Патенты с меткой «полупроводниковых»

Номер патента: 1542337

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Алексенко, Глущенко, Зенин, Колычев

МПК: H01L 21/441

Метки: полупроводниковых, структур

...размеры и плотность бугорков9, на Фиг, 3 - указаннал структурапосле стравливанил (планаризации)бугорков, на Фиг. 4 - структура- . 25Фиг, 3 после окисления алюминиевойразводки 6 в порах 8 диэлектрическогопокрытия (9 " окись алюминия),П р и и е р конкретного осуществления способа. 30На полупроводниковую подложку сосформированными элементами структур1-11 вакуумным осанденем на установке УВН-П 2 наносят алюминийтолщиной 12 икм. Затем Формируют металлизированную разводку 6 полупроводниковых структур, наносят диэлектрическое покрьтие 7 например двуокиськремния, толщиной 0,2. мкм методомокисления ионосилана в кислороде при 4050 С. Перед нанесением диэлектрикавозможна пассивацил поверхности ме.тагла, например,...

Номер патента: 1329502

Опубликовано: 23.07.1993

Автор: Лифанов

МПК: G01M 7/00, G01R 31/26, H01L 21/66 ...

Метки: долговечности, кристаллов, однотипных, полупроводниковых

...контра"лируеиой полупроводниковой пластины .3 последняя подвергается осесимметричиой иэгибной деформации. Величинуформируемой нагрузки определяют иподдерживают по уроннкс отклонения луча на экране осцилографа 7, причемс моиента цачяла перемещения цагруО 1)е( ОПОРЫ П)1)В(1)111 Г В ПЕ Т(С" тап ра Гяж)(ь)1 кгх а) (13 м е м( п 1 ц(" пд 8(блок ПЛ прибора Х 1-4( цапасят метки времени через каждые О,с, Брсмцв)1)(ержн 1 контролируемой полупрОГ)ад)Тиковой пластины 3 псл ко)СГрольО)1 нагрузкой до разрушения Определяют путем суммирования метан времени пл протяжении существана)пся линии уровня иагрузки ца ленте гамоп)(сцен 8.11 а этапе формирования цс ра.)рушающпх нагрузок проволочные связи 9 плести)сы, помещенной н цпгрузочцоеустройство,с...

Номер патента: 1830156

Опубликовано: 23.07.1993

Авторы: Йоханнес, Петер, Роланд, Хенрикус

МПК: H01L 21/28

Метки: полупроводниковых, приборов

...а когда+используются ионы В, энергия имплантации может составлять 40 КэВ. Вследствие анизотропного характера ионной имплантации, как показано стрелками, ионы имплантируются в поверхность участка 27 поликристаллического кремния на верхней поверхности ступени б и в область поверхности 3 полупроводниковой структуры 1, но не имплантируются сколько-нибудь значительно в участок 26 на боковой поверхности ступени 6, которая имеет поверхность, расположенную приблизительно параллельно направлению имплантации, и фактически маскирована от имплантации участком 27 на верхней поверхности ступени 6.После операции имплантации полупроводниковую структуру 1 подвергают термической обработке, чтобы дать возможность имплантированным ионам продиффундировать...

Номер патента: 1830295

Опубликовано: 30.07.1993

Авторы: Брайнес, Верещагин, Заболотнов, Калачев

МПК: B08B 3/08

Метки: паровой, полупроводниковых

...в камерах 10, когда погруженные части 11 нагревательных элементов полностью находятся в рабочей жидкости, Переключение сжатого воздуха на верхний штуцер цилиндра 7 перемещает управляемый клапан 6 в направлении 8 и закрывает его. Подачей сжатого воздуха в нижний штуцер пневмоцилиндра 19 производится перемещение вверх траверсы 20 с крышкой 17, что позволяет разместить в зоне обработки 4 узел 3 держателя с полупроводниковыми изделиями 5. После этого переключением подачи воздуха к верхнему штуцеру пневмоцилиндра 19 крышка 17 опускается на ванну, причем усилие, развиваемое пневмоцилиндром, дополнительно прижимая крышку к ванне, обеспечивает герметизацию стыка между ними.Электрический. ток, протекая в цепи, в которую включены нагревательные...

