Патенты с меткой «полупроводниковых»

Номер патента: 180706

Опубликовано: 01.01.1966

Авторы: Буйлис, Веверис, Зубков, Пелекис, Чалов

МПК: G01M 3/20

Метки: герметичности, полупроводниковых, приборов, проверки

...каме ры 24 вскрытия ампул. В последнюю помещают ампулу с радиоактивным газом (например, с ксепоцом, адсорбированпом на угле), после чего камеру 24 вскрытия ампул также откачивают насосом 13 и заполняют из баллона 26 стабильным газом (цапример, ксепоном) до определенного давления. 3 атем включают нагреватель 25, и ампула после высокотемпературного нагрева лопастс 5.Полученную в камере 24 смесь газов иерекондецсируют в баллон 21 для храпения радиоактивного газа путем залива жидкого азота в холодильник 22.После получения в баллоне хранения радиоактивного газа необходимой радиоактивности, газовую смесь переконденсируют в циркуляционный баллон 15 размораживанием баллона 21 и заливанием жидкого азота в холодильник 17. В циркуляционный баллон...

Номер патента: 180934

Опубликовано: 01.01.1966

Авторы: Баранова, Бела, Конов, Котова, Куликов, Лебедева, Никитина, Спиридонова

МПК: C25D 5/12

Метки: «ср», защитб, полупроводниковых, приборов, типа, травителях

...зависимости от материала основы детали подвергают соответствующей обработке перед 1 ацесецием гальванического покрытия. рсдмет изоо ени Способ защиты деталей полприборов в травителях типаГалшЗаничсски ос 11 ждеццого метлцческцй подслой, от.1 икающицелью повышения стойкости пощения технолоп 1 и изготовленсборки полупроводциковых пр 1слой детали, например из нэлектролитическим путем род 1О палладий. проводццковых СР нанесением алла на металйся тем, что, с крытия и упроия деталей и боров, на под 1 келя, наносят й, ртешш или Для защиты деталеи полупроводниковых приборов (например, корпусов и ножек) в высокоагрессивных средах и травителях тип СР известно нанесение на них золотого гальванического покрытия по никелевому подслою.Для...

Номер патента: 190992

Опубликовано: 01.01.1967

МПК: H01H 47/18, H01H 47/36

Метки: времени, полупроводниковых, приборах, реле

...Окружаюцей температуры. На чертеже дапа схема устройства.Мост содержит два сопротивления т и Л ключ Т 1 и диоды Д, Дз, В диагопаль моста вклю ецы эмиттерпо-базовый переход транзистора Т и конденсатор С работоци в режиме перезаряда, Конденсатор С соединен последовательно с сопротивлением Р, для обеспечения запирация транзистора Т в момент подключеция источника - Е питапия ключом К. Коллектор транзистора Т. ,соедипец с выходом усилителя ВУ.Дополнительная схема стабильной выдержки времени выполпепа такке в виде моста, плечи которого образованы сопротивлениями Р., Р-, стабплитропом Д 1 и конденсатором С(ЛОСПра т,зпстора Т через сопротшс Оазой клОч 1 Т., коллскою очередь через сопротпвс базой ключа Ть Диод Д Р и диод Д с соцротпвлецепи...

Номер патента: 192916

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Сакович, Юдицкий

МПК: H02H 7/122, H02M 7/48

Метки: вентилях, защиты, инвертора, мостового, полупроводниковых, управляемых

...подк:почены выпрямительные блоки Ви В, на кремниевых вентилях 13 - 18 и 19 - 24 соответственю.соединенных по трехфазной мостовой схеме 25 и подключенных на стороне постоянного токавстречно-параллельно соответствующему ицверторному блоку непосредственно к сети пэ- СТ 051 и и ОГО Тока.1 омаутация30 ствляется с поС,; и С 4, С,-, С,. Конденсаторы С 7, С, С служат для компенсации реактивнои мощности нагрузки, а конденсатор С, - для пропускания высших гармонических прп работе выпрямительных групп в режиме прерывистого тока.Блоки защиты Зи 3 состоят из конденсаторов С, и С постоянно включенных в сеть постоянного тока через ограничивающие сопротивления Я 1, Лг и Р, А, и кремниевых управляемых вентилей 26 - 28 и 29 - 32,Стабилизация или...

