Патенты с меткой «полупроводниковых»

Номер патента: 1751828

Опубликовано: 30.07.1992

Авторы: Дудник, Соловьев

МПК: H01L 23/36

Метки: полупроводниковых, приборов, радиатор, формы, цилиндрической

...ленты, имеющее по периметру цилиндрические посадочные гнезда, в которых установлены радиальные лепестки.Известный радиатор имеет уобразный 15 профиль гофров кольца и, следовательно, низкую эффективность охлаждения из-за малой площади контакта между прибором и радиатором, Кроме того, радиатор конструктивно сложен и нетехнологичен. так как 20 имеет сложный профиль гофров и сборную конструкцию.Цель изобретения - повышение эффективноети охлаждения, упрощение конструкции и повышение технологичности 25 изгОтовления радиатора. На фиг.1 изображен радиатор, вид сверху; на фиг.2 - радиатор с прибором, вид сбоку; на Фиг,3 - развертка заготовки ради атора (пунктиром отмечены линии сгиба).Радиатор содержит обжимное кольцо 1, выполненное в виде...

Номер патента: 1754368

Опубликовано: 15.08.1992

Авторы: Кочан, Новиков, Хусит

МПК: B23K 11/06

Метки: герметизации, корпусов, полупроводниковых, приборов, прямоугольных

...них головками сварочных роликов, перемещаются по прямоугольному контуру в одном направлении,При этом каждый из сварочных роликов прокатывается по одной иэ сторон крышки герметизируемого корпуса. Таким образом, герметизация прямоугольного корпуса и/и прибора может быть осуществлена без выполнения между сваркой взаимного перпендикулярных сторон вспомогательных операций повооота корпуса и раздвижения роликов. Это позволяет значительно упро- стить устройство герметизации за счет исключения устройств поворота и раздвижения и выполнять сварку взаимно перпендикулярных сторон прямоугольного корпуса как последовательно, так и одновременно, что сокращает время цикла герметизации до времени, необходимого только для сварки сторон крышки...

Номер патента: 1755335

Опубликовано: 15.08.1992

Авторы: Возмилова, Пенина

МПК: H01L 21/66

Метки: кристаллографических, материалах, направлений, полупроводниковых, типа

...Корректор И, Шулла Заказ 2897Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г, Ужгород. ул, Гагарина, 101 водниковых материалах, включающему механическое воздействие на поверхность полупроводникового материала пирамидой Виккерса с последующим анализом образовавшихся в результате воздействия фигур, механическое воздействие осуществляют в трех точках, выбранных из условия получе-. ния неперекрывающихся фигур, с нагрузкой 30-100 г, причем диагональ пирамиды Виккерса располагают в направлении 100, подсчитывают число трещин в двух взаимно перпендикулярййх направлениях от углов полученных отпечатков, и направление...

Номер патента: 1756393

Опубликовано: 23.08.1992

Автор: Зубрицкий

МПК: C30B 29/46, C30B 31/06

Метки: легирования, полупроводниковых, соединений, типа

...плоскопараллельную кювету, в которую заливают дизлектрическуо жидкость, например, этилацетат, К пластине (лучше к ребру, в любой точке) от генератора высоковольтных импульсов подводят игловой электрод, Импульсом напряжения отрицательной полярности амплитудой 3 - 40 кВ возбуждают в полупроводнике приповерхностный стримерный разряд, наблюдающийся в аиде густой ярко- светящейся сетки зеленых нитей, напоминающей ветвь елочки. Диэлектрическая жидкость служит при этом обострителем фронта импульсов (с микро- к наносекундному диапазону длительностей). Маркируют1756393 Составитель В, ЗубрицкийТехред М,Моргентал Корректор М; Тка едак огу аз 3064 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СС 113035,...

Номер патента: 1756940

Опубликовано: 23.08.1992

Авторы: Добров, Кубышкин, Кушнарев, Лабковский

МПК: H01B 1/02

Метки: паста, полупроводниковых, преобразователей, силовых, соединения, схем, элементов

...Остальное Дендритная форма (" ежик" ) порошка медного способствует тому, что частицы меди продавливают поверхностную окисную пленку соприкасающихся элементов силовых схем, обеспечивал надежный электрический контакт.В целом, введение в состав известной пасты порошка медного электролитического, состоящего из частиц дендритной формы, с указанным в формуле изобретения соотношением компонентов, повышает ее электропроводность и улучшает теплопроводность. Это обеспечивает снижение контактного электро- и теплового сопротивления, что, в свою очередь, позволяет повысить допустимые токовые и тепловые нагрузки силовых полупроводниковых преобразователей, т. е. реализовать цель изобретения,Для проверки свойств предлагаемой пасты были...