Номер патента: 1831730

Опубликовано: 30.07.1993

Автор: Рогов

МПК: H01L 21/304

Метки: абразивной, группы, полупроводниковых

...жидкость в количестве 0,5 - 3,0%.Поскольку СОЖ поступает непосредственно в зону контакта абразивного инструмента с полупроводниковым материалом, наличие вещества, взаи. ддействующего с газообразными токсичными соединениями, позволяет снизить уровень выделения вредных веществ с атмосферу, т.е. улучшает условия труда. Так, при резке или шлифовании арсенида галлия выделяется арсин, который химически взаимодействует с раствором перманганата калия с образованием водо- растворимой соли мышьяка.В качестве добавок можно использовать бихромат калия, углекислый калий и е р. На станкв-резке "АлмазМ" резку монокристалла арсенида пластины с помощью алмазного1831730 Составитель В.РоговТехред М.Моргентал Корректор Л.Пилипенко Редактор Заказ 2553 Тираж...

Номер патента: 1831732

Опубликовано: 30.07.1993

Авторы: Молдавский, Скрынников, Федоров

МПК: H01L 25/03

Метки: блок, полупроводниковых, приборов, силовых

...относится к преобразовательной технике, в частности к сильноточным полупроводниковым преобразователям, и может использоваться в полупроводниковых преобразовательных агрегатах различного назначения. ьэования: в полупроводзовательных агрегатах ения. Сущность изобреаэовательных узлов устааме без фиксированнойприжимных устройс 1 в, выполнено о виде гибкощегося элемента. с двух сположены сферические беспечивэется соосность преобразовательных узеобходимое кон 1 актное вые полупроводниковые ция позволяет проиэвону приборов. 2 ил.необходимое контактное давление на силовые полупроводниковые приборы 2 и обеспечить их быструю замену (фиг, 2). При необходимости на каждом силовом полупроводниковом приборе 2 могут быть установлены...

Номер патента: 1835522

Опубликовано: 23.08.1993

Авторы: Ануфриев, Гасанов, Титов, Филимонов, Ходос, Чурин

МПК: G01R 27/02

Метки: бесконтактного, пленок, полупроводниковых, удельного, электросопротивления

...колебательного контура к вносимым потерям и повысить точность измерения удельного электросопротивления полупроводниковых пленок. Полупроводниковая пленка, расположенная на обкладках измерительного конденсатора, представляет собой дополнительную обкладку, обладающую своим удельным сопротивлением,Существенными признаками данного способа являются помещение измеряемой пленки на дополнительный измерительный конденсатор, выполненный в виде двух обкладок, расположенных в одной плоскости с небольшим зазором; измерение добротности колебательного контура с образцомнастроенного в резонанс; сравнение добротностей колебательных контуров с образцом и без, настроечных в резонанс; выбор частоты измерения в области максимальной чувствительности...

Номер патента: 1836463

Опубликовано: 23.08.1993

Авторы: Мастюгин, Матсон, Плеханов, Симонова, Фролов, Шепатковский

МПК: C22B 9/00

Метки: полупроводниковых, рафинирования, соединений

...Я дна = 50 мм). Всю сборку помещали в стеклоуглеродный контейнер, находящийся в герметичной камере 5, заполненной инертным газом и нагревали для расплавления материала. В фильтрующей камере происходил процесс интенсивного плавления, при котором содерхгащиеся в материале не металлические включения и газы интенсивно выделялись и всплывали на поверхность материала, Расплавленный материал, проходя через фильтровальный элемент 2 интенсивно рафинировался и опускался на дно металлоприемника 3. В свою очередь продукты реакции рафинирования (окислы, газы и др. включения) всплывали на поверхность материала.1836463 ставитель Ф. Хусаинохред М.Моргентал ектор М, Куль Редактор Е, Полионова аз 3010 Тираж ПодписноеВНИИПИ Государственного. комитета по...