Номер патента: 196143

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Басин, Сабо

МПК: H01L 21/66

Метки: параметров, полупроводниковых, термоэлектрических

...из омического падения напряжения и термо-э.д,с. за счет эффекта Пельтье. Известен способ измерения этих напряжений, основанный на инерционности тепловых процессов. Однако такой способ измерения не предусматривает непрерывной записи температурной зависимости термоэлектрических параметров.По предложенному способу через образец пропускают периодически прерывающийся ток одного направления, составляющие зондового напряжения разделяются с помощью фильтрующих цепей, после чего из усиленной постоянной составляющей, являющейся суммой двух напряжений, вычитается усиленная переменная составляющая, представляющая собой омическое падение напряжения. Благодаря этому обеспечивается возможность проведения одновременных измерени го падения напряжения и...

Номер патента: 200012

Опубликовано: 01.01.1967

Автор: Вавилов

МПК: H01L 23/00

Метки: групповой, кассета, ножек, полупроводниковых, приборов, фиксации

...вынимают.10 едмет изобретен 1(ассета для груп явой фиксации ножек по.лупроводниковых приооров, состояГцая нз про фнлнрованных упругих пластин, нодпружинек но соединенных между собой с образованиемскваткины для ключа, отпираютцего кассету, отличаюшаяся тем, что, с целью точного базирозания и надежного закрепления ножек пу тем запиранпя каждой ножки за боковую поверхпосзь фланца, профилированные пластины имеют Гнезда с зубьями, загнутыми внутрь гнезда. Известны кассеты для групповой фиксации ножек полупроводниковых приборов, в которых зажим осуществляется путем запирания каждой ножки за боковую поверхность фланца,Предлагаемая кассета отличается тем, что, с целью более точного базирования и надежного закрепления точек, профилированные...

Номер патента: 201548

Опубликовано: 01.01.1967

Автор: Матерный

МПК: H01L 21/00

Метки: комплект, полупроводниковых, приборов, приспособлений, р—п-переходов, сборки

...на установочные 15 штифты 2, Кристаллы из углубления 8 путем легкого покачивания шаблона перемещаются в кассету.Загрузка кассеты электродами производится с помощью шаблона 4 для загрузки электро дов, Шаблон имеет глухие отверстия б для распределения электродов. Кассета накладывается на шаблон и путем поворота сборки на 180 загружается электродами.Загрузка кассеты кристаллодержпроизводится в шаблоне 6, который яодновременно приставкой к вибробун Кассета устанавливается в углубление 7, накопитель 8 заполняется кристаллодержателями из вибробункера, Магнитный подъемник 9 своими штифтами 10 совмещается с отверстиями 11 в накопителе 8. Кристаллодержатели притягиваются к выступам 12, магнитный подъемник переносится в углубление 7 и...

Номер патента: 202285

Опубликовано: 01.01.1967

Автор: Пзоб

МПК: H02H 7/12

Метки: защиты, полупроводниковых, преобразователей

...падения напряжения на вентиле при протекании через пего рабочего тока,Предлагаемый способ позволяет повысить надежность и упростить устройство защиты, что достигается использованием для контроля температуры р - и-перехода по величине тока через вентиль, возникающего при подаче на последний от генератора коротких импульсов постоянной амплитуды и скважности в нерабочие полупериоды питающего напряжения,Для исключения влияния обратного тока через вентиль и шунтирующие сопротивления в качестве измерительного тока использованы кратковременные импульсы продолжительностью около 0,001 сек, частотой 50 ги, в 4 - 5 раз превышающие по амплитуде значение обратного тока.Измерительные импульсы желательно подавать на вентиль в конце непроводящего...

Номер патента: 202344

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Кобелев, Мантров, Науменко

МПК: H01J 13/34

Метки: вентилей, зажигателей, защиты, полупроводниковых, ртутных

...При эксплуатации ртутных вентилей раба. чие и запасные полупроводниковые зажигатели находятся над поверхностью ртутного катода и подвергаются воздействию дугового разряда (ионная бомбардировка, напыление и нагрев), в результате чего они очень часто выходят из строя одновременно с рабочими зажигателями.Предлагается способ защиты полупроводниковых зажигателей ртутного вентиля, отличающийся тем, что запасные зажигатели целиком погружают в ртуть катода и выдвигают из ртути, например с помощью сильфонов, при выходе из строя рабочих зажигателей.Запасные зажигатели, погруженные в ртуть катода, не подвергаются нагреву дугой, ионной бомбардировке, напылению и не смачиваются ртутью, так как материал зажигателя сам по себе ртутью не...

