Патенты с меткой «полупроводниковых»

Номер патента: 1791761

Опубликовано: 30.01.1993

Авторы: Белобровая, Биленко

МПК: G01N 21/35, H01L 21/66

Метки: группы, деформации, относительной, полупроводниковых, постоянной, решетки

...величины - существенно повышает точность измерений иисключает неконтролируемую однозначи 50 ность, связанную с наличием нарушенногоповерхностного слоя,Способ осуществляется следующим образом,Для определения йсследуемого типа по 55 лупроводникового материала предварительно экспериментально получаюти Ьа ЬВзависимость типа -- . Для этого дляаряда образцов независимым способомэлектрохронографически либо рентгеноЫ Вг - В 1и по рассчитанному знацению - Вп номерность; зависимости В 1- ) и Вг ( - )Ьа Ьаа аНосят неоднозначный характер, и порозньЬамало чувствительны к значению - , как поаказана на фиг,2,Проведенные исследования показали,что можно найти такую функциональную зависимость измеренных величин, котораяобесйечит высокую...

Номер патента: 1793570

Опубликовано: 07.02.1993

Авторы: Детинов, Златковская

МПК: H01L 23/34, H05K 7/20

Метки: охлаждения, полупроводниковых, приборов, радиатор

...что в радиаторе для охлаждения полупроводниковых приборов, содержащем основание 1 в виде стакана с резьбовай внешней поверхностью 4 стенки 5 и закрепленным на днищем б стакана коаксиально его стенке 5 цилиндром 7, распорное устройство и размещенные между цилиндром 7 и стенкой 5 стакана пучки гибких проволок 3 и клинообразные сухарики 10, пучки гибких проволок 3 размещены между цилиндром 7 (наиболее нагретая зона) и клинообразными сухариками 10 с возмокностью теплового контакта с ними, а распорное устройство выполнено из разрезной цилиндрической втулки 12 с конической внутренней поверхностью, взаимодействующей со скосами 14 клинообразных сухариков 10, цилиндрической поверхность 1 о - с внутренней поверхностью 16 стенки 5, и накиднай...

Номер патента: 1796079

Опубликовано: 15.02.1993

Авторы: Котов, Крячко, Олейниченко

МПК: H01L 21/66

Метки: бесконтактного, пластин, поверхности, полупроводниковых, чистоты

...поверхности полупроводниковых пластин реализуется следующим образом.Множество дискретных значений потенциала поверхности получают с помощью измерителя потенциала поверхности ИПП при сканировании платиновым зондом диаметром 500 мкм вдоль кремниевой пластины диаметром 100 мм с толщиной естественного окисла 50 А на расстоянии 30-50 мкм от поверхности без ее освещения и при40 где Чт - потенциал поверхности без ее освещения,Ъ - объемный потенциал материалапластины,ф мо цпотенциал выхода материала зонда,Хп= потенциал электронного сродства материала пластины,Ь - толщина диэлектрического слоя на поверхности пластинок.Например, для платинового зонда над поверхностью Я р-типа проводимости с удельным сопротивлением р=12 Ом см, на поверхности...

Номер патента: 1798397

Опубликовано: 28.02.1993

Авторы: Никорич, Симашкевич, Соболевская, Сушкевич

МПК: C30B 19/06, C30B 29/48

Метки: полупроводниковых, слоев, соединений, эпитаксиальных

...пена 100-150печь возврание, при этоампулу извлния ампулыподложку сиз ампулы иводой или сности выращтеля.Изобретение может бьследующим образом,Берут навески Еп, Те, 5учения твердого раствора,.Милюков Тираж Подписное сударственного комитета по изобретениям и открытиям 113035, Москва, Ж. Раушская наб., 4/5КНТ СССР роизводственно-издательский комбинат "Патент", г. ужгород, ул,Гагарин ва ЕпЯео,яТео,1, Количество соли хлорида-4цинк. Ампулу откачивают до 10, тор и отпатвердого раствора и 95 мол.хлоридэ цинка, Навески: Р(Еп С 2) = 4,68 (г); Р(Еп) = 0,0118 + 0,1063-0,11811(г); Р(Те) = 0,0231(г); Р(Зе)= = 1,285 (г).В чистую кварцевую ампулу загружают обезвоженную соль ЕпС 2, селен, теллур, цинк. Ампулу откачивают до 10 тор и...