Номер патента: 1758589

Опубликовано: 30.08.1992

Авторы: Ануфриев, Гасанов, Титов, Филимонов, Чурин

МПК: G01R 27/02

Метки: бесконтактного, пленок, полупроводниковых, удельного, электросопротивления

...света, интенсивность и спектральная характеристика которого обеспечивают насыщение ловушек захвата в полупроводниковой пленке, формирующих глубокие уровни,Полученные значения усредняют.Сущность способа заключается в том, что при облучении светом полупроводниковой пленки происходит насыщение ловушек захвата, формирующих глубокие уровни в полупроводнике и искажающих истинное значение величины удельного электросопротивления. Применение ВЧ-контура специальной формы вместо СВЧ-резонатора значительно облегчит процесс измерения,позволит снизить требования к размерам иориентации образцов и применять недорогое оборудование,На фиг. 1 показано устройство, реалирующего способ; где 1 - осветитель, 2 -ВЧ-контур, 3 - измеряемый образец, 4 -...

Номер патента: 1760480

Опубликовано: 07.09.1992

Авторы: Перинский, Школьников

МПК: G01R 33/06

Метки: первичных, полупроводниковых, преобразователей, холла

...поверхности преобразователей при формировании топологии рабочего тела методом химического травления. Причем величина, этого "подтрава" формируемых структур ПХ имеет существенный разброс по площади полулроводниковой пластины. Экспериментально установлено, что изготовление ПХ ориентированными в направлении 110 позволяет исключить указанный разброс, что, в свою очередь, обеспечивает возможность применения групповой (одновременно для всех ПХ на пластине) корректировки одной из составляющей остаточного напряжения (в частности, методом ионно-лучевой обработки).Сопоставительный анализ с прототипом и другими известными техническими решениями показывает, что предлагаемое техническое решение соответствует критериям "новизна" и "существенные...

Номер патента: 1762339

Опубликовано: 15.09.1992

Авторы: Кагадей, Проскуровский, Янкелевич

МПК: C23C 14/50, H01L 21/268

Метки: держатель, пластин, полупроводниковых

...фиксаторов одно из лезвий 2, закреплено с возможностью поворота относительно другого лезвия 2, например. с помощью винтового соединения, что необходимо для осуществления загрузки-выгрузки пластин 3. Материал лезвий должен отвечать следующим требованиям:1. Быть хорошим проводником для обеспечения стока электрического заряда при обработке пластин пучками заряженных частиц;2. Иметь низкую теплопроводность для достижения минимального теплоотвода от обрабатываемой пластины;5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 3, Иметь высокую температуру плавления и достаточную химическую пассивность;4, Иметь хорошую конструкционную прочность.Всем этим требованиям в достаточной степени удовлетворяют тугоплавкие металлы, например, ЧЧ, Та, Мо.Толщина лезвий должна...

Номер патента: 1763873

Опубликовано: 23.09.1992

Авторы: Власов, Койфман, Луковкин, Муршудли, Страшкин, Хван

МПК: G01B 7/06

Метки: геометрических, параметров, пластин, полупроводниковых

...ИЛИ 7 на счетный вычитающий вход "-1" счетчика управления приводом 12 сопровождается вычитанием единиц счета из числа, содержащегося в нем, В результате этого порядок следования импульсов, поступающих на вход блока управления приводом 13, меняется на обратный, и шаговый привод 3 движется в противоположную сторону, удаляя контактный зонд 2 от предметного стола 1, В счетчике сигналов калибровки 6, на вход которого импульсы уже не поступают, сохраняется значение калибровочного числа, численно равного числу шагов перемещения контактного зонда 2 из исходного положения до касания им поверхности предметного стола 1. В момент обнуления счетчика управления приводом12, соответствующего возврату контактного зонда 2 в исходное положение, с выхода...

