Патенты с меткой «полупроводниковых»
Усилитель мощности на переключающих полупроводниковых триодах
Номер патента: 123204
Опубликовано: 01.01.1959
Автор: Коссов
МПК: H03F 3/20
Метки: мощности, переключающих, полупроводниковых, триодах, усилитель
...ведущей сети в цепи баз триодов 1 и 2 через разделительные емкости 5. Питая трансформатор запуска 6 от любого фазовращающего устройства, можно в широких пределах изменять фазу выходного напряжения мультивибратора относительно напряжения сети. Этим изменяет"я угол включения силовых триодов, цепь управления которых питается выходным напряжением мультивибратора, а цепь нагрузки - сетью переменного тока. Емкость 7 служит для фиксации начального включения мультивибратор а.123204 из 2 2 У Комитет по делам изобретенийактор Н. С. Кутафина ткрытий при Совете Министров СССРГр. 8,Подп. к печ. 12.Хг.Тираж 690 Цена 25 коп.открытий при Совете Министров СССРка, 14. нформационно.издательский отдел бъем 0,17 п л. Зак. 8353 Типография Комитета по...
Десятичный реверсивный счетчик на плоскостных полупроводниковых триодах
Номер патента: 123568
Опубликовано: 01.01.1959
МПК: H03K 29/00
Метки: десятичный, плоскостных, полупроводниковых, реверсивный, счетчик, триодах
...триодах, из которых может быть открыт только один.Блокировка остальных триодов осуществляется подачей на нх базы запирающего потенциала, создаваемого коллекторным током открытого триода на общем для всех триодов декады сопротивлений нагрузки.Переключение схемы декады в то или иное состояние, соответствующее определенной десятичной цифре, осуществляется подачей на ее вход определенного количества импульсов, каждый из которых переключает схему на одну ступень. Связь между отдельными триодами декады осуществляется через запускающие конденсаторы, которые составляют две цепи - цепь суммирования и цепь вычитания, обеспечивающие счет в прямом и в обратном направлении. Управление счетом осуществляется подачей подсчитываемых импульсов...
Миллисекундомер на полупроводниковых приборах
Номер патента: 123882
Опубликовано: 01.01.1959
Автор: Вострокнутов
МПК: G04F 10/00
Метки: миллисекундомер, полупроводниковых, приборах
...тока 10, имеющего линейную зависимость выходного тока от ьходного напряжения, Поэтому стрелка микроамперметра-индикатора 1, включенного на выходе усилителя, отклоняется на угол, пропорциональный времени заряда конденсатора 7. Шкала прибора может быть отгрядуирована в единицах времени.Сопротивление 12, включенное в цепь эмиттерназначено для изменения тока эмнттера, а след ватмерения прибора.123832Перед наало нзмсрешя пзибор кгнбрустся путе:5 Изснення сопрОтиВления 1 . Цена дс,сни 5 Иклы индикатор 11 ЗЯВнсн то,ько 0 усгла у стновкн стрелси прибора нрн ка,нб 110 вкс н нс зан 3 исит От ков 1111 нцнснта усиления усилителя 10, от напряжения источников гнгпания, т. д.Изменение температуры окрусзкаОщс среды от - 5 до +40 Вызывает погрешность...
Контейнер для зонной плавки полупроводниковых материалов
Номер патента: 124131
Опубликовано: 01.01.1959
Авторы: Романенко, Терентьева, Тучкевич
МПК: C30B 13/14
Метки: зонной, контейнер, плавки, полупроводниковых
...кремний, смачивая кварц при последующем охлаждении расплава до комнатной температуры и затвердевания его, приводит к сцеплению частиц кремния со стенками тигля и растрескиванию как слитка, так и тигля ввиду различия коэффициентов термического расширения.Предлагаемый контейнер исключает этот недостаток применением обмазок из окисей бериллия или циркония, или тория, которыми покрывают стенки тигля, обеспечивая тем самым увеличение срока его службы в десятки раз. Для этого мелкорастолченную окись какого- либо из указанных материалов смешивают с 4%-ныл крахмалом до сметанообразного состояния и наносят эту смесь в виде тонкой пленки на поверхность тигля. После высыхания первого слоя наносят второй и сушат его в течение 24 час. Далее...
