Патенты с меткой «полупроводниковых»

Номер патента: 1051625

Опубликовано: 30.10.1983

Авторы: Пыж, Староверов, Хомич

МПК: H01L 21/66

Метки: полупроводниковых, приборов, сортировки

...р 40и выполнены с направс нап авляющими 11 инеравномерные промежутки времениствами для перемещения кассет послучайной величины, что ребут еб ет по- . средствамстоянного присутствия оператора иснижает производительность р рсо ти овки я транспор2 иэ механизмазма 1 подачи иолупроводнибо ов ме ани мы 8 рЦель зобр етения - повышение производительности в работе.об 12 установлеНные подель остигается тем,Укаэанная цель дост анаправляющими 3 механизма 1 подачичто устройство для сортировки полуполупроводниковыиковых приборов и выполненпроводниковых приборов, сбдержащеемеханизм подачи полупроводниковыхиными напротивдля кассет, расположеприборов иэ кассет, блок сортиров 11 механизмов 8 загрузки полупроводниковых ир рп ибо ов и меха- направляюших...

Номер патента: 1052955

Опубликовано: 07.11.1983

Авторы: Воробьев, Кузнецов, Погребняк

МПК: G01N 23/18

Метки: дефектности, ионных, кристаллов, полупроводниковых

...65 Эти чва процесса ведут к увеличению концентрации позитрончувствительных дефектов, При последующем облучении образца позитронами и измерении параметрой аннигиляции увеличивается относительное число позитронов аннигилирующих с электронами н дефектных местах контролируемого образца. Это ведет к изменению функции импульсного распределения аннигилирующих электроннопозитронных пар, что вызынает соответствукщие изменения параметров аннигиляций. Это позволяет повысить чувствительность метода контроля дефектности материала, Энергия заряженных частиц для предварительного облучения не должна превышать порог смещения атома из регулярного узла решетки контролируемого кристалла, Для ряда бинарных полупроводниковых соединений, таких как 2 л...

Номер патента: 1053336

Опубликовано: 07.11.1983

Авторы: Березин, Тучинский, Шеревеня

МПК: H05K 1/00

Метки: полупроводниковых, приборов, сборки, соединительная, структура

...компенсирующих элементов, расположенных врабочей зоне, может быть В виде любой 55геометрической фигуры,. например колец, полых тонкостенных ромбов,прямоугольников,На чертеже представлена конструкция соединительной структуры,Соединительная структура состоитиз двух зон; рабочей и технологи. ческой, Соединительная структурасодержит диэлектрическую подложку 1,с токопроводящими выводами 2 (Выводы,65 находящиеся в технологической зоне,в работе готового прибора не участвуют и после монтажа кристалла ккорпусу технологическая зона удаляется),Выводы, находящиеся в рабочейзоне, состоят из внутренних концов 3,которые присоединяются к контактнымплощадкам 4 полупроводникового прибора 5, и внешних концов б, которыеприсоединяются к...

Номер патента: 1056087

Опубликовано: 23.11.1983

Авторы: Гармашов, Миков, Стешин, Цетлин, Шубин

МПК: G01R 31/26

Метки: полупроводниковых, приборов, разбраковки, силовых

...испытаний силовых приборов.Целью изобретения является повышение производительности разбраковки и снижение энергоемкости,Поставленная цель достигается тем, что в устройство для раэбраковки силовых полупроводниковых приборов, содержащее генератор импульсов испытательного тока,.соединенный выходом с клеммой для подключения анода испытуемого прибора и первыми входами трех блоков сравнения по напряжению, вторые входы которых подключены к соответствующим выходам блока уставок, а их выходык блоку индикации, блок управления соединенный своим, входом с шиной запуска генератора импульсов испытательного тока, а выходом - с клеммой для подключения управляющего электрода испытуемого прибора, клемма для подключения катода которого соединена с...

