Патенты с меткой «полупроводниковых»

Номер патента: 144236

Опубликовано: 01.01.1962

Автор: Юдин

МПК: H03K 3/2893

Метки: датчика, полупроводниковых, сопротивления, схема, триггера, триодах, управлением

...диод).Принципиальная схема трггсра приведена на чертеже.Тригер выполнен на полупроводниковых триодах 1 и 2. Смещение на базу триода 1 подано через опор ый кремниевый диод-стабилотрон,7 с потенциометра, состоящего из сопротивлений 4 и э. В качестве сопрозивлс 1 я 5 мокнет оь 1 ть использован да ик сопротивления. При Возрастании величины сопротивления 5 напряжение на стабилотроне 3 попыцается до тех пор, пока не достигнет уровня пробоя обратным напряжением, После этого на базе триода 1 появится огрицательное смещение, достаточное по своей велгчпне для опрокидывания триггера. Таким ооразом, призенение стабплогрона жестко фиксирует соотношение плеч потенцпометра, при котором наступает опрокидывание триггера. Предмет изобретения Применение...

Номер патента: 145033

Опубликовано: 01.01.1962

Авторы: Гречушников, Дистлер, Чудаков

МПК: G01L 1/24

Метки: кристаллах, напряжений, неоднородностей, полупроводниковых

...определения напряжений и нсоднородцостей В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ КРИСТЯЛЛЯХ ОСЦОВЯН НЯ СКЯИИПОВЯНИЦ УЗКИМ ПУЧ- ком инфракрасного излучения исследуемого полупров дникового кристалла с одновременной трансформацией выходного усиленного сигнала в видимое излучение, регистрируемое на обычном фотоматериале, который сканируется синхронно с исследуемым образцом. При применении предложенного способа исслсдованце производится в широком диапазоне инфракрасного спектра.Эффективность способа для выявления различного рода дефектов В полупроВодникоВых материалах подтВсрждяется практической про веркой. рсдмст изобретен об определения напрян(сций и неоднородностей в кристаллах путем цзмер=н: я их дво 1 Ного лучеп ю щ и й с я тем, что, с целью повышения...

Номер патента: 145283

Опубликовано: 01.01.1962

Авторы: Бакуменко, Васильев, Мокров, Сыпчук

МПК: G03G 13/00

Метки: диэлектрических, зарядов, материалах, полупроводниковых, создания, электростатических

...к большим трудностям в изготовлении и эксплуатации устройств ксерографической печати.В описываемом способе рабочий зазор между металлическим электродом и материалом увеличен без понижения качества изображения. С этой целью процесс нанесения зарядов производят не в воздухе, а в воздушной среде, содержащей один из электроотрицательных газов. В качестве электроотрицательного газа может быть использован фреон. Рабочий зазор прои этом может быть увеличен с 35 з 1 н до 150 лк при сохранении того же качества изображения,Способ может быть использован при проектировании устройств быстродействующей печати и графики ксерографическим методом (аппаратура передачи и приема да 1 нных к счетно-решающим машинам, быстродействующее телеграфирование и т....

Номер патента: 145914

Опубликовано: 01.01.1962

Авторы: Рабинович, Фомин

МПК: H01P 1/22, H03L 5/02

Метки: диодах, мощности, полупроводниковых, свч, стабилизатор

...которого определяется. В другом плече тройника находится согласованная конечная нагрузка 3, позволяющая раздельно изменять фазу и модуль коэффициента отражения для компенсации ассиметрии волноводного тройника 1,Ввиду отсутствия взаимной связи между плечами силовых линий Е и Н и отсутствия отражения от конечной нагрузки 3 на индикаторе 4 можно наблюдать коэффициент отражения испытуемого элемента, Для измерения малых отражений необходимо, чтобы линии связи имели минимальные потери в тракте, в связи с чем в стабилизаторе СВЧ мощности применены в качестве регулирующих элементов четыре низкочастотных германиевых диода. Диоды включены в линию парами с разной полярностью в ларе и последовательно по постоянному току. В схеме примене СВЧ...

