Патенты с меткой «полупроводниковых»

Номер патента: 1461319

Опубликовано: 20.11.2005

Авторы: Гогин, Кирменский, Матвеев

МПК: C30B 19/00, H01L 21/68

Метки: держатель, жидкофазной, подложки, полупроводниковых, преимущественно, проведения, эпитаксии

Держатель подложки, преимущественно для проведения жидкофазной эпитаксии полупроводниковых материалов, содержащий втулку, опорный диск и стержни с установленными на них фиксаторами подложки, отличающийся тем, что, с целью улучшения эксплуатационных возможностей, он снабжен проволочной обвязкой, втулка закреплен на опорном диске, стержни выполнены в виде консольно закрепленных на опорном диске упругих пластин, а фиксаторы подложки размещены в геометрической плоскости, наклонной к геометрической оси втулки и опорного диска, причем на концах упругих пластин выполнены загибы в форме крючка с возможностью размещения на них проволочной обвязки.

Номер патента: 830984

Опубликовано: 20.11.2005

Автор: Климов

МПК: H01L 23/34

Метки: охлаждения, полупроводниковых, приборов, теплоотвод

Теплоотвод для охлаждения полупроводниковых приборов, содержащий металлическое основание, в плоской центральной части которого несимметрично относительно его торцевых поверхностей расположены элементы крепления полупроводникового прибора, а боковые части основания образуют каналы цилиндрической формы, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности теплоотвода, основание выполнено в виде пакета листов трапецеидальной формы, образующих винтообразные выступы в каналах цилиндрической формы.

Номер патента: 1627007

Опубликовано: 20.12.2005

Авторы: Сеник, Ситников

МПК: H01L 21/66

Метки: диффузионной, длины, заряда, легированных, неравновесных, носителей, однородно, полупроводниковых, приповерхностных, слоях, структур

1. Способ определения диффузионной длины неравновесных носителей заряда в приповерхностных однородно легированных слоях полупроводниковых структур с p-n-переходом, включающий формирование малоуглового линейного скоса структуры со стороны исследуемого слоя, измерение наведенного тока, протекающего во внешней цепи структуры при зондировании ее на фиксированную глубину постоянным по току лучом растрового электронного микроскопа в точках скоса с различающейся глубиной залегания p-n-перехода, и расчет диффузионной длины из уравнения, связывающего величину наведенного тока с глубиной залегания p-n-перехода, отличающийся тем, что, с целью повышения точности измерений, на поверхность скоса...

Номер патента: 1400386

Опубликовано: 20.12.2005

Авторы: Козерчук, Першин

МПК: H01L 21/324

Метки: изготовлении, кремниевых, легированных, областей, полупроводниковых, приборов, формирования

Способ формирования легированных областей при изготовлении кремниевых полупроводниковых приборов, включающий выращивание окисла на кремниевой подложке, формирование рисунка в окисле, загонку легирующей примеси, химическую очистку, диффузионную разгонку в окислительной атмосфере, отличающийся тем, что, с целью повышения процента выхода годных приборов за счет улучшения очистки поверхности полупроводника, диффузионную разгонку проводят с добавлением в окислительную атмосферу паров йодосодержащих компонентов в количестве 0,5-1,5 об.%.

Номер патента: 1358247

Опубликовано: 20.12.2005

Авторы: Бочанов, Нехонов

МПК: B23K 31/02

Метки: монтажа, полупроводниковых, приборов

Способ монтажа полупроводниковых приборов, включающий установку гибких выводов на контактную площадку, прижатие выводов инструментом, их сварку и контроль качества на отрыв при отведении инструмента под углом 90° к плоскости присоединения вывода с усилием, равным эталонному усилию отрыва сварного соединения, отличающийся тем, что, с целью снижения трудоемкости и повышения точности контроля, сварку производят инструментом, на рабочем торце которого выполняют крестообразный паз с поперечным сечением в виде "ласточкина хвоста" для затекании материала вывода и обеспечения равномерного механического нагружения сварного соединения при отрыве.

Номер патента: 1748505

Опубликовано: 20.12.2005

Авторы: Герасимов, Козин, Подлепецкий, Сафронкин, Фоменко, Чувашов

МПК: G01N 27/12, H01L 21/306

Метки: полупроводниковых, приборов

Способ изготовления полупроводниковых приборов, включающий формирование на планарной стороне кремниевой пластины слоя окисла, создание диффузионных областей, металлизации и контактных площадок активного элемента прибора, нанесение двухслойного металлического покрытия на поверхность пластины, формирование фоторезистивной маски с окнами, соответствующими выводам прибора от контактных площадок, гальваническое наращивание металла в окнах фоторезистивной маски, удаление фоторезистивной маски и двухслойного металлического покрытия вне областей выводов, нанесение защитного покрытия на планарную сторону пластины, травление пластины с непланарной стороны до требуемой толщины активного элемента,...

