Патенты с меткой «полупроводниковых»

Номер патента: 561236

Опубликовано: 05.06.1977

Авторы: Агаджанян, Мхитарьян, Серопян

МПК: H01L 21/68

Метки: держатель, пластин, полупроводниковых

...1 с направляющинад которым от направляющих от Полупроводникконтактирует ско своими кра еля с полупрразрез А-А. ковых пластин соми 2 и окном 3 ходят направленвыполнен в в усеченного кон проводниково Изобретение относится к изготовления полупроводник тегральных схем и может пр портировки и крепления пол тин при выполнении техноло Известен держатель для корпус с направляющими и жимные упругие элементы 1 Известный держатель не п от соприкосновения с их раб Кроме того, установка и изв ковых пластин в известньй вести к поломке хрупких пластин, а также быстрому и упругих элементов держателя561236 Я-Я Составитель Ю, цветковТеяред Н Андрейт 5 ук Редактор Г. Петрова584/ 55 Тираж 976 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР...

Номер патента: 332407

Опубликовано: 25.06.1977

Авторы: Банашек, Жуйков, Недоступ, Прокофьев, Рудик

МПК: G01V 5/00

Метки: детекторов, излучений, криостат, полупроводниковых, радиоактивных

...увеличивается продол. жительность автономного пребывания полупроводникового детектора прп пониженной температуре в крпостате и исключается возможность недопустимого повышения давления 5 в за.кнутом объеме, например, в сквах(янномприборе, что позволяет производить измерения в течение необходимого времени (5 час и более).На чертеже изображен крпостат для по у проводнпковых детекторов радиоактивных злученпй.Предлагаемое устройствода Дьюра 1, наполчяемогои хладопровода 2 с полупрП тектором 3.Внутренний объем криостата с помощьюсистемы трубопроводов н кранов подсоединяют к форвакуумному насосу 4.Кпдкпй азот наливают в крпостат через 20 съемную воронку 5, соединяемую краном 6 свнутренним объемом крпостата.Чтобы привести крпостат пз режима...

Номер патента: 563704

Опубликовано: 30.06.1977

Авторы: Герфрид, Михаель, Рихард, Хартвин

МПК: H01L 21/265

Метки: полупроводниковых, структур

...аммония. Облученные области слоя окиси кремния исчезают при этом быстрее, чем необлученные, так что после указагНого времени травления в облученных ооластях хорошо просматриваюгся углубления от 10 до 15 нм (фиг. 2).11 а следуошем этапе (фиг. 3) травленые диски нагревают в течение 2 час в печи при температуре 850 С. При нагревании накопле- цый легирующий материал диффундирует в эпитаксиальный слой 2. Образуется зона 11 с проводимостью р-типа с концентрацией 3 10" атом)см на поверхности с глубиной проникновения 1,3 мкм в узких допусках. Затем диск в травленых углублениях вторично облучается ионами при дозе 1,3 10" ем ви энергии 200 КэВ. Ионы, проникающие в зону 11 с проводимостью р-типа, образуют область 15 с проводимостью р+ (фиг. 4),В...

Номер патента: 564666

Опубликовано: 05.07.1977

Авторы: Кочетов, Никулин

МПК: H01L 23/52

Метки: выводов, полупроводниковых, приборов, присоединения

...показан). Величина подачипроволоки регулируется винтами 20, 21.60 Устройство снабжено механизмом поворота держателя вокруг вертикальной эси,содержащим зубчато-ременную передачу 22дисковую муфту трения 23 с электромагнитным приводом 24, вал 25 с рычагом26, пружину 27 вал 28 с роликом 29,)взаимодействующим с подпружиненной планкой 30, установленной на неподвижной плите манипулятора (не показана),Устройство для присоединения выводовполупроводниковых приборов работает следующим образом.В исходном положении электромагниты14, 15 и электромагнитный привод 24выключены, подающие губки 16 разомкнуты. Сварочную проволоку 7 пропускаютмежду подаюшими губками 16 и через направляюший канал сварочного инструмента4 заводят под его рабочую...

