Патенты с меткой «полупроводниковых»

Номер патента: 489165

Опубликовано: 25.10.1975

Авторы: Аксенов, Блохин, Клюев, Павлов, Филиппов, Чернявский, Шабельников

МПК: H01L 7/68

Метки: зондовая, полупроводниковых, структур

...следующие обоэнлчения: Э,Б,К - условное подключениеэмиттера, базы и коллектора проверяемойструктуры к испытательной схьме на схе ме условнО не показаны лектроиэоляпиязондоь и предметного стола и привод установки);- длина зонда; Я - фокальная плОскОсть,расстояние От Осикачания зонда до плоскостч Я ; а Й - глу- М . бина резкости оптнческой системы;3тт, /( / тт Ь,ГтюСтрттЛа ттрогцбй Зотнда, д Гт з рейкцмя койтактной площадки; д 5,Ф,ДНЙ РИСКИ,Установка состоит из оптического уст- ООЯСТВД Д КОЦПусаПредМ 8 ТНСГОтС МВХИНИЖ 4 ОМ П 8 Ремещеиият ДВУХ ИЗМед рительиых ЗОНДОВ 4 с механизмами переМеиеции.Работа установки осущеслаиется сл"=дттт ттцти Образом,,т ЬОВВРЯеыатя ПЛИСТИНа 5 З 2 КР 8 ПЛЯЕ"СЯтРЕДъ,тЕтНОМ дРП 8 3 ВаттттУ 1 т,п.тт т ПРИМОМ И...

Номер патента: 489368

Опубликовано: 25.10.1975

Автор: Якоб

МПК: H02H 3/08

Метки: двухпроводных, защиты, перегрузки, полупроводниковых, цепей, элементов

...1, 2 и выходные 3, 4 зажимы устройства предназначены для под соединения соответственно источника питания и нагрузки (на чертеже не шэказаны).В сотельным проводом 12. В результате это- го основной ток проходит не через магнитную катушку, а через транзистор 10.В устройстве, показанном на фиг. 1, конец резистора 8, подключенный к кон тактам 6, соединен через диод 13 с основанием транзистора 10, а в устройстве, показанном на фиг. 2, вместо диода 13 включен транзистор. 14 с резисторами 15 и 16 в цепи его базы. 10Устройство работает следующим образом.По мере увеличения тока потребления напряжение на резисторе 8 возрастает и при достижении пробивного напряжения дио да 13 (см, фиг, 1) последний открывается и запирает транзистор 10. В...

Номер патента: 489775

Опубликовано: 30.10.1975

Авторы: Агапитова, Колмаков, Лысенкова, Николаев

МПК: C09D 5/20

Метки: временной, защиты, пластин, полупроводниковых, состав

...при следующем соотношении компонентов, вес. ч.:Поливипилацетат 8,7 - 11,1 Метакриловая кислота 5,4 - 6,7 Нпзший спирт 100Готовят композицию следующим образом. Твсрдьй поливинилацетат, выпускаемый промышленностью, растворяют в этиловом спирте. После рараствор вводремешиваютботы.5 Состав надами напластины, аПосле резпутем раств0 рителях. творения поли ят метакрплову после чего сост пил ацетата в кислоту и пеготов для раизвестным мето- олупроводниковой носят лпобымповерхностьзатем сушат.ки пластиныорения его в о крытие с анических мают аствооста Своиства едлагае- мый звест ныи 80 - 90 Поврежде защити за счет Время су Время сн рыт и, иная поверхностьой пленки при резкнабухания, оошки при 60 С, минятия защитного покмин 0 - 25 8 - 10 2...

Номер патента: 490047

Опубликовано: 30.10.1975

Авторы: Денисюк, Копыл

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: полупроводниковых, потенциально-нестабильных, приборов

...полупроводниковых диодов и транзисторов путем измерения интенсивности шумов. В известном способе измеряется интенсивность шумов в эксплуатационном режиме и при приложении к прибору обратного напряжения, По отношению результатов измерения судят о потенциальной стабильности приборов.Недостатком известного способа является невозможность обнаружения объемных дефектов, например микротрещин, неоднородностей материала и ограниченность применения только для испытаний транзисторов и диодов.Целью изобретения является повышение достоверности и расширение функциональных возможностей измерений.Цель изобретения достигается тем, что после измерения интенсивности шумов в эксплуатационном режиме пропускают через испытуемый прибор импульс тока, в 1,5 - 5...

