Патенты с меткой «полупроводниковых»

Номер патента: 1013247

Опубликовано: 23.04.1983

Авторы: Ефимов, Зимицкий, Шуваев

МПК: B24D 5/00

Метки: абразивный, круг, пластин, полупроводниковых, разделения

...что на алмазный диск с обеихсторон крепятся известным способомнапайкой, склеиванием и др. ) оди"наковые по толщине упрочняющие элементы толщиной .от 5 до 10 толщинполотна алмазного круга из материала,со свойствами, определяемыми неравенством Е ра .К 1к рэгде Е" и Е - модуль Юнга соответст венно.материалов упрочняющего элемента и алмазного круга;Я и я - массовая плотностьсоответственно материаблов упрочняющего элемента и алмазного круга.Допустимый предел прочности материала упрочняющих элементов должен 40 обеспечить их прочность йа скоростях олее 175 м/с.Так как величина деформации вращающегося диска прямо пропорциональна его массовой плотности и обратно пропорциональна модулю Юнга, то в;писке алмазного круга вследствие его...

Номер патента: 1013744

Опубликовано: 23.04.1983

Авторы: Анистратенко, Воронин, Елютин, Оксанич, Тузовский

МПК: G01B 7/28

Метки: пластин, полупроводниковых

...выполнен н виде двух плун,жеров, связанных между собой с помощью стержневого ограничителя срасположенной на нем пружиной, а из-меритель прижимного усилия баэовогостола кинематически связан с плунжерами толкателя,На фиг. 1 представлена блок-схемаустройства, на фиг. 2 -механическийузел, разрез, на фиг, 3 - разрезА-А на фиг. 2.Основными узлами устройства являются механический узел 1 и блок 2обработки и индикации (фиг. 1)Механический узел 1(фиг. 2) состоит из корпуса 3, опорного стола 4 ипозиционера 5, кинематическое замыкание коТорого с приводом 6 выполненопосредством рычага 7 и толкателя 8.Опорный стол 4 зафиксиронан в исходном положении сферическим шарниром 9и тремя подпружинейными упорами 10и нзаимодействует с...

Номер патента: 1014072

Опубликовано: 23.04.1983

Авторы: Антонов, Бугаев, Гоголев, Грин, Малеев, Рассохин

МПК: H01L 21/66

Метки: параметрам, полупроводниковых, приборов, сортировки, электрическим

...приборов из кассеты), повора" Чивается на 90 о, а затем, опускаясь, устанавливает группу прибора в контактно-эажимной механизм 12,каретка 17 которого. совершает поступательное движение через тягу 19 от рычага 18,Пружинные контакты 15 прижи- мают выводы группы приборов к неподвижным контактам 16, и происходит контактирование всех необходимых выводов (места контактирования пока"заны на фиг. 9) .В момент контактирования в блок логики выдается сигнал "Внешний за5 10140пуск" от бесконтактного датчика (непоказан),.связанного с валом 52, Поэтому сигналу реализуется программа "Измерение", заложенная в памятиблока логики 46 и основанная на сравнении контролируемых параметров полупроводниковых приборов с заданнымиуставками,Токи и напряжения...

Номер патента: 1018181

Опубликовано: 15.05.1983

Авторы: Бабурин, Сахарович

МПК: H01L 21/68

Метки: кассета, полупроводниковых, приборов

...в виде пластины идва стержня, прикрепленных с зазоромс двух сторон к пластине крепежнымиэлементами, выполненными в видеушек. В зазор между пластиной истержнем вставляются выводы приборов Г 23.Недостатком этой кассеты являетсясложность механизированной загрузкивследствие того, что затруднено попадание ножки прибора между пластиной и .стержнем. Кроме того, фиксацияприборов осуществляется только засчет сил трения между выводами и пластиной со стержнем, что недостаточно надежно, так как зазор между плас тиной и стержнем кассеты не регулируется и составляет 1,2-1,5 диаметра выводов. Цель изобретения - обеспечениемеханизации загрузки и повышение 45надежности фиксации прборов,Указанная цель достигаешься тем,.что в кассете для...