Несимметричный триггер на двух полупроводниковых триодах
Номер патента: 124205
Опубликовано: 01.01.1959
Автор: Стрелков
МПК: G11C 11/40, H03K 3/286
Метки: двух, несимметричный, полупроводниковых, триггер, триодах
...и переключающего диода б, либо по цепи триода б, состоящей из сопротивления 7.Установившийся ток в одной из этих цепей будет устойчиво в ней .сохраняться и поддерживать запертой другую, Ток коллектора триода 3 течет через сопротивление 4 и диод б в нагрузку. Вследствие этого обеспечивается малое выходное сопротивление в состоянии у отпертого триода. Благодаря падению напряжения на диоде б создается запирающее смещение между базой и эмиттером триода б, а последний остается запертым. Если же запереть триод 3, то ток от,источника напряжения 1124205 П р едм ет изобретения Несимметричный триггер на двух полупроводниковых триодах, отл и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью создания счетного входа, обеспечения малого выходного сопротивления в...
Преобразователь постоянного тока в переменный на полупроводниковых триодах
Номер патента: 124520
Опубликовано: 01.01.1959
Автор: Вильперт
МПК: H02M 7/48
Метки: переменный, полупроводниковых, постоянного, триодах
...реостат 9 0)к 0 ПГлвно реглировль частОтт выходнОГО нанр 51)ксн 51, котрос снимают с Обмоткн 10 ВыходОго трансформатора рсобраз)- В 1 ТСЛ 51,11 р с д М С: т И;С) ) р с 1 С Н 5) Г )" 1 Комист ио делам изобретений и огнрыгии кто р В, М. П ар нес СРГр. ) и Совете Министро Ифоравоино-з.а-егьский о дел одп. к пеи. .,1-60Объем 0,17 и, л. Зак. 5020ира.н ,0 Цена Б ко пографии Козитстл по делам изобретений и открытий при Совете Министров ССС Москва, Перовка, .1 Ирсобр;зовтесь постоянного тока В переменный на полупровод- НИОВЬХ 1 РНОДХ С 11 Н 11 ой5 3 1) О ТЧ Я О Н ИС Я ТС Что цс;ью приъснсни 5 Ооычно рлнсформаторной стя:1 и В ОснОВ 1 эм трас)орматорс прсооразОВлтс;1 и, дг 51 ОсуцсстВлсни 51 коъмутации нс)Гупрс- Водиковых триодов применен...
Способ измерения мощности потерь в полупроводниковых выпрямителях
Номер патента: 124536
Опубликовано: 01.01.1959
Автор: Кацовский
МПК: G01R 21/06
Метки: выпрямителях, мощности, полупроводниковых, потерь
...сопротивлений 4 на электрическое множительное устройство б.Напряжение на выходе этого устройства, пропорциональное суммарной мощности потерь в выпрямителе, измеряют раздельно по полу- периодам при помощи электронного вольтметра б на полупроводниковых триодах. Для этого триоды вольтметра питают импульсами переменного тока прямого или обратного направления, которым при помощи схемы ограничения на газоразрядных лампах придают форму, близкую к прямоугольной. При этом показания вольтметра будут пропорциональны значениям мощности прямых или обратных потерь в исследуемом выпрямителе.,Ио 12453 б При применении предлагаемого способа выпрямитель 1 в процессе измерений работает в условиях, близких к условиям нормальной эксплуатации, т. е. в...