Номер патента: 1798947

Опубликовано: 28.02.1993

Авторы: Лопатин, Москвичев

МПК: H01L 21/00, H05K 13/00

Метки: выводов, полупроводниковых, преимущественно, приборов, радиоэлементов, рихтовки

...располокен над всей длиной опорной поверхности 15.Рабочие поверхности планки 9 элемента правки механизма рихтовки, опорная поверхность 15 стойки 14 и рабочая поверхность планки 11 прижима механизма фиксации выполнены из полиуретана, обеспечивая необходимый коэффициент трения между деталью 3, взаимодействующей с поверхностями вышеперечисленных элементов.Устройство работает следующим образом,Детали 3 подаются вибролотком 1 и посредством анкеров 2 поштучно загружаются в механизм рихтовки, При вращении двух выходных валов 5 редуктора 4 с равной скоростью и в одну и ту же сторону эксцентрики 6 обеспечивают перемещение корпуса 7 в пространстве по необходимой траектории. В результате перемещения корпуса 7 планка 9 посредством подпружиненных...

Номер патента: 1804973

Опубликовано: 30.03.1993

Авторы: Зайцев, Ключников, Кухаренко, Ткачев, Яшин

МПК: B23D 45/00

Метки: полупроводниковых, разделения, слитков

...поверхность полотен опиралась о поверхность кольца 2 с усилением 0,03 - 0,06 кг. В процессе разделения при возвратно-поступательном перемещении контактирующих со слитком 1 режущих полотен 3 абразив в виде определенного состава, содержащего соли меди, подается в зоне резания. При этом абразив выкаливает частицы полупроводникового материала, формируя прорезь, а на поверхности направляющих колец 2, служащих для придания жесткости режущему полотну, выса1804973 тен со слитком происходит постепенное разрушение приклеечной мастики и материала слитка, При этом полотна совершают перемещение в горизонтальном и вертикальном направлении по опорной поверхности, т.е, поджатые о поверхность колец покрытых медью, что увеличивает их жесткость, а,...

Номер патента: 1806354

Опубликовано: 30.03.1993

Авторы: Карев, Тюрин, Шилов

МПК: G01N 21/88

Метки: дефектов, обнаружения, пластин, поверхности, полупроводниковых, фотошаблонов

...2, которое сканируется относительно лазерного пучка, причем плоскость поляризации света параллельна плоскости контролируемого образца, Свет, рассеянный поверхностью, проходит через анализатор 3 рассеянного света. Свет, прошедший анализатор, собирается линзой 4 и направЛяется на щелевую диафрагму 5. Прошедший через диафрагму свет поступает на фотоэлектрический преобразователь 6, где преобразуется в электрический сигнал, Далее сигналпоступает на блок 7 формирования амплитудно-частотной характеристики, Преобразованный сигнал поступает на один из входов компаратора 8 и на вход блока 9 формирования порогового напряжения, который формирует напряжение, пропорцио. нальное медленно флуктуирующему в течение времени контроля образца сигналу...

Номер патента: 1806418

Опубликовано: 30.03.1993

Авторы: Немцев, Орлова, Полякова, Тявловский, Яржембицкий

МПК: H01L 21/00

Метки: однородности, поверхности, полупроводниковых, потенциала, распределения, электрического

...нм и расстоянием между дефектами более 50 нм, На расстояния более нескольких десятков мкм поверхность является статистически однородной.П р и м е р 2, Указанная в примере 1 последовательность операций была повторена при использовании в качестве объекта измерения эпитаксиальной пленкивыращенной на кремниевой пластине с полностью удаленным нарушенным слоем, Получены следующие результаты измерения.При изменении расстояния от отсчетного электрода до поверхности от 0,37 до 1,2 мм минимальное и максимальное значения потенциала составили 268 и 276 мВ, а их полураэность 4 мВ. Микроморфология поверхности характеризовалась однороднымраспределением точечных микродефектов с регулярным пространственным распределением и средним расстоянием между...