Номер патента: 146765

Опубликовано: 01.01.1962

Авторы: Вовченко, Розанов, Шумская

МПК: H03K 17/68

Метки: быстродействующий, коммутатор, полупроводниковых, приборах

...5 поочередно Зз.1 ыкзет переключающие ячейки и состоит из генератора пмнульсов и псресчетной схемы с дсгнифрзтором - коммутатора импульсов.Каждз 5 переключающая ячейка описываемого коммутатора выюлнена на одной; транзисторе 1, подключающем напряжение соотВетству 101 цего автои яченкс датчика 2 на 001 ции Выход только В момент присутствия нз данной ячейке управляющего импульса блока управления.Для РСкл 10 чснРя влиянР 51 согОот 11 влени 51 датиНОВ( и) на 1 и,з. вильность передач информации должно соблюдаться условие14 б 7 б 5 С этой целью датчик 2 включается между базой и коллектором транзистора 1, а управляющее напряжение подается на эмиттер (вход 3). Следовательно, в каждый момент времени на общей для всех переключаюших ячеек...

Номер патента: 146875

Опубликовано: 01.01.1962

Автор: Персий

МПК: H03F 3/38

Метки: модулятор, полупроводниковых, реостатный, триодах

...к зажимам 2. В модуляторе использованы два триода: триод 3 типа р-и-р и триод 4 типа и-р-и. Оба триода одновременно запираются и отпираются коммутирующим напряжением, Триоды соединены по мостовой схеме, в диагональ которой включено сопротивление нагрузки. Подбором сопротивления 5 можно практически полностью скомпенсировать дрейф нуля модулятора, вызываемого остаточным напряжением на открытых триодах. Модулятор значительно ослабляет помехи от переходных процессов, так как по отношению к импульсам этой помехи схема модулятора также остается мостовой. Преобразованное напряжение снимают с зажимов б.Для повышения чувствительности модулятора можно использовать устройство, содержащее две пары триодов (фиг. 2). Каждая пара триодов - триоды 7,...

Номер патента: 146883

Опубликовано: 01.01.1962

Авторы: Гершензон, Козлов, Кузнецов, Перепеч, Разин, Сычев, Циркин

МПК: B23K 3/053, H01L 21/60, H05B 3/02 ...

Метки: выводов, индиевым, нагревательное, полупроводниковых, приборов, припайки, электродам

...нагревательного элемента (пластинка) с треугольными вырезами в области рабочей зоны.Нагревательное устройство представляет собой нагревательный элемент, подключаемый к источнику электрического тока с неболыппм напряжением (3 - 5 в). Элемент выполнен в виде пружиняшей пластинки 1 с уменьшенной шириной в области рабочей зоны. Пластинка изготовлена из тугоплавкого материала с высоким омпческим сопротпвлснием, например нихрома, и изогнута под острым углом в области рабочей зоны. Для уменьшения ширины в этом месте пластинка снабжена треугольными вырезами, име 1 ощими в плане форму, изображенную на фиг, 2. Уменьшение сечения пластинки в области рабочей зоны создает высокую температуру в месте ее непосредственного контакта с вывоЛо 146883...

Номер патента: 146884

Опубликовано: 01.01.1962

Авторы: Гутин, Пусеп

МПК: H01L 21/04

Метки: полупроводниковых, приборов, точечных, формовки

...ленте, нагреваемой импульсом переменного тока,На чертеже изображен эскиз устройства.Перпендикулярно контактной игле 1 приварена танталовая лента 2, нагреваемая импульсом переменного электрического тока. Контактная игла 1 опирается на поверхность полупроводниковой пластинки-кристалла 3. Сильно разогретая лента передает импульс тепловой энергии контактной игле. В результате этого происходит локальный разогрев кристалла у контакта создается область с дырочной проводимостью на кристаллс, и образуется р - и переход, обуславливаюгцнй выпрямительное действие диода.Отсутствие электрического поля при этом позволяет наблюдать за вольтамперной характеристикой диода в процессе формовки. Предмет изобретения Устройство для формовки точечных...