Управляемый выпрямитель на полупроводниковых триодах
Номер патента: 124565
Опубликовано: 01.01.1959
Автор: Нефедов
МПК: H02M 7/217
Метки: выпрямитель, полупроводниковых, триодах, управляемый
...каждого полупроводникового триода подключен через сопротивление эмиттерной цепи перекрестно к выводу обмотки трансформатора, к которому подключен эмиттер другого триода.Это позволяет уменьшить потери в ной цепи путем локализации прямого тока колле ерабочийполупериод.На чертеже изображена принципиальная схема предлагаемого выпрямителя.Выпрямитель выполнен на полупроводниковых триодах 1 по однофазной двухполупериодной схеме со средней точкой силового трансформатора 2. Базовый электрод каждого триода 1 подключен через сопротивление 3 эмиттерной цепи перекрестно к выводу обмотки трансформатора, к которому подключен эмиттер другого трансформатора, При такой схеме перекрестного включения базовых электродов отсутствует паразитный ток...
Устройство для защиты полупроводниковых триодов
Номер патента: 124970
Опубликовано: 01.01.1959
Авторы: Супоницкий, Урин
Метки: защиты, полупроводниковых, триодов
...защиту триода, когда опорное напряжение Ь, намного прево ходит управляющее напряжение /,. В этом случае одновременно заперты диод В, и триод. Для того, чтобы напряжение на переходе эмиттер - база не превысило опасной величины, обратное сопротивление диода должно быть значительно больше обратного сопротивления эмиттерного перехода. Диод В, защищает триод при значительном превышении напряжения Ь, над напряжением Г При этох: диод В, заперт,. а ток в цепи базы ограничивается балластным сопротив. лениемвеличина которого выбирает:я достаточно большой, В режиме, когда оба диода В 1 и В, отперты, ток базы практически определяется разностью напряжений Г, и СЪ 2 и не зависит от Й, если вь полнено условие й йПредмет изобретенияУстройство для...
Способ изготовления полупроводниковых термосопротивлений
Номер патента: 134307
Опубликовано: 01.01.1960
Авторы: Егорова, Курлина, Шефтель
МПК: H01L 37/00
Метки: полупроводниковых, термосопротивлений
...гп нта приме ОДППКОВЫХ атных соед 50, О тли тьностп при торог( комп известО изготовление полупроводнковых рмосопротив,ц нпй -утем обжига при температуреЗОО 1650" смеси окисей пли гпдратных соединений титана с цинком, кадмием или оериллием.Предлагается, с целью получения термосопротивлений, отличаюцихся высокой стабильностью при повышенных температурах в пределах до 600, использовать смесь окисей пли гпдратных соединений тпгана и кобальта, подвергасмуо обжигу при температуре 450 - 1550.1 хоба ьто-титановые термосопротивления целесообразнс изготн.ять В Виде миниатОрных бусинок с и;атинов 1,ми ВыВодами, ОднО иосновных операций технологического процесса является обжиг этих бхсинок, который проводится при температуре 450 - 550 В...
Способ изготовления полуфабрикатов (труб, прутков, листов, штанг и т. п. ) из полупроводниковых металлов путем непосредственного вытягивания или выпрессовывания расплава
Номер патента: 134402
Опубликовано: 01.01.1960
Автор: Степанов
МПК: B22D 11/00
Метки: выпрессовывания, вытягивания, листов, металлов, непосредственного, полупроводниковых, полуфабрикатов, прутков, путем, расплава, труб, штанг
...непосредственно над ванной жидкого металла ниже кристаллизатора, определяющего форму и размеры получаемых изделий.Комитете ио делам изобре ри Совете Министров СССЦентр, М. Черкасски 1 пе, д. 2/ Типографии 11 БТИ Комитета по и лам изобретении н открытий при Совете Министров СССР, Москва, Петровка, 14. холодильники 4. Вытягивание оформившегося профиля производится при помощи тянущих роликов 5 и затравки 6, которая в определенном месте 7 сваривается с вытягиваемым листом 8, Первоначальное затвердевание расплава, по определенному контуру происходит на участке 9. В установке используется высокочастотный генератор 10, создающий электромагнитное поле, передаваемое от генератора 10 через фидер 11,Толщина получаемого изделия определяется...