Номер патента: 936751

Опубликовано: 07.06.1983

Авторы: Жмудь, Кравченко, Савченко, Терехов

МПК: H01L 21/66

Метки: параметров, полупроводниковых

...ап-опаратуры и может быть меньше 100 А.Если исследуется гетероструктурасо встроенным р-и-переходом гетеролазер, светодиод ), то облучая ее40 торец и прикладывая переменное ипостоянное напряжение смещения получают профиль ширины запрещеннойзоны, а следовательно и состав Р -или и -области, в зависимости от того,45 концентрация свободных носителейкакой области меньше,Требование того, чтобы постоянное смещение было много больше переменного, связано с точностью пространственного разрешения, задаваемого постоянным смещением.Толщина области пространственного заряда определяется выражением: ЛЧ+Ча) Е(Ч+ Ча)из- Ре по где пд 2 Ччгде Ч - постоянное смещение;Ча - диффузионный потенциал;д У - переменное напряжение;60 Е - заряд электрона;по -...

Номер патента: 1022266

Опубликовано: 07.06.1983

Авторы: Бобров, Соболев

МПК: H02M 1/18

Метки: вентилей, защиты, полупроводниковых, тепловой, штыревых

...к выходам первого и второго термодатчиков, а выходом - к исполнительному блоку 12Недостатком известного устройства 25 является низкая надежность, обусловленная тем, что первый и второй термодатчики установлены на катоде и аноде вентиля, между которыми существует большая разность потенциалов Требуется защита низковольтных вхо" дов порогового элемента от воздействия этой разности потенциалов, в результате снижается точность контроля датциками температуры, а следовательно, и надежность защиты.Цель изобретения - повышение надежности тепловой защиты полупроводниковых вентилей, соединенных последовательно.Поставленная цель достигается тем, ф что в устройстве для тепловой защиты штыревых полупроводниковых вентилей,266включенных...

Номер патента: 1023454

Опубликовано: 15.06.1983

Авторы: Баранов, Вознесенский, Исаков

МПК: H01L 21/00

Метки: кассета, пластин, полупроводниковых, химической

...основание в 45 виде диска с гнездами для полупроводниковых пластин и ступицу, соосную диску, снабжена запорным кольцом, установленным на ступице, а гнезда для полупроводниковых пластин выпол иены в виде кольцевых канавок на шты 1рях, размещенных по периферии диска, и кольцевой канавки, выполненной на боковой поверхности запорного кольца.На Фиг. 1 изображен" предлагаемая кассета, .разрез; на фиг. 2 - то же, вид в плане.Кассета состоит из основания 1 в виде диска со ступицей, на которую насажено запорное кольцо 2 звездообразной формы, ряда штырей 3 и двух рядов опорных штырей 4, расположенных по концентрическим окружностям. Запорное кольцо 2 имеет возможность ограниченного поворота и фиксации в нужном по.ложении винтами 5....

Номер патента: 1026092

Опубликовано: 30.06.1983

Авторы: Бардин, Беспалов, Миков, Цетлин

МПК: G01R 19/00, G01R 31/26

Метки: обратного, полупроводниковых, приборов, силовых

...с компаратором, второйвход которого соединен с испытываемым иэделием 2 .Недостатком такого устройства являются большие время контроля и погрешность измерения тока,Цель изобретения - уменьшениевремени контроля и погрешность измерений.Поставленная цель достигаетсятем, что в устройство для измеренияобратного тока сидовых полупроводниковых приборов, содержащее трансфор- З 5матор, первый вывод вторичной обмотки которого соединен с выводомобъекта контроля, второй вывод объекта контроля соединен через шунт с общей шиной устройства, измерительный 40прибор, соединенный с шунтом, первый вывод первичной обмотки трансфор-матора соединен с пусковым тиристором,параллельно"встречно с который соеди-нена цепь иэ последовательно соединен-.45ных диода...

Номер патента: 1026094

Опубликовано: 30.06.1983

Авторы: Воинов, Кругликов, Ледовской, Чалый

МПК: G01R 31/26

Метки: варианты, динамического, его, надежности, полупроводниковых, приборов

...другому варианту способа динамического контроля надежности, измеряют длительность переходного процесса при отключении источника питания.На чертеже представлена структурная схема осуществления способа.Сущность способа основана на том,что процесс старения полупроводникового прибора можно рассматриватькак Фазовый переход второго рода,из доказательства которого следуетизменение теплоемкости приборасо временем (и в зависимости от плотности дефектов), а следовательно, изменение как сопротивления, таки емкости прибора, приводящее к иэ.менению длительности переходногопроцесса в нем при подключении .илиотключении напряжения источника пи 5 тания. При этом длительность переход. -ного процесса может быть оцененав соответствии с выражением...