Номер патента: 1056388

Опубликовано: 23.11.1983

Автор: Разбегаев

МПК: H02M 1/18

Метки: вентилей, включенных, им, индикатор, полупроводниковых, последовательно, разбегаева, цепочки

...контроля. Поставленная цель достигается тем, что устройство для контроля цепочки последовательно включенных полупроводниковых вентилей, шунтированных защитными емкостно-омическими цепочками и активными сопротивлениями, содержащее выпрямитель, подключенный входом к части активного сопротивления, шунтирующего один из цепочки последовательно включенных полупроводниковых вентилей, пороговый элемент, высокочастотный генератор и индикатор-частотомер, снабжено элементом связи, дополнительным высокочастотным генератором с частотно-задающим входом, частотным демодулятором и фильтром нижних частот, причем выход выпрямителя через пороговый элемент подключен к входам высокочастотного генератора и дополнительного высокочастотного...

Номер патента: 1057890

Опубликовано: 30.11.1983

Авторы: Бардин, Беспалов, Пономарев

МПК: G01R 31/26

Метки: вентелей, переходной, полупроводниковых, тепловой, характеристики

...выход подключен к первому входу элемента ИЛИ, второй вход которого соецинен с выходом задающего генератора, а выход присоединен к входам коммутатора и счетчика импульсов, соединенного своим выходом с входами счетного триггера и схемы управления, выходы которых подключены соответственно к входам задающего генератора и источника силового .тока, причем второй выход схемы управления соединен с клеммой для подключения управляющего электрода,а шина сброса подключена к входам начальной установкй счетчика импульсов и счетного триггера.На чертеже изображена структурная электрическая схема предлагаемого устройства.Устройство состоит из источника 1 измерительного тока, источника 2 силового тока, отключающего диода 3, шунта 4, нуль-органа 5, схемы...

Номер патента: 1064243

Опубликовано: 30.12.1983

Авторы: Белогуб, Бровко, Разлом, Смирнов

МПК: G01R 31/28

Метки: диодов, полупроводниковых

...при .этом к контакту 12 можетбыть подключен как анод, так и катодиспытуемого диода. Пусть подключениедиода катодом к контакту 12, а анодом 55к контакту 13 - подключение 1, апротивоположное подключение - подключение 11. После подключения диодаавтоматический загрузчик через кивертор 22 блока 5 связи с автоматическимзагрузчиком производит пуск устройства. По сигналу фПускф происходитустановка триггеров 33 и 34 анализатора 7 и триггеров 39-42 блока 8 обработки результатов анализа в начальное состояние, начинает работу генера-б 5 тор 26 импульсов блока 6 синхронизацииРабота устройства происходит в четыре такта. При поступлении первого импульса с генератора 26 импульсов в счетчик 27 начинается первый такт работы устройства....

Номер патента: 1064244

Опубликовано: 30.12.1983

Авторы: Колмогоров, Телемтаев, Тер-Погосов, Терехин

МПК: G01R 31/28

Метки: диодов, параметров, полупроводниковых

...цепи, к первому выходу которой подключены вход усилителявысокой частоты и опорный вход фазометра, соединенных выходами черезвычислительный блок с входом индикатора.10 На чертеже представлена блок-схема предлагаемого устройства.Устройство содержит высокочастотный генератор 1, аттенюатор 2, развязывающую цепь, выполненную в виде15 1 высокочастотного трансформатора 3,опорный резистор 4 шины для подключения исследуемого (испытуемого) ди;ода 5, усилитель б обратной связи,усилитель 7 высокой частоты, фазо 20 метр 8, вычислительный блок 9, индикатар 10 и источник 11 смещения.Выход высокочастотного генератора1 через аттенюатор 2 соединен с входом развязывающей цепи, в качестве25 которого использована первичная обмотка трансформатора...

Номер патента: 1064354

Опубликовано: 30.12.1983

Авторы: Альтман, Борг, Головнин, Гордон, Ежкова, Церфас

МПК: H01L 23/28

Метки: герметизации, кассета, полупроводниковых, приборов, эластичная

...Реэульеэ льтате данной. чистки о разуетсккомпаундов с положительным коэффициентом объемного расширения при т еском к исталлической структурыприбора,Анализ причины эатекания компаПоставленная цель достигаетсятем что в.эластичной каСсете для унда на металлический теплоотвод.герметизации полупроводниковыхпрйбо показал, что процесс затвердеванияи с ячейкой , компаунда в объеме ячейки происхоров, содержащей основание с ячейкодля размещения арматуры полупроводии- дит неравномерно,твердевает открытая поверхностькового прибора и герметиэирующегокомпаунда, ячейка. выполнена в виде 40 компаунда, в результате чего ол тате. чего образудвух соединенных между собой полос- ется .замкнутая о ласть, в квозникает гадростатическое давление,тей,...