Номер патента: 565338

Опубликовано: 15.07.1977

Авторы: Крачковский, Куцинс, Трифонов

МПК: H01L 21/66

Метки: классификатор, полупроводниковых, приборов

...устройство 1, пневмоустройство 18, каретку 19, привод 20 карепки, лрограммный датчик 21, электромагниты 22, транспортные, кассеты 23, магазин 24, датчики каасетирования 25, механизм каасетирования 26 с кареткамп 27, обоймы 28.На каретке 29 устройства раакладки 5 в направляющей втулке 30 размещен прижимзахват 7, которыи содержит корпус 31, имеющий упор 32. В расточке корпуса 31 вставлен сетчатый диск 33, под которым находится прижимное кольцо 34, закрепленное гайкой 35 и винтом 36,В корпусе 31 выполпены опверстия, соответственно количеспву и рааположению выводов полупроводникового прибора, которые соединены со штуцером 37, Сбрасыватель 38 удерживается дружиной 39 на упоре 32. Опора 40,пружинным компенсатором 41 1 прижимается к крышке 42,...

Номер патента: 565339

Опубликовано: 15.07.1977

Авторы: Кононов, Чистов

МПК: H01L 21/66

Метки: испытаний, камера, климатических, полупроводниковых, приборов, проходная

...камера работает следующим образом,Транзисторы, уложенные в технологическую тару-спутники или без нее, поступают в течку питателя 1, затем в направляющую 3 механизма загрузки 2, проходят сквозь паз 7 неподвижной направляющей 6 и загружаются в паз 11 транопортирующего барабана накапителя 10. Приборы снизу удерживаются дисками (на чертеже не показаны).При заполнении паза 11 число запружаемых приборов контролируется фотоэлементами (на чертеже не показаны), механизм 2 перемещается на шаг, совмещая направляющие 3 и 4 с пазом 8 промежуточной направляющей б и пазом 12 барабана-накопителя 10.По заполнении паза 12 механизм 2,перемещается еще,на шаг, совмещая направляющие 4 и 5 с пазами 9 и 13. После заполнения трех радиально расположенных...

Номер патента: 566276

Опубликовано: 25.07.1977

Автор: Никулин

МПК: H01L 21/607

Метки: кристаллов, ножкам, полупроводниковых, приборов, присоединения

...жестко установлена в кассете 12. В планке 7 имеется отверстие 13, которое в про-. цессе работы взаимодействует с коническим штифтом 14 направляющей )5.В направляющей 15 расположены кристал: - 25 лы 16.Толкатель 17 служит для подачи кристаллов 16 на позицию загрузки.В исходном положении электромагнит 2 Фиксирует Г"образный кронштейн 3 относительно каретки 1 горизонтально го перемещения.Под действием привода (на чертеже не показан) ультразвуковая головка 5 вместе с кареткой 4 вертикального перемещения и планкой 7 перемещается 35 вверх, а затем - на позицию забора кристалла 16 и занимает такое положение, чтобы отверстие 13 в планке 7 было расположено над коническим штифтом 14. При движении Ультразвуковой 40 головки 5 вниз конусная...

Номер патента: 567153

Опубликовано: 30.07.1977

Авторы: Гуревич, Красников, Сычугов, Фаворов

МПК: G01V 9/00

Метки: исследования, минералов, полупроводниковых, природных

...на станине 12. Подвижной столик служит для первоначаль 5 о 15 20 25 зо 35 40 45 50 55 во 65 пой установки положения минерала относительно горячего электрода 13. С целью выбора точки подключспия холодный электрод 14 может перемещаться в поперечном относительно направления движения горячего электрода направлении с помощью микрометрического винта 15. Подвижная часть устройства 16, вместе с горячим электродом 13 движется по салазкам 17. Привод осуществляется от электромотора 18 через редуктор 19. Для удобства наблюдения за поверхностью аншлифа, по которой движется горячий электрод, использован микроскоп 20.Предлагаемым способом с помощью разработанного и изготовленного устройства были исследованы ряд минералов и получены ценные...

Номер патента: 567159

Опубликовано: 30.07.1977

Авторы: Овсянников, Рубинов

МПК: G03G 13/00

Метки: пленок, полупроводниковых, фотоочувствления

...кадмия, содержащую в своем составе связанные медь и кадмий в пропорции от 1; 20 до 1: 200, в ко личестве 1-о% массы пленки,Способ может быть реализован следующимобразом.11 ленки полупроводника наносят термичес.ким испарением СЙ 5 или Сй 5 е или их смеси 20 в вакууме на стекло, предварительно покрытое проводящим слоем двуокиси олова. 1 ол.щину пленок полупроводника выбирают 1 - 20 мк, Температуру подложек при напылении доводят до 1 б 0 - 200 С. 11 осле этого проводят 25 очувствление пленок одним из двух способов.1. 11 одложку с пленкой полупроводника нагревают до температуры 120 - 140 С и пульверизуют водным раствором солей СОС 12 и СнС 12, содержащих СдС 12 10%, СнС 12 от 0,1 ЗО до 1%. Пульверизацшо продолжают 1 - 5 секКорректор Л....