Номер патента: 490048

Опубликовано: 30.10.1975

Авторы: Воробьев, Шевцов

МПК: G01R 31/26

Метки: полупроводниковых, приборов

...и соответственно увеличения габаритов всего устройства.Целью настоящего изобретения является повышение точности измерений.Для этого в яноднуо цепь испытуемого прибора включен диод в обратной полярносп, параллельно которому полкСЛСДДВЯ 1 СЛЬНО 00 СДИЦЕЦНЫЕ ИСТОЧ1 д Гдка и дросссль.11 я чертеже приведена схем 1 Описывяс"10 к) сстрдйства. Оц сд;тдпт из истоника 1 пап;)5 же 1151 1 сдсд:1 Спид 0 п)рял;СГьпд с них 1 111:)И ГОЛ:О 0 К)ПДС)СЯОР;1, ПдГГС:10 ВЯГЕЛЬП) С КДОРЫ.1, ВКЛЮЕ 11 ППДКтцни)ГГЬ Э, вк:1 ючсццыи в одраПО.1 напр евлсппп (дтоситсльпо истс шика 1 напряжения) диод 4, параллельно ко01 ох Подкл 0 чен я цспОчкя з последовательно соединеннык источника 5 прямого тока, дио;1 Я 4 и дросселя 6, испыт)с)оо пр;боря 7 и шуцтя 8, я также...

Номер патента: 491879

Опубликовано: 15.11.1975

Авторы: Кононович, Парняков

МПК: G01N 21/16

Метки: дефектов, полупроводниковых, приборов

...различного характера дефектов, осуществляемым путем наблюдения изображения объекта с помощью оптических приборов.Известен визуальный способ контроля дефектов полупроводниковых приборов, в котором используется изменение характера освещения, например, поочередное включение освещения по методу темного или светлого поля.Для повышения качества контроля по предлагаемому способу освещение исследуемого объекта производят одновременно с сканированием полученных зон, т. е. при этом согласовано перемещают сформированные зоны по объекту, и во время этого смещения зон виты на поверхности зуально определяют дефеобъекта.Предложенный способзован как в отраженном,свете. ожет быть реали к и в проходящеи редмет изобретенп Способ контроля дефект вых...

Номер патента: 494779

Опубликовано: 05.12.1975

Авторы: Зигфрид, Рольф, Хорст

МПК: H01F 41/04

Метки: автомат, выводов, полупроводниковых, резисторов

...неподвижными нижними частями и поворотными верхними ча стями (фиг. 11 - 13). Как видно из (фиг. 6),механизмы фиксации 19 жестко соединены с неподвижным корпусом подшипника 20, а механизмы фиксации 19 а с подвижным корпусом подшипника 20 а так, что расстояние ме жду зажимами от корпусов подшипников независит от длины армируемого корпуса, всегда остается одинаковым. Одновременно через кулачковую шайбу 28 и шток 29 (фиг. 2) соответствующий сегмент состоящего из трех зо частей барабанного кулачка 11 поднимаетсяи отводит вниз посредством зубчатой рейки 10 и зубчатого сегмента 9 поворотный рычаг 8 так, что выступающие из направляющей для проводов, состоящей из двух частей, концы провода прилегают к корпусу 14 (фиг. 1 и 2).С целью точной...

Номер патента: 496514

Опубликовано: 25.12.1975

Автор: Терентьев

МПК: G01R 31/26

Метки: нестабильности, параметров, полупроводниковых, приборов

...уравновеши ции, а и сположен ильности п точек ругамели. ектральных составляю образцового сигналов. ани котро мог ции ряд звестен способ контроля нестаби токов р- Рт -переходов, уемому транзистору за ерения по постоянному т т значение обратного то е моменты времени и п етов определяют величи ний, Это достигается те спектра контролируемогоают циклической огибаюшей сигнала и определяют ха На фиг. 1 дана блок-схема устройствадля реализации данного способа; на фиг, 2 -спектр измеряемого сигнала, развертываощий слектр и расположение точек уравновешивания спектральных составляющих контролируемого и образцового сигналов,Устройство содержит блок 1 заданияисходных режимов испытуемому прибору, ккоторому подключен блок 2 развертываюпво...