Номер патента: 1027652

Опубликовано: 07.07.1983

Авторы: Антюфеев, Венцковский, Ковтун, Самойлов

МПК: G01R 31/26

Метки: классификации, полупроводниковых, приборов

...с первым входомЪсчетчика, второй вход которого подключен к входу управления первого реверсивного счетчика и первому входу блока управле ния, выход второго преобразователя- формирователя соединен с первыми вхо дами четвертого и пятого элементов И, выходы которых подключены к вычитающему и суммирующему входам второго реверсивного счетчика, выход которого соединен с первым входом схемы сравнения, второй вход которой подключен к выходу первого реверсивного счетчика, а выход схемы сравнения соединен с входом блока управления и блока декодирования и через элемент задержки с управляющими :входами первого и второго реверсивных счетчиков, выходы счетчиков соединены с. соответствующими входами блока декодирования, выходы которого подключены...

Номер патента: 1027653

Опубликовано: 07.07.1983

Автор: Шафер

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: полупроводниковых, структур, фотоответу

...чертеже представлена структурнаясхема предлагаемого устройства.Лазерный луч источника 1 лазерного1 излучения направляется на блок 2 сканирования, с которого поступает в оптическую систему 3, а затем на нсследуемую полупроводниковую структуру 4. Выход исследуемой полупроводниковой структуры 4 соединен с входом усилителя 5 фотонапряження, выход которого соединенФс первым входом видеоконтрольного блока (ВКБ) 6. Синхронная работа всего уст 10 ройства задается генератором 7 сннхроимпульсов, первый и второй выходы которого соединены соответственно с первыми и вторыми входами синхронизации блока 2 сканирования, блока 6 и блока 15 8 управления, состоящего иэ первого н второго ждущих мультивибраторов 9 и 10, первого и второго формирователей 1 1...

Номер патента: 1029271

Опубликовано: 15.07.1983

Авторы: Корнух, Кудриченко

МПК: H01L 23/36

Метки: охлаждения, полупроводниковых, приборов

...что приводит к использованию их при значительно меньших мощностях.Цель изобретения - повышение эффективности охлаждения путем обеспечения равномерного теплового поля наконтактной пластине.1Поставленная цель достигается тем,что в устройстве для охлаждения полуЗ 5"проводниковых приборов, содержащемконтактную пластину с рабочими поверхностями и с каналом для охлаждаю"щей жидкости, выполненным в виде двухспиралей, бифилярно соединенных междусобой, спирали канала расположеныв одной плоскости, параллельной рабо"чим поверхностям;,контактной пластины,причем между смежными винтками спи,ралей канала выполнены сообщающиеся. с ними пазы, поперечное сечение которых меньше поперечного сечения каналаПазы ориентированы под углом на"встречу...

Номер патента: 1028388

Опубликовано: 15.07.1983

Автор: Теребенин

МПК: B07C 5/344

Метки: полупроводниковых, сортировки

...31 смонтированы в дисках 8 и 9, На осях 30 закреплены рычаги 32, которые тягами 33 соединены с плечами 34 Г-образных рычагов 35. 15 Рычаги 35 установлены на осях 36, которые закреплены в кронштейнах 37, расположенных на диске 9. В полом валу на направляющей шпонке 38 установлен толкатель 39 с возможностью вертикального перемещения от кулака 40 с помощью ролика 41. Плечи 42 рычагов 35 расположены над толкателем 39. К неподвижному корпусу 43 прикреплены копиры 44 и 45. На копире 45 имеются пазы 46, количество которых равно количеству одновременно поступающих на сортировку изделий. Под ротором на неподвижном основании 47 расположены вибробункер 1, позиции измерения и накопители 4 с электромагнитами 48. Позиции измерения состоят из...