Номер патента: 568026

Опубликовано: 05.08.1977

Авторы: Микалаускас, Паужа

МПК: G01R 21/00

Метки: датчиков, импульсной, мощности, параметров, полупроводниковых, резестивных, сверхвысокочастотной, стабилизации

...собой потенциометрические делители напряжений с разными коэффициентами деления, между плечами которых включен дифференциальный Бзмеритеж- ный прибор 8.Устройство работает следукиаим образом.Через потеиииометрические делители течет ток в результате чего Ба датчиках 1, 2 падают постояниью Напряжения 0 и 3, величины которых нри помоиа регулийруемых напряжечий источии ков 6 7 уста навлнваются разиыми.Во Время прохожденияно Волноводу 3 импульсный СВЧ мощности на датчиках 1, 2 генерируются сигналы, состоящие из постоянных и переменных (импульсных) составлпоших, т.е, (ЦО ) для датчика 1 и 3 Ф Ц 4 для датчика 2. Постоянные составляющие образуются в результате прохождения постоянного тока от источников 6, 7, в переменные - в результате...

Номер патента: 392857

Опубликовано: 25.08.1977

Авторы: Гофштейн-Гардт, Деготь, Дененберг, Дмитриев, Дохман, Коган, Царенков, Шкармутин, Яковлев

МПК: H01L 21/20

Метки: аппарат, полупроводниковых, слоев, эпитаксиальных

...как в условиях отсутствия фазового равновесия между компонентами раствора-расплава (открытый объем), так и в условиях фазового равновесия,(закрытый, объем). Это достигается тем, что внутренняя Мамера аппарата снабжена подвижвымв герметиэиру 3 ощими пробками и расположена в температурной зоне нагревателя,На чертеже показан предлагаемый аппарат.Аппарат содержит камеру 1 с отверстиями для продувания рабочего газв, нвгре ватель 2, кварцевую трубу 3 е конически ми шлифами и пробками 4 из кварца, зв крепленными на штоках 5; Каждый шток соо. тоит иэ двух частей, соединенных между собой. полусферическим шарниром 6 и имеет ручной привод, сосгояший иэ маховика 7 и пружины 8, которая поджимает шток к трубе Э. В месте выхода из рабочей...

Номер патента: 570884

Опубликовано: 30.08.1977

Авторы: Ворожеев, Маслов, Панов

МПК: G01R 31/28, G05B 23/02

Метки: параметров, полупроводниковых, проверки, цифровых, элементов

...схемы И 31 и 32, счетчик 33 импульсов, схему ИЛИ 34, дешифратор 35.В данном случае рассматривается вариант ыполнения устройства, в котором результат измерения представлен трехзначным числом (с плавающей запятой). При этом в блоке 9 цифровото измерения интервалов времени и в блоке 10 выработки напряжения для автоматического сдвига синхроимпульсов использу 5 1 О 15 20 25 зо 35 40 45 50 55 бО 65 ются трехдекадные десятичные счетчики с отношением дискретности считывания старшей декады к младшей, равным десяти, а счетчик 33, входящий в состав блока управления дискретностью считывания, имеет три состояния,Особенности работы, которые вызваны введением в основное устройство блока 29 управления дискретностью считывания, заключаются в...

Номер патента: 573782

Опубликовано: 25.09.1977

Авторы: Орлов, Принц, Скок

МПК: H01L 21/66

Метки: полупроводниковых

...напряжением генератора прямоугольных импульсов частотой11, кроме того, подается постоянноенапряжение, которым может осуп;ествлятьсяи инжекция носителей заряда в диод, от 50источника 2 постоянйого напряжения. измерительный высокочастотный сигнал поступаетна сумматор с генераторатока высокойчастоты Х 6.Высокочастотный сигнал, возникающий нв б 5диоде, поступает на детектор 8 огибающейСигнал с детектора 8 подеется нв детекто9 вершины импульсов, в котором вершинывходящих импульсов сравниваются с вершинами прямоугольных импульсов. Ев выходе, 60 4детектора вершины импульсов образуетсясигнал ошибки, пропорциональный отклонениюформы вершины входящих импульсов от формывершины прямоугольных импульсов. Сигнал ошибки управляет напряжением...