Устройство для регулирования ширины расплавленной зоны в процессе зонной плавки полупроводниковых материалов
Номер патента: 134430
Опубликовано: 01.01.1960
Авторы: Волпянский, Голуб
МПК: C30B 13/30
Метки: зонной, зоны, плавки, полупроводниковых, процессе, расплавленной, ширины
...при этом фотоэлектрические импульсы усиливаются усилителем 5. Между отверстиями 3 в диске 2 находятся магниты 6, которые, проходя в поле катушки 7, индуцируют магнитные импульсы, распределяющиеся по врмени между фотоэлектрическими импульсами. Магнитные импульсы, будучи усилены усилителем 8, подаются на вибропреобразователь Фотоэлектрические импульсы из усилителя 5 попадают на ограничитель амгГлитуды по нижнему уровню 10, затем в усилитель 11 и далее на логаригрмический амплитудо-временной преобразователь 12, Вибропреобразователь 9, замыкаясь попеременно на контакты 13 и 14, снимает поочередно фотоэлектрические и экспоненциальные магнитные импульсы. С вибропреобразователя 9 импульсы поступают на ограничитель амплитуды 15, принимая...
Способ гомогенизации твердых растворов полупроводниковых интерметаллических соединений
Номер патента: 127030
Опубликовано: 01.01.1960
Авторы: Баранов, Горюнова, Прочухан
МПК: C30B 33/02
Метки: гомогенизации, интерметаллических, полупроводниковых, растворов, соединений, твердых
...образующих. твердый. Способ гомогенизации тв герметаллических соединени получения однородных тверд водят. при температуре выше ниже температуры тугоплав раствор,ердых раствор й, отличаю ых растворов, температуры п кого компоне Существующий в настоящее время способ гомогенизации твердых растворов после закалки проводится как диффузионный отжиг при медленном повышении температуры сначала до температуры плавления легкоплавкого компонента и в дальнейшем до ее значений; соответствующих значениям, находящимся ниже линии солидуса на диаграмме состояний сплава. Для некоторых твердых растворов такая технология закалки и отжига оказывается непригодной; так как гомогенизации не удается провести (например, для системы 1 пЯ - АВЬ) даже при отжнге,...
Способ получения нелинейных полупроводниковых сопротивлений
Номер патента: 127310
Опубликовано: 01.01.1960
МПК: H01C 17/30, H01C 7/108
Метки: нелинейных, полупроводниковых, сопротивлений
...такого сопротивления являются также незначительная зависимость его электрических и механических свойств от температуры, влагостойкость и способность без изменения указанных свойств длительно работать в электрических схемах в режиме, сопровождающемся нагреванием,Технология получения предлагаемого сопротивления на основе окислов кремния и цинка заключается в следующем. Металлические окислы цинка и кремния в виде мелкоразмолотых порошков (величина диаметра зерна 10 - 20 мк) смешиваются в весовом соотношении 6; 1 и прокаливаются в течение 2 час. при температуре 1300. Охлажденный продукт снова измельчается, связывается водным раствором поливинилового спирта (преимущественно) и прессуется в металлических пресс-формах в заготовки...
Способ получения полупроводниковых пленок на диэлектриках
Номер патента: 128008
Опубликовано: 01.01.1960
Авторы: Крыжановский, Кузнецов, Троицкий
МПК: C03C 17/22, G02B 1/10
Метки: диэлектриках, пленок, полупроводниковых
...только в видимой, но и ь инфракрасной области спектра, путем термообработки в атмосфере водорода диэлектриков, например, оптических деталей, покрытых слоем шестихлористого вольфрама, нанесенного из раствора в сухом этиловом спирте или непосредственно слоем трехокиси вольфрама путем испарения последнего в вакууме. Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Редактор Н. И. Мосин Гр. 43Подп. к печ, 28.11-60 г.Тираж 830 Цена 2 з коп Информационно. издательский отдел.Объем 0,17 п. л. Зак, 2337 Типография Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Москва, Петровка, 14.го вольфрама в сухом этнловом спирте. В результате испарения растворителя и реакций гидролиза поверхность детали покрывается...