Номер патента: 1064355

Опубликовано: 30.12.1983

Авторы: Климачев, Пономарев

МПК: H01L 23/34

Метки: охлаждения, полупроводниковых, приборов

...тепла, хорошей теплопроводностью, например.выделяемого полупроводниковым при- из меди, алюминия.бором, происходит изменение потока. В третьем варианте исполнениятепла, проходящего через оболочку. Фиг. 3 и 4 ) нижний стакан выполняЙ как площадь рассеивания и объем ют из материала с хорошей теплопро.ак40и вижныйоболочки не изменяется, то изменение водностью, а верхний подвижнызывает на шение,стакан - из материала с плохой .теплового потока вызывает нарушениетеплового равновесия, что пр диво ит теплопроводнрстью.к изменению температуры самого пообразом,ие н - 45 и и изменении количествтн . выдетемпературной стабилизации.окружающей среды происходит изменес е жа ем герме- ние количества паров хладагента 1Указанная цель достигается...

Номер патента: 1064497

Опубликовано: 30.12.1983

Авторы: Гладченко, Сокол

МПК: H05K 13/08

Метки: магнитных, параметров, пластине, полупроводниковых, структур, электрических

...7, и рычага 15, выполненного в виде вилки и закрепленного в центрах 16, которые делят плечи рычага 15 в отно. шении 1:1 Ограничитель 17 колебаний, выполненный в виде рычага, поджат пружиной 18 к направляющим 14 и закреплен на оси 19 на несущей плите 8.Упругая направляющая обеспечивает связь подвижной рамки,13 с несущей плитой 8, состоящей из мембран 20, укрепленных по наружному диаметру в корпусе 21 при помощи набора шайб 22 и гайки 23, связанных по внутреннему диаметру с помощью колонки 24, набора шайб 25 и гайки 26.Устройство работает следующим образом.После предварительной ориентации .проверяемой пластины относительно зондов (вручную оператором) в режиме фАвтоматф срабатывает механизм перемещения зондовой карты по осикоторый...

Номер патента: 1025291

Опубликовано: 07.01.1984

Авторы: Авдеева, Перов, Поляков

МПК: H01L 21/66

Метки: гетеропереходах, границе, параметров, поверхностных, полупроводниковых, раздела, состояний

...на границе раздела в полупроводниковых гетеропереходах, содержащее источник питания, измеритель стекающего заряда, первый электронный ключ для подсоединения исследуемой структуры к источнику питания, второй электронный ключ для подсоединения исследуемой структуры к измерителю стекающего заряда, регистрирующий прибор и блок управления электронными ключами, обеспечивающий синхронное переключение структуры от источника питания к измерителю стекающего заряда введены отражатель тока,включенный между выходом источникайитания и первым электронным ключом амплитудный детектор, подключаемый вторым электронным ключом между исследуемой структурой и входом регистрирующего прибора, и система им" пульсного освещения гетероперехода.На чертеже...

Номер патента: 805781

Опубликовано: 15.01.1984

Автор: Сергеев

МПК: H01L 21/66

Метки: легирующей, полупроводниковых, примеси, профиля, структурах

...управляемый источник второй гармоники, коммутатор и фильтр, выделяющий вторую. гармонику, прячем коммутатор соединен с регулируемым выходом управляемого. генератора гармонических колебаний, с выходом источника обратного смещения, селективным вольтметром второй гармоники и выходом управляемого источника второй гармоники, сигнальный вход которого соединен с нерегулируемым выходом генератора, а регулирующий вход через фильтр, выделяющий вторую гармонику, подключен к колебательному контуру.На чертеже приведена функциональ-ная схема предлагаемого устройства.805781 3Устройствосодержит управляемый генератор 1 гармонических колебаний частоты ш образец 2, параллельный колебательный контур 3, настроенный на частоту 2, источник 4 обратного...