Номер патента: 147017

Опубликовано: 01.01.1962

Авторы: Белугин, Корнилов, Лещинская, Райхлин

МПК: G01M 3/06

Метки: герметичности, корпусов, полупроводниковых, приборов

...л)влеИ 51, с 03- лаваемого при нагревании корпус, отли 1 ющцЙс тем, то, с цель 10 ИОВы 1 цсиц 51 кс 1 чества коцтрол 1 срмстичност и кори) сов цол- проволниковы. прцоорОВ, цослслццс 311031 Н 5)ютс цстоцом, спирто. или бензином. 113 всстцы сцосйоы коцтрол Срмст)1 иОс гц 3 мкц ты), ОЙ 5 ьсмоц ИО вь)лслсццю струи, пузырьков г;1: Илц В 5)зл ка.ОцисыВаемыЙ спосоо Отлц 11)стс 51 От извести 1 тем, иго замкцмтыЙ объем, цпример корпус полупровол)Икового прибора, заполнется ацетоццм, спиртом и;1 ц б)сцзи:1 ом 11 сьпцснцые пры этик зполцителец созлают при нагревацци Гц)рпус; бо 1)шсг лавлс.1 це, чем гз или воз;1 ук, 110 атомм И 051 вл 51 стс 51 Взмо)к)11)сь ВЫ 51 В)1 сц 151 мель 1 ишим лсфск- ТОВ ОООЛОКиОццсцны) спосоо )Сзко НовьИ 11 Ст...

Номер патента: 147257

Опубликовано: 01.01.1962

Авторы: Петров, Плотников

МПК: H01L 21/00

Метки: автоматической, выводов, полупроводниковых, приборов, припайки, установки, центр, электродам, электродных, электродов

...все координатные перемещеня кареток 4 при помощи коромысла 8, длина плеч которого устанавливается .в зависимости от кратности увеличения кристалла Электродная проволока 9, сварочные электроды 10 и ножи 11 укреплены па монтажной каретке 12 и перемешаются вместе с ней. УСТРОЙСТВО ДЛЯ УСТАНОВКИ ЭЛЕКТРОДНЫХ ВЫВОДОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ В ЦЕНТР ЭЛЕКТРОДОВ И АВТОМАТИЧЕСКОЙ ПРИПАЙКИ ВЫВОДОВ К ЭЛЕКТРОДАМ147257Проекционное устройство 13, печь 14 нагрева газа и осветители б неподвижны, На чертеже слева показано положение исполнительных механизмов в момент поиска электродов. После того, как фотоэлемент 7 своей чувствительной частью установился в центр проекции электрода на экране, механизм координатного перемещения поисковой каретки...

Номер патента: 147258

Опубликовано: 01.01.1962

Автор: Ахламенок

МПК: H01L 21/00

Метки: выводов, полупроводниковых, приборов, электродов

...производительность труда и снизить брак. Предмет изобретения Составитель описания Г. А Емельян ед А. А, Камышникова 1(орректор В, Андрианов Кутафина дакто бум. 70(108/иж 1000и открытий при СЧеркгсскии пер., д.Мо Форма Объем 0,18 изд л. Цена 4 коп. вете Министров СССРПодп. к печ. 7 У 1-62 г.Зак. 6006ЦБТИ 1(омитета по делаМоск 1 изобрете а, Центр, М. пография ЦБТ сква, Пгтоовка, 14 1. Устройство для изготовления выводов (электродов) для полупроводниковых приборов, включающее в себя механизм для продвижения и обрезания проволоки определенных размеров, отличающее с я тем, что, с целью получения на конце вывода (электрода) шарика требуемого диаметра, проволока используется в качестве одного из перемещающихся электродов по отношению к...

Номер патента: 147663

Опубликовано: 01.01.1962

Авторы: Земсков, Чабанов

МПК: H02H 7/125

Метки: диодов, замыканий, защиты, коротких, полупроводниковых

...в первичной обмотке (при коротком замыкании).Напряжение с лампового генератора Л, подается на управляющую сетку усилителя Л 2, нагрузкой которого является повышающий авто- трансформатор АТр, через который поджигающие импульсы подаются на иглу разрядника ПР, экранная сетка лампы Л 2 присоединена к вторичной обмотке трансформатора Тр 1 Трансформатор Трз и лампа Л; служат для питания собственных нужд устройства.В момент возникновения короткого замыкания в защищаемой цепи во вторичной обмотке трансформатора То, появляется значительная147663 э,д,с которая вызывает полное открытие лампы Л,. В результате под действием анодного тока лампы Л во вторичной цепи автотрансформатора АТр индуктируется высокое напряжение, которое подается на иглу...