Способ получения полупроводниковых пленок на диэлектриках
Номер патента: 128009
Опубликовано: 01.01.1960
Авторы: Крыжановский, Кузнецов
МПК: C03C 17/22, G02B 1/10
Метки: диэлектриках, пленок, полупроводниковых
...топкий слой окиси молибдс:н;. Деталь с этим слоем:Одверга 1- ют затем термической обработке, в атмосфере сухого водорода прп 370 - 500.М 128009 П р сдмет из о бретени я Применение трехокиси молибдена для получения на диэлектриках полупроводниковых пленок, прозрачных не только в видимой, но и в инфракрасной области спектра, путем термообработки в атмосфере водорода диэлектриков, например, оптических деталей, покрытых слоем пятихлористого молибдена, нанесенного из раствора в сухом этиловом спирте, или непосредственно слоем трехокиси молибдена путем испарения последнего в вакууме,Комитет но делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Редактор и. И. Мосин Гр. 145Информационно. издательский отдел.Объем 0,17 и. л. Зак. 2382...
Усилитель класса д на полупроводниковых триодах
Номер патента: 128054
Опубликовано: 01.01.1960
Автор: Куликов
МПК: H03K 7/08
Метки: класса, полупроводниковых, триодах, усилитель
...моста, образованного диодом 9, сопротивлением 10, диодом 11 и сопротивлением 12. Мост служит для индикации отклонения регулируемого напряжения на входе 13,На транзисторах 1 и 2 построены управляющие усилители, в коллекторных цепях которых происходит изменение тока при появлении разбаланса моста (при балансе токи в коллекторных цепях триодов 1 и 2 равны друг другу). Выходные каскады на транзисторах б и б управляются мультивибратором на транзисторах 3 и 4 с накопительными конденсаторами 14 и 15.В отличие от обычного мультивибратора на транзисторах, в кого ром режим самовозбуждения обеспечивается путем подачи отрицательного тока в базы через постоянные высокоомные сопротивления, в предлагаемой схеме смещающий отрицательный ток подается...
Способ определения параметров полупроводниковых триодов в схеме с общим эмиттером в режиме переключения
Номер патента: 128062
Опубликовано: 01.01.1960
Автор: Потураев
МПК: G01R 31/26
Метки: общим, параметров, переключения, полупроводниковых, режиме, схеме, триодов, эмиттером
...7, а затем на вход усилителя осциллографа 8. Дроссель 9 включен для того, чтобы нс пропустить высокочастотные колебания в другие цепи, а дроссель 10 - для увеличения нагрузки на выходе гр 11 ода, Высокочастотный фильтр пропускает только синусоидальные колебания и позволяет не забить большим более низкочастотным сигналом следующие за ним усилители при больших изменениях напряжения на коллекторе триода во время его перекл 1 очения.М 1280 б 2Переключение триод;. из открытого состояния в закрытое осуществляется тумблером 11 путем переброса триггера 12, Одновременно с началом переключения триода происходит запуск мультивибратора И для подсьета луча осциллографа и, таким образом, осуществляется получение кривой на экране осциллографа.Так как...
Усилитель мощности на переключающих полупроводниковых триодах
Номер патента: 128899
Опубликовано: 01.01.1960
Автор: Коссов
МПК: H03K 7/08
Метки: мощности, переключающих, полупроводниковых, триодах, усилитель
...8, 9, 10, 11 в цсци оснований каждого триода мультивибраторов. С помощьо оомоток смещения 12, 18 дроссслц ие 1)сводятся в режим мццимальцого выода, прцчсм в этом случае и: сердечники должны насыщаться при определенном угле, чтобы обеспечить запуск мультивцбраторов 2 и 8 прц отсутствии вог 1 - ного сигнала, фазосдвигающис конденсатор 14 ц сопротивление 15 в цспя трансформатора 16, питаюгцего с:ему запуска, обеспечивают начальную фазировку выодным напряжении мультивибраторов 2 и , при которой все триоды заперты в проводящие полупериоды свои дио. дов. Прц определенной полярности сигнала на обмотками 17 управления изменяется угол насыщения сердечников те дросселсй, которые работают ца крутой ветви характеристики, угол насыщения второй...
