Колпахчьян

Номер патента: 1394925

Опубликовано: 27.02.2003

Авторы: Беспалов, Головченко, Колпахчьян, Красновид, Мускатиньев

МПК: G01R 31/26

Метки: параметров, полупроводниковых, приборов, силовых

Устройство для измерения параметров силовых полупроводниковых приборов, содержащее трансформатор, блок пуска, один из выходов которого соединен с управляющим электродом коммутирующего тиристора, компаратор, выход которого соединен с управляющим электродом формирующего тиристора, катод которого соединен с общей шиной, клемма для подключения анода испытуемого прибора подключена к одному из выводов делителя напряжения, второй вывод которого подключен к общей шине и через шунт - к клемме для подключения катода испытуемого прибора, первый вывод вторичной обмотки трансформатора через ограничитель тока подключен к второму выводу делителя напряжения, второй вывод вторичной обмотки трансформатора...

Номер патента: 1205271

Опубликовано: 15.01.1986

Авторы: Гаврилов, Колпахчьян, Поздняков

МПК: H03K 5/01

Метки: импульсов, усилитель-формирователь

...транзистор 1. В момент 1 открытия транзистора 1 суммарное напряжение на шине 10 и на заряженномконденсаторе 12 прикладывается к нагрузке, и формируется короткий импульс тока с крутым передним фронтом.2 О К моменту начала спада короткого импульса происходит насыщение дросселя 15, открывается транзистор 2, кобмотке трансформатора 7 прикладывается напряжение на шине 10 и форми руется основная часть импульса токав нагрузке. После окончания входногоимпульса управления на выводе 3 транзистор 2 закрывается, вновь начинается заряд конденсатора 12 и процесс Зо повторяется после поступления входного сигнала. Для формирования однополярныхшироких импульсов тока управленияс крутым передним фронтом для одноЗ временного включения группы...