Номер патента: 1031660

Опубликовано: 30.07.1983

Авторы: Афанасьев, Лифлянд, Свириденко

МПК: B23K 3/00

Метки: выводов, пайки, полупроводниковых, приборов

...установленными на них каретками 4 и 5 вертикальных перемещений, сопряженные под действием пружин 6 и 7 с приводами 8 и 9 вертикальных перемещений.Для отсчета исходного и рабочих положений кареток 4 и 5 по вертикали служат датчики 10 и 11 (фиг. 3). В нижней части корпуса 1 закреплена опора 12 с рабочим столиком 13 под плату.На каретке 5 вертикальных перемещений координатного стола 3 (фиг. 3) установлена головка 14 пайки, содержащая коромысло 15, на одном конце которого закреплен инструмент 16 постоянного нагрева, а на другом конце расположен контактный датчик 17 касания инструмента о вывод, совмещенный с контактной площадкой платы. Датчик 17 состоит из электрического контакта 18, закрепленного на коромысле 15 и контактного винта 19,...

Номер патента: 1031694

Опубликовано: 30.07.1983

Авторы: Подувальцев, Сизов, Славинский

МПК: B23K 20/10

Метки: полупроводниковых, приборов

...последней сварочной точки2.Основной недостаток этого способа заключается в том, что для обрыва проволоки к ней прикладывают усилие, величина которого е несколькораэ превышает величину прочности прово-локи. Это часто приводит к тому,что проволока обрывается не в местеподреза, который получают в процессе сварки, а на некотором расстоянии точки,от него, или образуется вырыв в мес- . На чертеже представлена схемате образования сварной точки. На осуществления способа,этот вид брака приходится до 2 бракованных иэделий,з 1031694 4мировать проволочную перемычку между Если величина .Растягивающегодвумя контактными площадками 3 и 4 усилия не превышает величинупрочнои отделитвпроволоку 5 от соедине- : сти проволоки на границе сварочнойния...

Номер патента: 1035537

Опубликовано: 15.08.1983

Авторы: Бырин, Целемецкий, Ясаков

МПК: G01R 31/27

Метки: неисправности, полупроводниковых, приборов

...и выявлении их недопустимых отклонений путем сравнения с эталон ными в качестве внешнего воздействия используют прикладываемое к приборам 49 электрическое напряжение, а ответ,ную реакцию регистрируют, измеряя параметры генерируемых приборами акустических сигналов, вызываемых протеканием электрического тока 5 например, спектральную плотность амплитуд.Предложенное техническое решение базируется на явлении сопровождения процесса открытия р-и перехода акустическим сигналом, т.е. на акустической эмиссии электронно-дырочного перехода полупроводникового прибора, обусловленной конно-звуковой неустойчивостью плазмы твердого тела при протекании через нее электрического тока.На фиг. 1, 2 и 3 приведены временные диаграьвы амплитуды ь, мощ-ности М...

Номер патента: 1035684

Опубликовано: 15.08.1983

Авторы: Козьянский, Мурадов, Нежданов

МПК: H01L 23/40

Метки: крепления, полупроводниковых, приборов

...на поверхностях прижим;ного элемента, контактирующих сзакрепленными элементами.Цель изобретения - уменьшениегабаритов и повышение надежностив работе.Укаэанная цель достигается тем,что в устройстве для крепления полупроводниковых приборов, содержащемцилиндрический корпус с опорнымиплощадками для установки полупроводниковых приборов, расположенными наего наружной поверхности, и прижимнойузел, снабженный стяжным элементом,на наружной поверхности корпусавыполненыопорные выступы, междукоторыМи расположен ; стяжной элементприжимного узла, а опорные площадкирасположены симметрично по обе стороны опорных выступов с угловым шагом,величина которого увеличивается всторону от каждого опорного выступапо следующей зависимости:и-л1 иА р 2.в"сеюи-л1-ИМ...

Номер патента: 886623

Опубликовано: 30.08.1983

Авторы: Агафонов, Бондарь, Гарбузов, Ермакова, Лебедева

МПК: H01L 21/66

Метки: внешнего, выхода, излучающих, измерений, квантового, полупроводниковых, структур, электролюминесцентных

...для электролюминесцентных измерений внешнего квантового выхода излучающих полупроводни ковых структур, содержащее источник питания, соединенный с зондом и плоским омическим контактом, и калиброванный Фотоприемник, соединенный с измерительным блоком 2 .Для определения абсолютных значений внешнего квантового выхода с помощью такого устройства требуется проведение специальных экспериментов по определению эффективности захвата и передачи излучения световодом. Кро 35 ме того, в измерениях всегда будет присутствовать ошибка, связанная с поглощением части излучения под капилляр" ным контактом.40Целью изобретения является повышение точности измерений.Цель достигается тем, что в устройстве для электролюминесцентных измерений внешнего...