Номер патента: 148439

Опубликовано: 01.01.1962

Авторы: Иванчук, Липман, Рубинов

МПК: H03F 3/10, H03F 3/26

Метки: двухтактный, диодах, полупроводниковых, реверсивный, управляемых, усилитель

...питающего напряжения. Условие гашения управляемого диода выполняется независимо от величины индуктивности нагрузки и момента подачи сигнала управления, если величина емкости конденсатора, входящего в гасящую цепочку, удовлетворяет неравенству1 - 7 --с) "У ая + -где т=2 лЯС; Я, - активная составляющая сопротивления нагрузки Н;- частота питающего напряжения; Р - величина активного сопротивления, входящего в гасящую цепочку. Величина активного сопро. тивления Я не превышает 5 - 89 о от сопротивления нагрузки. В некоторых случаях это сопротивление, ограничивающее импульсный ток управляемых диодов, может быть исключено из гасящей цепочки, так как управляемые диоды допускают значительную импульсную перегрузку.При работе усилителя на...

Номер патента: 149455

Опубликовано: 01.01.1962

Авторы: Куркин, Куркина

МПК: H03F 3/18

Метки: выполненный, полупроводниковых, трех, триодах, усилитель

...1 с р - и - р проводимостью, триоде 2 с и - р - и проводимостью и триоде 3 с р - и - р проводимостью и охвачен положительной и отрицательной обратными связями. Для получения,высокого выходного сопротивления, во много раз превышаюшего коллекторное сопротивление выходного триода 3, коллектор триода 2 включен на делитель обратной связи, образованный сопротивлениями 4, б, Делитель обратной связи включен между общей точкой стабилитрона б и сопротивления 7, подключенных в эмиттерной цепи выходного триода 3, и входным зажимом усилителя тока.Описанный усилитель тока может найти применение в прецизионных транзисторных схемах, используемых в электронных моделирующих устройствах нового типа с применением отрицательно-импеданс. ных конверторов, а...

Номер патента: 149505

Опубликовано: 01.01.1962

Автор: Кричевский

МПК: G01R 31/27

Метки: диодах, контакта, отсутствия, полупроводниковых

...напряжения, то при замыкании общих выводов 4 и б схемы по образованному замкнутому контуру потечет ток. При этом ток потечет только при условии отсутствия обрыва в испытуемом диоде.Прохождение тока через контур обнаруживают с помощью трансформатора б тока, витком первичной оомотки которого служит провод, згмыкающий общие точки схемь К зажимам 7 вторичной обмотки трансформатора б подключают индикатор, например ооциллограф. Наличие в проверяемых устройствах диодов, включенных параллельно испытуемому, не влияет на точность проверки, поскольку они закорочены проводом, соединяющим выводы 4 и 5. Перенося разборный трансформатор 1 с одного диода на другой, можно испытать па обрыв все параллельно включенные диоды.Описанный способ может...

Номер патента: 149621

Опубликовано: 01.01.1962

Автор: Кузьмин

МПК: H03K 17/60

Метки: переключатель, полупроводниковых, триодах

...частоты (десятки килогерц).На чертеже изображена схема предложенного переключателя,В качестве подвесного источника питания в переключателе применен двухканальный однополупериодный выпрямитель.Выпрямитель состоит из трехобмоточного трансформатора 1, ппроводниковых диодов 2 и 3 и конденсаторов 4 и 5, служащих для сживания пульсаций выпрямленного напряжения.Кроме того, переключатель включает в себя сопротивления б, 7, 8, 9и 10 и триоды 11, 12 и 13.Трансформатор 1 служит для электрического разделениявыпрямителя. Диоды 2 и 3 служат для выпрямления переменпряжения, возникаюшего на обмотках а и б.Первичная цепь выпрямителя подключена к источнику переменного напряжения высокой частоты (20 - 100 кгпв).149 б 21 Подвесные выпрямители должны иметь...

Номер патента: 150176

Опубликовано: 01.01.1962

Автор: Левинзон

МПК: H01L 21/66

Метки: зонд, полупроводниковых, потенциальный, проводимости, типа

...боковые отверстия в стенках заполняется жидким газом.Включается зонд по обычной схеме потенциального зонда, Через ко такт зонда со слитком 5 пропускается переменный ток от источника регулируемого напряжения,Падение напряжения на контакте и на сопротивлении Р 1, включенм последовательно слитку, подается соответственно на горизонтальный и вертикальный усилители электронного осциллографа 6, на экране которого наблюдается вольтамперная характеристика.Для проведения измерения зонд опускают в сосуд Дюара, где онохлаждается в течение 20 - 30 сек. Затем зонд приводится в контакт сослитком. Хорошая теплопроводность контакта создает в слитке локальную область примесной проводимости, т. е. собственные носители заряда в этой области практически...