Номер патента: 205961

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Забродский, Тарасенко, Улановский

МПК: G01R 31/26

Метки: полупроводниковых, приборов, сопротивления, теплового, —г-переходов

...помощи разогрева их импульсами прямого тока нагрева с последующим измерением порогового напряжения, являющсгося тсмпературо-зависимым параметром, путем пропускания прямого измерительного тока.Этим методам свойственна погрешность измерения, обусловленная конечным временем рассасывания заряда неравновесных носителей, накопленного в базе за время протекания тока нагрева. Во время рассасывания пороговое нгтпряжснис цс достиг 1 ст мцнизумя, соответствующего максимальной температуре нагрева. Задержка измерения этого минимума вносит в результат измерения погрешность вследствис остывания кристалла после снятия греютцего импульса. В способе, осуществленном согласрстснию, указанный недостаток устрачто задний фронт тока нагрева растна время,...

Номер патента: 206869

Опубликовано: 01.01.1968

Автор: Полозов

МПК: G05D 23/30

Метки: индивидуального, полупроводниковых, приборов, термостат, термостатирования

...экране, Указанные термостаты обладают большой инерционностью, имеют длительное время выхода на режим или увеличенное потребление мощности, а также значительные габариты по сравнению с термостатируемыми приборами.Предлагаемый термостат отличается от известных тем, что крышкой термостатируемой камеры служит основание термостатируемого прибора, например монтажная плата, а промежуток между станками камеры и термостатируемым прибором заполнен теплопроводным компаундом (например, на основе окиси бериллия).На чертеже представлена схема описываемого термостата.Полупроводниковый прибор 1 размещен в камере термостатировайия, которая выполнена в виде цилиндрического каркаса 2 с намотанным на него проволочным нагревателем 8. Камера отделена от...

Номер патента: 208135

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Зайдель, Фейгинов

МПК: H01L 21/304

Метки: пластин, полупроводниковых, проскрайбированных, разламывания

...ожку и ве мости от т ичин ебуе кое качеств сти процесс на элемент рачную плеопераций ондовых и о лома, так ы, оснку и(раз- змереПредмет изобретения Для разламывания проскрайбированной полупроводниковой пластинки ее укладывают на упругий элемент и прокатывают валиком. Другой способ заключается в том, что пластинку наклеивают на всевозможные подложки: стальную ленту, вощеную бумагу., пленку из пластиката и т. д., и огибают по цилиндрической или рифленой поверхности.Предлагаемый способ позволяет повысить производительность и качество получаемых кристаллов и заключается в следующем.Пластинку помещают между прозрачными пленками, которые механически скрепляют между собой. После этого упакованная плас 1 инка ориентируется относительно сетки...

Номер патента: 211671

Опубликовано: 01.01.1968

Автор: Марченко

МПК: H01G 9/052

Метки: анодов, конденсаторов, объемно-пористых, оксидно, полупроводниковых, электролитических

...температуре.На чертеже представлен разрез устройства для изготовления объемно-пористых анодов.Технологию спекания анодов из порошка металла, например, танталового порошка, при температуре 1900 - 2000 С, осуществляют под высоким вакуумом. В процессе спекания идет непрерывно дегазация анодов путем вакуумной обработки их в кварцевой камере 1, установленной в вертикальном положении и имеющей сообщение через фланец 2 с вакуумным насосом, Во внутренней части кварцевой камеры на кварцевой подставке 3 установлен короткозамкнутый цилиндр - основание, на который насажены поэтажно плоские танталовые 10 кольца с размещенными по окружности спекаемыми анодами 4, Б, 6. Танталовые экраны 7, 8, 9 экранируют внутреннюю поверхность кварцевой камеры,...