Номер патента: 1809846

Опубликовано: 15.04.1993

Авторы: Конюшко, Малочко, Шадрин

МПК: C30B 29/16, C30B 7/00

Метки: диоксида, олова, основе, пленок, полупроводниковых, раствор

...в воде, растворяют 0,2 г ЯЬС 3, доводят объем до 50 мл. Далеекак в примере 1. Полученная пленка имеетследуощие характеристики:р=72 Ом см5 ТКС= 1,9 /Т=79 о Раствор сохраняет свои свойства не менее1 года.Состав раствора:10 ЯпС 204 100 гНг 02 18 гЯЬСз 4,1 гИ-оксид третичного амина 0,16 гН 20 до 1 л.15 П р и м е р 4. 6 г ЯпС 204 растворяют в 5мл 30 % раствора Н 202 в воде, растворяют0,38 г ЯЬСз и 0,5 мл 4 ораствора й-оксидатретичного амина в воде, доводят растворводой до 50 мл. Далее как в примере 1,20 Полученная пленка имеет следующие характеристики,р = 63 Ом смТКС = 1,6Т= 78 %Раствор сохраняет свои свойства не менее,.чем 1 годСостав раствора:Яп С 204 120 гН 202 . 30 г30 ЯЬСз 7,5 гИ-оксид третйчного амина 0,2 гН 20 до 1 л.П р и м е р 5. 6...

Номер патента: 1810848

Опубликовано: 23.04.1993

Автор: Малецкий

МПК: G01R 31/26

Метки: параметров, полупроводниковых, приборов

...5 вычитания (фиг,4) определяетразность между постоянными напряжениями на контролируемом стабилитроне иисточнике опорного напряжения 8, поступающих соответственно на его входы 2 и 3.Блок выполнен на операционном усили 15 теле 27, триггере 28 и реле 29. При поступлении разрешающего сигнала от блока 6 натриггер 28 и включенияреле 29 разностьнапряжений с выхода ОУ 27 выдается черезвыход блока 5 на вход измерителя 4.20 Блок 6 контроля напряжения стабилизации выполнен аналогично блоку измерителядифференциального сопротивления 4 нааналоговом кампараторе с цифровым выходом (например, К 521 САЗ) выдает результатконтроля через первый выход на блок 7 индикации о соответствии значения напряжения стабилизации контролируемогостабилитрона заданному...

Номер патента: 1811044

Опубликовано: 23.04.1993

Авторы: Заславский, Фирцак, Шахайда

МПК: H01L 23/36, H05K 7/20

Метки: охлаждения, полупроводниковых, приборов, радиатор

...Переменный шаг гофр 7 обоснован соображениями переменной интенсивности теплового поля, уменьшающейся внаправлении от источника тепла. Наличиедополнительных воздушных каналов 5 обосновано соображениями усиления активности воздушных потоков, Для радиаторов, 45работающих без принудительного обдува, вусловиях естественной конвекции, данныевоздушные потоки могут без дополнительных затрат усилить эффект охлаждения тепловыделяющих полупроводниковых 50приборов,Технико-экономическая целесообразность применения заявляемого способаобусловлена простотой и технологичностьюизготовления радиаторов из штампованных 55 гофрированных элементов, имеющих низкую металлоемкость, а также возможность получения компактных радиаторов для работы с приборами...

Номер патента: 1812530

Опубликовано: 30.04.1993

Авторы: Линник, Стрилец, Титов

МПК: G01R 31/26

Метки: исследования, локализованных, параметров, полупроводниковых, состояний, структурах

...и не зависит от выходного сигнала блока 7.Пусть в режиме стабилизации емкости образца произошел дрейф частоты Ь 1, вызванный температурно-временным дрейфом паразитной емкости Сп: Тогда напряжение на выходе блока 7 изменится на такую величину ЬО, которая обеспечит изменение емкости образца на ЬС 4 = ЬСп, таким образом, чтобы частоты 1 оа и 1 снова сравнялись, В результате вольтметр фиксирует напряжение О = О 4 4. +ЬО, где О 4- напряжение, необходимое для стабилизации емкости образца на уровне С 4, ЬО - ошибка в измеряемом напрякении, связанная с температурно-временными изменениями паразитной емкости Сп.После переключения системы в режим стабилизации частоты частота автогенератора 1 путем изменения блоком 7 емкости варикапа...