Номер патента: 150488

Опубликовано: 01.01.1962

Авторы: Калнач, Одзиня

МПК: C30B 15/04

Метки: введения, испаряющихся, легко, полупроводниковых, примесей, расплав

...устройство исключает казанный недостаток. Достиется это тем, что оно снабжено поплавком,На чертеже изображено предлагаемое устройство.Устройство состоит из пузырька 1 грибовидной формы с цилиндрической ножкой 2, имеющей отверстие 3, которое плотно закрыто пришлифованным к нижней поверхности ножки поплавком 4. Держатель 5 прикреплен к концу штока для вытягивания кристаллов.Принцип действия устройства следующий. Пузырек 1 через отверстие 3 заполняют легкоиспаряющейся примесью. После расплавления полупроводникового материала устройство опускают в расплав так, что в последний погружены поплавок и часть ножки пузырька, При этом примесь в пузырьке нагревается и испаряется. По достижении соответствующего давления пары примеси отталкивают...

Номер патента: 150495

Опубликовано: 01.01.1962

Авторы: Большаков, Буленков, Федоров, Цирлин

МПК: C30B 11/02

Метки: полупроводниковых

...тигли. Нижняя часть каждого тигля имеет внешний шлиф, а верхняя часть - внутренний шлиф. Тигли устанавливают таким образом, что дно верхнего тигля служит крышкой нижнего. Батарею, состоящдо из трех-четырех тиглей с шихтой, помещают в кварцевую ампулу, после чего ампулу вакуумируют до разрежения, равного 10 -- 10 -и.и рз. ст, Ампулу запаивают и нагревают до температуры синтеза. Шлиф тиглей пропускает газ при откачке ампулы, но практически он непроницаем для конденсирующихся паров и жидкости, так как капилляры шлифа быстро забиваются конденсатом.При синтезировании из чистых компонентов сплавов системы Мд - с 1 - ,зЬ и М - 5 п - ЯЬ с длительной выдержкой при высоких температурах с применением виброперемешивания, на внутренней...

Номер патента: 150906

Опубликовано: 01.01.1962

Автор: Писарев

МПК: H02H 7/125

Метки: вентилей, защиты, полупроводниковых, силовых

...защиты.На чертеже изображено предлагаемое устройство для защиты полупроводниковых вентилей.В диагональ моста, образованного вентилями 1, 2 и сопротивлениями 3 и 4, включается управляющая обмотка, охватывающая два сердечника 5 и б, имеющих прямоугольную петлю гистерезиса, Кроме этой обмотки, сердечники имеют обмотки смещения 7 и 8 и выходные обмотки 9 и 10, соединенные последовательно, При исправных вентилях в управляющей обмотке протекает только небольшой ток небаланса, вызванный неравенством прямых и обратных сопротивлений вентилей. Намагничивающая сила смещения действует таким образом, что оба сердечника 5, б насыщены в противоположных направлениях.При повреждении одного из вентилей баланс моста нарушается и в обмотке...

Номер патента: 150937

Опубликовано: 01.01.1962

Автор: Кокошкин

МПК: G01M 19/00, H01L 21/66

Метки: гальванои, исследований, образцов, полупроводниковых, проведения, термомагнитных

...соединен с150937вакуумной системой, не изображенной на чертеже, дающей возможность с помощью форвакуумного насоса (не показан на чертеже) ссздавать в рабочем объеме давление до 1,5 10 - -мл рт,ст, или наполнять криостат инертным газом. Трубка 2, в которой помещен концентратор 1, опущена в стандартный сосуд Дюара 1 б и на нее надет нагреватель 16. Для выравнивания температурного поля на шайбы б надевают медный экран 17, оклеенный изнутри стеклотканью. Изменение температуры от комнатной до 90 К и ее поддержание на заданном уровне осуществляют путем изменения положения сосуда Дюара 15, уровня жидкого азота в нем, а также степени разрежения в рабочем объеме, При нагревании криостата сосуд 15 служит дополнительным тепловым экраном,...