Номер патента: 2001390

Опубликовано: 15.10.1993

Авторы: Карпович, Планкина

МПК: G01N 21/84, H01L 21/66

Метки: коэффициента, образцов, оптического, поглощения, полупроводниковых, фотоэлектрический

...оптического поглощения полупроводниковых материалов, заключающемся в освещении плоскопараллельнсго образца мснокроматическим светок, измерении спектральной зависимости относительной фсточувствительности образца и опред;-;ленни коэффициента по лсщения а и;, срд(ровэнной на единицу в максимуме спекральной зависимссти относиельнсй фсточувствительнссти 5 ф ( 1. ), в котором, согласно иэобретекно- вс-первых, производят изменение фотоответа г режиме поперечной фстопроводимсг,и (электроды нанесены на обе боковые грани образца),- вс-вторых, фотоответ .мелю о г всего обьема образца (элеггсды нассят нэ всю площадь боковыхэей образца),- в третьих, обра.г ц дополнительно освещают излученилиной вол ы Л. о, где л.; - дл а волны, сос 1...

Номер патента: 2001467

Опубликовано: 15.10.1993

Авторы: Астапов, Коломицкий

МПК: H01L 21/78

Метки: кристаллов, полупроводниковых

...что и при первом никелировании,На сплошной слой никеля по обе стороны пластины наносят слой гальванического свинца, Состава ванны свинцевания: свинец борфтористоводородный 220 мл/л, кислота борфтористоводородная 50 мл/л, клей меэдровый 0,5 г/л. Режим свинцевания:температура 18 - 55 С, плотность тока 2 А/дм, напряжение 3 В, отношение поверхности анодной к катодной 2: 1, При выдержке 3 мин получают толщину свинцового покрытия 4 ммк. Пластины промывают также, как и после никелирования и сушат. Пластину с двухслойным металлическим покрытием разделяют алмазной пилой на отдельные кристаллы и обрабатывают в травителе НЕ: НИОэ - 1: 2 в течение 15 с. После снимают верхний слой свинца в растворе Н 202: СНзСООН: Н 20 = 2: 1:1, промывают в...

Номер патента: 2001468

Опубликовано: 15.10.1993

Авторы: Астапов, Коломицкий

МПК: H01L 21/78

Метки: кристаллов, полупроводниковых

...ГтсД)1 х и рог )е(дки Б дРО(иэовдпнОЙ БОДГ кс)чсгт 30 и 30 ьвки 10 контролировали омностью Бодн:) протока, котордл должна составлять валии у,е ме 30неа 1 1 О О(, На сплошном слое (икаля с обеих сторон плас сиы (орсл;(От необхг- димьй рисунок иэ 0)торз)стд ФП, Нд 15 ЦРЭД)ЦИ(нс.Пыа фТОГ)ЕЭПСтЕ(Ьа Пола,)Х ОСТИ НДОСЛТ Г/О Гс)л3 Д 3 ,ГСКП О СБ 111 ц д, С 0 с т д Б Р д1 ы с Б и ие Б 3 и и л: (. Б иа ц борфторисгоподород.313 220 мл/л, кислота бортористоводородндл 50 мл/л, клей аэд Г)ОВый 05 Г/л, рР)ким сви 1 ЦГБ 3 Ич тгмг)е -Ггратурд 10 - 25 С, плотность тока 2 А//)л, ндг)я)кгчиа 3 Р, 0(тцГЕе(;( и. (:( с)хнаг;ти энОДНОЙ к кдтОДОЙ 2: , 11(3 30 Рап 1 пы- деГ)жки Б Пана 3 м 11 полудот (,лип)(ОБО 3 25 Пог,ГЫ) ИР ТОЛ(ЦИНОЙ1(3(31. ПЗ);)(;Т(П Ы Пс 0...

Номер патента: 1480679

Опубликовано: 15.10.1993

Авторы: Аросев, Дорогутин, Кравчук, Филоненко

МПК: H01L 21/603

Метки: гибридных, интегральных, полупроводниковых, приборов, сборки, схем, элементов

...аргон под давлением 2,5 кгс мм (фиг. 3). Проходя канал 4 инст 2румента, обогреваемого кольцевым нагре вателем 5, гаэ нагревается до 250 С и оказывает давление на всю поверхность крисалла. Температура подложки 1 при подаче нагретого газа поднимается до 390 С и на границе контактных поверхностей обра эуется жидкий слой 6 электрического состава, В момент образования этого слоя кольцевой нагреватель инструмента отключается и жидкий слой затвердевает под давлением холодного газа (фиг. 4). Затем газ 45 отключается и инструмент возвращается на исходную позицию для захвата очередного кристалла (фиг. 5). Для получения сравнительных данных, характеризующих различные варианты изобретения, параллельно 50проводилась сборка однотипных структур при...

