скорости1изменения величины 01 (1) до заданного значения (4),Формула изобретени я Устройство управления процессом .плазмохимической обработки полупроводниковых пластин, содержащее усилитель,к входу которого подсоединен фотоэлемент, отличающеес ятем,что,с целью улучшения качества обработкиза счет повышения точности фиксациимомента окончания процесса, оно дополнительно содержит вычислительный блок,45 тактовый...

Номер патента: 999127

Опубликовано: 23.02.1983

Авторы: Адоньев, Кононов, Петров

МПК: H01L 21/00

Метки: полупроводниковых, приборов, сортировки

...13 для выводов 14 измеряемых полупроводниковых приборов, Контактные элементы 15 и 16 установлены симметрично относительно корпуса 9 и закреплены в стойке 17 корпуса 9 контактного механизма 3. В стойке 17 также установлена подвижная вилка 18, продольные образующие которой (рычаги) своими концами взаимодействуют с 4 О контактными элементами 15 и 16. Вилка 18 посредством рычагов 19 и планки 20 соединена с ее приводом 21,Контактные элементы 15 и 16 могут быть смонтированы отдельно от контактного 145 механизма 3 и снабжены приводом. 1 О Устройство работает следующим об, разом.ФИз вибробункера 1 по лотку 2 при- бор подается в загрузочный паз 11 контактного механизма (первая позиция). Этот паз совмещен с лотком 2 и с одним из карманов. карусели...

Номер патента: 1001232

Опубликовано: 28.02.1983

Авторы: Афанасьев, Крысов, Трусова

МПК: H01L 21/00

Метки: импульсного, отжига, полупроводниковых, структур

...содержит замкнутую камеру 1, в которой выполнены щели 2 и 3 соответственно для загрузки и выгрузки полупроводниковой структуры 4, расположенной наопоре сетке ) 5, Внутри замкнутой камеры по обе стороны от опоры расположены линейные галогенные лампы б накаливания так, что их продольная ось перпендикулярна направлению движения спотк, перемещаемой с помощью привода 7. Замкнутая камера имеет изогнутую форчу и служит одновременно для фокусировки . излучения на поверхность полупроводниковой структуры.Линейные галогенные лампы накаливания расположены от опоры на расстоянии 10-100 д, где о - толщина подложки полупроводниковой структу ры. Указанное соотношение определяется как размерами используемых подложек (в производстве...

Номер патента: 1001234

Опубликовано: 28.02.1983

Авторы: Девятых, Домрачев, Жук, Кулешов, Лазарев, Хамылов, Чурбанов

МПК: H01L 21/205

Метки: газовой, осаждения, полупроводниковых, слоев, соединений, типа, фазы

...этого, снижение давления позволяет интенсифицировать десорбцию и отвод из эоны осаждения продуктов реакции, что также способствует увеличениюскорости осаждения.Выбор рабочего давления определяется летучестью элементов А и В и свойствами осаждаемого слоя. П р и м е р 1 . Подложку из сапфира размещают на пьедестале, который вводят в реактор. Вокруг подложки и пьедестала размещают дополнительную поверхность цилиндрической формы диаметром 28 мм, которая одновременно является нагревателем реактора. Реактор откачивают до давления 1 Па и включают нагреватель, Дополнительную поверхность и пьедестал нагревают370 оС, затем пьедестал охлаждаютодо 250 С. Точность поддержания температуры составляет + 5 С. Подают сеоленоводород, а затем пары...

Номер патента: 1001236

Опубликовано: 28.02.1983

Авторы: Перов, Петров, Поляков

МПК: H01L 21/66

Метки: границы, полупроводниковых, потенциала, раздела, структурах

...гетероперехода осуществляется следующим образом.На гетеропереход подается напряжение смещения Ч и он освещаетсяимпульсом света, энергия квантов которого Е(Ъ)1 ЕстЕ 2. При таком освещении происходит спрямление зонв обоих полупроводниках, а так какток через гетеропереход поддерживается постоянным, то изменение напряжения на гетеропереходе вызвано только возникающей фото-ЭДС и равно ейпо величине (аналогично режиму холостого хода). В этом случае измеряе -мая величина фото-ЭДС насьпцения равна (-1(9, - Ч) . Достижение насыщенияЗОфото-ЭДС проверяется с помощью нейтральных фильтров, Затем гетеропереходосвещается импульсом света с Е ) ЕМ)Е 2, При этом измеряемая фото-ЭДСнасыщения равна - У/),. ЗдбИз двух проведенных измерений...