Номер патента: 150939

Опубликовано: 01.01.1962

Авторы: Алешков, Сахаров, Юдович

МПК: G01N 13/00

Метки: нагрузкой, находящихся, перехода, полупроводниковых, приборов, температуры, электронно-дырочного

...перехода и состоит из: генератора 5 импульсов, импульсного осциллографа б и устройства 7, включающего делитель, ограничитель и переключатель.Прерыватель т синхронизован с трансформатором таким образом,что он пропускает ток в прямой полупериод и разрывает силовую цепьпри прохождении прямого тока через нуль, обесточивая ис ледуемыйвентиль 1 в течение всего обратного полупериода,С трансформатором 2 синхронизован также генератор 5 импульсовЗапуск его происходит по истечении некоторого времени после р ррмат бум УОХ 08/1 ирак150иий и открытий и.1 оГ1 о . иЛак 102 11,ЯИ изд. с 4 кои ГХСР о и.и и ки, 11 ирииа 1 ни 1 ка 14 п(ни 51 прохождения )рямого тока через вентиль т с тем, чтобы Б иссл(.- дуемом приооре закончились переходные...

Номер патента: 151114

Опубликовано: 01.01.1962

Авторы: Долинская, Соборников

МПК: H03K 19/162

Метки: выполненных, диодах, параметронов, питания, полупроводниковых

...генератор 1 накачки; три ключа2, 3 и 4; параметроны 5 - 10, собранные на полупроводниковых диодахР, и трехфазный модулятор 11. Генератор накачки питает все параметроны, а также три ключа, собранных на полупроводниковых высокочастотных триодах. Трехфазный модулятор обеспечивает насыщениесоответствующих ключей по заданной временной тактовой последовательности.Импульсы трехфазного модулятора, отпирающие ключи, содне выше третьей гармоники тактовой частоты, этим исключаетсяват фазы параметров.Генератор накачки может быть выполнен по двухтактной схеме,по два триода в параллель, и в случае необходимости - стабилизирован кварцем. Необходимо, чтобы триоды ключей имели небольшуюемкость и минимальное сопротивление насыщения. Каждый...

Номер патента: 151260

Опубликовано: 01.01.1962

Автор: Карл

МПК: H01L 21/283, H01L 21/40

Метки: контактов, кристаллах, омических, полупроводниковых, фотосопротивлениях

...не имеющему запорного слоя на кристалле из соединения элемента второй подгруппы и элемента шестой основной группы периодической системы элементов, путем напыления алюминия в вакууме.Перед напылением алюминия кристалл нагревается до температу. ры 150 - 250, После напыления алюминия кристалл отхкигается при151260температуре 200 в 3 С. В качестве контактного материала отдается предпочтение алюминию с высокой степенью чистоты. Особенно вредной для процесса напыления примесью алюминия является бор.Части иоверхности кристалла, не предназначенные для контактирования, умед напылением накрываются термостойким шаблоном.Целесообразно кристалл еще в течение некоторого времени подвергнузь 4 фгЖгпературной выдержке, чтобы обеспечить полную...

Номер патента: 151400

Опубликовано: 01.01.1962

Авторы: Калинин, Соболев

МПК: H01L 21/66

Метки: бесконтактных, измерений, кристаллов, малогабаритных, низкоомных, полупроводниковых, сопротивления, удельного

...изобретенияУстройство для бесконтактных измерений удельного сопротивления малогабаритных кристаллов низкоомных полупроводниковых материалов, работающее на принципе наведения з образце вихревых токов, содержащее генератор высокочастотных колебаний и индуктор, который размещается вблизи плоской части измеряемого образца, о т л и ч а ющеес я тем, что, с целью снижения влияния размеров образца на результаты измерений удельного сопротивления, между индуктором и образцом помещена проводящая диафрагма, локализующая поле в облас ти пространства, прилегающего к отверстию диафрагмы.Редактор Н. С, КутаФина Техред Т. П. Курилко Корректор Г. Куцривцева Глода. к пеи. 1 О.Х.62 т. Формат бум 70 Х 108,и Объем 0,18 изд. л. Заи. 10496 Тираж 1150 Цена...

Номер патента: 151403

Опубликовано: 01.01.1962

Авторы: Журавель, Ильенков

МПК: G01R 31/26

Метки: параметров, полупроводниковых, приборов, стабильности

...которой устанавливаются провым стеклом и отражательным ся наблюдение, Параллельно штативе смонтирована рамающие экраны с защитным свим Я, посредством которого ве свеч ив зерка,Известны рентгеновские дефектоскопы, состоящие из рентгеновскотрубки и пульта управления.Отличительная особенность описываемого рентгеновского дскопа лент состоит в том, что он установлен на подвижном штарентгеновская трубка дефектоскопа синхронно перемещается стельным зеркалом, при этом фиксирование результатов контроществляется визуально или фотографированием на пленку.Рентгеновский дефектоскоп такой конструкции повышает надежность и скорость контроля лент,На чертеже изобпажен описываемый рентгеновский дефекзид сбокуНа штативе 1 трубчатой конструкции...