Номер патента: 1072144

Опубликовано: 07.02.1984

Авторы: Гольдман, Ждан, Маркин, Сульженко

МПК: H01J 1/308, H01J 9/42

Метки: автокатодов, параметров, поверхности, полупроводниковых, состояний, электронных

...восстановление таким путем функции М ( Е) либо не всегда возможно, либо приводит к большим ошибкам, свойственным измерениям очень малых токов. Кроме того, необходимость использования спектрометра автоэлектронов усложняет и удорожает эксперименты, а также делает их очень трудоемкими и не- оперативными,так как для нахождения Мз(Е 1 требуется определять зависимость энергетического спектра автозлектронов от напряженности внешнего поля в широком интервале полей. Таким образом, недостатками известного способа определения М ( Е) являются сложность, трудоемкость, неоперативность и недостаточная точность, в частности низкое энергетическое разрешение,Цель изобретения - повышение разрешающией способности и точности измерений, а...

Номер патента: 1073574

Опубликовано: 15.02.1984

Авторы: Волков, Герасимов, Ларионов

МПК: G01B 11/30

Метки: глубины, микрорельефа, подложках, полупроводниковых, преимущественно, слоях, тонких

...к плоскости подложки, изменяют в этой плоскости угол падения пучка света наподложку, регистрируют те углы, прикоторых достигаются экстремальныезначения интенсивностей света вдифракционном спектре, и по этимуглам определяют глубину микрорельефа по формуламЪпЬф дпя минимальных значений интенсивностей света,Ь, для максимальныхзначенийЪ(Л+ Офсое Ч интенсивностей света,. где и - глубина микрорельефа;р -. Угол падения кучка света иа подложку,П - целое число;3 - длина волны падающегоизлучения.На фиг.1 и 2 изображены схемы реализации способаизмерения глубинымикрорельефа, преимущественно в тонких слоях на попупроводниковых подложках; иа фиг.З - диаграмма изменения интенсивности света в дифракционном спектре в зависимости от угла падения...

Номер патента: 893093

Опубликовано: 07.03.1984

Авторы: Адоньев, Кононов, Петров

МПК: H01L 21/70

Метки: автоматический, полупроводниковых, приборов, сортировщик

...конструкцией его контактного устройства, состоящего из множества взаимосвязанных и взаимодействующих друг с другом деталей.Цель изобретения - повышение производительности сортировщика.Это достигается тем, что в известном автоматическом сортировщике полупроводниковых приборов, содержащемвибробункер, питатель с приемнымвходом и раэгрузочнья выходом, кон,тактное устройство с двумя гнездамии устройство распределения изделийпо группам, он содержит опору, соединенную с приводом качания и связанную жестко с приемным входом питателя, разгрузочный выход которого снабжен упором.На чертеже изображен общий вид автоматического сортировщика.Автоматический сортировщик содержит вибробункер 1, питатель 2 с приемным 3 и разгрузочным 4 входом ивыходом...

Номер патента: 1089674

Опубликовано: 30.04.1984

Авторы: Колешко, Лапицкий, Мешков, Романовский

МПК: H01L 21/306

Метки: пластин, полупроводниковых

...и сливным 3 патрубками и рассекателем 4 потока жидкости, выполненнымв виде перфорированной пластины, Вванне размещены трубки 5 с отверстиями 6 для подачи газа и узел отводагаза из жидкости, выполненный в видетрубок 7 с отверстиями, расположенными аналогично отверстиям 6 трубок 5,но имеющим. большой диаметр, Трубки 5и 7 изогнуты по форме обрабатываемыхпластин 8 и образуют каналы 9 для ихразмещения при обработке, Трубки 5через регулятор 10 расхода газа соединены с источником 11 газа. Отверстия 6 в трубках 5 выполнены подуглом 10-30 в сторону канала 9, арадиус этих отверстий выполнен в-апределах 5О - 5 10 см.Способ очистки пластин осуществляют следующим образом,Через нагнетательный патрубок 2 в ванну 1 подают промывочную жидкость, часть...