Номер патента: 2002337

Опубликовано: 30.10.1993

Авторы: Зорина, Иванов, Кудрявцева, Кулик

МПК: H01L 21/22

Метки: легирования, плазменного, подложек, полупроводниковых

...требованием получения равномерной воронки в зоне слияния плазменных струй. Примесь в газообразном состоянии по трубе вводится в зону слияния струй. В среде плазмы, нагретой до температуры 10 К, осуществляется полная диссоциация, активация и частичная ионизация газов плазменного потока и материала примеси. При соударении этого потока с поверхностью подложки под действием температурных и ионизационных факторов происходит одновременное осаждение и внедрение легирующей примеси в подложку с образованием тонкого легированного слоя. Затем прекращают подачу примеси и продолжают обрабатывать подложку при пересечении ей плазменного потока по меньшей мере один Раз, осуществляя тем самым дальнейшее внедрение примеси и плазменный отжиг. В...

Номер патента: 2002338

Опубликовано: 30.10.1993

Авторы: Валеев, Илларионова, Сидоренко

МПК: H01L 21/304

Метки: заготовок, пластин, полирования, полупроводниковых, стеклянных, химико-механического

...волокон при их содержании от 30 до 100 и высокоусадочн ых полиэтилентерефталатных волокон при их содержании до 70%, пропитанный полиуретаном при его содержании в материале от 15 до 650 .П р и м е р 1, Укрепляют пластину кремния на держателе, полировальный материал - на притире, В качестве полировального материала используют нетканый иглопробивной материал, состоящий из смеси малоусадочных полиэтилентерефталатных ф ормул а и зо бр ете н и я СПОСОБ ХИМИКО-МЕХАНИЧЕСКОГО ПОЛИРОВАНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН И СТЕКЛЯННЫХ ЗАГОТОВОК, включающий укрепление полируемого материала на держателе и полировальника на притире с последующим их контактированием при взаимном вращении и непрерывном нанесении полировального состава на полировальник,...

Номер патента: 1457554

Опубликовано: 15.11.1993

Авторы: Биленко, Дружинина, Лясковский

МПК: G01J 5/60

Метки: пластин, полупроводниковых, температуры

...физики при Саратовском Государственном университете имНГЧернышевского(54) СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ТЕМПЕРАТУРЫПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН(57) Изобретение относится к измерительной технике, конкретнее к бесконтактным способам определения температуры твердых вещест, и может быть использовано при проведении различных термических процессов над полулроводниковыми структурами, в частности на основе кремн я и соединений типа А В . Цель изобретения - повыше 3 5ние точности. Сущность изобре гения заключался в том, что регистрируют монохроматическое излучение, отраженное как от внешней, так и от внутренней поверхности полупроводниковой пластины. При этом монохроматическое излучение выбирают неинтерферирующим на пластине из области края поглощения...

Номер патента: 2003128

Опубликовано: 15.11.1993

Авторы: Сергеев, Юдин

МПК: G01R 31/26

Метки: диодов, корпус, переход, полупроводниковых, сопротивления, теплового

...мощности, которая определяется произведением действующего значения огибающей токана действующее значение огибающей напряжения О;ЬР= О, Р)НВЧаЛЬНЦЙТОКДИОДд нач, ПРОТЕКаЮЩИй в промежутках времени между действиями греющих импульсов тока, поддерживается постоянным и под действием переменной греощей мощности за период модуляции Тм создает переменное падение напряжения Отп на диоде.Выбирая период модуляции Тм из условия Ут,к-с Тм ю т.п-к, где т т,к-с - тепловая постоянная времени корпус-среда диода, а также период следования греющих импульсов тока Ттт,п-к, напряжение Огп будет отслеживать изменение греющей мощнбсти ЛР. Измерение реющей мощности ЬР можно осуществить ограничивая ток и напРЯжение на УРовне огр и Оогр (см. фиг, 2 а и 2 б)....