Номер патента: 496515

Опубликовано: 25.12.1975

Автор: Наливайко

МПК: H01L 21/66

Метки: времени, высокоомных, жизни, носителей, полупроводниковых, свободных, сопротивления, удельного

...резонансная частота резонатораО(рабочая частота при проведении измерений).В известном устройстве точность измерения снижаетея из за наличия неконтролируемых зазоров между штырем резонатора и исследуемым образцом, которые уменьшают коэффициент включения образца в резонатор.Целью изобретения является повышение точности измерений, Она дос 1 игается тел 1, что торец емкостного штыря в измерительном резонаторе выполнен сферическим,На чертеже изображен измерительный резонатор описываемого устройства с номешенным в него исследуемым образцом,Резонатор образован отрезком волновода 1, емкостным штырем 2, введенным в волновод 1 через его широкую стенку, и снабжен элементами 3 и 4 связи, служашило 1 для ввода и вывода энергии СВЧ колебаний. Торец 5...

Номер патента: 496516

Опубликовано: 25.12.1975

Авторы: Ермолаева, Калекин

МПК: G01R 31/26

Метки: диодов, обратных, полупроводниковых, токов

...следуюшим обраОбратное напряжение, совпадающееОзе с положительной полуволной напряжения питания сети, поступает через пе-,реключатель 4 на измеряемый диод 1. Обратный ток, протекающий через конденсатор7 заряжает его. При этом амплитуда напряжения на конденсаторе пропорциональнасреднему значению обратного тока за одинпериод напряжения питающей сети, Когдаконденсатор заряжается, полевой транзистор закрыт положительным напряжением, рподаваемым на его затвор с формирующейцепочки. В интервале времени, составляющем 210-;330 периода питающей сети,полевой транзистор 8 открывается отрицательным напряжением с формирующей цепи 15и интегрирующий конденсатор разряжаетсячерез ограничительный резистор 9, Напряжение через резистор 9,...

Номер патента: 497709

Опубликовано: 30.12.1975

Автор: Иоаннесянц

МПК: H03F 1/00

Метки: детекторов, полупроводниковых, сигналов, усиления, электрических

...и одновибратор - с его управляющим входом,На чертеже представлена принципиальна труктурная схема устройства для усилени лектрических сигналов пол упро води иковы детекторов. оиство состоит из каскадана полупроводниковом де м транзисторе 3 и конденсато транзистора 5, усилителя 6, 7, дифференцирующего уст браторов 9 и 10, линейного ля напряжения 12 на рези Устройство работает следующим Интервал времени 1 иопользуетс ления сигналов полупроводникового ра 2. Сигналы полупроводникового детектора 2 интегрируются на входе, инвертируются усилителем 6, дифференцируются устройством 8 и проходят через открытый линейный ключ 11. В конце интервала времени 1 з срабатывают дискриминатор 7 и одновибраторы 9 и 10. Длительность выдержки...

Номер патента: 499694

Опубликовано: 15.01.1976

Авторы: Бараник, Катериночкин, Катин, Стременов, Яковлев

МПК: H05K 13/08

Метки: ориентации, полупроводниковых, элементов

...устройства.Устройство содержит формирователь команд 10 1, состоящий из последовательно соединенныхгенератора импульсов 2, счетчика 3 и дешифратора 4, контактный узел 5, элементы сравнения импульсов 6 - 9, триггеры 10 - 13, сборку. - элементы ИЛИ 14, устройство управ ления 15 исполнительным механизмом 16, датчики положения 17 - 20.Устройство работает следующим образом.При подаче сигнала Ориентация на счетчик 3 последний запускается, и импульсы с 20 дешифратора 4 проходят через контактныйузел и выбранный резистор ориентируемого прибора 21 на схемы сравнения. При совпадении сигналов на соответствующем элементе сравнения импульсов 6 - 9 с выхода его вы дается импульс, сигнализирующий о положении орпентируемого прибора.Указанный импульс...

Номер патента: 500509

Опубликовано: 25.01.1976

Авторы: Лисенкер, Марончук

МПК: G01R 31/00

Метки: полупроводниковых

...поро говому для эффекта Ганна, в диапазоне частот, по крайней мере; в 1000 раз меньшепролетной.Предлагаемый способ контроля прлупроводниковых материалов обладает тем преимушеством, что он учитывает процессы, протв-фкаюшие в сильных электрических полях искажающие эффект Ганне, и позволяет пред-сказать ожидаемую мощность по пролетнойчастоте,Сущность предлагаемого изобретения сооит в си500509 Составитель р ал,х,Редактор Е,Гончнр Техред Иуарандашова Корректор р.црыксина Изд. МТираж 1029 Подписное Заказ 4915 сударствениого комитета Совета Минис по делам изоор.тений и открытий Москва, 113035, Раушская наб 4 в СССР ИИПИ филиал ППП "Патентф, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 примесный пробой центров с анергией меньше Ес,36 эв и др,Эти процессы...