Номер патента: 1089676

Опубликовано: 30.04.1984

Авторы: Елинский, Зайцев, Приходченко, Токарев

МПК: H01L 21/78

Метки: кристаллов, носителя, полупроводниковых, растяжения, эластичного

...и фиксации обоймы относительно опорного выступа, снабжено выдвижными базирующими упорами, установленными на обойме, и упругим эле-. ментом, размещенным. между обоймой и основанием, а механизм перемещения и Фиксации обоймы выполнен в виде пневмокамеры, размещенной между обоймой и основанием, причем в обойме выполнены окна и пневмодорожки для перемещения эластичного носителя. На фиг, 1 изображено предлагаемоеустройство, разрез; на фиг. 2 - то же, вид сверху; на фиг. 3 - разрез А-А на фиг, 2 в положении загрузки на фиг. 4 - разрез Б"Б на фиг, 2.Устройство содержит основание 1 сцилиндрическим) опорным выступом 2, на котором происходит растяжение эластичного носителя 3 полупроводниковых кристаллов 4, выполненного в виде пленки,...

Номер патента: 1092436

Опубликовано: 15.05.1984

Авторы: Бунегин, Карапатницкий, Коротков

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: времени, жизни, заряда, неосновных, носителей, переходами, полупроводниковых, приборах

...импульса обратного тока измеряют максимальное значение обратного тока через испытуемый прибор, а временный интервал измеряют до момента смены знака тока через испытуемый прибор, по измеренным значениям сопротивлений и известным величинам пропускаемых токов рассчитывают семейство теоретических зависимостей обратного тока через полу О проводниковый прибор после момента переключения токов от времени, нормированного по величине времени жизни еосновных носителей заряда, выбират из этого семейства зависимость, 15которой значение максимального обратного тока совпадает с измеренным, и определяют время жизни неосновных носителей заряда в полупроводниковом приборе из выражения 20- время жизни неосновных носителей заряда,- измеренный временный...

Номер патента: 862742

Опубликовано: 30.05.1984

Авторы: Кандыба, Панова, Петрова

МПК: H01L 21/18

Метки: полевым, полупроводниковых, приборов, эффектом

...атмосфере, при этом энергия ионов фосфора составляет 35-65 кэВ, доза(1;2)10 ион/см, температура от-,жига 850-1050 С.В результате сокращения числа критических операций путем исключения операции нанесения третьего слоя при создании трехслойного подзатворного диэлектрика повышается выход годных полупроводниковых приборов с нолевым эффектом, имеющих изолированный затвор.Последовательность Формирования для создания областей истока и стока. Маскирующий слой удаляют и оро-,водят термообработку с целью активации внедренной примеси и ее разгон Однако поверхностная пленка ФСС может вступать в химическое взаимодействие с алюминиевым электродом затвора, вызывая его коррозию и увеличйвая положительный заряд в диэлектрике. Кроме того,...

Номер патента: 897052

Опубликовано: 30.05.1984

Авторы: Лизин, Пухов

МПК: H01L 21/265

Метки: полупроводниковых, приборов, резисторами

...полезной площади диэлетрика,что уменьшает степень интеграции пассивных элементов, расположенных в Целью изобретения является повышение процента выхода годных приборов.Поставленная цель достигается тем,что по способу изготовления полупроводниковых приборов с резисторами,включающему операции формирования диэлектрического слоя на полупроводниковой подложке с электрическими компонентами, маскирования, получениярезистора путем ионного легирования,вскрытия контактных окон в диэлектрике и формирования межсоединений,операцию получения резистора проводят после вскрытия контактныхокон одновременно с формированиеммежсоединений,На фиг. 1-4 показаны этапы изготовления полупроводниковых приборовс резисторами.После формирования...

Номер патента: 1095114

Опубликовано: 30.05.1984

Авторы: Лякас, Привитень

МПК: G01R 31/26

Метки: вольтамперных, исследования, полупроводниковых, приборов, характеристик

...второго блока выборки и хранения - с входом горизонтального отклонения осциллографа, а управляющие входы блоков выборки и хранения подключены к выходу генератора импульсов.На фиг.1 представлена блок-схема устройства; на фиг,2 - временные диаграммы напряжения в случае исследования быстродействующего туннельного диода (ТД); на фиг.3 - наблюдаемая на экране осциллографа ВАХ ТД.Устройство для исследования вольтамперных характеристик полупроводниковых приборов содержит генератор напряжения, мост 2 Уинстона, в плечи которого и измерительную диагональ включены резисторы 3-8, клеммы 9 и 10 для подключения испытуемого прибора включены в одно из ппеч моста 2 и осциллограф 11, генератор 12 импульсов (ГИ), модулятор 13, усилитель 14, два блока 15,...