Номер патента: 1001237

Опубликовано: 28.02.1983

Авторы: Перов, Петров, Поляков

МПК: H01L 21/66

Метки: гетеропереходов, концентрации, материалах, полупроводниковых, примесей, эффективной

...1так как д, д 2, а Ес, ДЕч не менЯютсЯ при изменении найряжения смещения,Высокочастотную емкость гетеро- перехода можно записать в виде 1 4 О СС 2вц г. сгде С и С 2 - емкость ОПЗ каждого иэ полупроводников, по определению равные аааа,1Й 1, 02 - величина заряда на включениях последовательно емкостях С 4,С 2. Но при последовательном сбединении емкостейЯ:; а 1=3 й, .Следовательно, из (3-6 ) получаем 5 О 55 1 2 2Ч) Таким образом, зная из эксперименота свц,д 91 и 62Расс:читывают 65Определение эффективной концентрации .примесей (И ) в полупроводниковых 15 материалах гетероперехода производит- ся следующим образом.На гетеропереход подается напряжение смещения 9 и он освещается импульсом света, энергия квантов ко- О торого Е (Л Е 1 э ЕсВ этом...

Номер патента: 1001238

Опубликовано: 28.02.1983

Авторы: Великий, Горшков, Жуков, Мансуров, Марков, Мелентьев, Пузанков, Якимов

МПК: H01L 21/66

Метки: полупроводниковых, структур

...вторым оптоэлектрическим датчиком,17 уровня стола 2, второй схемой 18 совпадения и инвертором 19, причем оптоэлектрический датчик 17 уровня стола 2 подключен к нторому входу триггера 11, первый выход которого соединен с вторым входом первой схемы 16 совпадения,а второй выход связан с первым входом второй схемы 18 совпадения, второй вход которой через инвертор 19 подключен к контактному датчику 15, третий вход связан с выходом блока 7 пуска, а выход второй схемы 18 совпадения подключен к блоку 8 привода механизма б шагового горизонтального перемещения стола 2, при этом третий нход первой схемы 16 совпадения соединен с блоком 4 привода механизма вертикального перемещения, а ее выход подключен к блоку 14 контроля.Ориентация контактных...

Номер патента: 1001240

Опубликовано: 28.02.1983

Авторы: Прохоров, Шелков

МПК: H01L 23/34

Метки: охладитель, полупроводниковых, приборов

...пластинами; общий вид; на фиг. 2 - устройство втрех проекциях с одним полупроводниковым прибором, изогнутыми теплосъемными пластинами, общий вид.Направление движения воздуха указано стрелками.Охладитель содержит цилиндрический сердечник 1 с буртиком 2 , 15посередине. К торцовым поверхностям3 буртика 2 с обеих сторон сердечника 1 прижаты и законтрнены на нем спомощью колец 4 пакеты 5, состоящиеиз теплосъемных перфорированныхпластин б и разделительных шайб 7.Отверстия 8 в соседних пластинах бсмещены друг относительно друга. Кторцовым поверхностям 9 сердечника1 с помощью прижимного устройства10 через токосъемные шайбы 11 прижаты вентили 12, причем шпильки 13прижимного устройство 10 проходятчерез прорези 14, выполненные...

Номер патента: 1008678

Опубликовано: 30.03.1983

Авторы: Анисимов, Гамаюнов, Паленик, Пашенцев, Смирнов

МПК: G01R 31/26

Метки: величины, полупроводниковых, приборов, силовых, ударного

...прибор, соответствующих режимах по току, близким к величине ударного тока, преобладает емкостной характер полного дифференциального сопротивления прибора, причем в момент, когда наступает локализация тока в плазменный шнур, но еще не развился теп ловой пробой, наблюдаются экстремальные значения дифференциальной емкости и дифференциального активного сопротивления (максимальное и минималь.Ное значения соответственно), Фикси руя момент начала локализации тока по зависимости дифференциальной емкости прибора от величины прямого тока через него и. прерывая ток в момент достижения емкостью максимального значения, можно обеспечить нераэрушающий контроль величины ударного тока для каждого испытуемого прибора с высокой точностью.ОсциллограМмы двух...