Ключевая схема на полупроводниковых триодах
Номер патента: 129062
Опубликовано: 01.01.1960
Автор: Веденеев
МПК: H03K 17/04, H03K 17/60
Метки: ключевая, полупроводниковых, схема, триодах
...от выпрямителя смещения. Недостаток подобных схем заключается в длительном переходном процессе при запирании триода.В описываемой схеме этот недостаток устранен включением выпрямителя источника смешения в цепь коллектора предварительного каскада, к которой подк;ночена база выходного управляемого триода.Выпрямитель 1 источника смещения (см, чертеж) включен последовательно в цепь коллектора триода 2 предварительного каскада усиления. Кроме того, в эту цепь включена нагрузка 3, соединенная с базой выходного управляемого триода 4. Триод 4 запирается в момент, когда триод 2 открыт, и, следовательно, последовательное сопротивление и цепи управления будет ничтожно мало, что устраняет влияние выпрямителя на параметры выходного каскада н...
Самостабилизирующийся усилитель на полупроводниковых триодах
Номер патента: 129238
Опубликовано: 01.01.1960
Авторы: Гвоздецкий, Мигулин, Скорин
Метки: полупроводниковых, самостабилизирующийся, триодах, усилитель
...триодоВ 1, 2) и 4 Вкл)Очеи ЦГП)н(и, состояи(15 с из обмоток д 6 7 и о Вы.;одного тр 5 псфо)мдторд 9 и И(тивн).( Соиро. . 1 Утивлс)гий 10, 11, 12, 13. При работе усантоля нд сопроПвлсни).( сс, 1, И выделяются напряжения отрицательной обрдтнон вязи, пр: по)- )тпгональные токам змпттеров триодов 1, 2 й, .1),Пол 5 рность Вкл)0 сни 5 Объ)оток ), б (/1 8) Выби 1)дстс 5 такой, )тОВ папр 5)жсния ОбратнОЙ сВЯзи иа ни.(, п 1)опорцпонд,)ьн 5)с 00 нему току В обмотке 14 трансформатора 9, были в противофазе с напряжениями Обпдпгной связи на сопротив.)сни 5);( 10, 11 (1, 1,129238 При коллекторном токс триода 1 11.,), большем коллскторного тока триода 2 1(,. ), напряжение обратной связи на сопротивлении О Ос 1 н ) больше напряжения обратной связи на...
Устройство для частотной модуляции полупроводниковых автогенераторов
Номер патента: 129243
Опубликовано: 01.01.1960
МПК: H03C 3/20
Метки: автогенераторов, модуляции, полупроводниковых, частотной
...у варикондов приводит и ухудшению добротности контура авзогенер 1- тора, а зависимость емкости варикопла от температуры - к снижению ТКЧ генератора.В описываемом устройстве этп недостатки устранены включением вариконда параллельно эмиттерному сопротивлению генератора.Схема описываемого устройства изображена на чертеже.В эмиттерной цепи полупроводникового генератора, вьнолпенного на триоде 1, параллельно эмиттерному сопротивлению 2, ьключены два вариконда 3 и 4. Обкладки варпконда 4 соединены с источником молулирующего напряжения 5.Изменение емкости вариконла 4 в такт с модулируюшим напряжением приводит к изменению реактивного сопротивления эмиттерной цепи, в результате чего изменяются реактивные параметры полупроводникового триода 1, что...
Стабилизатор напряжения на полупроводниковых триодах для питания осветителя и фотоумножителя фототелеграфных аппаратов
Номер патента: 129253
Опубликовано: 01.01.1960
Автор: Наливкин
Метки: аппаратов, осветителя, питания, полупроводниковых, стабилизатор, триодах, фототелеграфных, фотоумножителя
...глубину обратной связи), а также модулятором, позволяющим использовать усилитель переменного тока, вместо малостабильного усилителя постоянного тока.На чертеже приведена принципиальная схема стабилизатора.Регулирующий шестиполюсник включен в цепи обратной связи двухкаскадного преобразовагеля напряжения 1.В качестце регулирующего шестиполюсника используется кольцевого модулятора 2, работающего в режиме (транпчителя а туды с переменным порогом ограничения,В этом режиме входное напряжение г, несколько раз превосходит напрякение, подаваемое в средние точки шестиполюсника.Порог ограничения определяется разностью опорного и регулирующего напряжений. Опорное напряжение, стабилизированное кремневым диодом 3, снимается с сопротивления...