Номер патента: 1095275

Опубликовано: 30.05.1984

Авторы: Гончаров, Деев, Сухоставец

МПК: H01L 21/00

Метки: кассеты, перегрузки, пластин, полупроводниковых, различным, размещения, шагом

...установ О лен упор 12 для удержания накопителя 1 в отклоненном положении и опора 13 для установки на нем кварцевой кассеты 14, На опоре 13 для кассет выполнен выступ 15 для Фиксации кассет 14 в ориентированном положении относительно накопителя 1. В каретке 5 выполнено окно 16 для опоры основания 8, а накопитель 1 установлен на каретке 5 над ее окном 16. Для фиксации каретки 5 в верхнем и нижнем положениях в направляющей 7 предназначен стопорный винт 17, Пазы 2 для полупроводниковых пластин накопителя 1 со стороны окна 16 каретки 5 выполнены глухими и ограничены упорами 18, выполненными из упругого материала для исключения повреждения полупроводниковых пластин 3. Механизм для распределения полупроводниковых пластин выполнен в...

Номер патента: 902600

Опубликовано: 30.05.1984

Автор: Сергеев

МПК: H01L 21/66

Метки: легирующей, полупроводниковых, примеси, профиля, структурах

...работает следующим образом.С выхода управляемого генератора 1 гармонические колебания частоты й) через контакты коммутатора 8 подаются на измерительную цепь, представляющую собой последовательное соединение испытуемой структуры 2 и колебательного контура 3, имеющего резонанс на частоте, 2 И, Сюда же поступает напряжение обратного смещения от источника 4.Под действием протекающего через образец гармонического тока частотыО из-за нелинейных свойств барьерной емкости появляется ток второй гармоники, Оба тока создают на контуре 3 падения напряжений первой и второй гармоник. Напряжение первой гармоники выделяется с помощью фильтра первой гармоники 7 и используется для управления выходным напряжением генератора 1 с тем расчетом, что при...

Номер патента: 1100587

Опубликовано: 30.06.1984

Авторы: Бумарин, Егоренков, Покровский

МПК: G01R 31/26

Метки: коэффициента, полупроводниковых, стабилизации, стабилитронов, температурного

...достигается тем,что согласно способу определениятемпературного коэфФициента напряжения стабилизации полупроводниковЫх 50стабилитронов, включающему измерениенапряжения стабилизации при нормальной температуре, дополнительно измеряют при нормальной температуре емкость запертого р-и-перехода стабилитрона в предпробойной области и определяют температурный коэффициент .напряжения стабилизации стабилитрона по модели связи с напряжениемстабилизации и емкоСтью запертого 60 р-и-перехода при нормальной температуре.Способ осуществляется следующим образом.Предварительно в достаточно большой группе (объемом 100-200 штук) однотипных стабилитронов (статистически значимой выборке) у каждого стабилитрона измеряют три характеристики:Х, - напряжение...

Номер патента: 1101306

Опубликовано: 07.07.1984

Авторы: Карпук, Папаш

МПК: B04B 5/00

Метки: пластин, полупроводниковых, сушки, центрифуга

...1 на Фиг. 2 - сечение А-А на, Фиг. 1 на Фиг. 3 .- вид Б иа Фйг. 111 .на фиг. 4 - вид В на Фиг. 1 на Фиг. 5 -сечение Г-.Г на Фиг. 4. 65 Центрифуга состоит из корпуса 1, ротора 2 с задатчиком 3 позиционного останова, двигателя .4 и ременной передачи 5. Ротор снабжен шарнирами 6-8, направляющей 9 для ползунов 10. К шарнирам 7 и ползунам 10 подвешены рычажно-полэунный механизм, состоящий из толкателя 11, рычагов 12 и 13, коромысел 14 и тяг 15, соединенных с поворотными рычагами 16. На рычагах 16 смонтированы подшипники 17., в которых установлены оси держателей 18 кассет, связанные посредством карданных соединений 19 с продольными штангами 20, установленными в отверстиях шарниров 8 и имеющими винтовой паз 21. Угол повоо рота винтового...