Номер патента: 257628

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Захаров, Кон, Малин

МПК: H01L 21/00

Метки: манипулятор, переноса, пластин, полупроводниковых, тонких

...соединенный с пневмосопротивлением, Инертный газ повышенного давления от пневмосопротивления проходит по каналу 3 и, радиально рас О пределяясь, истекает с большой скоростью через зазор, между оптической плоскостью 4 головки и пластиной 1 (пластину с полированной поверхностью можно рассматривать как вторую оптическую плоскость). При больших скоростях движения газа образуется полость низкого давления (закон Бернулли), Атмосферное давление поднимает и удерживает пластину во взвешенном состоянии в зазоре относительно захвата, равном 0,05,ил. Истечение газа осуществляется через отверстия 5 и 6, выполненные по периферии головки, При этом отверстия 5 расположены выше зазора между. пластиной и оптической плоскостью головки, а отверстия 6...

Номер патента: 233104

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Бабицкий, Зайдель, Фейгинов

МПК: H01L 21/304

Метки: пластин, полупроводниковых, проскрайбированных, разламывания

...а рычаг 14, поворачиваясь, возвращает диск б в исходное положение,Отклонение электродвигателя 10 производится нажатием рычага 26 на конечный выключатель 27.Механизм перемещения осуществляет перемещение ломочного ролика относительно обрабатываемой пластины. Механизм представляет собой стол с шариковыми направляющими, Движение от электродвигателя 28 передается через шестерни 29 - З 1 ходовому винту З 2 и с помощью гайки ЗЗ - салазкам З 4,Отклонение двигателя в крайних положениях салазок производится с помощью упоров З 5 и конечных выключателей Зб,Механизм нагружения предназначен для создания на ломочном ролике усилия, необходимого для разламывания пластин. Механизм состоит из корпуса З 7 и салазок З 8, перемещающихся в шариковых...

Номер патента: 234524

Опубликовано: 01.01.1969

Автор: Рацун

МПК: G01R 31/26

Метки: переходных, полупроводниковых, приборов, характеристик

...временных параметров полупроводникового прибора автоматическим сравнением трансформированных во времени с помощью стробоскопических преобразователей входного сигнала, поступающего на испытуемый полупроводниковый прибор, и выходного сигнала, снимаемого с этого прибора.Импульсные напряжения, обеспечивающие начало отсчета интервалов времени, формируются блоком 10 из переднего и заднего фронтов преобразованного входного сигнала, импульсы конца отсчета формируются блоком 11 в момент, когда амплитуда выходного сигнала достигает заданного значения.Блок 12 формирования импульсов запрета приводит в рабочее состояние схемы формирования импульсов начала и конца отсчета и нейтрализует влияние помех на их работу,Интервалы времени измеряются...

Номер патента: 235819

Опубликовано: 01.01.1969

Автор: Губанов

МПК: G05F 1/14

Метки: полупроводниковых, преобразователей, стабилизатор-трансформатор, феррорезонансный

...11 ИтРли(.фиРмл ГОР-сс 1 ии)1 изс:)Р ТС, ИГР 31 чЯЯ 250031 ИСЛ 3КДТ;)РИГИ ПГ):1 КЛ 10 ЧСПЛ К ЯИ) ЛХтиристс)рдв, Ссрлсчц 3 ик со Вторичной с)бми гкс)115ИЯХС)ЛИТСЯ 13 па Ьщ ИНОМ МЛГНИ ц.) )1 рСЖИзс, Бслслст 1)ис 131 ли)чсицоЙ ца Зяжи)ы Обхоткисмкс;сп С, и эффекта фсррорсзииавсд 30ТОКОВ, И ЯВ 5 ЕТСЯ ЦГЛцГ 1 ЧНМ РОССЕЛСМ Сс 1"билцздтдря.112 рдОО 1 ис злжцмы ВториниЙ ИОмоткиВКЛ 01 ЛЕТС 5 ЦЛРМЗКЛ с. ИИБРРТЭЯ Б С;)ОТИС 1 СГ 3 И С ЛГЙС 13 МЮШ 1)1 ЗИЯСццс. СТЯОИЛИЗцрО- .5Ба шдго цяпр 5 жсци 51, ь ти время клк стабилиЗир)Ощ 251 см кисГь Сз ОоьИи Вкл 0 зстс 51 пия 3 то т) я и с (1):) р:)12 то 3 и д Й с х .".с Л;1 51 у. си 1 ис и и 51сс Бели Ниц при сихраисиии необходимой рслк Гиви)й м,)щид "тц. 401 цнейидс 1 ь лруГОд сс)лсчцикя сдз:лтс 5...