Номер патента: 1764091

Опубликовано: 23.09.1992

Автор: Полков

МПК: H01L 23/08

Метки: герметизации, кассета, полупроводниковых, приборов

...то, что в процессе имплазионной сборки приборов рабочий газ имеет свободный и равномерный доступ к боковой поверхности корпуса прибора, что улучшает условия проведения имплазионного процесса и тем самым повышает выход годных приборов,На чертеже представлена кассета с собранным прибором.Кассета состоит из основания 1, верхй пластины 2, втулок 3, которые фиксирудетали 4 собранного прибора и пластины - излучателя 5 толщиной, равной длине стеклянного корпуса прибора с отверстиями 6, обеспечивающими кольцевой зазор 7 между стеклянной трубкой 8 и пластиной 5, равный (0,5 - 0,7) мм.Возможен вариант кассеты с объединением в одно целое основания 1 и пластины- излучателя 5 без нарушения центровки отверстий,1764091 Составитель...

Номер патента: 1764092

Опубликовано: 23.09.1992

Авторы: Детинов, Златковская, Зусмановский

МПК: H01L 23/36, H05K 7/20

Метки: охлаждения, полупроводниковых, приборов, радиатор

...пружины выполнены из ленты прямоугольного поперечнога сечения с шагом витков, равным ширине поперечного сечения ленты, и что противолежащие цилиндрические поверхности стержня выполнены с равными между собой радиусами кривизны, а цилиндрические пружины выполнены с равнымивнутренними радиусами кривизны.Проведенные патентные исследования не выявили подобных технических решений, чта позволяет считать его соответствующим критерию "существенные отличия" и подтверждает новизну заявленного технического решения,На фиг. 1 представлен общий вид радиатора с установленным полупроводниковым прибором; на фиг, 2 - вид по стрелке А фиг. 1 без шайбы и гайки; на фиг, 3 - конструкция основания. Радиатор состоит из основания 1, оключающего в себя...

Номер патента: 1764908

Опубликовано: 30.09.1992

Авторы: Егоров, Калинин, Лавров

МПК: B23K 31/02

Метки: монтажа, полупроводниковых, приборов, проволочного

...контроль второго сварного соединения; на фиг.3 - обрыв проволоки (в положении сварочного инСтрумента на контактной площадке кристалла), на фиг.4 - исходное положение проволоки,Способ включает поочередное присоединение проволоки 1 к контактным площадкам 2 и 3 корпуса 4 и кристалла 5, формирование перемычек 6 в виде петель, контроль качества присоединения к каждой перемычке путем приложения растягиваю- щего усилия к проволоке 1 и ее обрыв. Контроль качества присоединения перемычек 6 осуществляют непосредственно после каждой сварки. Перед осуществлением первой сварки 7 проволоку 1 заправляют в направляющий канал ультразвукового сварочного инструмента 8. Опускают инструмент 8, Осуществляют приварку проволоки 1 к контактной площадке 2...

Номер патента: 1768675

Опубликовано: 15.10.1992

Авторы: Арендаренко, Барышев, Буравцев, Варгулевич, Лобызов, Чариков

МПК: C30B 25/08, C30B 25/12

Метки: выращивания, полупроводниковых, эпитаксиального

...в виде диска, размещенного в основании и имеющего сателлиты, под которыми в диске и в основании выполнены газотранспортные и сбросные канавки, и средства ввода и вывода газов, в нем в сателлитах на стороне, обращенной к диску, выполнены газотранспортные канавки, имеющие форму и угловое расположение газотранспортных канавок в диске и направленные навстречу им.На фиг.1 изображен общий вид устройства; на фиг.2 - сечение А - А на фиг.1; на фиг.3 - сечение Б - Б на фиг.1,Устройство содержит реактор, включающий корпус 1 с крышкой 2 и основанием 3, внутри которого установлены два экрана 4 и 5, средстьо ввода ПГС, выполненное в виде трубки 6 для ввода компонентов 3-ей группы с водородом и трубки 7 для ввода компонентов 5 группы...