Номер патента: 557703

Опубликовано: 05.10.1977

Авторы: Баранов, Горина, Достанко, Королев, Полякова, Савицкий, Чистяков

МПК: H01L 23/54

Метки: интегральных, материал, покрытия, полупроводниковых, приборов, проводящего, схем

...соединений типа А В, А Ви АВ, где А - металл платиновой группыф 60 4В - элемент ПВ или УВ группы: возможен также смешанный состав фаз, напри мер А В + АВ а также наличие промежуточных фаз, дефектных структур и т.д. Промежуточные фазы, в отличие от чистых ме. галлов, имеют свою электронную структуру и, в сэответствии с ней, другие межатомные расстояния, измененную решетку и, в конечном итоге, свой цвет металлического материала. При атом определяющим фактором являетсястроение электронных оболочек компонентов. Покрытие из такого материала будет иметь цвет, этличный от цвета исходных составляющих, его можно задавать выбором материалов и регулированием процентного содержания каждой компоненты, определяющего формульный состав и...

Номер патента: 575585

Опубликовано: 05.10.1977

Авторы: Блюменау, Херманис

МПК: G01R 31/26

Метки: диодов, заряда, измеритель, переключения, полупроводниковых

...и в цифровой код в реверсивном счеччике).Интегрирование импульсов обратного тока исследуемого диода осуществляется засчет динамических свойств цепи негатронас:подключенными к нему пассивными элементами, При этом производится разделениеимпульсов не по амплитуде, как в обычных 30детекторах, а по фазе, т.е. во временной области. На чертеже представлена схема предложенного измерителя заряда переключения,Выходы генератора прямого рока 1 и генератора 2 переключающих импульсов обратного напряжения подключены к аноду исследуемого диода 3 и к управляющему входу негатрона 4, а также через элемент задержр кй 5 - к счетному входу реверсивного четчика 6. Катод диода 3 через параллельную ЯС -цепь из емкости 7 и резистора 8 подключен к первой...

Номер патента: 557701

Опубликовано: 25.12.1977

Авторы: Лисенкер, Марончук, Пухов

МПК: H01L 21/66

Метки: излучающих, отбраковки, полупроводниковых, структур

...содержит подвижный капиллярныймикрозонд, заполненный электролитом, поцентральной оси которого расположен световод с фотоприемником,Микрозонд может легко перемструктуре, а фотоприемник при эрует вет ичину квантового выходав соответствующей тоЧке,На чертеже приведена структурная схемапредложенного устройства,Устройство содержит измерительную пластину 1, на которой установлен капиллярныймикрозонд 2, заполненный прозрачным электролитом, который является омическим контактом 3. По центральной оси микрозондарасположен световод 4 с фотоприемником 5,Пластина размещена на норвижном держа557701 Подписноеа Совета Министрооткрытийшская наб., д. 4/ 4 Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Прое теле, р6 об азца Микроэонд и держатель образца...

Номер патента: 585565

Опубликовано: 25.12.1977

Авторы: Власов, Зайцева, Полисан, Томашевский

МПК: H01L 21/68

Метки: пластин, полупроводниковых, фиксации

...к технологии изготовления полупроводниковых приборов и можетиспользоваться при обработке, транспортировке и хранении полупроводниковых пластин.Известен способ фиксации полупроводниковых пластин при групповой обработке, предусматривающей их установку в радиальные пазыкассеты, 1. Однако он не совершенен из-занедостаточной надежности фиксации пластинпри транспортировке и хранении.Наиболее близким к изобретению техническим решением является способ фиксацииполупроводниковых пластин, включающий растягивание цилиндрических пружин между продольными ограничителями рамы, установкупластин между витками пружины и сжатиепружины 2,Известный способ позволяет зафиксироватьпластины при технологической обработке, однако, при хранении и транспортировке...