Номер патента: 701414

Опубликовано: 07.04.1983

Авторы: Асвадурова, Онуприенко, Стагис, Требоганов

МПК: H01L 21/66

Метки: полупроводниковых, приборов, структур, тепловых, характеристик

...нагревать поверхность пассивных многослойных структур сфокусированным излучением, что необходимо для измерения их тепловых сопротивлений ( Рт).Совмещение оси лазерного излучения с оптической осью ИК-обЪектива позволяет юстировать обе системы по видимому излучению, что существенно повышает точность при количественном измерении тепловых сопротивлений.Расположение приемника ИК-излучения и измеряемого объекта в двойных фокусных расстояниях ИК-объектива позволяет измерять температуру с маленького пятна, равного рабочей плошал ке прненика ИК-излучения, в центре источника тепла, т,е, температуру, близкую к максимальной (Т), что повышает абсолютную величину теплового сопротивления и точность при ее количественном измерении.Подсоединение...

Номер патента: 860645

Опубликовано: 15.04.1983

Авторы: Бакланов, Земсков, Митькин, Репинский, Свешникова

МПК: H01L 21/306

Метки: кристаллов, полирующий, полупроводниковых, травитель, травления

...увеличения скорости гидролиза дифторида ксенона в воде, что может привести к нарушению стабильности процесса травления,20 25 30 П р и м е р. Раствор дифторидаксенона в воде готовят растворениемв бидистиллированной воде навесокдифторида ксенона, представляющего 35 собой белый порошок. Травление полупроводниковых кристаллов Са, 5,5 Аз п 5 Ь, СаР проводят в водномрастворе дифторида ксенона на травильной установке с вращающимся 40 фторопластовым стаканом, наклоненным под углом 70 . Образец погружаоют в стакан. Скорость вращениястакана 60-80 об/мин. Скорость травления оценивают по изменению весаобразцов за время эксперимента. Исходную концентрацию дифторида ксенона в воде в выполненных экспериментах варьируют от 0,1 до 2...

Номер патента: 878105

Опубликовано: 15.04.1983

Авторы: Залетин, Мальковский, Семенова

МПК: H01L 21/3063

Метки: барьером, дефектов, исключения, объема, полупроводниковых, потенциальным, рабочего, структур

...образуются микроплазмы, т,е. повышенная. электропроводность этой области структуры, вызывающая увеличение скорости электролитического удаления материала структуры. Если обработке подвергаются полупроводниковые структуры или структуры типа диэлектрик - полу; проводник/ то производится либо удаление дефекта, если он находится на ближайшей к поверхности структуры стороне потенциального барьера,.либо ликвидация потенциального ба 55 60 65 После обработки структур с барьером Шоттки пробивные напряжения наструктурах увеличились в 1;5-10 раз,величина обратного тока уменьшилась в 10 -104 раз,Использование данного способа посравнению с существующим позволяет:значительно упростить процесс, обеспечить воэможность обработки структур типа...

Номер патента: 1012161

Опубликовано: 15.04.1983

Авторы: Данилин, Загоровский, Кравченко, Лотох, Прытков

МПК: G01R 31/26, G01R 31/28

Метки: качества, конструкции, полупроводниковых, приборов, соединений, элементов

...необходкмо предварительное измерение термочувствительного параметра при фиксированной температуре (время операции болеедесяти мин), а также использование двухсерий импульсов, нагревающих полупроводниковый прибор с постепенным наросганием их амплитуды и измерении каждыйраз после окончания очередного импульса термочувствительного параметра.Кроме того, данный способ не обладаетвысокой точностью, имеет место погрешность измерений, связанная с неконтролируемьм Охлаждением кристалла за время измерения термочувствительного параметра (после переключения от греющеготока к измерительному).Целью изобретения является повышение быстродействия и точности контроля.Поставленная цель достигается тем,что согласно способу контроля качествасоединений...

Номер патента: 1013155

Опубликовано: 23.04.1983

Авторы: Зверев, Кузнецов, Мурашов, Петрова, Цывин

МПК: B23K 1/20

Метки: корпусами, кристаллов, пайки, полупроводниковых, приборов

...толщине слой стекла, который вдальнейшем выполняет роль припояпри соединении кристалла с основанием корпуса.. Процесс изготовления слоя стеклав этом случае прост, технологичен,универсален, исключает отходы, егопродолжительность не превышает 1020 с и определяется толщиной слоя,концентрацией суспензии и напряжением на электродах,На чертеже показана электро-химическая ячейка для нанесения слоястекла на пластине полупроводника,снабженного сильнолегированным слоем р+ или и+ типа./П р и м е р. В процессе изготовления. структур на пластине 1 из кремния и+ типа с р =7,5 Ом см на обРатной стороне одним из известных методов (диффузия, ионное легирование)создают сильнолегированный слой 2 р+типа с поверхностной концентрациейй =1101...