Номер патента: 1771006

Опубликовано: 23.10.1992

Авторы: Воронцов, Каргапольцев, Плотников, Черных

МПК: H01L 21/66

Метки: базового, пластин, полупроводниковых, среза

...4 получают движение от электродвигателя 22 через приводной шнур 23, взаимосвязанный с одним из шкивов 17, на которых расположены транспортирующие шнуры 16, Шкивы 17 вращаются на валах 18, установленных в стойках 19, 20. закрепленных нэ плите 21. Подвижный упор 5 от сработавшего электромагнита 27 через кронштейн 25, установленный на оси 26, переводится в поднятое положение, и его рабочая плоскость с вырезом оказывается над шнурами 16 транспортера 4. Пластина 49 краем базового среза упрется в упор 5 в точке А. Возникшие моменты вращения, воздействующие на пластину 49 от сил трения шнуров 16 о пластину 49 М 1=- Р 1 Н и М 2=Р 2 Ъ, вызовут вращение пластины относительно точки А по направлению:трелки М, так как М 1 М 2 из-за...

Номер патента: 1774283

Опубликовано: 07.11.1992

Авторы: Ануфриев, Гасанов, Титов, Филимонов

МПК: G01R 27/02

Метки: бесконтактного, пленок, полупроводниковых, удельного, электросопротивления

...в том,что при погружении в диэлектрическуюинертную жидкость полупроводниковаяпленка термостатируется при заданной 30температуре, кроме того, поверхностныесостояния ряда последовательно измеряемь 1 х полупроводниковых пленок идентичны,так как определяются не свойствами измея ю щейся воздуш ной среды, а свой".таам и 35диэлектрической инертной жидкости, которые при измерениях постоянны.На фиг,1 и 2 приведено устройство, реализующее способ, где 1 - измерительнаякювета, 2 - измеритель добротности, Измерительная диэлектрическая кювета 1 состоит из корпуса 3, крышки 4 с прорезью дляобразца и градусником 8, В кювете находится неиагнитная диэлектрическая жидкость5, в которую помещены катушки Гельмгольца б и измеряемый образец 7. Выводы...

Номер патента: 1774396

Опубликовано: 07.11.1992

Авторы: Аранович, Беляев, Дирочка, Киселева, Мейман, Поповян, Трошкин, Экивина

МПК: H01L 21/58

Метки: полупроводниковых, приклеивания

...способствоватьтуннелированию электронов из обогащенной зоны проводимости, которые участвуютв переносе заряда и также способствуютцепной реакции полимеризации как на поверхности полупроводника, так и в объемеклея.П р и м е р, Для осуществления способабыли использованы пластины из полупроводниковьх материалов пЯЬ (толщиной 0,6мм), ОаАз (толщиной 0,7 мм), Я толщиной0,4 мм), ОбхН 91-хТе (толщиной 0,8 мм), склеиваемые с подложками из высокоомногогермания толщиной 0,5 мм. Для получениясравнительных данных указанные пластины из полупроводниковых материалов склеивали с подлокками из сапфира по способу,принятому за прототип.В качестве источника Уф-излученияприменяли ртутно-кварцевую лампу высокого давления ДРТ,В качестве...

Номер патента: 1774398

Опубликовано: 07.11.1992

Авторы: Калинин, Овчаренко

МПК: H01L 21/76

Метки: полупроводниковых, структур

...применяемого в элементах памяти зарубежных изготовителей.Указанные известные технические решения, уменьшающие влияние рельефа, могут применяться как по отдельности, так и в совокупности в предлагаемом способе.На фиг,1,2 показаны сечения полупроводниковой структуры на различных этапах ее формирования, на фиг.3,4 - аналогичные сечения другой полупроводниковой структуры с частичным размещением второго диэлектрического слоя на поверхности полупроводниковой подложки,На фиг,1(3) изображена структура после осаждения второго слоя поликристаллического кремния и легирования его азотом на всю толщину этого слоя,На фиг,2(4) показана полупроводниковая структура после термической обработки (отжига),На фиг,1 - 4 используются следующие обозначения;-...