Номер патента: 1813819

Опубликовано: 07.05.1993

Авторы: Арендаренко, Барышев, Буравцев, Иванов, Лобызов

МПК: C30B 25/14

Метки: выращивания, полупроводниковых, слоев, эпитаксиальных

...В крышке 10 реакционной камеры 2 выполнено центральное отверстие 11, и она установлена с зазором 12 к колпаку 1, при этом зазор 12 соединен со средством сброса 13. Вокруг реакционной камеры 2 размещен нагреватель 14.Устройство работает следующим образом. изводят загрузку подлож арсенида галлия, на вн ость граней подложкодерют реакционную камеру 21. Продувают реакционную камеру 2 инертным газом и водородом, После этого нагревают подложки 4 нагревателем 14 и подают газовую сглесь и водород через трубки 6 и б и кольцевой коллектор 7.В предлагаемом устройстве перфорированная перегородка обеспечивает равномерность поля скоростей не по всему сечению реактора, а лищь непосредственно над перегородкой, между коаксиальным вводом газа и внутренней...

Номер патента: 1815695

Опубликовано: 15.05.1993

Авторы: Агаларзаде, Прокопенко

МПК: H01L 21/302

Метки: канавок, пластинах, полупроводниковых, прорезания

...Абразивный диск 2 подводят к кромке 5 полупроводниковой пластины и подают по направлению 6 вдоль контура стенки 7 канавки. При этом центр кепрофилированного абразивного диска 2 движется по эквидистантной относительно контура стенки 7 траектории. Радиус кривизныг вершины 8 профиля зависит от угла наклона абразивного диска 2. По достижении заданной глубины канавки абразивный диск 2 отводят по направлению 9 (перпендикулярно оси вращения 3 полупроводниковой пластины) на расстояние, приблизительно равное глубине канавки, подводят к другой кромке 10 полупроводниковой пластины, подают по направлению 11 вдоль контура стенки 12 до заданной глубины канавки и отводят по направлению 9.Задавая программу движения абразивного диска, можно...

Номер патента: 1816816

Опубликовано: 23.05.1993

Авторы: Буряк, Горский, Дзензерский

МПК: C30B 29/06, C30B 33/06, H01L 21/18 ...

Метки: кремния, основе, полупроводниковых, элементов

...против сил трения. Скорость вращения подвижного кристалла не ограничивается конкретными значениями. Важным является только принцип, согласно которому чем больше скорость вращения, тем быстрее идет процесс сращивания. Когда температура стыка достигает точки плавления коемния ( .1467 С), между. кристаллами образуется прослойка из жидкого кремния. Момент ее образования сопровождается резким уменьшением силы трения между кристаллами, что выражается в резком падении нагрузки на двигатель. В этот момент его останавливают и образовавшийся при кинетическом разогреве жидкий слой кристаллизуется за счет ухода тепла через твердую фазу.Если сращиваются монокристаллы, то в условиях формирования на ориентированных плоскостях как на подложках (при...

Номер патента: 1817010

Опубликовано: 23.05.1993

Автор: Рзаев

МПК: G01N 27/00, G01R 27/00

Метки: полупроводниковых, сопротивления, удельного

...определяется сопротивление Вв, азатем вычисляется удельное сопротивлениеисследуемого образца- - =ч 3:Я;Вог гкэг )сэ 1Комплексное напряжение в измерительной цепи (фиг.2)1. Оо= Овнн 4" Овнн)ЮСн (яо . С ),ОСо где О о и 0 вых - комплексные напряженияна входе и выходе измерительной цепи;Со - суммарная емкость, Со = Сх/2.Отношение напряжений(1+ С ) +) иСнйн, (2)0 выхМодули комплексных напряжений естьизмеряемые амплитуды напряжений, ТогдакваДрат модуля (2) будетОЧ 2, =(1+ с )+абис.вЕ )з) Где Чо и Чвых амплитуды напряжений на входе и выходе измерительной цепи.При измерениях на двух частотах в 1 и аг входных сигналах получаем систему из двух уравнений с двумя неизвестными Во и Со 21+ С"+ 3 С 2 Во=йСо где к 1 = и кг = - отношения ампЧо 1 Чо 2Ч 1...