Номер патента: 502282

Опубликовано: 05.02.1976

Авторы: Баранский, Галкин, Климов, Коломоец, Левинзон, Шаповалов

МПК: G01N 3/00

Метки: внутренних, кристаллах, напряжений, полупроводниковых

...достигается тем, что испытуемый образец подвергают одноосному сжатию вдоль определенного кристаллографического направления, измеряют величину удельного электро- сопротивления по этому направлению в функции от напряжения сжатия, и по средней величине смещения линейного участка этой зависимости для испытуемого образца относиалкин, В. А. Климов, В, В. Коломоевинзон и В, П. Шаповалов линеиного участка тои же зависимосятой для контрольного образца, судят ошении напряжений в этих образцах, ертеже изображены графики исследуевисимостей. Согласно предложенномуконтроль осуществляется путем изя для сравниваемых образцов зависиудельного сопротивления от приложенешнего механического напряжения при ом сжатии. Затем для каждого обстроят график...

Номер патента: 504076

Опубликовано: 25.02.1976

Авторы: Аммер, Елисеев, Карелин, Постников

МПК: G01B 7/16

Метки: полупроводниковых, тензорезисторов

...требуемой,длины посредством газотранспортных реак 5 ций его помешают между пуансоном и матрицей, выполненными из термостойкого ма,териала, например графита.Профиль пуансона должен соответствовать криволинейному профилю той поверхО ности, на которой .предполагается наклейка тенэореэистора, в профиль матрицы дол.- жен представлять собой эквидистантную поверхность, отстоящую от поверхности пуансона на велипину, рван,ю толц 1 ине криб ствлла. Затем кристалл вместе с матрицейи пуансоном нагревают в инертной среде дотемпературы,пои которой упругие деформа,ции кристалла, деформированного пуансоном,переходят в пластические, При этоМ подО,действием усилий, приложенных к пуансону,,например, под действием веса пуансона, образуется...

Номер патента: 505057

Опубликовано: 28.02.1976

Авторы: Медведев, Назаров, Салахутдинов, Соколов, Царьков, Шанов

МПК: H01L 25/10

Метки: кассета, кристаллов, полупроводниковых

...загрузка, так как поршень фиксируется в любом положении за счет магнитных сил притяжения,При поштучной выдаче деталей поршень также перемещается (например, под воздействием импульса сжатого газа) до упора, например до устройства поштучной выдачи, и при этом толщина детали не влияег на работу кассеты. Выполнение одной или нескольких стенок прозрачными позволяет визуально контролировать загрузку и выдачу деталей, а также состояние деталей при переносе кассеты с операции на операцию.На фиг. 1 схематически изображена предлагаемая кассета, общий вид; на фиг. 2 - разрез по А - Л на фиг, 1.Кассета состоит из магазинного накопителя 1 с внутренним отверстием 2 по форме детали, магнитного поршня 3, выполненного по форме внутреннего отверстия...

Номер патента: 508826

Опубликовано: 30.03.1976

Авторы: Белебашев, Голов, Журавлев, Зенцов, Крылов, Кук, Ловцов, Ревтов, Селезнев, Учайкин

МПК: H01L 29/12

Метки: контактов, омических, полупроводниковых, приборов, сило-вых, сплав

...с термокомпенсатором.Целью изобретения является снижение электросопротивления в контакте р - р+ и уменьшение инжекции при одновременном улучшении качества контакта.Поставленная цель достигается тем, что в известный сплав дополнительно вводится металлическая добавка, например, вольфрам или молибден,По предлагаемому способу для одновременного улучшения электрических характеристик омических контактов к кремнию р-типа проводимости и улучшения соединения с вольфрамовым (или молибденовым) термокомпенсатором алюминий или силумин легируют комплексной присадкой, содержащей бор и вольфрам (молибден) примерно в равных долях.Благодаря более высокой растворимости бора в кремнии (6.10" ат/см) по.сравнению с алюминием (1,5,10 е ат/см)...