Номер патента: 1775677

Опубликовано: 15.11.1992

Авторы: Верлань, Заболотный, Новосельцев

МПК: G01R 22/04

Метки: вентильных, полупроводниковых, потерь, приборах, тепловых

...заданной генератором 11 формы и усиленного до определенной величины блоком 12, а эталонный прибор 2 - остывает. В момент времени 12 снова срабатывает усилитель 5, контакты ключа 16 - размыкаются, а ключа 9 - замыкаются. Теперь до момента тз испытуемый прибор 3 остывает, а эталонный 2 нагревается и т,д.Последовательно соединенные датчик 1, усилитель 5 и реле 7 с двумя ключами 9 и 16 образуют автоматический дифференциальный калориметр, поддерживающий примерно одинаковыми температуры корпусов эталонного и испытуемого приборов, что позволяет устранить температурную погрешность измерений.Измеритель 6 интервалов времени фиксирует промежутки времени сэ нагревания эталонного прибора и промежутки времени ти нагревания исп ытуемого прибора. 10...

Номер патента: 1775752

Опубликовано: 15.11.1992

Авторы: Банный, Петкевич

МПК: H01L 21/00

Метки: базовому, ориентации, подложек, полупроводниковых, срезу

...полупроводниковую подложку на полный оборот, осуществлять преобразование профиля подложки в электрический сигнал, анализировать в нем количество импульсов, находить из них наибольший,Использование вместо датчиков угла поворота и базового положения кругового потенциометра с линейным сигналом, зависящим только от угла поворота столика, позволяет находить середину наибольшего бокового среза путем нахождения полусуммы величин сигнала от этого же потенциометра в моменты открытия и перекрытия оптронной пары регистратора базового среза, Уравнивание сигнала потенциометра с вычисленной полусуммой приводит к подводу середины базового среза подложки к базовой точке, т,е, к ориенггцгги подложки в базовом положении. На основании вышеизлокеннпго,...

Номер патента: 1775753

Опубликовано: 15.11.1992

Авторы: Бумай, Вилькоцкий, Доманевский, Нечаев, Шлопак

МПК: H01L 21/66

Метки: заряда, носителей, подвижности, полупроводниковых, профиля, слоях

...проводимости такой системы от напряжения смещения, При измерениях постоянноенапряжение на ртутные электроды подается таким образом, чтобы центральный барь. ер был смещен в обратном направлении. Врезультате этого под ним увеличиваетсятолщина обедненного слоя, а следовательно уменьшается емкость барьера Шоттки ислоевая проводимость области полупроводника подбарьером. Импеданс цепи, образованной кольцевым барьером, смещенным впрямом направлении и областью полупроводника, находящейся между барьерами,практически не зависит от величины подаваемого напряжения. Таким образом, видзависимостей емкости и активной составляющей проводимости от напряжения смещения будет определяться профилямираспределения концентрации и подвижности носителей заряда в...

Номер патента: 1484191

Опубликовано: 15.12.1992

Авторы: Гуляев, Котелянский, Лузанов, Тараканова

МПК: H01L 21/203

Метки: монокристаллических, пленок, полупроводниковых

...ЗО.адсорбиронанного атома.Энергияизлучения выбирается такой, чтобы хеиисорбнронанные атомы,находящиеся вне дна потенциальногорельефа поверхности, поглотив квант 35света с выбранной длиной волны, ииели воэможность эа счет поверхностнойдиффузии занять положения, соответствующие минимуиу потенциальной энергии, т.е. занять положения, соответ.стнующие наилучшему кристаллическомусовершенству структуры. Плотностьмощности излучения 1 г оценивается изЬс ц -йусловия ЧМ --- где Ю=О сма 45,по порядку величины составляет У в"-е -4 йл, 10 -10 ,Пж/см . Длина волны излу чения определяется для каждого компонента н отдельности. 50П р и и е р 1. Осаждение монокристаллической пленки СИТе .проводятна подложки СИТе ориентации (10)...

Номер патента: 1780871

Опубликовано: 15.12.1992

Авторы: Удэм, Фридман

МПК: B08B 3/00

Метки: отмывки, пластин, полупроводниковых

...крупные чаетйцы, а при обработке струей высокого давления-микрочастицы,Йедостатком указанного способа является то, что струя высокого давления сообщает пластине статический заряд, чтовыводит из строя ряд приборов,При увеличении натяга щетки с цельюудаления с пластины микрочастиц качествоотмывки ухудшается. В этом случае, еслиматериал щетки жестче материала пластины, то 1на последней появляются царапины, если материал щетки мягче материала пластины, то ка изнашивается, и поверхность пласти1780871 Составитель Б,Удзм Гехред М,Моргентал Редактор Корректор Е.Папп Заказ 4235 Гираж . ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытияи при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Рэушская наб., 4/5 Произвсюственно-иэдагельский комбинат...