Номер патента: 1817867

Опубликовано: 23.05.1993

Авторы: Головнин, Джуманова, Рифтин, Тихонов, Церфас

МПК: H01L 21/306

Метки: диодов, полупроводниковых

...при получении диодов средней ибол . эй мощности,После соэд.ния р-и перехода путемдиффузии влюмии.,:я, бора и фосфора иа соответствуюшие стороны пластины на ее поверхность осаждают никель, Химическоеосаждение никеля с отжигом 1-.го слоя притемпературе 600-700 С в среде водородаповторяют 2-3 раза для получения качественного омического контакта, На никелированные пластины, наносят рисунок иэ слояфоторезиста с помощью фотолитографического процесса, Слой фотореэиста наносятв местных промежутков между полупроводниковыми структурами диодов. На свобод ные от фотореэиста области наносятэлектрохимическим способом слой золота,толщиной 1 - 1,5 мкм, который выполняетфункции омического контакта и одновременно является маскирующим покрытиемпри...

Номер патента: 1821462

Опубликовано: 15.06.1993

Автор: Кремнев

МПК: C04B 37/02

Метки: изоляционных, металлом, плоских, полупроводниковых, соединения

...электроде и нагревают до 800 С, при достижении указанной температуры прикладывают постоянное напряжение до зажигания коронного разряда, выдерживают 5 мин; После выдержки отключают напряжение и нагрев.П ри ме р 4, Изсплава 44 НХТЮ изготавливают деталь, приготавливается пленкообразующий растворгидролизнополиконденсационной двуокиси кремния, содержащей оксид редкоземельного металла - лантана, Методом центрифугирования нэносится пленкообраэующий раствор нэ деталь из сплава 44 НХТЮ, Затем нагревают до 900 С и проводят термодеструкцию. Далее приводят в контакт деталь иэ сплава 5 44 НХТЮ, покрытую стеклом с кристалломиз монокристаллического кремния п-типа, размещают на плоском электроде и нагревают до 600"С, при достижении указанной...

Номер патента: 1822944

Опубликовано: 23.06.1993

Автор: Духовников

МПК: G01N 21/55

Метки: кристаллов, ориентации, полупроводниковых

...вещества. При пересе снии нескольких трещин происходит выкалывание части вещества. В кристаллических веществах трещины образуются в направлении кристаллографических плоскостей, 1822944соответствующих минимальной прочности межатомных связей. Таким образом, стенки выколок являются своеобразными "микроэеркалами", параллельными плоскостям скола и, очевидно, параллельными друг другу, Это приводит к тому, что матовая шлифованная поверхность кристалла отражает свет не диффузно, а почти направленно, При освещении шлифованного участка лазерным узким лучом на экране наблюдаются очень резкие максимумы интенсивности света. Полупроводники типа баАз, 1 пЗЬ, ОаЯЬ, пР дают максимумы различной интенсивности, т. к. их скалывание происходит...

Номер патента: 1823036

Опубликовано: 23.06.1993

Авторы: Бочарова, Рыжков

МПК: H01L 21/66

Метки: качества, полупроводниковых, структур

...ВАХ вырождается впрямую линию с наклоном где Мь ь - концентрация свободных носителей заряда в подложке,При освещении оптическим излучением структуры происходит фотогенерация свободных носителей с глубоких уровней, что приводит к изменению сопротивления Яз; Отсюда легко получить выражение для определения отношения концентрации глубоких центров к концентрации свободных носителей в подложке Используя конечные приращения, формула (6) на линейном участке ВАХ прекращается в формулу (1).Если к структуре приложить напряжение, смешающее буферный слой 2 в обратном направлении (обратное смещение), то его сопротивление возрастает с ростом напряжения (насыщение) и затем по мере увеличения Оо уменьшается (пробой). При ОПРЕДЕЛЕННЫХ ЗНаЧЕНИЯХ О -...

Номер патента: 1824657

Опубликовано: 30.06.1993

Авторы: Альтман, Ким, Лившиц, Саттаров, Шмиткин

МПК: H01L 23/28

Метки: аксиальным, выводов, высоковольтных, герметизации, полупроводниковых, приборов, расположением

...исключениявытекания компаунда через боковые вертикальные прорези нами были опробованы30 следующие методы: зажим кассеты в струбцину с одновременным ее прижимом по краям и в центре к плоскому поддону печи;принудительный изгиб кассеты эа счет прижима ее к сферически вогнутой поверхности35 поддона(0,25 м 5 Низгиба- - 0,5 мм); стягивание кассеты эластичным ободом после загрузки арматур. В табл.2 представленырезультаты герметизации по 1 и 2 способам.Данные табл,2 - способ 1 - указывают40 на отсутствие какой-либо закономерности вповедении ячеек при их горизонтальномсдавливании, что обусловлено структурными неоднородностями кассет, разбросомсвойств компаунда. Общая же тенденция45 очевидна: сдавливание кассет с помощьюструбцины не устраняет...