Номер патента: 368801

Опубликовано: 07.07.1984

Авторы: Давыдов, Кренцель, Серебряников, Стоцкая

МПК: C08F 138/00

Метки: полимеров, полупроводниковых

...проводить в присутствии акцепторов электронов, например нитробензола, тринитробензола, тринитротолуола и тетрацианэтилена.Полимеризацию проводят при 60- 100 С в вакууме в присутствии эквимолекулярного количества акцептора 25 электронов в течение 15-30 ч в блоке или в инертном растворителе. Про-. дукты полимеризации для очистки пере- осаждают из раствора.Получаемые полимеры представляют собой черные порошки, растворимые в полярных растворителях, например в диметилформамиде, метилэтилкетоне, ацетоне, которые могут быть спрессованы в таблетки на холоду или отлиты35 в пленки из раствора, Они обладают электрофизическими свойствами, присущими полупроводникам, При взаимодействии с бифункциональными соединениями, способными к образованию...

Номер патента: 880174

Опубликовано: 30.07.1984

Авторы: Афанасьев, Крысов, Трусова

МПК: H01L 21/268

Метки: отжига, пластин, полупроводниковых

...того, в этом способе трудно реализовать 35высокую производительность процесса.Наиболее близким техническим реше"нием к настоящему изобретению является способ отжига полупроводниковыхпластин импульсами некогерентного .40электромагнитного излучения миллисекундного диапазона 13 1.Требуемая в этом способе высокаяплотность энергии и излучения приводитк необходимости использования форсиро 45ванного режима ламп-источников излучения, что существенно снижает ихдолговечность и отрицательно сказывается на надежности способа и безопасности работы. 50Кроме того, облучение пластин содной стороны создает условия для возникновения повышенных термических напряжений, особенно в начальный момент взаимодействия мощного луча света с поверхностью, что на...

Номер патента: 1105835

Опубликовано: 30.07.1984

Авторы: Еремин, Колибаба, Мельников, Ячук

МПК: G01R 31/26

Метки: переходов, полупроводниковых, приборов, характеристик

...растет с уменьшением задаваемого тока. При малых токах это приводит к увеличению дрейфа нуля ОУ, нелинейности преобразования, уменьшению соотношения сигнал/шум, а в случае контроля переходов с большими отклонениями значений параметра оч эти отрицательные явления многократно возрас тают. Кроме того, диапазон измерений ограничен снизу в связи с тем, что носитель информации по о -параметру- переменная составляющая - берется в соотношении 1:10 к постоянной, оп О ределяющей измеряемую точку ВАХ перехода.Ъ1Наиболее близким по технической45 сущности и достигаемому результату к предлагаемому является устройство контроля характеристик о-о -перехода, содержащее задающий генератор, выполненный в виде источника постоянного напряжения, через...

Номер патента: 1106983

Опубликовано: 07.08.1984

Авторы: Анистратенко, Ергаков, Кирилюк, Оксанич, Раскевич

МПК: G01B 7/28

Метки: геометрических, параметров, пластин, полупроводниковых

...соединен с вторым информационным входом узла 25 памяти и через формирователь 27 команды разбраковки с входом сигнализатора 28 результата контроля толщины полупроводниковой пластины.Выходы узла 25 памяти соединены с соответствующими входами сумматора 29, а выходы сумматора через узел 30 коммутации каналов вывода информации и формирователи 31-33 соединены соот ветственно с входами сигнализаторов 34-36 результата контроля отклонения от плоскостности верхнего рельефа, отклонения от параллельности и отклонения от плоскостности нижнего рельефа полупроводниковой пластины. Управляющий вход узла 23 коммутации соединен с выходом датчика 19, вторым и четвертым входами электронного бло. ка 2 и первым входом анализатора 37. Управляющий вход узла 24...