Номер патента: 1137784

Опубликовано: 27.04.2006

Авторы: Лозовский, Майстренко

МПК: C30B 19/04, C30B 19/06

Метки: жидкостной, полупроводниковых, селективной, структур, эпитаксии

1. Способ селективной жидкостной эпитаксии полупроводниковых структур, включающий формирование на поверхности подложки микрорельефа, нагрев и приведение ее в контакт с расплавом и последующую перекристаллизацию в градиенте температуры, отличающийся тем, что, с целью упрощения процесса и улучшения однородности легирования легколетучими примесями, легирующую примесь вводят непосредственно перед контактом подложки с расплавом путем конденсации ее паров из источника, температура которого выше температуры подложки.2. Устройство для селективной жидкостной эпитаксии полупроводниковых структур, включающее контейнер, имеющий емкость для расплава с отверстием в дне, емкость для источника...

Номер патента: 1233735

Опубликовано: 10.06.2006

Авторы: Клебанов, Кожевников, Малеев, Филин, Шаров

МПК: H01L 23/36

Метки: полупроводниковых, приборов, теплоотвода

Способ получения теплоотвода для полупроводниковых приборов, включающий введение между тепловыделяющей и теплоотводящей поверхностями легкодеформируемой теплопроводящей прослойки, отличающийся тем, что, с целью снижения стоимости теплоотвода и повышения коррозионной стойкости контактирующих микронеровностями поверхностей при обеспечении высокой эффективности теплопередачи, теплоотводящую поверхность изготавливают из алюминиевых сплавов и подвергают ее анодному оксидированию до получения разрыхленного слоя толщиной 15 - 20 мкм.

Номер патента: 1840187

Опубликовано: 10.08.2006

Авторы: Бахтин, Гонтарь, Емельянов, Кандыба

МПК: H01L 21/00

Метки: а3в5, анодного, окисления, полупроводниковых, сложных, соединений, электролит

Номер патента: 1840203

Опубликовано: 20.08.2006

Авторы: Алехин, Емельянов, Лаврищев

МПК: H01L 21/316

Метки: анодного, галогенсодержащих, окисления, пластин, полупроводниковых, электролитах

1. Способ анодного окисления полупроводниковых пластин в галогенсодержащих электролитах путем подачи положительного напряжениян на окисляемую пластину, отли-чающийся тем, что, с целью повышения качества окисления, перед подачей положительного напряжения на пластину в непосредственной близости от нее генерируют галоген-радикалы путем подачи отрицательного напряжения 3-10 В на пластину или на дополнительно вводимый электрод.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что отрицательное напряжение, поданное на пластину, выдерживают в течение 5-60 с, после чего полярность меняют.3. Способ по п.1, отличающийся тем, что отрицательное напряжение на дополнительно вводимый электрод подают в...

Номер патента: 1840204

Опубликовано: 20.08.2006

Авторы: Алехин, Емельянов

МПК: H01L 21/316

Метки: aiiibv, диэлектрических, мдп-структур, основе, пленок, полупроводниковых, соединений

1. Способ получения диэлектрических пленок для МДП-структур на основе полупроводниковых соединений AIIIBV путем анодного окисления полупроводниковой пластины, погруженной в электролит, отличающийся тем, что, с целью получения диэлектрических пленок с заданным по величине и знаку встроенным зарядом, полупроводниковую пластину погружают последовательно в два электролита, первый из которых характеризуется величиной вводимого в пленку заряда на 0,5-10 В меньше заданной, второй - на 0,5-10 В больше заданной. 2. Способ по п.1, отличающийся тем, что для МДП структур на основе JnSb в качестве первого электролита используют электролит состава, вес.%:Аммоний...

Номер патента: 1314941

Опубликовано: 27.09.2006

Авторы: Кожевников, Устинов, Шаров

МПК: H01L 23/34, H05K 7/20

Метки: охлаждения, полупроводниковых, приборов

1. Устройство для охлаждения полупроводниковых приборов, содержащее групповой теплоотвод с установочными площадками и отверстиями для крепления полупроводниковых приборов, в котором выполнены каналы с продольными ребрами для охлаждающей жидкости с коллекторами, отличающееся тем, что, с целью улучшения охлаждения полупроводниковых приборов, внутри канала выполнены изолированные от него полости с поперечными ребрами на внешней стороне их стенок, а отверстия для крепления полупроводниковых приборов расположены в стенках полостей и сообщены с ними.2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что полости выполнены в форме цилиндров.3. Устройство по пп.1 и 2, отличающееся тем, что...