Номер патента: 239449

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Аболтинь, Берзин, Григулис

МПК: H01L 21/66

Метки: полупроводниковых, свойств, слоев

...тарировочного графика, построенного по эгалонным образцам5 или по аналитическим зависимостям, определяются удельное сопротивление и толщина полупроводннкового слоя.11 а фиг, 1 показана блок-схема устройства;на фпг. 2 - кинематичсская схема измерительО кого блока,От генератора сигналов 1 СВЧволна черезаттсн 1 оатор 2 и щелсвой излучатель т падает1 а образец 4. Параметры стоячей волны в волноводном тракте фиксируются прн помощи5 зонда 5. детектора 6, индикатора-микроампсрмстра 7 н передаточного механизма 8, связанного с,подвижной шкалой 9.Фаза коэффициента от 1 раження в градусахфиксируется подвижной шкалой 9, модуль коО эффнцнента отражения - индикатором и откладывается на подвижной шкале. Под поДаижНОй Н 1 наЛОй ПОМЕшаЮтСЯ...

Номер патента: 239776

Опубликовано: 01.01.1969

МПК: H01L 21/60

Метки: выпрямительных, пайки, полупроводниковых, приборов, припой, элементов

...на основе свинца с добавкои серебра в количестве 2,5%.Для повышения флюсующих свойств припоя и растекаемости по паяемой поверхности в припой на основе свичца введен германий в количестве 2 - 5%. Германий является поверхностно-активной добавкой по отношению к свинцу. Благодаря этому свинец получает флюсующие свойства и хорошо растекается по германию, кремнию и никелированному вольфраму. Кроме того, добавка германия в свинец снижает растворимость в нем никеля, чем предупреждается нарушение никелевого покрытия деталей при пайке. Спаянные предложенным припоем кремниевые и германиевые выпрямительные структуры не изменяют своих электрических параметров и имеют хороший омический контакт.Приготовление и обработка припоя ведетсяда воздухе. Припой...

Номер патента: 241547

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Грицевский, Ильичев, Пашенцев, Тепман

МПК: G01R 31/26

Метки: величине, вентилей, классификации, обратного, полупроводниковых, пробивногонапряжения

...фиг. 2 приведены следующие обозначения: У, - напряжение сети; Г,от, - номинальное значение напряжения сети; /, амплитуда п импульса испытательного напряжения;- время.Принцип работы устройства состоит в следующем.Реверсивный коммутаторпеременного напрях ения по сигналу пуск начинает вырабатывать сергио спнусопдальных импульсов напряжения 1= ИЛп з 1 пЛг, амплитуды которых пропорциональны напряжениям классов испытуемых вентилей (прп этом амплитуда каждого импульса пропорциональна верхней границе п класса и нижней грашще п+1 класса),Высоковольтный управляемый выпрямитель 2 предназначен для повышения и выпрямления напряжения, поступающего на его вход от коммутатора 1. Выпрямитель 2 снабжен специальным быстродействующим выключателем,...

Номер патента: 242434

Опубликовано: 01.01.1969

МПК: G01B 7/16, G01L 5/00

Метки: величин, механических, полупроводниковых, применением, тензодатчиков

...оно иометром, одна ля балансировая - для регулпИзвестны устройства для измерения механи. ческих величин с применением полупроводни. ковых тензодатчиков, включенных в мостовую схему, Эти устройства содержат источник питания, балансировочный потенциометр, усилитель и стрелочный измерительный прибор.Предлагаемое устройство отличается от известных тем, что оно снабжено сдвоенным потенциометром, одна часть которого используется для балансирования мостовой схемы, а другая - для регулирования напряжения питания. Это повышает точность измерений.На чертеже изображена принципиальная электрическая схема предложенного устройства.Оно имеет источник питания 1, усилитель, собранный на транзисторах 2, 3 и 4, измерительный прибор 5 и сдвоенный...