Номер патента: 512440

Опубликовано: 30.04.1976

Авторы: Кукин, Мартяшин, Морозов, Чураков, Шевченко, Шляндин

МПК: G01R 27/26, G01R 31/26

Метки: емкости, измеритель, полупроводниковых, приборов

...счетчика 13.Перед начало 4 измерения на р - п-переход полупроводникового прибора 1, включенного в цепь отрицательной обратной связи операционного усилителя 2, подается через резистор Я 1 напряжение смещения от источника 3 опорного напряжения постоянного тока. Этим смещением задается режим работы исследуемого р - и-перехода по постоянному току. Эквивалентная схема р - п-перехода полупроводникового прибора в случае подачи на него запирающего напряжения может быть представлена параллельным соединением резистора Я об со значением сопротивления, равным обратному сопротивлению р - п-персхода, и конденсатора С со значением емкости, равным полной емкости р - п-перехода.В установившемся режиме с выхода дифференциального усилителя-ограничителя...

Номер патента: 513413

Опубликовано: 05.05.1976

Авторы: Ломакин, Парфенова, Приходько

МПК: H01L 21/46

Метки: полировальный, полупроводниковых, состав

...качестве абразееаа увеличивает удельный съем при обработке твердых материалов, однако такие составы более " жест. кне", не обеспечивают получения поверхности высокого класса чистоты. Кроме того, суспензнн иа основе такого абразивного материала нестабильны зо эременн (осаждение происходит в течение несколь.: кнх минут),2Цель изобретения - увеличение производительности процесса полирования, снижение теплового аффекта н обработка материалов с твердостью более 7.Поставленная цель. достигается тем, что в полировальную смесь на основе двуокиси кремнии, этилен Введение в состав полировальнои смеси двуокисиО алюминия увеличивает съем с поверхности и расим.ряет диапазон применения состава для обработки пслупроводциковых материалов. Воздействие...

Номер патента: 517064

Опубликовано: 05.06.1976

Авторы: Жуковский, Михайлов, Нейман

МПК: H01G 5/38

Метки: блок, конденсаторов, полупроводниковых, сегнетокерамических

...в результатеобжига блока в среде водорода. Наружнаяповерхность всех граней блока - тонкий слойдиэлектрика с высокой диэлектрической проницаемостью сформированный в процессереокислительного обжига. На поверхностивсех граней блока конденсаторов за исключением узкого пояска 4 нанесены металлические электроды 5,Пазы 1 являются межэлектродными промежутками, разделяющими конденсаторы блока. Число пазов определяет количество емкостей, соединенньФ последовательно в блоке конденсаторов, Контактные выступы 2 служат для припайки блока в микросхему и вместе с пазами 1 позволяют ориентировать блок в процессе монтажа. В смонтированном положении блок конденсаторов приподнят над платой микросхемы на высоту контактных выступов 2 и,...

Номер патента: 517087

Опубликовано: 05.06.1976

Автор: Щукин

МПК: H01L 23/00

Метки: выдачи, кристаллов, ориентированных, полупроводниковых, приборов, производстве, укладки

...кассеты. Кристялдь 17 рвовмецены в ячейках кассет: выполнень:х по концентрическим Окружностям.Устройство работает следуошим образам,Операция укладки кристаллов.Кассету с пустыми ячейкахи, с надотОЙ И ЗафикСРОВЯННОй, НЯПРИМЕР, С ПОМОШЬЮ штифта 1;р 1 нкг" у.танявливают ня вертикальный вад с попс, ком, при этом упогы 8 заходят в б ко, ие нязы крышки и удерживают ее от дад.нейке о перемещения вниз вместе с 1 ассето, . .се.:а,няя Опускяе.ся ниже и д:.Нряется вс ;,д нгц вала, Штифт Вьходит из паза крышкиО .и П,.Зедохрянения уклядыВяе 35 мых кристаллов От Выпадения из ячеек и наоуш ния их рис .тяции зазор между крышкой и кассетой должен бьть установлен менеетод.,дины кристалла,КО 1 лстялл сор 1-нтРоеины 11 ня предмет 1"сЪСТт;НО М СТОЛИК Е...