Номер патента: 1038984

Опубликовано: 30.08.1983

Авторы: Иваш, Лепетило, Мурашко, Черкасов

МПК: H01L 21/50

Метки: кристаллов, основаниям, полупроводниковых, приборов, присоединения

...10 кристаллов расположен под нагревателем 3 механизма 2 подачи основний, поэтому для защиты адгезионного носителя 1 О кристаллов от воздействия температуры нагревателя 3 на тракте механизма 2 подачи оснований между нагоевателем 3 и держателем 9 адгезионного носителя 10 кристаллов закреплен узел30 16 охлаждения адгезионного носителя10 кристаллов, выполненный в виде полого экрана 17 (фиг. 3 ) с прикрепленной к нему коышкой 18 с отверсти" яйи 19 и штуцером 20 для отбора теплого воздуха от адгезионного носителя 1 О (фиг.1 и 2 ) кристаллов 21,Для компенсации возможной температурной и усталостной деформации адгезионного носителя 10 кристаллов держатель 9 адгезионного носителя 40 содержит механизм компенсации деформации адгеэионного носителя...

Номер патента: 1039038

Опубликовано: 30.08.1983

Автор: Климов

МПК: H05K 7/20

Метки: полупроводниковых, приборов, теплоотвод

...камеры. Кроме того, такой теплоотвод не имеет устройства, направляющего поток воздуха в камеры., Наиболее близким к предлагаемому является теплоотвод для полупроводниковых приборов, содержащий корпус, цилиндрические камеры, выполненные из металлического листа, и Ц-образные отражатели, расположенные между каюерой и корпусом по их периметру.4 -образные отражатели служат для создания потока воздуха в область, расположенную над корпусом транзистора 2Недостатками известного теплоотвода является трудность сожания тягового эффекта и сложность изготов- лениями зЦель изобретения - повышение эффекгивности охлаждения.Указанная цель достигается тем,что в геплоотводе для полупроводнико-вых приборов, содержащем корпус, цилиндрические камеры,...

Номер патента: 1042936

Опубликовано: 23.09.1983

Авторы: Гуляев, Калачев, Сизов, Славинский

МПК: B23K 31/02

Метки: монтажа, полупроводниковых, приборов

...группы одинаковых.5 Свариваемый прибор подают на предметный столик устройства, закрепляюти совмешают контактную площадку корпуса с осью инструмента. После этого начинают формирование первой перемычки,приемы образования которой изображеныв виде диаграммы на фиг. 1. Под воздействием привода вертикального перемещениясварочный инструмент с проволокой опускают с минимальной дискретностью из исходного положения до контактной плошад 15 ки корпуса прибора, уровень а на диаграмме. Время опускания сварочного инструмента фиксируют в памяти вычислительногоустройства, а по нему определяют уровеньплошадки под первую сварку. После опускания сварочного инструмента с проволо 20 кой на контактную площадку производятсварку. Затем сварочный инструмент...

Номер патента: 1043573

Опубликовано: 23.09.1983

Авторы: Гармашов, Кострицкий, Сафонов

МПК: G01R 31/26

Метки: допустимого, максимально, полупроводниковых, приборов

...с блока задания тока и со"ответствующих приращениях испытательного напряжения, измерительныйблок включается как в области ВАХиспытуемых приборов с положительнымзначением дифференциального сопротивления, так и в области ВАХ с отрица-,тельным значением дифференциальногосопротивления, В первом случае измеряемый параметр эанижается, а вовтором иэ-эа локально выделякщейсямощности при переключении приборыразрушаются. Защиту испытуемас приборов от разрушения можно повыситьпутем уменьшения приращений дискретно возрастающего сигнала с блока задания тока как при неизменных соответствующих им, приращениях испытательного напряжения, так и при од-новременном уменьшении их значений. 5 Однако это приводит к еще большему занижению...