Номер патента: 951938

Опубликовано: 15.12.1993

Авторы: Биленко, Лясковский

МПК: G01J 5/60

Метки: образцов, полупроводниковых, температуры

...меньшей погрешностью. В этих случаях, поскольку РД (Т - То)1, можно получить выраже ния для температуры ТТо соответственно ДоТ=Т. +о.Поскольку и ив фазовом набеге равноправны, а рефракцией на температурныхнеоднородностях мы пренебрегаем, так какрасстояние от неоднородностей до плоскости выходной грани образца мало ( 100мкм), то можно приписать все температурлное изменение фазы показателю преломления и считатьФ(Т) аЬп,ф = поф ЬТ,35Следовательно,Т(х,у,г, х ) = Т + 40, и,Из этих формул видно, что можно динамически измерить распределение температуры в образце, зная его начальную температуру и пространственно-временное эффективное изменение показателя преломления Ьп,ф (х, у, г, х), вызванное неоднородным нагревом. Начальную тем-....

Номер патента: 1839140

Опубликовано: 30.12.1993

Авторы: Берг, Габсалямов, Гаряинов, Колосов, Коновалов, Лурье, Морозов, Пятышев, Шейдин

МПК: B23Q 41/00

Метки: гибкая, полупроводниковых, производственная, структур

...структура. Диагностика полупроводниковойзаготовки позволяет использовать в производстве только ее бездефектные участки,В модуле 3 подготовки полупроводниковых подложек последняя размещается в50 герметиэированной кассете и по командесистемы автоматического управления и контроля передается на транспортно-накопительное устройство 4, осуществляющеемежмодульное перемещение герметизиро 55 ванных кассет и выполненное, например, ввиде транспортного робота с гибкой программой перемещения, формируемой системой 1 автоматического управления иконтроля для текущего. технологическогомарш рута. С транспортно-накопительного1839140 5ус ройства 4 герметиэированная кассетаи ступае в устройство 10 загрузки локальн й гермозоны 9 технологического модуля2, где...

Номер патента: 1839284

Опубликовано: 30.12.1993

Авторы: Ким, Потапов

МПК: H05K 13/00

Метки: выводов, гибких, полупроводниковых, приборов, рихтовки

...показано устройство для рихтовки выводов; на фиг, 2-5 показана последовательность проведения операций способа,Предложенный способ может быть реализован при помощи устройства (фиг, 1), содержащего транспортирующий ротор 1 с гнездами 2 для размещения полупроводниковых приборов 3, которые подаются из питателя 4. По окружности ротора 1 установлены механизм 5 ориентации приборов и механизм 6 рихтовки выводов 7 полупроводниковых приборов 3, Механизм 6 рихтовки содержит установленный с возможностью возвратно-поступательного перемещения пуансон 8. Формула изобретения СПОСОБ РИХТОВКИ ГИБКИХ ВЫВОДОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ путем транспортирования их к пуансону и разведения выводов посредством введения между выводами пуансона,Предложенный...

Номер патента: 1839713

Опубликовано: 30.12.1993

Авторы: Альбрехт, Герхард, Зигфрид, Йоханн, Рольф

МПК: H01L 21/205

Метки: полупроводниковых, слоев

...носителей заряда. ели,",на которой равна или больше 1 см х хВ с . Предпочтительно время пребывания молекул углеводорода в зоне плазмы составляет 50 - 500 мс.Время пребывания указанного вышепорядка величины может быть достигнуто 5 при заданном поперечном сечении использующегося для плазменного напыления реакционного сосуда только при определенном соотношении между давлением газа, т.е. парциальным давлением реакционного газа, и 10. массовым расходом, В случае соответствующего изобретению способа давление газа со-ставляет по этой причине 5-400 Па, предпочтительно 20-200 Па., а массовый расход - предпочтительно 0,05 - 2 10 Пав 15 хсм с . Кроме того, в случае соответствующего изобретению способа существенно то, что подложка, на которую...