Номер патента: 151730

Опубликовано: 01.01.1962

Авторы: Гирель, Сандеров, Якубов

МПК: H01L 21/00

Метки: армирования, выводов, полуавтомат, полупроводниковых, приборов

...шарикового привода, осуществляющего обжим трубки б после прохода в нее вывода 12 полупроводникового прибора. Ползун 5 снабжен рычагом 13, на который воздействует шток 14 шарикового привода, чем обеспечивается отжим планки 8 и освобождение армированного вывода 12 при дальнейшем перемещении рейки 2. Движение ползуна до оси Х - Х подачи трубок б осуществляется при помощи штока 15 шарикового привода. Возврат ползуна в исходное положение производится пружинами, не показанными на чертеже, Планка 1 б, соединенная с ползуном 5, служит для компенсации всех неточностей изготовления узла привода и обеспечивает точную фиксацию положения ползуна после достижения им линии Х - Х. Ход ползуна регулируется винтом 17.В корпусе 1 размещено шесть призм 18...

Номер патента: 152034

Опубликовано: 01.01.1962

Авторы: Батавин, Волков, Русаков

МПК: C22F 1/02

Метки: переходов, полупроводниковых, приборов, р-п

...тем, что после создания окисной пленки ее подвергают термической обработке в атмосфере инертного газа или вакууме при температуре 600 в 8 в течение 10 - 20 мин.Для осуществления предлагаемого способа после травления полупроводникового прибора в травителе СРили в смеси плавиковой и азотной кислот производится промывка в циркулирующем потоке деионизированной воды с удельным сопротивлением о=12 мгом и анодное оксидирование обычным порядком. Затем производится сушка в вакууме (10мм рт, ст.) при температуре 120 в течение одного часа н кратковременная термообработка в инертном газе или вакууме при температуре 600 - 800 в течение 10 - 20 мин.152034 Предмет изобретения Редактор Е. Г. Манежева Техред Т. П, Курилко Корректор Г, Кудрявцева...

Номер патента: 164036

Опубликовано: 01.01.1964

Авторы: Баумгарт, Вычислительной, Грундулис, Иване, Институт, Латвийской

МПК: G01R 31/26

Метки: величины, коэффициента, полупроводниковых, току, триодов, усиления

...току полупроводниковых триодов существенное упрощение автоматизации процесса измерений достигнуто использованием в качестве источ ника питация базовой цепи генератора линейцо-измепяюшегося напряжения. В качестве измерителя тока базы при заданном значении тока в цепи коллектора использованы две сравнивающие цепочки, управляющие комму татором, включенным между генератором колебаций стабильпой частоты и счетчиком периодов колебаний. Это дает возможность получить отсчет значения коэффициента усиления цепосредствсццо в цифровой форме. 25 ооражеца блок-схема устрой- зависимость тока в цепи баеци.еряемого противления 2 выбирается зца шей входного сопротивления следствие чего ток базы будет цейцому закону (кривая 11 ца164036 Предаст...

Номер патента: 164068

Опубликовано: 01.01.1964

Авторы: Калинин, Соболев

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: полупроводниковых, сопротивления, удельного

...пара которых через детектор включена в электронную схему сравнения. Это дает возможность повысить точность и расширить диапазон измерения.На чертеже представлена схема, иллюстрирующая предложенное устройство.Сердечник 1 выполнен из феррита и, как видно из чертежа, имеет форму двух неполных колец, сложенных в виде Х. Общая обмотка 2 датчика 8 питается от отдельного высокочастотного генератора 4, напряжение которого модулируется модулятором 5 низкой частоты. Э. д. с., наведенная в измерительных 6 и компенсационных 7 обмотках, подается через детекторы 8 на электронную схему сравнения 9. Индикатор 10, подключенный через усилитель 11 к схеме сравнения, будет фикси ровать ноль. При внесении в один из зазоровдатчика 3 измеряемого образца 12...