Номер патента: 586407

Опубликовано: 30.12.1977

Авторы: Родный, Якерсон

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: полупроводниковых, структур, температуры

...импульсы анодного тока от генератора 2, От генератора 1 подаются импульсы на модулятор 10 че586407 ставитель Т. Дроздов Техред Л. Гладкова Корректор И. Позняковская дактор Н 1 зд.1 аказ 278 ираж 110 одписное пография, пр. Сапунова,рез блок задержки 7. В модуляторе 10 формируются импульсы для управления импульсной трехэлектродной рентгеновской трубкой 11, анодное напряжение на которую поступает от блока питания 9. Мощные кратковременные рентгеновские импульсы с анода трубки 11 через фильтр 12 и свинцовый коллиматор 13 попадают на р-и-р-и структуру со стороны катода 4. Глубина проникновения рентгеновских лучей для структуры с определенной глубиной залегания коллекторного р-и перехода и толщиной металлического покрытия регулируется...

Номер патента: 587533

Опубликовано: 05.01.1978

Авторы: Саркисян, Чубич

МПК: H01L 21/78

Метки: кристаллы, пластин, полупроводниковых, разламывания

...прокатывают по поверхности разламывающего валика, повернув предварительно на 900 .Недостатком описанного устройстваявляется его сложность,так как для надежности работы устройства необходимо применение дополнительных механиз"мов прижима пластины к разламывающему валику и регулировки натяжениятранспортирующей и прижимной лент.Кроме того, . не исключено проскальзывание бесконечной транспортирующей ленты относительно разламывающего валика, что приводит к поврежде.нию рабочей поверхности кристалла впроцессе разламывания.пластины.Цель изобретения . - упрощение конструкции устройства и улучшениек ачества,разделяемых кристаллов .Поставленная цель достигается тем,что в устройстве для. разламыванияполупроводниковых пластин на кристаллы, содержащем...

Номер патента: 591974

Опубликовано: 05.02.1978

Авторы: Бергманн, Данильченко, Корольков, Яковенко

МПК: H01L 21/66

Метки: материалах, параметров, полупроводниковых, электрических

...носителей. При толщине слоя с 1(. измеряют время задержки появления максимума фототока, вызван. ного диффузией носителей с поверхности образца, относительно импульса Фототока, вызванного освещением слоя объемного заряда р -Л -перехода. Строят зависимость времени задержки от расстояния между р-п -переходом и освещаемой поверхностью и по наклону этой зависимости находят скорость диф 50 Фузии У неосновных носителей. Иэ выражения для скорости диффузии, используя определенные значения О , находят диффузионную длину неосновных носителей (55 УПри толщине исследуемого слоя да(. диффузионную длину ( находят по известному 2 из выраженияЯ-гм,полученному из условИя существования экстремума зависимости концентрации возбужденных носителей р от...

Номер патента: 593278

Опубликовано: 15.02.1978

Авторы: Добровольскис, Руденский, Соколов, Фарафонов

МПК: H02H 7/10

Метки: вентилей, защиты, полупроводниковых, преобразователя

...игасящими резисторами, которые присоединены к нейтрали трансформатора 12. Недостатком такого устройства является его сложность.Для упрощения в предлагаемом устройстве к каждому из гасящих резисторов подключены два разрядника, присовдинвнных к обмоткам трансформатора с фазовым сдвигомнапряжения на 60 эл. град,На чертеке дана схема описываем;го устройства.Устройство состоит из попарно соединенных искровых промекутков 1 с дугсгзсиг льными камерами, общие электроды которыхприсоединены к гасящим резисторам 2, соединенным с клеммой-преобразователя.Другие электроды искровых промежутков Зо присоединены к выводам вентпльных обмоток трансформатора, соответственно, а,сь Ьза с,Ь соединенных с анодами вентилей 8.При появлвнии...

Номер патента: 597998

Опубликовано: 15.03.1978

Авторы: Абрамович, Либер, Сакович

МПК: G01R 31/26

Метки: вентилей, испытаний, нагрузочных, полупроводниковых

...в индуктнвностях8 и 14 в предшествующий полупериод питающегонапряжения, Конденсатор 19 заряжен "плюс" слева, з11 %1 60минус справа, и его напряжение, равное заданной величине Обпр (фиг. 2 д),приложено в прямом направлении к закрытому вентилю 6. Вентили 7, 23 и25 также закрыты, конденсатор 2 заряжен "плюс"сверху, минус" снизу до напряжения, близкого кОб пр.макс,В момент т 2 управляющим импульсом отпирг.ется вентиль 6. На интервале т 2 - т под действиемконденсатора 19 ток переводится с вентиля 4 навентиль 6 (фиг. 2 б и. г), и вентиль 4 запирается, наинтервале тз - т, происходит колебательный процессперезаряда кбнденсатора 19 по контуру, включающему индуктивности 8, 14 и 20, вентили 5 и 6 и фазу 10 вторичной обмотки трансформатора...