Номер патента: 1797413

Опубликовано: 15.01.1994

Автор: Кононов

МПК: H01L 21/337

Метки: p-n-переходом, вертикальным, каналом, полевых, полупроводниковых, структур, управляющим

...их последовательности, достаточны, чтобы отличить предлагаемый способ от других способов аналогичного назначения и характеризовать его в том качестве, которое проявляется в повышении процента выхода годных и улучшении электрических параметров структур.На фиг,1 показана структура полевого транзистора после выращивания на кремниевой подложке 1 эпитаксиального слоя 2 и формирования на нем фотолитографией маски из слоев оксида 2 и нитрида 4 кремния; на фиг.2 - структура после формирования щели 5 путем травления кремния в местах расположения затворов; на фиг.З - структура после окисления поверхности щели; на фиг.4 - структура после стравливания слоя 6 окисла со дна щели и легирования вскрытых областей 7 кремния; на фиг,5 - структура после...

Номер патента: 1264440

Опубликовано: 30.01.1994

Авторы: Брюхно, Кобазева, Максименков

МПК: H01L 21/205

Метки: полупроводниковых, структур

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР, включающий шлифование и полирование монокристаллической кремниевой пластины, наращивание на одну сторону пластины слоя поликристаллического кремния, удаление части слоя поликристаллического кремния, утонение монокристаллической пластины, отличающийся тем, что, с целью повышения процента выхода годных за счет уменьшения вероятности образования в нем дендритов и пустот, слой поликристаллического кремния наращивают на пластину после шлифования, а утонение монокристаллической пластины производят до толщины, равной сумме глубины нарушенного слоя после шлифования одной стороны пластины и толщины монокристаллического кремния, необходимого для формирования структуры.

Номер патента: 1699251

Опубликовано: 15.02.1994

Авторы: Лапидус, Малышев, Скворцов, Тэгай

МПК: G01N 22/00

Метки: градуировки, датчика, параметров, полупроводниковых, резонансного

СПОСОБ ГРАДУИРОВКИ РЕЗОНАНСНОГО ДАТЧИКА ПАРАМЕТРОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ, заключающийся в расположении образцов, аттестованных по удельному сопротивлению на измерительное отверстие резонансного датчика, и снятии зависимости выходного сигнала резонансного датчика от электрофизического параметра образцов, отличающийся тем, что, с целью повышения точности при измерении эпитаксиальных слоев на проводящих изотипных подложках, в качестве образцов, аттестованных по удельному сопротивлению, используют полупроводниковые образцы толщиной, не превышающей максимальную толщину измеряемых эпитаксиальных слоев, на тыльную поверхность которых нанесен металлический слой, измеряют толщину полупроводникового образца, а в качестве электрофизического...

Номер патента: 1556420

Опубликовано: 28.02.1994

Авторы: Воробьева, Елютин, Касенов, Ковалев, Патрикеев, Петухова

МПК: H01G 9/05

Метки: анодов, конденсаторов, материал, оксидно, полупроводниковых, электролитических

МАТЕРИАЛ ДЛЯ АНОДОВ ЭЛЕКТРОЛИТИЧЕСКИХ И ОКСИДНО-ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ КОНДЕНСАТОРОВ, содержащий тантал или ниобий, отличающийся тем, что, с целью повышения удельного заряда и снижения токов утечки, он дополнительно содержит водород 0,1 - 1 мас. % .

Номер патента: 1294213

Опубликовано: 28.02.1994

Авторы: Гальцев, Глущенко, Колычев

МПК: H01L 21/28

Метки: полупроводниковых, структур

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР, включающий формирование на полупроводниковой подложке активных областей, пассивацию подложки слоем диэлектрика, вскрытие контактных окон, нанесение слоя алюминия вакуумно-термическим напылением, формирование маскирующего покрытия, фотогравировку разводки, окисление торцовых поверхностей разводки и удаление маскирующего покрытия, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности структур и упрощения способа, после нанесения слоя алюминия проводят его поверхностное окисление до образования пленки окиси алюминия толщиной от 2,5 10-8 до 4 ...