Номер патента: 1286026

Опубликовано: 27.12.2006

Авторы: Веденин, Досюкова, Липницкая, Осинский, Сурвило, Трофимов

МПК: H01L 31/18

Метки: активации, пленок, полупроводниковых, растворов, соединений, твердых, типа, фоточувствительности

Способ активации фоточувствительности пленок полупроводниковых соединений типа AII BVI AIV BVI и их твердых растворов в шихте, включающий приготовление активирующей шихты, погружение подложек с нанесенными пленками в объем шихты, термообработку пленок в шихте, отличающийся тем, что, с целью повышения качества пленок за счет улучшения однородности фотоэлектрических свойств по поверхности пленок, при приготовлении шихту фракционируют, затем в процессе термообработки шихту подвергают воздействию вибрации при частоте 50-100 Гц и амплитуде 1-2 мм, причем используют фракцию шихты с однородным гранулометрическим составом.

Номер патента: 976733

Опубликовано: 27.12.2006

Авторы: Нестерович, Сурвило, Трофимов

МПК: C30B 29/46, C30B 31/02

Метки: aiibvi, активации, пленок, полупроводниковых, растворов, соединений, твердых, типа, фоточувствительности, шихта

Шихта для активации фоточувствительности пленок полупроводниковых соединений типа АIIBVI и их твердых растворов, содержащая основу и легирующие примеси в виде галогенидов металлов общей формулы MeX, где Me - Cu, Cd, Bi, Pb, X - Cl, Br, J, отличающаяся тем, что, с целью повышения стабильности активирующих свойств шихты, в качестве основы используют двуокись титана при следующем соотношении компонентов, вес.%: Me0,70 + 4,85 Х0,60 + 2,15 Двуокись титана

Номер патента: 1326102

Опубликовано: 27.04.2008

Авторы: Буланов, Михайлов

МПК: H01L 21/18

Метки: датчиков, полупроводниковых, чувствительных, элементов

Способ изготовления полупроводниковых чувствительных элементов датчиков, заключающийся в формировании тензорезисторов, тонкопленочных проводников и контактных площадок и утоньшении кристаллов путем травления, отличающийся тем, что, с целью повышения точности изготовления, уменьшения трудоемкости и увеличения выхода годных, после формирования схемы пластину со стороны тензосхемы закрывают промежуточным слоем адгезионного материала типа полимерного лака, не доходящем до края пластины от 3 до 5 мм, после чего на указанный слой наносят слой кислотощелочестойкого герметизирующего компаунда, перекрывающего слой адгезионного материала, и проводят травление в щелочном или кислотном травителе до...

Номер патента: 814175

Опубликовано: 20.03.2012

Авторы: Владыченко, Данилов, Рассадин, Снитовский

МПК: H01L 21/311

Метки: диэлектрической, изоляции, полупроводниковых, приборов, создания, элементов

Способ создания диэлектрической изоляции элементов полупроводниковых приборов, включающий нанесение слоя нитрида кремния на кремниевую подложку с эпитаксиальным слоем, вскрытие в нем окон под контакты, травление кремния и локальное окисление, отличающийся тем, что, с целью улучшения параметров приборов, окна в нитриде кремния травят в виде узких полос шириной 0,5-1,5 мкм с отношением ширины полосы к расстоянию между ними, равным 0,56:0,44, а травление кремния в окнах проводят на глубину, большую, чем их ширина.

Номер патента: 786715

Опубликовано: 20.03.2012

Авторы: Бобков, Гурский, Костенко, Румак, Сергеев, Снитовский

МПК: H01L 21/306

Метки: пластин, полупроводниковых

1. Способ обработки полупроводниковых пластин, включающий погружение пластин в ванну с рабочей жидкостью и пропускание через нее газа, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности обработки и качества обработки пластин, к пластинам прикладывают низкочастотные колебания и сообщают им вращение в горизонтальной и возвратно-поступательное движение в вертикальной плоскости, перед пропусканием через рабочую жидкость газ нагревают до температуры ее кипения, затем после полной десорбции примесей с пластин вытесняют рабочую жидкость потоком воды и продолжают ее подачу до полной отмывки пластин, после чего повышают давление газа для вытеснения воды и производят его подачу до...

Номер патента: 1025287

Опубликовано: 27.05.2012

Авторы: Гурский, Зеленин, Кисляк, Конюшенко

МПК: H01L 21/28

Метки: контактов, полупроводниковых, приборов

Способ изготовления контактов полупроводниковых приборов, включающий нанесение алюминия в места формирования контактов, создание контактных площадок и присоединение золотого вывода, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности контактов путем исключения образования интерметаллических соединений, на слой алюминия дополнительно наносят пленку алюминия с добавлением сурьмы в количестве 0,1-0,5 вес.% и после присоединения вывода контакты обрабатывают в среде водорода при температуре 623-723 K в течение 0,25-4,0 ч.