Номер патента: 600594

Опубликовано: 30.03.1978

Авторы: Пюрбеев, Щелчков

МПК: G09B 19/10

Метки: полупроводниковых, сборки, схем, учебных

...устройства состоит в следу)ошем.Лист бумаги накладывают на поверхностьплаты. Путем проглажнвания на листе обра 25 зуют оттиски гнезд 2. Исходя нз планировкимонтируемой схемы, намечают карандашомразмещение деталей между ними, В узловыхточках бумагу прокалывают гильзами 6 разобраннь)х фиксаторов и закрепляют их в отвер 3,) стпях гайками 17, После отбора необходимыхХ 1 г,деталей и выводов проводников производят пх зарядку в фиксаторы, причем выводы с большим сечением а вставляются через головки штыря 7 в его внутреннюю полость. Наиболее тонкие выводы Ь вставляются в зазор между внутренней стенкой гильзы 6 и нару 5 кно 11 цилиндрической поверхностьо половинок 11 разрезного штыря, Выводы с среднего по размеру сечения, не поместившиеся в...

Номер патента: 600649

Опубликовано: 30.03.1978

Автор: Миков

МПК: H02H 3/28

Метки: полупроводниковых, преобразователях, приборов, силовых, электрической, энергии

...с общей шиной 30 и катодами упомянутых стабилитронов, выходы усилителей-формирователей24 - 26 подключены к связанным между собойвходам логических схем И 31 и ИЛИ 32, Первый выходной сигнал 33 снимается со схемыИ 31, а второй 34 - со схемы ИЛИ 32.Устройство работает следующим образом.Когда к вентильному плечу приложено обратное напряжение, происходит заряд конденсаторов 15 и 16 через диод 17.В момент времени, когда вентили находятсяв проводящем состоянии, конденсатор 15 разряжается через источник напряжения и нагрузку от плеча 1 к плечу 8, открытые тиристоры 9 - 11, обмотки 19 трансформаторов.Конденсатор 16 разряжается через обмотки18 трансформаторов, открытые тиристоры 2 -4, источник напряжения и нагрузку (от плеча1 к плечу 8),Обмотки...

Номер патента: 601762

Опубликовано: 05.04.1978

Авторы: Березюк, Квурт, Козлов, Кудрявцев, Лябин, Сутягин, Хижняк

МПК: G11C 29/00

Метки: накопителей, оперативных, полупроводниковых

...определяющих проверку полупроводникового оперативного накопителя по определенному алгоритму. Адресный блок по,командам блока управления формирует адреса накопителя, в,которые записываются или с которых считываются данные. Блок формирования данных в зависимости от команд блока управления формирует записываемые, данные, сравнивает их со считываемой из накопителя 2) Авторы изобретения Б. М Л. В, Хижчены,к выходам блока управления ого соединен с выходом блока срав60 02 Г 1 Г4Л4 СО й1 Составитель В, РудаковТехред И. Рыбкина Корректор В. Гутман Редактор Л. Утехина Заказ 115/219 Изд,124 Тираж 734 НПО Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий Москва, Ж, Раушская наб., д, 4/5Подписное Тип. Харьк....

Номер патента: 603842

Опубликовано: 25.04.1978

Авторы: Бочкин, Захаров, Никифорова-Денисова

МПК: G01B 11/24

Метки: измеритель, пластин, полупроводниковых, прогибов, фотоэлектрический

...ого измерителя,Он содержит осветитель, имеющий источ- ЗОник 1 света и линзу 2, модулятор 3, оптическую систему для передачи светового потока в виде световода 4, диафрагму 5 в виде элемента с вогнутой отражающей поверхностью, например., в виде полуцилиндра, лекальную линейку 6, приемный световод 7,и электронный блок для измерения величиныпрогиба по высоте щели между линейкой иповерхностью контролируемой пластины,вкдючающий фотопривмник 8 опорного пучка 40излучения и измерительный этоприемник9. Индексом 10 обозначена контролируемаяпластина,Работае т предлагаемый измеритель следующим образом, 45Излучение источнике 1 света фиксируе 1- ся линзой 2 и плоскости модулятора 3(представляющего собой модудир ющий диск,установленный на валу...