Номер патента: 1702825

Опубликовано: 28.02.1994

Авторы: Глущенко, Зенин, Колычев

МПК: H01L 21/60

Метки: полупроводниковых, приборов

...слоя и вцтравленйых канологического процесса разделения навок путем термического оксидирования пластин кристаллы(ширина реза), ориенти- многоступенчатым способом создают слой руясь на наличие минимального зазора 15 30 толщиной 1,5-2 мкм, например 1,7 мкм, между изоляцией кармана и краем кристал- Затем на всю окисленную поверхность плала 12 мкм. Минимизация этого размера свя- стины наращивают слой 1 поликристалличезана экономией площади пластины ского кремния, толщиной 200-250 мкм, в (возможно большим сьемом кристаллов с результате чего всеканавкиполностьюзапластины), максимально возможное рассто растают. На презиционном станке часть пояние между краем кристалла и изоляцией ликремния сошлифовывают, обеспечивая кармана (при...

Номер патента: 1462857

Опубликовано: 15.03.1994

Авторы: Жиляев, Кечек, Куликов, Маркарян

МПК: C30B 25/08, C30B 25/14

Метки: выращивания, многослойных, полупроводниковых, структур, эпитаксиальных

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ МНОГОСЛОЙНЫХ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР из газовой фазы, содержащее реактор, неподвижно установленный в нем подложкодержатель, источники исходных компонентов, каждый из которых соединен со средством ввода газов, и средство их вывода, отличающееся тем, что, с целью уменьшения толщины переходных слоев, устройство снабжено проточной камерой роста, в которой размещен подложкодержатель, при этом камера роста соединена с одним из источников поворотным коммутатором.

Номер патента: 803744

Опубликовано: 15.04.1994

Авторы: Айзенштат, Игнатьев, Липин

МПК: H01L 21/338

Метки: полупроводниковых, приборов

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ, включающий создание омических контактов, формирование маски для получения рисунка затвора из двух защитных пленок, нанесение материала затвора, удален с защитных пленок и выделение активной области прибора, отличающийся тем, что, с целью получения приборов с затворами субмикронной длины и субмикронным расстоянием между катодом (анодом) и затвором без использования специального оборудования, предварительно создают на поверхности эпитаксиального слоя субмикронный контактный слой, затем наносят первую защитную пленку, проводят фотолитографию и последовательно стравливают незащищенные фоторезистором участки защитной пленки и слоя материала, предназначенного для создания омических контактов, не...

Номер патента: 807915

Опубликовано: 15.04.1994

Авторы: Айзенштат, Игнатьев, Ковязина, Липин

МПК: H01L 21/72

Метки: полупроводниковых, приборов, создания

СПОСОБ СОЗДАНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ, включающий формирование областей истока и стока, нанесение контактного слоя, создание активной области и формирование с помощью фотолитографии затвора, отличающийся тем, что, с целью получения полупроводниковых приборов с субмикронными длинами канала и затвора путем увеличения его поперечного сечения, формирование затвора осуществляют путем нанесения на контактный слой первого защитного материала, травления окон в нем, нанесения второго защитного материала на слой фоторезиста с находящимся на нем материалом второго защитного слоя, вытравливания контактного слоя с одновременным подтравливанием его под края защитного слоя, нанесения фоторезиста под края защитных слоев, осаждения барьерообразующего...

Номер патента: 1811330

Опубликовано: 15.04.1994

Авторы: Паутов, Самсоненко, Сигачев, Сорокин

МПК: H01L 21/335

Метки: полупроводниковых, приборов

...(на 0,1 мкм) позволяет получитьразмер затвора 0,24-0,27 мкм, Кроме того.при меньшей толщине электронного резиста ( 0,35 мкм) в канале облегчается контроль появления рисунка. При толщине слояреэиста 0,4 - 0,5 мкм дно проявленной канавки малого размера0,3 мкм) практически4 Я1не просматривается (используют микроскоп1 еа, увелич. 5000),После вплавления контактов создаютфоторезистивную маску (используют ФП 383) со вскрытым рисункомлокальных областей -пластины, граничащих с каналомтранзистора. Это области выхода затворнойметаллизации за пределы канала (см, фиг.1).Устранение. электропроводности на этихучастках полупроводникового слоя необходимо для снижения токов утечки затвор-омические контакты. Изоляцию осуществляютимплантаиией ионов...