Номер патента: 243048

Опубликовано: 01.01.1969

МПК: H02H 7/12

Метки: включенных, защиты, параллельно, полупроводниковых, приборов

...защиты за счет контроля тока через каждый полупроводниковый прибор, а также увеличить к.п.д, и уменьшить внутреннее сопротивление за счет исключения измерительного сопротивления. 1Это достигаегся тем, что в качестве датчиков перегрузки используют токовыравнивающие сопротивления, подключенные через разделительные диоды к блоку управления с исполнительным элементом. 201-1 а чертеже изображена принципиальная схема описываемого устройства.Возрастание тока через параллельно включенные транзисторы 1 приводит к пропорциональному возрастанию падения напряжения 2 на выравнивающих сопротивлениях 2. При увеличении тока через любой из параллельно включенных транзисторов до максимально допустимои величины на соответствующем сопротивлении...

Номер патента: 243075

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Альперович, Корнилов, Кравец, Харламов

МПК: H01L 21/00

Метки: корпусе, линия, пластмассовом, полупроводниковых, приборов

...гребенке достаточную жесткость при малой толщине ленты. Образующиеся при этом перемычки являются базовыми токоподводящими выводами прибора, а часть ленты, отошедшая при вырубке окон, используется в качестве второго токоподводящего вывода прибора, После обезжиривания, травления, гальванического покрытия и сушки механизм транспортирования переносит гребенки на агрегат напайки и укладывает их в установленный на этом агрегате накопитель.При подаче команды исполнительный механизм переносит гребенку на рабочую позицию и подает кристаллы с р - п-переходами, фиксируя их на гребенке. После установки всех деталей на рабочей позиции включаются механизм привода давления и импульсный нагреватель, При этом детали, нагреваясь до заданной температуры,...

Номер патента: 243275

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Белицка, Волков, Ентно, Научно

МПК: G06G 7/184

Метки: интегратор, полупроводниковых, элементах

...образом, В исходном состоянии конденсатор 3 заряжен до стабилизированного напряжения через транзистор 4 зарядного устройства.На вход 12 интегратора подается однополярное напряжение, мгновенные значения которого пропорциональны одному из сомножителей, на вход 17 - отрицательные прямоугольные импульсы напряжения, частота следования и амплитуда которых постоянны, а длительность пропорциональна второму сомножителю.Транзистор 1 работает в режиме прерывателя и управляется базой, на которую подано постоянное положительное напряжение от стабилизированного источника и отрицательные импульсы со входа 17.Транзистор 2 работает в режиме ключа, управляемого базой, на которую подано напряжение с базы транзистора 1 при помощи потенциометра 21....

Номер патента: 247406

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Институт, Левитас, Могильницкий, Пожела, Сащук

МПК: H01L 21/66

Метки: полупроводниковых, электропроводности

...трансформатор, первичной обмоткой которого служит образец из исследуемого материала; питающий трансформатор снабжен дополнительной обмоткой, связанной через переменный резистор с компенсирующей обмоткой, установленной на компенсирующем трансформаторе, вторичная обмотка которого замкнута на измеритель электрического тока.На чертеже изображена схема описываемого устройства, содержащего питающий трансформатор 1, образец 2, компенсирующий трансформатор 3 и нулевой индикатор 4. Трансформатор 3 имеет компенсирующую обмотку 5, подключенную к дополнительной обмотке б трансформатора 1 через переменный резистор 7. Образец 2 является вторичноц обмоткой трансформатора 1 и первичноц обм откой тр анс форм атор а 3.Напряжение, поданное на...

Номер патента: 248455

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Адам, Долгов, Набиуллин, Ушко, Целов, Шарапов

МПК: B23D 19/00

Метки: заготовок, листовых, полупроводниковых, разрезания, станок-полуавтомат

...0,6510000 В известных станках для разрезания листовых заготовок полупроводниковых материалов на многоугольные пластины режущим инструментом служит быстро вращающийся алмазный диск либо тонкая проволока, смачиваем ая абразивной суспензией, а обрабатываемые заготовки крепятся приклеиванием к планшайбе,В предлагаемом станке-полуавтомате для повышения, производительности заготовки надрезают алмазными резцами на многопозиционном поворотном столе, а для крепления заготовок к столу, применены вакуумные присосы. Постоянное соприкосновение резцов с плоскостью резания достигается установкой последних в подпружиненных головках, качающихся в плоскости, перпендикулярной плоскости резания. Станок снабжен вибролотком, в котором заготовки разламываются...