Номер патента: 603924

Опубликовано: 25.04.1978

Авторы: Горохов, Коробков, Петров

МПК: G01R 31/26

Метки: вторичный, испытаний, многократных, полупроводниковых, приборов, пробой

...исполнительйый орган, и ея сколь угодно большуюдлительность.На чертеже показана блок-схема описываемого устройства.Устройство содержит клеммы 1,2 для З 0подключения испытуемого прибора 3, генератор импульсов 4 пилообразного напряжения, блок 5 формирования управляющих импульсов, импульсные выходные трансформаторы 6, 7, 8, коммутирующий,:элемент 9, 35ключ.10, триггер 11, блок возврата 12,осциллограф 13, токосъамный резистор 14,Работает устройство следующим образом, В исходном состоянии блок возврата12 запускаемый генератором импульсов 4 40по заднему фронту пилообразного импульса,формирует импульсы возврата, которые закрывают.Пилообразный импульс через открытыйкоммутирующий элемент 9 и токосъемный 45резистор 14 подается на испытуемый...

Номер патента: 610642

Опубликовано: 15.06.1978

Авторы: Гаврилов, Никулин, Северинов

МПК: B23K 21/00

Метки: корпусных, полупроводниковых, приборов, сварки, холодной

...этого в предлагаемом устройстве каждый держатель пуансонов закреплен на осис возможностью паворота относительно матрицы, а опорный кронштейн снабжен профильньми копирами, взаимодействующими с держателями пуансонов и упором с копирнымпазом, взаимодействующим с выталкивателемпуансона,На фиг. 1 представлено предлагаемое устройство, общий вид; на фиг, 2 - то же,вид сверху; на фиг. 3 - размещение матриц,.пуансонов и копиров на дисковом роторе; нафиг, 4 - разрез по А - А на фиг, 3; на фиг, 5упор после процесса сварки.Гредлагаемое устройство состои-, из станины 1, на которой размещены дисковый ротор 2 с комплектами сварочного инструмента,состоящими из матриц 3 и пуансонов 4, загрузочное устройство, состоящее из устройства5 для...

Номер патента: 510059

Опубликовано: 25.06.1978

Авторы: Еременко, Никитенко, Пронин, Якимов

МПК: H01L 21/304

Метки: емкостью, переменной, полупроводниковых, приборов

...форлы с углом при вершине 90-140. При этом деформирование проводят таким образом, что эсь изгиба Ю 1 перпендикулярна болынему ребру образца, а угол изгиба пластинки определяется выбором формы матрицы и пуансэйа. После этого кристалл пэвгэрцэ обрабатывают вполнрующем растворе. Электрические контакты присоедицяюг к деформированному материалу в мест сэприкосцовеция с центральной опорой и к участку, расположенному вне опор, методом гермэкэмпрессии с образованием шарика либо точечной сварки, 13 качестве контактного магерцала прил.ецяют золото с сэогвегсгвуюшимн присадками эОписанный способ позволяет получить р-п-переход, плэшадх которого изменяется с напряженнем, Природа этого изменения. сост ит в следуюшем:, геометрия изгиба выбрана Ж...

Номер патента: 614039

Опубликовано: 05.07.1978

Авторы: Вадов, Важенин, Кандыба, Кузнецов, Петрова, Филатова

МПК: C03C 3/12

Метки: защиты, полупроводниковых, приборов, стекло

...Стто 0,5-3; Сс 10 0,5 Оз до 0,5 (2 Стекло имеет следующие свойств Температура оплавления, С 450 КоэФФициент линеиного расширен (КЛТР), 1/град 85 ф 10 т.Однако это стекло не обладает ством интенсивно поглощать светов лучи н видимом диапазоне длин волцелью изобретения является пол ние стекла с высоким процентом по щения света (не мечее 80 Ъ) в види диапазоне в тонком .:лое (до 2 мкм сохране ни достаточно низкой темп туры Формирования покрытия для эа ПЗС. ют отдельноэлектропечах ями при темпе-.0,5 часа. Расвиде образцов ектрических стекла имеютхарактеристиКЛТ10 льное тиви см 10 341 9 346 мула изобретения защиты полупро . включающее РЪО О, отлича с целью обеспе ета в видимой о дополнительно с О и МИ О при ии компонентов...