Устройство для формовки точечных полупроводниковых диодов
Номер патента: 129260
Опубликовано: 01.01.1960
Автор: Грика
МПК: H01L 23/522
Метки: диодов, полупроводниковых, точечных, формовки
...из цегп коммутирующих блоков.Ь.1 ок слежениясостоит из схемы слежения за изменением обратцого напряжения и схемы еле;ке 1 гия за изменением прямого тока, В схему слежения зя обратным напряжением входят: стабилизатор б ста 11- дартного тока; катодцый повторитель 7; ячейка памяти 8, запоминаю 1 цая максимальное зцачецис обратного цапряжепия; дифференциальный , СИ.1 ИТЕЛЬ 9, СраццццяЮШий ВЕЛсиНу;ХПЛ 11 туд 1 ОбратНОГО НяПряжеция с величиной напряжения, соряцясмого запоминакццей ячейкой; селективный импульсцый усилитель 10, пропускающий импульсы определенной полярности. В схему замера напряжения входит устройство 11, срабатывя 1 ощсе от импульса больше определенной величины, которое отрабатывает импульс при значении обратного...
Способ получения полупроводниковых материалов, содержащих несколько летучих компонентов
Номер патента: 129338
Опубликовано: 01.01.1960
Автор: Нашельский
МПК: C30B 11/12, C30B 29/40
Метки: компонентов, летучих, полупроводниковых, содержащих
...ДЛЯ Оснсствлсн.Яописываемого способа.ерметическп закры 1 у 10 КВарцсВу 10 амп 5.1 у 1 Г 50.,ОшаОт в дв 5 ххаМСРНУО ПСЧЬ 2.,550 ДОЧКУ 3 С 5 Сталгн 5 ССКИ.5 П КОМПОПСНТамн ИИКТЫСтаН 2 ВЛИВ 2 ОТ В ОДНОМ КОНЦЕ 2 МПУЛЫ, ЛСТУЧИС КОМПОНСНТЫННХТЫ - 15ДРУГОМПроцесс синтезироВания полупрОБОдникОБОГО Всщсства НаИнГО снаГреВ 2 лодокп с мсталлпсскими 1(03 попсптами Б Отдслсн 1 и 5 псчп ДОТСЫПСР 2 ТУРЫ, НССКОЛЫ 0 ПРЕВЫШВЮЩСИ ТОЧКУ,5 ПКБИД 502 Синтсзпд 5 СМО.систсмы. Затем нагреваОт Отдслспис д псчи до полу 1 сния В ампуле даВления паров нсметаллического компонента, равного 5 аг,. При этомпроисходит синтез дашого летучего компонента с компонентам 1, находяшимися в лодочке. После некоторой выдержки времени нагрев отделения 6 печи дОВОдят до уровня,...
Переключатель тока на полупроводниковых триодах
Номер патента: 130067
Опубликовано: 01.01.1960
Автор: Главнов
МПК: H03K 19/00, H03K 19/08
Метки: переключатель, полупроводниковых, триодах
...Нанряжсиня. УСтраНСВ(НЕ ЭТОГО НЕдОСтатКа ВЫЗЬ(васс необходимость увеличения габаритов и потоебляемых мощностей и усложняет схему управления,Предлагаемый переключатель тока делает схему управления более простой и позволяет расширить ее логические возможности. Это достигается тем, что управлгпощий триод вкл(очсн параллельно триоду с оно;7- пым напряжением на базе.Работа переключателя показана на чертеже.Пусть триоды 1 и 2 открыты, а триоды 3 и 4 закрыты. Прп подачс на вход 5 отрицательного импульса триод 6 отпирается, отпирасг триод 4, запирает триоды 1 и 2 и переводит схему во второе устойчивое состояние. При подаче управляющего сигнала на вход 7 схема вновь устанавливается в первоначальное состояние. Аналогичным образом может...