Номер патента: 403362

Опубликовано: 05.06.1976

Авторы: Антонов, Голото, Казаков, Молдованов

МПК: H01L 21/22

Метки: полупроводниковых, приборов, сборки

...усилии, не превышаю - шем величину предела упругости полупроводникового кристалла.Детали и злементы полупроводникового прибора, контактирующие поверхности которь 1 х имеют шлифовальные или полированные обезжиренные поверхности, помешают в вакуумную камеру (например, с остаточным вакуумом 110 3-110 7 мм рт, ст.), нагревают до температурь., не превышаюшей 0,4 температуры плавления легкоплавкого материала соединяемых деталей, прижимают их друг к другу с удельным усилием, не превышгкицим величину предела упругости голупроводникового кристалла, выдерживают при температуре сварки в те -403362 Составитель М Яенешкинатехред Е Петрова Корректор Е РЕ. Рожкова Редактор И Ш б Изд, М Я Заказ 6310 ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров...

Номер патента: 517863

Опубликовано: 15.06.1976

Авторы: Двинских, Маслов, Парусов, Сергеев

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: легирующей, полупроводниковых, примеси, профиля, структурах

...смещения; 5 в селективный вольтметр первой гармоники; 6 - селективный вольтметр второй гармоники; 7 - фильтр, выделяющий первую гармонику.Устройство для измерения профиля представляет собой генератор 1 строго гармонических колебаний, соединенный с измерительной цепью, состоящий из последовательно соединенных испытуемого образца 2 и параллельного колебательного контура 3, настроенного на удвоенную частоту генератора. К выходу генератора 1 присоединен селективный вольтметр 5 первой гармоники. С колебательного контура 3 напряжение второй гармоники подается на селективный вольтметр 6 второй гармоники, а напряжение первой гармоники через фильтр 7 первой гармоники уппавляет выходным напряжением генератора 1,517863 3Параллельно...

Номер патента: 518169

Опубликовано: 15.06.1976

Авторы: Хайнц, Ханс

МПК: H04N 7/18

Метки: зоны, плавки, полупроводниковых, телевизионное

...9. Пиковый детектор 7 и элемент 8 сравнения напряжений включены между выходом первого 5 и входом второго 6 усилителей, на второй вход элемента 8 сравнения подано опорное напряжение, а переключатель 9 включен между выходом второго усилителя 6 и входом управления генератора 3 горизонтальной развертки.Телевизионное устройство для контроля зо ны плавки полупроводниковых материалов ра ботает следующим образом,Подлежащая контролю зона 10 плавления проектируется оптикой телевизионной камеры51816 У 4 Формула изобретения Составитель О. ТихоновТехред Т. Курилко Корректор Е. Митрофанова Редактор Н. Коган Заказ 1520,16 Изд,1434 Тираж 8 б 4 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 113035,...

Номер патента: 518836

Опубликовано: 25.06.1976

Автор: Вайс

МПК: H02H 7/12

Метки: вентилей, непрерывного, полупроводниковых, преобразователя, структуры, температуры

...вторичной об. мотке трансформатора тока с коэффициентом трансформации, равным числу параллельных вентилей в плече, через устройства отключения электрической цепи и снятия перенапряжения.фхладитель модуля. тора введен в систему охлаждения преобразователя, причем электрические и тепловые параметры венти. ля модулятора и его охладителя идентичны тем же параметрам вентилей н охладителей.преобраэовате - ля. дителя 2 и охладител ляется одной системаждении через охлади хлаждающая преооросуществляется т структуры полупр ется устройством518836 Составитель В. ПушкаревТехред А. Богдан Корректор. А, ЛакПодписное едактор Л. Йародна Тираж 882 о комитета Совета Минобретений и открытий Заказ 2617/264 И Государствен елам из- 35, Раушская н 3035,...

Номер патента: 519793

Опубликовано: 30.06.1976

Автор: Коровинский

МПК: H01L 7/461

Метки: пластин, полупроводниковых, резки

...движение по направляющим 11, Возвратно-поступательное движение рамке сообщается гидро- цилиндром 12. Подача заготовки 13 на инструмент, разворот на 90 и фиксация ее осуществляются приспособлением 14, отсчет координат, перемещение детали на величину изделия с учетом ширины реза - координатным 10 столом 15.На инструмент может поступать электричес 1 сий ток через токосъемники 16 от источника 17 питания, а в зону обработки подаваться электролит через сопло 18. Резка пластин по лупроводникового материала по предлагаемому способу осуществляется следующим образом.Заготовка 13, например пластина к я,закрепляется в приспособлении 14 о 20 присоской.Проволочный инструмент с нанесенными нанем зернами алмазов закрепляется одним концом в...