Номер патента: 1222145

Опубликовано: 27.06.2012

Авторы: Дениженко, Сигалов

МПК: H01L 21/66

Метки: параметров, полупроводниковых, структур

Устройство для измерения параметров полупроводниковых структур, содержащее блок подключения измеряемой структуры, генератор смещения, генератор синусоидального напряжения, усилитель, первый выход которого соединен с первым входом регистратора, второй вход которого соединен с первым выходом генератора смещения, второй выход генератора смещения, третий вход регистратора, вторые выходы детектора и усилителя соединены с общей шиной устройства, отличающееся тем, что, с целью повышения точности, оно снабжено режекторным фильтром, двумя трансформаторами, двумя конденсаторами и катушкой индуктивности, при этом генератор смещения выполнен в виде генератора трапецеидального напряжения, а усилитель...

Номер патента: 1600189

Опубликовано: 27.09.2013

Авторы: Агей, Зеленин, Ковшик, Мельников, Тарасевич

МПК: B28D 5/00

Метки: кубической, монокристаллов, пластины, полупроводниковых, резки, сингонии, слитков

Способ резки слитков полупроводниковых монокристаллов кубической сингонии на пластины кольцевым инструментом, включающий изготовление базового среза слитка, ориентирование плоскости реза по кристаллографической плоскости (001), наклейку слитка на оправку и закрепление их на суппорте станка и перемещение вращающегося инструмента относительно слитка по дуге окружности в плоскости реза, отличающийся тем, что, с целью увеличения выхода годных изделий за счет снижения их прогиба и уменьшения количества микротрещин и сколов в начале и конце резки, при наклейке слитка базовый срез его располагают в нижнем правом квадранте при наблюдении со стороны приклеиваемого торца под углом 40-45° к...

Номер патента: 1105022

Опубликовано: 27.09.2013

Авторы: Гурский, Кутилов, Покрышкин, Сигалов

МПК: G01N 21/47, G01N 21/88

Метки: качества, поверхности, подложек, полупроводниковых

Устройство для контроля качества поверхности полупроводниковых подложек, содержащее смонтированный на станине предметный столик, расположенные на одной оптической оси лазер, коллиматор и полупрозрачное зеркало, видикон и видеоконтрольное устройство, отличающееся тем, что, с целью повышения производительности и улучшения качества контроля, оно дополнительно снабжено механизмом разделения потоков, состоящим из штыревых фиксаторов, пневматического сопла и светочувствительных датчиков положения полупроводниковой подложки, блоком импульсов запуска, генератором развертки, ключом, видеоусилителем, первым компаратором, задатчиком уровня срабатывания первого компаратора, первым счетным...

Номер патента: 1336725

Опубликовано: 27.09.2013

Авторы: Дениженко, Марфель

МПК: G01R 31/26

Метки: параметров, полупроводниковых, структур

Устройство для измерения параметров полупроводниковых структур по авт. св. 1222145, отличающееся тем, что, с целью повышения точности, оно снабжено аттенюатором, коммутатором, сумматором и инвертором, при этом первый выход генератора трапецеидального напряжения соединен с вторым входом регистратора через сумматор, к второму входу которого через аттенюатор подключен выход коммутатора, первый и второй управляющие входы которого соединены соответственно с вторым и третьим выходами генератора трапецеидального напряжения, выход регистратора подключен к первому входу коммутатора и через инвертор к второму входу коммутатора.

Номер патента: 1059778

Опубликовано: 27.09.2013

Авторы: Гурский, Зеленин, Конюшенко, Овсянников

МПК: B23K 35/28

Метки: кристаллов, пайки, полупроводниковых, приборов, припой

Припой для пайки кристаллов полупроводниковых приборов по авт. св. 928736, отличающийся тем, что, с целью снижения склонности к трещинообразованию при пайке кристаллов больших размеров, он дополнительно содержит циркон при следующем соотношении компонентов, вес.%: Германий53-55 Иттрий0,1-2,0 Циркон4-6 АлюминийОстальное

Номер патента: 928736

Опубликовано: 27.09.2013

Авторы: Гурский, Зеленин, Конюшенко, Урецкий

МПК: B23K 35/28

Метки: кристаллов, пайки, полупроводниковых, приборов, припой

Припой для пайки кристаллов полупроводниковых приборов, содержащий германий, иттрий, алюминий, отличающийся тем, что, с целью снижения температуры пайки и увеличения мощности полупроводниковых приборов, припой содержит компоненты в следующем соотношении, вес.%: Германий53-55 Иттрий0,1-2,0 АлюминийОстальное