Лягушенко
Способ изготовления многослойных полупроводниковых структур силовых тиристоров n+-p-n-p-типа
Номер патента: 1176782
Опубликовано: 10.06.2000
Авторы: Елисеев, Иванов, Колоскова, Локтаев, Лягушенко, Нисневич
МПК: H01L 21/314
Метки: n+-p-n-p-типа, многослойных, полупроводниковых, силовых, структур, тиристоров
1. Способ изготовления многослойных полупроводниковых структур силовых тиристоров n+-p-n-p-типа, включающий химическую обработку, осаждение из растворов на основе тетраэтоксисилана на обе поверхности кремниевых пластин n-типа проводимости легированных окисных пленок - источников диффузии алюминия и бора, термическую обработку в окислительной среде при температуре 1200 - 1300oC для формирования высоковольтных p-n переходов, создание маскирующей пленки по всей площади пластины, локальное травление маскирующей пленки и формирование n+-областей диффузией фосфора, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии и улучшения параметров тиристоров, для создания...