Способ измерения высокочастотных параметров полупроводниковых триодов
Номер патента: 130119
Опубликовано: 01.01.1960
МПК: G01R 31/26
Метки: высокочастотных, параметров, полупроводниковых, триодов
...сравнения должны быть одинаковы, однако, в случае разницы, она может быть учтена при гра. дуировке прибора. Установка одинаковых амплитуд складываемых имЛов 13 О 119 пульсов производится в генераторе. После сложения импульсов на входе детектора-разделителя 5 получаются два импульса разной полярности, соответствующие величине затягивания фронта прямоугольного импульса, которые и характеризуют высокочастотные и переключающие свойства исследуемого триода. После детектирования они измеряются поочередно микроамперметром б, и результаты измерений считываются по шкале прибора, градуированного в я 1 ксек. По данным этих измерений можно получить полное представление о работе триода, так как длительность фронтов импульса, снимаемого с...
Матричное устройство на полупроводниковых диодах
Номер патента: 130243
Опубликовано: 01.01.1960
МПК: G11C 11/36, G11C 5/02
Метки: диодах, матричное, полупроводниковых
...электроды диодов, объединяемых в строчну 1 о группу проводящим слоем 1, который одновременно выполняет роль строки.Число диодов в строчной группе равно числу гвин матрицы (пли числу разрядов схемы).130243 Предмет изобретения 1. 1 атричное устройство на полупроводниковых диодах с элементами, выполненными в виде многослоиных блоков с общими слоями проводящего и полупроводящего материалов, о т л и ч а ю щ с е с я тем, что,. с целью увеличения плотности монтажа деталей и упрощения процесса производства выполненные в виде указанных блоков строчные группы диодов закреплены в обойме матрицы одна над другой, а соответствующие диоды различных строчных групп соединены между собой полосками фольги, отогнутые концы которых образуют кодовые шины...
Триггер на полупроводниковых триодах
Номер патента: 130922
Опубликовано: 01.01.1960
Автор: Раппопорт
МПК: H03K 3/286
Метки: полупроводниковых, триггер, триодах
...по току, который к тому же падает при более полном испольоваии напряжения источников питания.Предлагаемая схема триггера на полупроводниковых триод-п-р введением дополнительных управляемых триодов типа и-р-пенных в качестве коллекторных сопротивлений каждого из-и-р, позволяет устранить указанные недостатки.Принципиальная схема предлагаемого триггера приведена на чМ 130922 Напряжением Гхе хожно пренебречь.Тогда я:Е,Потребляемый схемой ток равен:н 7 -)-о +и где:- ток нагрузки; уо - сумма токов баз открытых триодов; 1;, - сумма токов баз закрытых триодов; Предмет изобретенияТриггер на полупроводнковых триодах типа р-гг-р, о т л и ч а ющ й с я тем, что, с ц.лью увеличения коэффициента полезного действия по току (отношения тока...
Двухсторонняя ключевая схема на полупроводниковых триодах
Номер патента: 131377
Опубликовано: 01.01.1960
Автор: Петров
МПК: H03K 17/60
Метки: двухсторонняя, ключевая, полупроводниковых, схема, триодах
...1 и 2 соединены между собой через сопротивления 9 - 12 и подключены к источнику управляющего напряжения 18. Змиттеры триодов включены в разрыв коммутируемой цепи. При подаче положительного напряжения на коллекторы триодов 1. 2, 7, 8 и отрицательного напряжения на коллекторы триодов 8, 4, 5, б, триоды, включенные между обмотками 14, 15 и 1 б, 17 трансформаторов, будут замкнуты, а триоды, включенные между обмотками 18, 19 и 20, 21, заперты падением напряжения на сопротивлениях 10, 11. При этом сигналы, поданные на входные сбмотки 22, 28, будут поступать соответственно на выходные обмотки 24 и 25.При изменении полярности управляющего сигнала запираются триоды 1, 2, 7, 8 и отпираются триоды 8, 4, 5, б, и входные сигналы с обмоток 22 и...