Номер патента: 519794

Опубликовано: 30.06.1976

Авторы: Никулин, Смирнов

МПК: H01L 21/48

Метки: комплект, перегрузки, полупроводниковых, приборов

...жестко укрепленной на ней направлчющей, а основания цанговых зажимов снабжены выступами и свободно установлены на направляющей, при этом комплект снабжен набором ограничителей в виде 5 прямоугольных рамок с отверстиями по формевыступов, соединяющих смежные цанги.На фиг. 1 изображен общий вид комплекта; на фиг. 2 - вид сверху.Комплект включает в себя кассету, содер жащую прямоугольную скобу 1 с направляющей 2, и набор ограничителей 3. В скобе выполнен паз 4, в который входят выступы 5 оснований 6 цанг 7, Основания цанг свободно установлены на направляющей 2, жестко 25 соединенной со скобой 1 через планку 8, Одно из крайних оснований жестко закреплено на направляющей, Диаметр оснований равен величине шага расположения приборов в емких...

Номер патента: 520647

Опубликовано: 05.07.1976

Автор: Староверов

МПК: H01L 21/46

Метки: ориентации, полупроводниковых, приборов

...установленной впереди фиксирующей и перекрывающей ее скошенную часть.520647 у л иг. 1 Составитель Н, Семенов Орлэвская Техред М. 1 икэвич Корректор Сижа едактор Подписноета Совета Министрний и открытийшская наб д. 4/5 каз 3144/209 ЦНИИПИ ГэсТираж 97 7 арственногэ комит пэ делам изэбрете эсква, Л(-35, Рау СССР 13035 П "Патент", г, Уя, ул. Проектная, 4 На фиг. 1 показано предложенное устройство, вид сбоку, разрез; на фиг. 2 - вид сверху.Устройство состоит из механизма перемещения полупроводниковых приборов, выполненного в виде ротора 1, фрикционной планки 2, закрепленной неподвижно на стойке 3 и служащей для поворота прибора вокруг оси, и двух планок 4, 5, имеющих скосы для их отвода выводами несориентированного прибора при перемещении...

Номер патента: 468549

Опубликовано: 05.08.1976

Авторы: Нуров, Пиорунский

МПК: G01R 31/26

Метки: вольт-амперных, исследования, полупроводниковых, приборов, характеристик

...Це30 релрврывную крнвур,хврзктеркзукщую:отклвеТяения реальной вольт-амперной характерис-я кятики р-о -перехода от идеальной зависягде К - коаффициент передачи согуласувщеГо,устройства.Если между клемъеми 8 вклкйениссле- ф о р и у л а и з о б р е т е н и ядуеммрр - и переход, то через него потечет тот же ток, что н через резистор 6 ч; устройство для исследования вольт-ам. -является фундаментальным свойством оперперных характеристик полупроводниковыхционного усилителя, Вольт-амперная характ приборов, содержащее источник питания,преристика". р - б -перехода описывается ура образователь напряжения в ток и регистринениеМ в области 1 Р-еф 1 ерующееустройство, о т л и ч а ю ш е е -с я тем что, с целью непрерывной регист-,Р"р т 1рации...

Номер патента: 523802

Опубликовано: 05.08.1976

Авторы: Гашенко, Данковский, Доброхотов, Медведев, Ходяк

МПК: B28D 5/00

Метки: неправильной, полупроводниковых, преимущественно, резки, формы

...по диаметру в два ряда, смонтировано вращающееся на шариках 21 монтажное кольцо 22, на наружной поверхности которого выполнена беговая дорожка для шариков, являющееся внутренней обоймой подшипника. Такая же беговая дорожка для другого ряда шариков выполнена на одной из трех направляющих шайб 23, которые закреплены на торце монтажного кольца 22 с помощью стяжных винтов 24. По осям винтов 24 между направляющими шайбами установлены распорные втулки 25. Зазор между шариками 21 и обоймами регулируется гайкой 26, вворачиваемой в корпус 18. Между направляющими шайбами 23 расположены в три ряда по три в плоскости каждого ряда эксцентриковые кулачки 27. Оси кулачков расположенырадиально по окружности под углом 120 о, причем оськаждого кулачка...