Номер патента: 986229

Опубликовано: 15.07.1993

Автор: Глущенко

МПК: H01L 21/22

Метки: высокоомными, диффузионными, полупроводниковых, слоями, структур

...является предпочтительной рля более воспроизводимого получения дишшузионных слоев. Причем разница в два порядка допускается минимальной, так как в противном случае дополнительные трудности создаются взаимной нейтрализацией примеси или неуправляемой ее компенсацией, Верхний предел - шесть порядков определяет максимальную возможную раз ность легирования необходимого слоя и подложки.На фиг.1-4 представлена последовательность операций применительно к изготовлению полупроворниковых приборов типа диодов, резисторов и биполярных транзисторов, а на шиг.5-8 для МРП-транзисторов со встроенным кана" лом.На шиг, показана структура после шормирования в (на) подложке 1 высоколегированной области 2 через окно в маске 3 преимущественно в...

Номер патента: 1190871

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Красножон, Сухоруков

МПК: H01L 21/68

Метки: кассета, подложек, полупроводниковых, транспортировки

...пазы 9, по шагуи размерам соответствующие пазам втрубках, 0 одной стороны штоки 8 подпружинены пружинами 10, а с другойстороны своими торцевыми поверхностями контактируют с эксцентриками 11,жестко сидящими на поворотной оси 12и имеющими ручку 13. Эксцентрики .11 2 Ои пружины 1 О служат рля фиксации. иосвобождения полупроводниковых подложек 14 и защитных экранов (или другихполупроворниковых подложен) 15.Один из штоков 8 имеет продолжение 25в виде втулки 16, проходящей черезстойку 1, на которой, жестко закреплена планка 17, которая другим своимконцом соединена с нижним подвижнымстержнем 5, илеющил возможность пере мещаться в соосных отверстиях в стой"ках 1.Пазы 6 в неподвижном стержне 4 выполнены так, что при взгляде (наблю"дателя) на...

Номер патента: 1505358

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Глущенко, Еремич, Жариков, Колесников, Сосницкий

МПК: H01L 21/82

Метки: полупроводниковых, структур

...взаимодействия атмосферной влаги с фосфором и образования фосфорной кислоты, При концентрации фосфора менее 25 мас,Е наблюдается растрескивание слоя ФСС от послепуиекго отжигв.Данный способ позволяет повысить эхЬектцнцость зашиты полупроводниконых структур от воздействия повьппен" ной влажности,Ф о р м у л в и э о б р е т е н и я Составитель В.ГришинРедактор Л.Народная Техред Л.Олийнык Корректор Л,Бескид Подписное Тираж.Заказ 2835 ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Иосква, Ж, Раушская наб., д. 4/5Г 1 рсиэнодственио-иэдательскцй комбинат "Патент", г.ужгород, ул. Гагарина,101 3 150535 Увеличение толщины ФСС более 0,7 мкм цецелесообраэно, так как увеличивается вероятность растрескивания иээа...

Номер патента: 1050475

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Глущенко, Красножон

МПК: H01L 21/78

Метки: кристаллов, полупроводниковых, структур

...над элементами ной канавкой 13.структуры подложки и в разделительных П р и м е На пол ир и м е р, а полупроводникоои.от 5 до 5 мкм. вые пластины кремния 1 с интегральл и сводникКроме того, травящая среда для по- ными структурами 3 после Форм ру р , овой подложки не должна 15 ния металлизированной разводки 5 изи овавоздействовать на открытое маскирую- алюминия методом плаэмохимическогот бщее диэлектрическое покрытие, Таким осаждения наносят " " 6тре ованиям отвечает указанное в спозащитныи слои особе идвуокиси кремния в режиме: темпера"со е плазмохимическое травление, но тура подложки Т = 200+10 Сне в полной ме ео ожки = + , давлениеой мере, поскольку диэлект О кислорода Р = (2-2,5) Па с добавлеием моносилана до давления 25...