Номер патента: 1045177

Опубликовано: 30.09.1983

Авторы: Алексеева, Ефимова

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: диэлектрических, защитных, испытания, покрытий, полупроводниковых, приборов

...плоских закругленных металли.ческих электродов, размещенных на поверхности исследуемого диэлектрического покрытия, введена подложкаиз диэлектрического материала, система электродов выполнена в виде ппротяженных центральных электродов,по обе стороны каждого из которыхразмещены щ боковых электродов, приэтом подложка расположена на систеЗ 5 ме электродов со стороны, противоположной исследуемому покрытию,выступы которого размещены в зазорах между соответствующими боковымии центральными электродами, величи на укаэанных зазоров равна ширинеобласти объемного заряда на поверхности р-и перехода полупроводникового прибора, а его протяженностьпериметру р-и перехода, причемудельиоесопротивление подложки определяется из соотношения ельные...

Номер патента: 1045313

Опубликовано: 30.09.1983

Авторы: Шабанов, Шенгуров

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: полупроводниковых, проводимости, слоев, структур, типа

...цншии компоцецтцв, мсГ.(Г:П.)явиковая к 31 слОтс 2,0-;Вода Остальцое а тип проводимости ццредслякт из соотццшеия линейных размеров образовавшихся ямок, причем меньшие размеры ямок соотвлствуют слоям р-типы, ы большие п-типа.На фиг. 1 приведена диаграммы, цокызыБаюшд 51 ОГряничеци 51 15)смени т")ЯБ 1 ец 3)я. П,101 НОСТИ ТЦКЯ И КЦЦЦ(сЦТРЯЦИИ 1)пасЗИКОВЦИ кислоты цри рса,тизации изобрстеция; цы фи 2 х 3 крсс)цтц рафия ск(кы эпитыксиалыкй л руктуры р-и-п тица Ны фи. 3 м и к р О ф ц т 0 Г 1) я ф и и я м ц к т р а Б, ) с ц и я д Г 1 я п,1 ы стин с рызг)ичный т)Г 1 цм прцвц,ихО(ти рызц удсльцым сспрц)3 Гзг)сиисм.На фиг. 1 осизцачсно: область 1 фцрми- Г)овация коричневой пленки цы ццвсрхцост; скоса, которая це позволяет цаблкдать ях)к 1,...

Номер патента: 1046802

Опубликовано: 07.10.1983

Авторы: Лаврухин, Новоселова

МПК: H01L 21/00

Метки: пластин, полупроводниковых, тара

...оси ручки, а корпус снабжен кварцевой защитной подложкой, закрепленной в его донной части.На фиг. 1 изображена тара с открытой крышкой общий вид; на фиг.2 то же, с закрытой крышкой; на фиг.3,- разрез А-А на фиг,2 (ручка поднята на фиг,4 - узелна фиг.2 ( ручка в поднятом положении); на фиг.5 - то 55 же(ручка в опущенном положении 2.Тара для полупроводниковых пластинфиг. 1-3) состоит иэ корпуса 1 и 02 2крышки 2, изготовленных из листовой нержавеющей стали толщиной 0,4 мм и соединенных шарниром 3, С боков тары расположены подпружиненные крышки 4, которые удерживаются в закрытом или открытом положении пружинными меха-. низмами 5. Ручка 6 для переноса тары жестко связана с осью 7, имеющей вцентре фиксатор 8. Тара снабжена замком,...

Номер патента: 1047381

Опубликовано: 07.10.1983

Авторы: Бохдан, Ежы

МПК: B23K 11/10

Метки: интегральных, контактным, площадкам, полупроводниковых, приварки, проволоки, схем, элементов

...проволоки 1.Недостатками данного способа являются относительно большая продолжительность процесса сварки и ограниченная его производительность.Цель изобретения - повышение производительности,Поставленная цель достигается тем чтб согласно способу приварки проволоки к контактным площадкам полупроводниковыхэлементов и интегральных схем; заключающемуся в прижатии инструмента с проволокой или с проволокой с шариком к подогреваемой контактной площадке с последующим деформированием шарика или проволоки, перед деформированием по проволоке или шарику ударяют инструментом с массой 0,5-5 г со скоростью 5-20 см/с, - а деформирование проволоки осуществляют в течение 5-30 мс, 30При этом в процессе деформирования инструментом производят поперечныа...

