Способ изготовления многослойных полупроводниковых структур силовых тиристоров n+-p-n-p-типа

Номер патента: 1600191

Опубликовано: 10.10.2006

Авторы: Ефремов, Малозёмова, Мочалов, Осипов

МПК: B29C 43/20, B29L 9/00

Метки: многослойных, пленок, полиимидофторопластовых

Способ изготовления многослойных деталей из полиимидофторопластовых пленок, включающий сборку пленок в пакет, последующее прессование пакета в оснастке при нагреве с выдержкой и охлаждением под давлением, отличающийся тем, что, с целью изготовления деталей профильной формы и увеличения из межслоевой прочности, сборку пакета проводят таким образом, чтобы толщина его составляла 1,03-1,13 от величины толщины изготавливаемой профильной детали, прессование осуществляют при 350-360°С и давлении 3-7 МПа в течение 20-25 мин и охлаждение детали производят до 120-150°С.

Номер патента: 94554

Опубликовано: 01.01.1952

Автор: Корчагин

МПК: B05C 9/00, G03C 1/74

Метки: эмульсионно-поливная

...зона 8 подготовки, после чего пленка попадает на поверхность сушильных барабанов, образованную из непрерывного ряда параллельно вращающихся роликов 9, оси которых находятся под некоторым углом к оси барабана, соответствующим шагу винтовой линии движения пленки. После прохода сушилки первого полива пленка подвергается второму поливу 10 и вертикальной зоне подготовки 11, попадая эмульсии за один табплизированнойМ 94554па роликовый тракт 12 сушилки второго полива, Далее следует третий полив 13, вертикальная зона подготовки 14, роликовый тракт 15 сушилки третьего полива с приводными роликами, вращаемыми посредством цепной передачи 16 от главного привода 17. Обработанная пленка поступает в аппарат запаса 18, стол .зажима 19,и намотку 20.Таким...

Номер патента: 1639422

Опубликовано: 30.03.1991

Авторы: Рассел, Рэнди, Сусан, Тьери

МПК: B01J 29/32, C07C 5/41

Метки: алканов, дегидроциклизации, катализатор

...По достижении 500 С температуру поддерживают на этом уровне12 ч, За это время отходящий из реакционной зоны поток анализируютежечасно с помощью встроенного газового хроматографа, Селективностьизмеряют в граммах полученной ароматики на грамм превращенного сырья,умноженных на 00, Катализатор показывает отличную селективность в течение 12 ч испытания катализатора,применяемого в процессе дегидроциклизации,П р и м е р 3. Готовят катализатор не содержащий связывающего вещества. 50 г калиевой формы цеолитаЕ со средним размером кристаллитовО275 А помещают в виде взвеси в раст-вор 12,8 г бикарбоната калия в 100 млдеионизированной воды, Калийцеолитную взвесь испаряют досуха и затем0прокаливают 3 ч на воздухе при 480 С.Полученный пропитанный...

Номер патента: 1840163

Опубликовано: 27.06.2006

Авторы: Коваленко, Манжа, Сулимин, Шурчков, Ячменев

МПК: H01L 21/82

Метки: диэлектрической, изоляции, интегральных, схем, элементов

Способ изготовления диэлектрической изоляции элементов интегральных схем, включающий формирование скрытых слоев в полупроводниковой подложке, наращивание эпитаксиальной пленки, нанесение маскирующих слоев, вытравливание канавок в эпитаксиальной пленке, формирование противоканальных р+-стопорных областей, нанесение пленки поликремния и заполнение канавок окислом кремния, отличающийся тем, что, с целью увеличения степени интеграции и процента выхода годных схем, после нанесения маскирующих слоев наносят легированную окисную пленку, канавки травят на толщину эпитаксиальной пленки, затем перед формированием противоканальных р+-областей формируют диэлектрическую пленку на стенках и дне канавок, удаляют локально окисел...

Номер патента: 49823

Опубликовано: 31.08.1936

Автор: Горбачев

МПК: G03B 15/10

Метки: комбинированных, снимков

...также фиксирует частично и галоидное серебро, причем фиксирование ведут до тех пор, пока фон не станет совершенно прозрачным, После этого пленку промывают и выносят на свет, где проявляют второй раз, Получается совершенно непрозрачный силуэт, т, е, позитивное изображение актера.После этого полученная маска к изображению снятому, но не проявленному на панхроматической пленке, про-мывается, сушится и закладывается в съемочный аппарат, согласно пробивке, сделанной при начале первой съемки через обе пленки так, чтобы маска, полученная в результате описанных манипуляций, прикрыла собою скрытое изображение, полученное на задней пленке и не ироявленное, Теперь можно снимать, что угодно и как угодно. Изображение актера будет прикрыто...