Номер патента: 1102433

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Глущенко, Дмитриев, Колычев

МПК: H01L 21/48, H01L 21/76

Метки: кристаллов, полупроводниковых, приборов

...подложка с пассивирующей пленкой, нанесенной на рельеФную поверхность; на Фиг,5 - завершенная полупроводниковая транзисторная структура со вскрытыми контактными площадками55На фиг.1-5 изображены полупроводниковая подложка 1, базовая область 2, эмиттерная область 3, за 33 4щитное покрытие 4, контактные площадки металлизации 5, слой Фоторезиста 6, канавки 7 диэлектрической изоляции, подтравленные канавки8 диэлектрической изоляции, пассивирующая пленка 9.П р и м е р. В полупроводниковойподложке кремния 1 толщиной 300 мкм,служащей коллектором, Формируют диФФузией бора из трехбромистого бораВВг базовую область 2 глубиной залегания - 10 мкм и противоположногоподложке р-типа проводимости,ДиФФузию проводят в две стадии:загонка примеси при...

Номер патента: 1827696

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Байкулов, Беккер, Волкова, Приходько, Шлыков

МПК: H01L 21/78

Метки: кристаллы, пластин, полупроводниковых, разделения

...Здесь создается поле однородных напряжений сжатия, определяющеежелательное направление распространения микротрещин. Величина нагрузки Рподбирается экспериментально для данно 55 го алмаза скрайбера, т, к. зависит от глубины надреза пластин и шириныскрайбирования дорожки,Нагретая до температуры Т 1 нижняяплита находится о непосредственном тепловом контакте со скрайбированной повер 5 10 15 20 25 На фиг. 3 представлено схематическое расположение векторов внешнего механического напряжения о и термомеханического напряжения о), а также показано направление градиента температурного поля, где Т 2Т 1. Как видно из фиг. 3 градиент температурного поля направлен параллельно внешним механическим напряжениял ае, а разделяющие пластину...

Номер патента: 1828560

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Йоханнес, Роланд, Хенрикус

МПК: H01L 21/28

Метки: полупроводниковых, приборов

...остальные легированные паликристаллические кремниевые участки 41, 42 акисляют лишь частично, в результате чего, как показано на фиг, 10, остаются легированные поликриал, в данном примере фоточувствительный реэист, которому затем придают канфигурацио при помощи традиционных методов фотолитографии и травления, в результате чего формируют маскирующий слой 28, оставляющий открытым легированный кремниевый участок 5. Затем вытравливают легирооанный поликристаллический кремниевый участок 5, После удаления маскируащего слоя 28 традиционными средствами получают структуру, изабраженнуо на фиг.2, а затем можно выполнить, например. операции, описанные выше в связи с фиг. 3-5, в результате чего получается транзисторная структура, изображенная на...

Номер патента: 1160895

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Глущенко, Колычев

МПК: H01L 21/78

Метки: кремниевых, полупроводниковых, структур

...воздухом. Следующей после нддрездния чисткой5 11удаляют продукты надрезания и буртикс поверхности подложки, а также удаляют поверхностный дефектный и загрязненный слой маскирующего диэлектрического покрытия двуокиси кремния,Отсутствие специальной операциинанесения защитной маски, а такжеочистки подложки от продуктов скрайбирования маскирующего диэлектрического покрытия и мгталлизированной разводки в одном технологическомцикле упрощает способ и сокращаетвремя его проведенияП р и м е р, Полупроводниковуюподложку кремния толщиной 250 мкми-типа проводимости, служащую коллектором, подвергают термическомуокислению при температуре 1150 С втечение 3 ч, Процесс проводят в ком"Ьинированной среде сухого и увлажненного водяными парами кислорода...

Номер патента: 980568

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Глущенко, Колычев

МПК: H01L 21/78

Метки: кристаллов, полупроводниковых, структур

...на общей полупроводниковой подложке структур друг от друга.П р и м е р, Полупроводниковую подложку кремния 1 и-типа проводи" мости, служащую коллектором, подвер" гают термическому окислению при тем" пературе 1150 С в течение 3 ч. Процесс проводят в комбинированной среде сухого и. увлажненного водяными парами кислорода, выращивая маскирующее дизлектрицеское покрытие 2 двуокиси. кремния БхО. 8 результате получают пленку толщиной 0,8 мкм, достаточной для маскирования подложки 1 от последующих операций диффузии и селективного травления кремния. Через вскрытое Фотогравировкой окно в покрытии 2 Формируют базовую область. 3; например, термической загонкой бора из борного ангидрида ВОз с последующей его разгонкой при температуре 1150 С...