Номер патента: 1781735

Опубликовано: 15.12.1992

Авторы: Буянов, Жуков, Киселев, Митрофанова, Суслова

МПК: H01L 23/427, H01L 25/00

Метки: испарительного, охлаждения, полупроводниковых, приборов

....связанная с тем, что трубки с промежуточ- тора 4 изогнуты в виде рамок и образуют внымтеплоносителемудаленыотконтактной области испарителя 1 каналы 3 для жидкопоеерхности полупроводникового прибора сти, причем каждая трубка установлена в: - расположены внутри тела испарителя, а области испарителя 1 не менее чем двумятакже недостаточная надежность работы, 35 своими частямии имеет в этих местах плосвязанная с большим числом мест гермети- скую поверхйость 5, сопрйкасающуюся незации трубок в области испарителя и кон- посредственно сохлаждаемым прибором 2,денсатора. . Рамки конденсатора 4 выполнены или в одЦелью изобретения является повыше- ной плоскости, или в йескольких параллельниеэффективностиохлаждения и надежно ных плоскостях, или же...

Номер патента: 1783324

Опубликовано: 23.12.1992

Авторы: Стучебников, Тюкавин

МПК: G01L 1/22

Метки: мостов, полупроводниковых, тензорезисторных, термокомпенсации

...13 термокомпенсирован, если1+АВ ВФ- СФ=1/Р(й (42)Благодаря тому, что каждый из коэффициентов А, В, С аппроксимирующего пол 30 инома третьей степени может быть какположительным, так и отрицательным числом, условие (42) выполняется с достаточномалой погрешностью при любом характерефункции, связанной с температурной харак 35 теристикой чувствительности тензорезисторного моста р(ф питаемого в режимезаданного тока, обратной пропорциональной зависимостью, то есть при любом характере функции 1/ ср ф в достаточно широком40 температурном диапазоне,Температурная характеристика р(бчувствительности тензсмоста 13, питаемогов режиме заданного тока, является исходной для расчета сопротивлений моста 5 и45 нагрузки 14. Она либо известна заранее...

Номер патента: 1784467

Опубликовано: 30.12.1992

Автор: Хомин

МПК: B28D 5/00

Метки: полупроводниковых, резки, слитков

...покрытия на основе графита наоб рабаты ваемую поверхность слитка и режущей кромки алмазного круга, причем йанесение покрытия на режущую кромкуалмазного круга осуществляют на протякении процесса"резки в" виде смазки,Способ заключается в том, чтопри рез ке полупроводниковых слитков (отрезаниипластин от слитка) производят йанесениепокрытия на основе графита, йри этом.- на обрабатываемую поверхностьСлитка в виде слоя смазки, заполняющеймикронеровности, царапины и придающейслитку форму (цилиндра, приэмы "и т,п; взависимости от расположения базового идополнитЕльных срезов Ориентации слитка), обеспечивающую образование ограницйтельных стенок в нанесенном слое дляалмазного. круга в момент врезания и выхода его из полупроводниковою слитка;-...

Номер патента: 1784668

Опубликовано: 30.12.1992

Авторы: Арендаренко, Барышев, Буравцев, Волынкин, Жигунов, Лобызов, Чариков

МПК: C30B 25/12, C30B 25/14

Метки: выращивания, полупроводниковых, эпитаксиального

...В теле основания 2 и теле диска 3 выполнены соответственно газотранспортные канавки 13 и 14, соединенные со средством ввода 15 транспортного газа(водорода).В диске 3 выполнены соосно сателлитам 4 кольцевые проточки 16 и 17, соединенные с началом газотранспортных канавок 14. Глубина внут 2 оенней проточки 17 составляет (1,3-1,5) 10 наружного диаметра проточки 16, В диске 3 выполнены сбросные канавки 18, соединенные с отверстиями 19 и 20 диска 3, отверстиями 21 и 22 основания 2 и выводным патрубком 11. Каждый сателлит 4 выполнен в виде двух соединенных между собой круглых дисков 23 и 24, при этом диаметр верхнего диска 24 больше диаметра нижнего диска 23, а нижний торец 25 верхнего диска 24 выполнен со скосом кромки,Устройство работает...