Номер патента: 251705

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Бел, Галков

МПК: H01L 21/98

Метки: полупроводниковых, сборки, триодов

...зобретения Спосоо 20 дов, отли тизации и внутре де, состо нодон, со 25 корпусов после чег собраннь руют.соорки пчающийсяи механизанние выводьящей из прединенныхили техноо гирляндуе ножки, к Известен способ сборками полупроводниковых триодов в пластмассовых корпусах, состоящий в том, что на бесконечную ленту напаивают полупроводниковые кристаллы,и внутренние выводы. После этого ленту разрезают и собранные на ней кристаллы присоединяют к отдельным ножкам, которые затем герметизируют.Предлагаемый способ отличается тем, что кристаллы и внутренние выводы присоединяют к гирлянде из проволочных наружных выводов, соединенных между собой элементами корпусов или технологическими скрепками. Затем гирлянду разрезают на отдельные собранные ножки,...

Номер патента: 258463

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Колтун, Концевой, Татаренков

МПК: B24B 49/12, G01N 13/00

Метки: качества, пластин, полировки, полупроводниковых, прибор

...прибора.Прибор содержит водородную лампу 1, кварцевую лампу 2, фильтр 3 из пластин кремния, обработанных окисью хрома (набор этих пластин практически вырезает диапазон 0,28 лтк, так как при остальных длинах волн коэффициент отражения резко снижается и составляет 30 - 40%), плоские зеркала 4, подставку 5, на которую устанавливают исследуемые пластины б; модулятор 7; фотоумножитель 8 типа ФЭУили ФЭУс кварцевым входным окном; блок питания 9 водородной 5 лампы; блок 10 регистрации фототока ФЭУ.Прибор работает следующим образом.Ультрафиолетовое излучение лампы, многократно отражаясь от стопки пластин кремния, практически становится состоящим из длин 10 волн, лежащих в области 0,28 ттк. При установке исследуемой пластины с более грубой...

Номер патента: 258466

Опубликовано: 01.01.1970

Автор: Дикун

МПК: G01R 31/26

Метки: параметров, полупроводниковых, приборов

...напряжения в код, ключ 7, к выходам которого подключены два регистра 8 и 9, соединенных с вхо дами арифметического устройства 10. Выходпоследнего подключен к регистрирующему устройству 11, причем ключи 2 и 4 имеют клеммы для подключения испытуемого транзистора 12.20 Кроме того, устройство содержит генератор 13 тактовых импульсов, который связан со входами ключей 2, 4, 7 и арифметического устройства 10.Устройство работает следующим образом.25 При подключении испытуемого транзистора12 к схеме запускается генератор 13 тактовых импульсов, переводящий ключи 2, 4,. 7 таким образом, что сигнал от генератора 1 переменной частоты поступает на эталонное 30 сопротивление 3 и далее через усилитель б и258466 Предмет изобретения Составитель О....

Номер патента: 258544

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Маркова, Смарышева

МПК: C03C 3/074

Метки: защиты, полупроводниковых, приборов, стекло

...содержаЫОз 15; ВзОз б; Хпдо 0,3; Т 10 до 0,5;ратуру оплавления5 ное сопротивление101 з ом см, что гарприбора при повышфициент линейноготурах 20 в 2 С 74О мическую при повыдм ет изобретен и Стекло для защить боров, включающее 15 Т 10 з, А 1,0 з, отличаю повышения химическ держит указанные соотношениях (в вес 14 - 15; ВзОз 5 - 6; 20 А 1 Оз до 0,3 и, кро 1 - 4;МпО 1 - 5.Изобретение может быть использовано для защиты активной части полупроводниковых приборов, например кремниевых плана рных транзисторов, от внешних воздействий.Известно стекло для защиты полупроводниковых приборов, включающее РЬО, 510 з, ВзОз, СцО, ТОз, А 1 зОзЦель изобретения - повысить хиустойчивость во влажной атмосферешенных температурах.Это достигается тем, что оно...