Номер патента: 1048305

Опубликовано: 15.10.1983

Авторы: Анистратенко, Кирилюк, Оксанич, Спектор

МПК: G01B 7/287

Метки: геометрических, параметров, пластин, полупроводниковых

...блока 2. Манипулятор 1 состоит из корпуса 3, предметного стола 4, измерителя 5, тарированного гравитационного толкателя 6,укрепленных в корпусе 3, ведущего7 и ведомого 8 звеньев, рычага 9и подпружиненного упора 10, такжесоединенных с корпусом 3, Узел взаимодействия наконечника ведомогозвена 8 с гравитационным толкателем6 выполнен с зазором свободного хода,ведущее звено прижимается к подпру-жиненному упору 10. Предметный стол4 снабжен тремя базовыми опорами 11,выполненными в виде датчиков каса.ния, двумя дополнительными опорами12, расположенными выше уровня базовых опор, и двумя дополнительнымиопорами 13 ниже уровня базовых опор11. Вблизи предметного стола 4 установлены фиксаторы 14 ориентации.Тарированный гравитационный толкатель...

Номер патента: 1051077

Опубликовано: 30.10.1983

Авторы: Гайдялис, Ермакова, Каширский, Кузнецова, Лопырев, Мячина, Сидаравичюс, Синицкий, Усс

МПК: C07D 235/08, H01L 51/00

Метки: 1-винил-нафто-(2, 3)-имидазола, комплексы, полупроводниковых, фотопроводниковых

...(С=:1,08 10г-моль/л). Наблюдают появление темно-зеленой окраски,а в электронных спектрах обнаруживаютновую полосу поглощения с двумя максимумами при 540 и 613 нм. Составкомплекса 1:1,П р и м е р 5, При приливании к10 мл раствора 1-винил-нафто-(2,3) -имидазола в хлороформе (С=1,7 10 г-моль/л),10 мл раствора тетрацианэтилена в хлороформе С=2,19 10г-моль/л) наблюдают окрашивание совместного растворав цвет хаки. В электронных спектрах,появляются три новые полосы поглощения с максимумами 530, 580, 625 нм.Состав комплекса 1:1,П р и м е р 6, К 10 мл раст1-винил-нафто-(2,3)-имидазола вроформе (С 1,7 10 2 г-моль/л) прили6 ВНИМА ветложелты 540 О,80 0,5 613 25 0 Хлоран 0 трациаилен есцвет ый 0 65 Светложелтый 52 ринитро флуорено Хлоранил...

Номер патента: 1051622

Опубликовано: 30.10.1983

Авторы: Жердиенко, Новиков

МПК: H01L 21/66

Метки: полупроводниковых, приборов

...кассетойдля полупроводниковых приборов. 2блоку, выполненный в виде установленной с возможностью возвратнопоступательного перемещения панели .с,контактными элементами, кассета 5 установлена с возможностью переме.щения параллельно панели механизмадля подключения полупроводниковыхприборов к измерительному блоку, аконтактные элементы панели выполнены 10 в виде втулок с коническими отверстиями.При этом панель механизма дляподключения полупроводниковых прибо-ров к измерительному блоку снабжена упором, выполненным в виде ролика, установленного с возможностьювзаимодействия с кассетой для полупроводниковых приборов.На фиг.1 изображено устройство,общий виду на фиг.2 - вид А на фиг.1на фиг.З - контактный элемент.Устройство содержит кассету 1.с...

Номер патента: 1051624

Опубликовано: 30.10.1983

Авторы: Гусев, Малинин, Мочалин, Родионов, Смирнов, Хрычев, Щипунов, Юшкин

МПК: H01L 21/66

Метки: параметров, полупроводниковых, слитков, электрофизических

...пружиной 13В ручке 9 установлен микровыключатель 14 для включения измерительногоблока 3, Для фиксации каретки 7 вцентре направляющей 5 предусмотренфиксатор 15, а для фиксации положения тарели 4 относительно корпуса1 - фиксатор 16,.Механизм фиксации корпуса 1 относительно слитка 17 выполнен в видерычагов 18 и 19, попарно установленЗ 0 ных на поворотных осях 20, размещенных на корпусе 1, Рычаги 18 установлены на осях 20 шарнирно и кинематически связаны с ними пружинами21. На концах рычагов 18 шарнирно 35 закреплены угловые упоры 22, имеющие корпусный выступ 23. Рычаги 19жестко закреплены на осях 20 и снаб.жены упругими прижимами 24, шарнирно закрепленными на концах рычагов 40 19 и выполненных в виде упругихэластичных шайб 25....