Номер патента: 1784878

Опубликовано: 30.12.1992

Авторы: Сидорюк, Скворцов, Таргонский

МПК: G01N 21/35, H01L 21/66

Метки: дефектов, диэлектрических, обнаружения, поверхности, полупроводниковых

...поглощения материала;ол - сечение перехода с основного состояния дефекта в зону проводимости материала;40п п+ и,ФРПри значениях Амин = 10, ) = 1, арф =,10 10 см ст 10 10 см для и н 45 получается величина п,и. =1010 смВ свою очередь плотность мощности коротковолнового, ультрафиолетового (Уф) излучения, необходимую для заселения электронных ловушек через зону проводи мости, можно оценить из выражения:м 1 Ю,31 мин = - - Пмин 1Х55 где Е ихц-энергия идлительность импульсалазерного излучения соответственно;Я - облучаемая коротковолновым излучением площадь образца;- длина диффузии носителя заряда;50 55 и и - энергия кванта коротковолнового излучения,В тонкопленочных покрытиях, как правило,- б, где б - толщина покрытия. Это...

Номер патента: 1785054

Опубликовано: 30.12.1992

Авторы: Дюков, Митюхляев, Петросян, Сагань, Файфер, Шистик

МПК: H01L 21/66

Метки: дефектности, пластин, полупроводниковых, структур

...16 сигнала.,;,.; приведет к тому, что с Момента времени ЙУстройство работает следующим обра-. интегратор 16 будет интегрировать выходзом., : .:ной сигнал логарифмического усилителя 14,Лазер 1 под действием импульса под По истечении времени 2 Ж цифровойжига, сформированного в блоке, управления, Код, сформированйый Счетчиком 5, будет . 2, вырабатывает оптический импульс, кото- совпадать с цифровымкодом Кз, соответсгрый через приемопередающую оптическую вующим моменту времени тз. В момент совсистему 3 излучается в атмосферу по гори- паденйя кодов схема 9 вырабатывает зонтальной трассе. В момент излучения ла-30 импульс, по которому интегратор 16 законзера 1 датчик 4 формирует опорный чит интегрирование информационного сигимпульс,...

Номер патента: 1786697

Опубликовано: 07.01.1993

Автор: Наконечный

МПК: H01L 23/34, H01L 23/36, H05K 7/20 ...

Метки: мощных, охладитель, полупроводниковых, приборов

...поверхностью.Охладител ь Яиг. 1) содержит установочную площадку 1 под полупроводниковый прибор 2, радиально расположенйые плоские ребра 3 и установленные на ребрах турбулизирующие насадки 4, прижатые к торцам ребер с помощью прижимного элемента 5. Насадки 4 (см,фиг. 2) выполнены П-образной формы из теплопроводящего материала с клиновидными просечками по всей длине продольных торцовых кромок, образуя лепестки 6, При этом максимальный зазор амарас между стенками продольных торцовых кромок каждой насадки не должен превышать толщины ребер, а наружный размер и между боковыми стенками турбулизирующих насадок 4 должен быть не менее шага расположения ребер. Выполненные таким образом насадки 4 при установке на ребра 3 своими лепестками 6...

Номер патента: 1787295

Опубликовано: 07.01.1993

Авторы: Дереченик, Кононов, Олтушец, Пеньков, Полонин, Яцук

МПК: H01L 21/304

Метки: интегральных, кристаллами, пластин, полупроводниковых, приборов, схем, утонения

...стороны пластины с плоскостью держателя, Кроме того, нанесение защитного покрытия на планарную сторону пластины не улучшает ее геометрию в части прогиба и клина по отношению к держателю, на котором пластина крепится для проведения механического утонения. Поэтому в процессе закрепления ее на держателе происходит механическая деформация пластины с изме-. нением исходных геометрических параметров, это приводит к нарушению металлизации и соответственно к снижению выхода годных на операции "функ 1 ионирование".Целью изобретения является повышение выхода годных за счет исключения разрушения пластины и кристаллов.Цель достигается тем, что по способу водниковых приборов и интегральных схем, включающему нанесение высокомолекулярного соединения...